〇(D)Norizzawati Mohd Ghazali^1,2、 Hiroshi Tomizawa¹、 Noriyuki Hagiwara¹、 Katsuya Suzuki¹、 Abdul Manaf Hashim^1,2、 Tomohiro Yamaguchi¹、 Seiji Akita³、 Koji Ishibashi^1,4 (1.RIKEN, Japan、2.Malaysia-Japan Int. Inst. of Tech., Malaysia、3.Osaka Pref. Univ., Japan、4.RIKEN CEMS, Japan)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-15] カーボンナノチューブ複合紙による色素増感型太陽電池の変換効率向上に向けた電解液の検討

〇(M2)尾形勇耶¹、大矢剛嗣¹ (1.横国大院工)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-16] カーボンナノチューブ複合紙によるIoT向け紙アンテナの開発

〇(M1)池添雄貴¹、大矢剛嗣¹ (1.横国大院工)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-17] 糸トランジスタの性能向上に向けたカーボンナノチューブ複合糸の
新たな作製方法の検討

〇(M1)北村隼人¹、大矢剛嗣¹ (1.横浜国大)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-18] カーボンナノチューブ複合紙を用いた「熱電発電紙」のn型ドーピングに関する検討

〇(M2)川田一貴¹、大矢剛嗣¹ (1.横国大院工)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-19] MWCNTs/PDMSによる電熱アクチュエータの形状比較

〇川上翔太郎¹、中村篤志¹ (1.静大院工)

13:30 〜 15:30

△ [5p-PA1-20] 大気安定n型カーボンナノチューブ熱電シートの安定メカニズムの検討

〇(M2)中島祐樹¹、黄文シン¹、 Aleksandar Staykov²、藤ヶ谷剛彦^1,2,3 (1.九大院工、2.WPI-I2CNER、3.JST-さきがけ)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-21] カーボンナノチューブ自立膜を用いたバルーン浮揚体の創製

〇(M1)小林大赳¹、高橋一希¹、三井拓樹¹、加藤悟²、藤井俊治郎^1,3、生野孝¹ (1.東理大院基礎工、2.名大院工、3.産総研)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-22] 液中アーク放電法によって合成されたカーボンナノチューブの熱電特性

〇引地優嘉¹、伊藤雅浩¹、金勇一¹、中嶋宇史²、山本貴博¹、西川英一¹ (1.東理大工、2.東理大理)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-23] CVDグラフェンの銅基板依存性

〇鴨井督¹ (1.京都府中小企業技術センター)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-24] ペンタセン原料を用いたCu基板上へのグラフェンの低温形成

〇部家彰¹、松尾直人¹ (1.兵庫県立大工)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-25] CVD成長した二層グラフェンの積層構造の制御

〇寺尾友里¹、河原憲治²、水野清義¹、日比野浩樹³、吾郷浩樹^1,2 (1.九大院総理工、2.九大グローバルイノベーションセンター、3.関学理工)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-26] 水素原子を用いた3C-SiC/Si基板上へのグラフェンの低温形成

〇荒畑宏樹¹、成田克¹、遠藤則史²、末光眞希²、遠田義晴³、中澤日出樹³ (1.山形大院理工、2.東北大通研、3.弘前大院理工)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-27] アルコールCVDによるAl₂O₃薄膜上のグラフェン直接成長

〇横北拓大¹、竹下啓太¹、中村篤志¹、武田正典¹ (1.静大院工)

13:30 〜 15:30

△ [5p-PA1-28] Wキャップ層を用いたグラフェン直接析出法におけるAuボトム層の効果

〇山田純平¹、上田悠貴¹、山本大地¹、藤原亨介¹、丸山隆浩¹、成塚重弥¹ (1.名城大理工)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-29] a面およびc面サファイア基板上への無触媒CVDによるグラフェンの直接成長 --- 成長温度依存性 ---

〇上田悠貴¹、山田純平¹、藤原亨介¹、山本大地¹、丸山隆浩¹、成塚重弥¹ (1.名城大理工)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-30] 絶縁基板上へのグラフェンの直接低温合成

〇高橋和成¹、若松裕司¹、 Vishwakarma Riteshkumar¹、 Araby Mona¹、 Kalita Golap¹、北澤正志²、種村眞幸¹ (1.名工大院工、2.オリンパス(株))

13:30 〜 15:30

△ [5p-PA1-31] SiCステップ上グラフェン量子ドットのプラズモン発光現象

〇(M2)原田頌太¹、中野さつき¹、乗松航¹、西川洋太²、河野行雄³、楠美智子⁴ (1.名大院工、2.日本カンタム・デザイン株式会社、3.東工大未来研、4.名大未来研)

13:30 〜 15:30

△ [5p-PA1-32] B₄C薄膜の熱分解によるホウ素ドープグラフェンの作製

〇(M2)高田奈央¹、乗松航¹、伊藤孝寛²、楠美智子³ (1.名大院工、2.名大シンクロトロン、3.名大未来)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-33] アリルデキストランゲル表面へのグラフェンの構造選択的吸着

〇(M2)石黒駿一¹、笘居高明¹、田村直貴¹、中安祐太¹、本間格¹ (1.東北大多元研)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-34] ドメインサイズの異なる多結晶グラフェンの構造および電気伝導特性

〇小川友以¹、平間一行¹、日比野浩樹^1,2、熊倉一英¹ (1.NTT物性科学基礎研、2.関西学院大理工)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-35] 銅ナノ粒子を用いた熱CVD法による湾曲グラフェンの成長

〇高嶋明人¹、西尾泉¹ (1.青学大理工)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-36] フッ素化アントラセントリマー前駆体を用いたボトムアップ・グラフェンナノリボン・トランジスタ

〇大伴真名歩^1,2、林宏暢³、山口淳一^1,2、實宝秀幸^1,2、山田容子³、佐藤信太郎^1,2 (1.富士通研、2.富士通、3.奈良先端大)

13:30 〜 15:30

△ [5p-PA1-37] Ni触媒を用いた原子的平坦ダイヤモンド(111)表面上のグラフェン形成機構

〇片桐悠太郎¹、叶田翔平¹、莨谷平¹、長井雅嗣¹、山本貴大¹、牧野俊晴²、山崎聡²、松本翼¹、徳田規夫¹、猪熊孝夫¹ (1.金沢大院自然、2.産総研エネ部門)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-38] CoB触媒を用いた固相析出によるBドープ多層グラフェンの形成

〇(M1)藤島悠揮¹、上野和良^1,2 (1.芝浦工大、2.SITグリーン研)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-39] RF-N₂プラズマ照射による4H-SiCポーラスエピタキシャルグラフェンの孔密度制御

〇竹田直喜¹、石丸大樹¹、今井宏友¹、橋本明弘¹ (1.福井大院工)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-40] 顕微ラマン分光を使ったグラフェンのひずみ方位の簡単な決定法の開発

〇中村和史¹、友利ひかり^1,2、神田晶申¹ (1.筑波大数理物質、2.JSTさきがけ)

13:30 〜 15:30

▲ [5p-PA1-41] Suppression of Cu Oxidation by Single-Layer Graphene
under High Temperature and High Humidity Test

〇(M2)Ploybussara Gomasang¹、 Takumi Abe¹、 Kenji Kawahara²、 Ngyen Thanh Cuong³、 Hiroki Ago²、 Susumu Okada⁴、 Kazuyoshi Ueno^1,5 (1.Shibaura Institute of Tech.、2.Kyushu Univ.、3.ICYS-Namiki、4.Univ. of Tsukuba、5.SIT-RCGI)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-42] カーボンナノウォール/ダイヤモンドヘテロ接合の作製と電気特性

〇伊藤秀治¹、植田研二¹、浅野秀文¹ (1.名大院工)

13:30 〜 15:30

▲ [5p-PA1-43] Correlation of chemical state and adhesion force to nanotribological properties of graphene oxide

〇(D)Kunhua Yu¹、 Yudi Tu¹、 Toru Utsunomiya¹、 Takashi Ichii¹、 Hiroyuki Sugimura¹ (1.Kyoto Univ)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-44] 真空加熱還元処理された酸化グラフェンの物性評価

〇石田拓也¹、青木伸之¹、仁科勇太² (1.千葉大院工、2.岡山大)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-45] 異種材料を積層させたグラフェンのラマン散乱と電気特性

〇藤元章¹、小山政俊¹、原田義之¹、小池一歩¹、佐々誠彦¹、矢野満明¹ (1.大工大ナノ材研)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-46] 二次元原子膜h-BCNをチャネルとしたFETにおける電気伝導特性の原子配置依存性

〇生水出浩斗¹、小川真人¹、相馬聡文¹ (1.神戸大院工)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-47] グラフェン/h-BCNへテロ超格子構造における長波長光吸収特性の理論解析による評価

〇栗原健汰¹、岡本一希¹、小川真人¹、相馬聡文¹ (1.神戸大院工)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-48] CVDグラフェンの構造と電気化学特性の相関

〇平野正浩¹、中村廉¹、尾松佑樹¹、渡辺剛志¹、黄晋二¹ (1.青学大理工)

13:30 〜 15:30

▲ [5p-PA1-49] Low pull-in operation and high switching endurance observed for a graphene-hBN van der Waals contact NEMS switch

〇(P)Huynh Van Ngoc¹、 Jothiramalingam Kulothungan¹、 Manoharan Muruganathan¹、 Hiroshi Mizuta¹ (1.JAIST)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-50] グラフェンとグラフェン状物質h-BCNの超格子構造の電気伝導特性シミュレーション

〇石原友也¹、小川真人¹、相馬聡文¹ (1.神戸大院工)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-51] 二次元原子膜h-BCNの光吸収特性における原子配置依存性

〇岡本一希¹、土井信行¹、栗原健汰¹、小川真人¹、相馬聡文¹ (1.神戸大院工)

13:30 〜 15:30

△ [5p-PA1-52] グラフェン電界効果トランジスタを用いた呼気分析用水素センサにおけるPdドットサイズの影響

〇坂本優莉¹、植村孝平¹、生田昂¹、前橋兼三¹ (1.東京農工大学)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-53] グラフェンの電気化学特性と状態密度の相関

〇梁井皓平¹、渡辺剛志¹、黄晋二¹ (1.青学大理工)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-54] ゲート付きグラフェントンネルダイオードの電気特性

〇志賀佳菜子¹、竹澤政記¹、菅原健太²、尾辻泰一²、内野俊¹ (1.東北工大、2.東北大通研)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-55] グラフェン振動子を用いたアトグラムレベルの質量変化検出

〇(D)瀬戸文博¹、マノハランムルガナタン¹、水田博¹ (1.北陸先端大)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-56] グラフェンの結晶性がpHセンサのダイナミックレンジに及ぼす影響

〇玉木克明¹、中村篤志¹ (1.静大院工)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-57] TiN層導入による固相析出多層グラフェン膜の密着性改善

〇(M1C)横澤孝典¹、上野和良^1,2 (1.芝浦工大、2.SITグリーンイノベーション研究センター)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-58] 金属合金膜を用いたSnS2リボンのエピタキシャル成長

〇林賢二郎¹、片岡真紗子¹、實宝秀幸¹、大淵真理¹、佐藤信太郎¹ (1.富士通研)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-59] MoS₂:P薄膜の直接成長と物性評価

〇百瀬友博¹、中村篤志¹ (1.静大院工)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-60] トンネルFET応用に向けた二次元半導体によるヘテロ構造体の合成

〇泉本征憲¹、 Adha Sukuma Aji¹、河原憲治²、山本圭介¹、中島寛^1,2、吾郷浩樹^1,2 (1.九大院総理工、2.九大GIC)

13:30 〜 15:30

▼ [5p-PA1-61] Edge Controlled Growth of Hexagonal Boron Nitride Crystals by Atmospheric Chemical Vapor Deposition

〇(D)Kamal Prasad Sharma¹、 Golap Kalita¹、 Masaki Tanemura¹ (1.Nagoya Inst. Technol.)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-62] 遷移金属カルコゲナイドとグラフェンの面内ヘテロ構造体の創製

〇末永健志朗¹、白土喜博¹、丁冬¹、日比野浩樹³、河原憲治²、吾郷浩樹^1,2 (1.九大院総理工、2.グローバルイノベーションセンター、3.関学理工)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-63] 吸引型プラズマによるWSe₂の単層エッチング

〇宮脇淳¹、久保利隆¹、清水哲夫¹、新堀俊一郎²、高橋賢²、遠藤和弘³、安藤淳¹ (1.産総研、2.三友製作所、3.金沢工大)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-64] 原子層ヘテロ積層構造の作成手法による光学特性の変化

〇(DC)岡田光博¹、暮石宥介¹、徳田拓人¹、渡邊賢司²、谷口尚²、篠原久典¹、北浦良¹ (1.名大院理、2.物材機構)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-65] 層状物質電界効果トランジスタの高性能化のためのゲート界面改質

〇原田恭介¹、上野啓司¹ (1.埼玉大院理工)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-66] 電界効果近接場法によるMoTe₂薄膜の構造制御

〇野崎純司¹、西留比呂幸¹、上野啓司²、蓬田陽平¹、柳和宏¹ (1.首都大理工、2.埼玉大院理工)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-67] グラフェン-MoS₂ヘテロ接合FETにおける光応答特性

〇小林史歩¹、望月裕太¹、今北悠貴¹、竹井邦晴¹、有江隆之¹、秋田成司¹ (1.大阪府立大工)

13:30 〜 15:30

▼ [5p-PA1-68] Hydrogen-Induced Epitaxial Growth of Monolayer WS₂ and Orientation-Dependent Grain Boundaries

〇(M2)Hyun Goo Ji¹、 Pablo Solis-Fernandez²、 Adha Sukuma Aji¹、 Yung-Chang Lin³、 Kazu Suenaga³、 Kosuke Nagashio⁴、 Hiroki Ago² (1.IGSES, Kyushu Univ.、2.GIC, Kyushu Univ.、3.NRC, AIST、4.Tokyo Univ.)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-69] CVD成長した単層MoS₂単結晶の電気伝導特性

〇(M2)内田智美¹、小林佑¹、遠藤尚彦¹、真庭豊¹、宮田耕充¹ (1.首都大理工)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-70] 層状超伝導体NbSe₂薄膜の超伝導特性のデバイス構造依存性

〇(M2)矢部大輔¹、鑓水勝秀¹、園田大樹¹、友利ひかり^1,2、渡邊賢司³、谷口尚³、神田晶申¹ (1.筑波大数理物質、2.JSTさきがけ、3.NIMS)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-71] ヒ素をドープしたMoSe₂ FETの動作特性

〇堀井嵩斗¹、上野啓司¹ (1.埼玉大院)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-72] 発光イメージングによるCVD成長単層MoS₂の結晶性評価

〇小川峻¹、清水宏¹、小林佑¹、真庭豊¹、宮田耕充¹ (1.首都大理工)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-73] Reドープ単層MoS₂の合成と評価

〇吉村真太郎¹、小林佑¹、岡田直也²、入沢寿史²、真庭豊¹、宮田耕充¹ (1.首都大理工、2.産総研)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-74] WSe₂/MoSe₂面内ヘテロ構造を利用した電気二重層発光ダイオード

〇高口裕平¹、蒲江²、小林祐¹、竹延大志²、真庭豊¹、宮田耕充¹ (1.首都大理工、2.名大工)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-75] Phosphoreneの分解挙動に対する厚さ/歪みの影響

〇沖本治哉¹、丹野泰長¹、佐藤遼平¹、佐野正人¹ (1.山形大)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-76] 二硫化モリブデン電界効果トランジスタの高温動作時に観測される電流ジャンプとメモリー効果に関する解析

〇山中智貴¹、樋口絢香¹、松永正広¹、神谷航太¹、 Guanchen He²、 Jonathan Bird²、青木伸之¹ (1.千葉大院工、2.バッファロー大)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-77] WS₂/MoS₂ヘテロ構造における発光ピークの起源

〇齊藤哲輝¹、小林佑¹、渡邊賢司²、谷口尚²、真庭豊¹、宮田耕充¹ (1.首都大理工、2.物材機構)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-78] 光照射されたグラフェン状物質の電気伝導に関する理論解析

〇土井信行¹、小川真人¹、相馬聡文¹ (1.神戸大院工)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-79] カルコゲナイド系層状物質原子膜FETのガスセンサ応用 (2)

〇荻原えりな¹、川上信之²、上野啓司¹ (1.埼玉大院理工、2.神戸製鋼応物研)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-80] MoS₂フォトトランジスタの光応答特性に対するAl₂O₃バッファ層の効果

〇宮本悠雅¹、吉川大貴¹、竹井邦晴¹、有江隆之¹、秋田成司¹ (1.大阪府大工)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-81] 層状半導体への位置選択的キャリア注入を志向した分子性ドーパントの開発

〇福井暁人¹、三浦光平¹、一宮永¹、吉村武¹、芦田淳¹、藤村紀文¹、桐谷乃輔^1,2 (1.阪府大工、2.科学技術振興機構さきがけ)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-82] ラフェン／MoS₂ van der Waalsヘテロ接合におけるガス吸着誘起電流変化のバイアスおよびゲート電圧依存性

〇田畑博史¹、佐藤雄太¹、大井皓平¹、久保理¹、片山光浩¹ (1.阪大院工)

セッション一覧

17 ナノカーボン » 17 ナノカーボン（ポスター）

[5p-PA1-1~82] 17 ナノカーボン（ポスター）

▼ [5p-PA1-6] Formation of regular degradation patterns in chemical vapor deposited tungsten disulfide crystals under ambient condition

▲ [5p-PA1-8] Development of New Hydrogels for Structure Sorting of Single-Wall Carbon Nanotubes: Pore Size Effects

▲ [5p-PA1-14] Fabrication of tunnel barrier in suspended multi-wall carbon nanotube controlled by Ga focused ion beam irradiation

△ [5p-PA1-20] 大気安定n型カーボンナノチューブ熱電シートの安定メカニズムの検討

△ [5p-PA1-28] Wキャップ層を用いたグラフェン直接析出法におけるAuボトム層の効果

△ [5p-PA1-31] SiCステップ上グラフェン量子ドットのプラズモン発光現象

△ [5p-PA1-32] B4C薄膜の熱分解によるホウ素ドープグラフェンの作製

△ [5p-PA1-37] Ni触媒を用いた原子的平坦ダイヤモンド(111)表面上のグラフェン形成機構

▲ [5p-PA1-41] Suppression of Cu Oxidation by Single-Layer Grapheneunder High Temperature and High Humidity Test

▲ [5p-PA1-43] Correlation of chemical state and adhesion force to nanotribological properties of graphene oxide

▲ [5p-PA1-49] Low pull-in operation and high switching endurance observed for a graphene-hBN van der Waals contact NEMS switch

△ [5p-PA1-52] グラフェン電界効果トランジスタを用いた呼気分析用水素センサにおけるPdドットサイズの影響

▼ [5p-PA1-61] Edge Controlled Growth of Hexagonal Boron Nitride Crystals by Atmospheric Chemical Vapor Deposition

▼ [5p-PA1-68] Hydrogen-Induced Epitaxial Growth of Monolayer WS2 and Orientation-Dependent Grain Boundaries

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△ [5p-PA1-32] B₄C薄膜の熱分解によるホウ素ドープグラフェンの作製

▲ [5p-PA1-41] Suppression of Cu Oxidation by Single-Layer Graphene
under High Temperature and High Humidity Test

▼ [5p-PA1-68] Hydrogen-Induced Epitaxial Growth of Monolayer WS₂ and Orientation-Dependent Grain Boundaries