一般セッション(口頭講演)

[20a-C309-1~13] 6.1 強誘電体薄膜

2019年9月20日(金) 09:00 〜 12:30 C309 (C309)

右田真司(産総研)、吉村武(阪府大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[20a-C309-1] Pt及び透明酸化物電極上でのHfO₂系薄膜の結晶化

〇(M2)福島宏昌¹、藤沢浩訓¹、中嶋誠二¹、小南真¹ (1.兵庫県立大学工)

09:15 〜 09:30

[20a-C309-2] 酸素分圧変化によるHfO₂:Y/Si薄膜の配向と結晶構造の制御

〇佐保勇樹¹、鎌田大輝¹、高田賢志¹、桐谷乃輔¹、吉村武¹、芦田淳¹、藤村紀文¹ (1.阪府大工)

09:30 〜 09:45

△ [20a-C309-3] 対向ターゲット式スパッタリング法によるHf_0.5Zr_0.5O₂薄膜の作製

〇(M2)河本泰輝¹、大田宗司¹、広藤裕一¹、小池一歩¹、矢野満明¹、門倉貞夫²、中光豊³ (1.大阪工大ナノ材研、2.FTSコーポレーション、3.ULVAC)

09:45 〜 10:00

△ [20a-C309-4] 溶液塗布熱分解法によるHf_0.5Zr_0.5O₂薄膜の作製

〇(M2)井上泰一¹、大田宗司¹、中村領太¹、広藤裕一¹、小山政俊¹、小池一歩¹、矢野満明¹ (1.大阪工大ナノ材研)

10:00 〜 10:15

△ [20a-C309-5] HfO₂基薄膜の電界誘起相転移

〇田代裕貴¹、三村和仙¹、清水荘雄¹、勝矢良雄²、坂田修身²、木口賢紀³、白石貴久³、今野豊彦³、舟窪浩¹ (1.東工大、2.NIMS、3.東北大学)

10:15 〜 10:30

△ [20a-C309-6] 【注目講演】スパッタリング法を用いたY: HfO₂強誘電体膜の室温成膜

〇(DC)三村和仙¹、清水荘雄¹、舟窪浩¹ (1.東工大物院)

10:30 〜 10:45

△ [20a-C309-7] ZnO /LiNbO₃構造の電気特性の極性及び温度依存性

〇安原雄大^1,2、栗島一徳^1,2,3、知京豊裕²、小椋厚志¹、長田貴弘² (1.明大院理工、2.物質材料研究機構、3.学振PD)

11:00 〜 11:15

[20a-C309-8] [講演奨励賞受賞記念講演] ヘテロエピタキシャルYMnO₃型ScFeO₃薄膜の界面構造

〇浜嵜容丞¹、安井伸太郎²、白石貴久³、赤間章裕³、木口賢紀³、谷山智康²、伊藤満² (1.防衛大、2.東工大、3.東北大)

11:15 〜 11:30

△ [20a-C309-9] マルチフェロイックh-DyFeO₃薄膜の誘電・磁気特性

〇笠原淳¹、片山司¹、毛司辰¹、近松彰¹、安井伸太郎²、伊藤満²、長谷川哲也¹ (1.東大院理、2.東工大)

11:30 〜 11:45

△ [20a-C309-10] マルチフェロイックFe₂Mo₃O₈薄膜における磁気転移温度の向上

〇毛司辰¹、片山司¹、近松彰¹、芝田悟朗^1,2、藤森淳¹、安井伸太郎³、伊藤満³、長谷川哲也¹ (1.東大院理、2.東理大理、3.東工大)

11:45 〜 12:00

△ [20a-C309-11] BiFe_0.9Co_0.1O₃薄膜のストライプ型強誘電・強磁性ドメインの面内電場印加による構造変化

〇勝俣真綸¹、清水陽樹¹、清水啓佑²、重松圭¹、東正樹¹ (1.東工学フロ材研、2.東工大科創院)

12:00 〜 12:15

[20a-C309-12] 陽極酸化アルミナマスクを用いたBiFe_0.9Co_0.1O₃ナノドットの作製・評価

〇小澤慶太¹、勝俣真綸¹、重松圭^1,2、東正樹^1,2 (1.東工大フロンティア材料研、2.KISTEC)

12:15 〜 12:30

[20a-C309-13] ＳＤＤタイムスタンプを利用した時間分解Ⅹ線吸収分光法によるチタン酸バリウム薄膜の電子状態の電場応答

加藤盛也¹、〇中島伸夫¹、足立純一²、仁谷浩明²、武市泰男²、安井伸太郎³ (1.広島大院理、2.高エ研放射光、3.東工大フロンティア)

一般セッション(口頭講演)

[21a-C309-1~13] 6.1 強誘電体薄膜

2019年9月21日(土) 09:00 〜 12:30 C309 (C309)

藤沢浩訓(兵庫県立大)、清水荘雄(東工大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[21a-C309-1] 正圧電応答顕微鏡を用いたP(VDF-TrFE)膜のドメイン構造観察

〇金川いづる¹、松下裕司¹、吉村武¹、藤村紀文¹ (1.阪府大工)

09:15 〜 09:30

△ [21a-C309-2] 水熱合成法で作製した(K_xNa_1-x)NbO₃自己分極膜の圧電特性の評価

〇(D)舘山明紀¹、伊東良晴¹、清水荘雄¹、折野裕一郎¹、黒澤実¹、吉村武²、舟窪浩¹ (1.東工大、2.大阪府立大)

09:30 〜 09:45

[21a-C309-3] (K,Na)(Nb,Ta)O₃厚膜の結晶構造および電気特性の調査

〇白石貴久¹、舘山明紀²、伊東良晴²、木口賢紀¹、内田寛³、舟窪浩²、今野豊彦¹ (1.東北大、2.東工大、3.上智大)

09:45 〜 10:00

[21a-C309-4] (K, Na)NbO₃薄膜への添加物効果

〇(M2)藤田卓也¹、譚賡¹、神野伊策¹ (1.神大院工)

10:00 〜 10:15

△ [21a-C309-5] Si基板上のエピタキシャル(K,Na)NbO₃薄膜の結晶構造および圧電特性の評価

〇譚ゴオン¹、藤田卓也¹、 Kweon Sang Hyo¹、小金澤智之²、神野伊策¹ (1.神大工、2.高輝度光科学研究センター)

10:15 〜 10:30

[21a-C309-6] スパッタ法によるSi基板上へのBiFeO₃薄膜のエピタキシャル成長Ⅱ

〇岡本直樹¹、吉村武¹、藤村紀文¹ (1.阪府大工)

10:45 〜 11:00

[21a-C309-7] PbTiO₃結晶粒界におけるPb欠陥のマイグレーション

〇本橋佑一^1,2、山本貴博² (1.(株)リコー、2.東理大工)

11:00 〜 11:15

▲ [21a-C309-8] Characterization of piezoelectric vibration energy harvesters using impulse vibration

〇(B)Aphayvong Sengsavang¹、 Takeshi Yoshimura¹、 Kensuke Kanda²、 Shuichi Murakami³、 Norifumi Fujimura¹ (1.Osaka Pref. Univ.、2.Univ.of Hyogo、3.ORIST)

11:15 〜 11:30

[21a-C309-9] PZT薄膜を用いたMEMS 1Dアレイ触覚ディスプレイ

〇高原光將¹、ハズワニナシル¹、神田健介¹、藤田孝之¹、前中一介¹ (1.兵庫県立大)

11:30 〜 11:45

△ [21a-C309-10] リラクサ強誘電体ポリマー膜における交流電界下の電気熱量効果

〇松下裕司¹、吉村武¹、藤村紀文¹ (1.大阪府大工)

11:45 〜 12:00

[21a-C309-11] 低電圧動作FRAMにおける低リーク電流積層PbLa(Zr,Ti)O₃キャパシタの開発

〇王文生¹、中村亘¹、高井一章¹、野村健二²、恵下隆^3,1、中林正明¹、小澤聡一郎¹、山口秀史²、三原智¹、彦坂幸信¹、齋藤仁¹、片岡祐治²、児島学¹ (1.富士通ｾﾐｺﾝﾀﾞｸﾀｰ、2.富士通研、3.和歌山大)

12:00 〜 12:15

△ [21a-C309-12] 光電流作用スペクトルで見たシフト電流の欠陥耐性

〇(M2)畑田大輝¹、中村優男^2,3、金子良夫²、五月女真人²、小川直毅^2,3、十倉好紀^1,2、川﨑雅司^1,2 (1.東大院工、2.理研 CEMS、3.JST さきがけ)

12:15 〜 12:30

△ [21a-C309-13] 分子線エピタキシー法による強誘電体SbSI薄膜の作製

〇稲垣宗太朗¹、中村優男^2,3、畑田大輝¹、西野隆太郎¹、賀川史敬^1,2、十倉好紀^1,2、川﨑雅司^1,2 (1.東大院工、2.理研CEMS、3.JSTさきがけ)

一般セッション(口頭講演)

[21p-C309-1~9] 6.1 強誘電体薄膜

2019年9月21日(土) 13:45 〜 16:00 C309 (C309)

山田智明(名大)、中嶋宇史(東理大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:45 〜 14:00

[21p-C309-1] テトラゴナルジルコニアを用いたPZT単結晶薄膜の圧電特性

〇木島健¹、茂内健和¹、谷幸範¹、小西晃雄¹ (1.KRYSTAL(株))

14:00 〜 14:15

[21p-C309-2] ハード系PZT(111)単結晶薄膜の圧電特性

〇小西晃雄¹、茂内健和¹、谷幸範¹、木島健¹ (1.KRYSTAL（株）)

14:15 〜 14:30

[21p-C309-3] TiNバッファ層を用いたSi基板上へのPZT薄膜のエピタキシャル成長の検討

〇村瀬幹生¹、岡本直樹¹、吉村武¹、藤村紀文¹ (1.阪府大工)

14:30 〜 14:45

[21p-C309-4] 電子エネルギー損失分光法によるPZT薄膜の結合状態の分析

〇木口賢紀¹、清水匠²、粟飯原雅矢²、白石貴久¹、今野豊彦¹ (1.東北大金研、2.東北大院工)

14:45 〜 15:00

△ [21p-C309-5] (Pb_xSr_1-x)TiO₃薄膜における組成及び膜厚がドメイン構造に及ぼす影響

〇太田悠登¹、山田智明¹、吉野正人¹、清水荘雄²、舟窪浩²、長崎正雅¹ (1.名大工、2.東工大物院)

15:00 〜 15:15

△ [21p-C309-6] PZT薄膜における組成相境界近傍のドメイン構造に及ぼす弾性場の影響

〇(M2C)清水匠¹、木口賢紀²、白石貴久²、今野豊彦² (1.東北大学院工学研究科、2.東北大学金属材料研究所)

15:15 〜 15:30

△ [21p-C309-7] 組成相境界近傍組成のPZT膜の電界による構造変化と圧電性の評価

〇井上英久¹、清水荘雄¹、舟窪浩¹ (1.東京工業大学)

15:30 〜 15:45

[21p-C309-8] 積層構造の異なるPZT薄膜における電気特性と形態の関係性

〇小山司¹、二村寛子¹、村上慎一¹、安田光伸¹、瀬川有香¹、原田貴弘¹、大塚祐二¹、神田健介² (1.東レリサーチセンター、2.兵県大工)

15:45 〜 16:00

[21p-C309-9] プリセッション電子回折を用いたMEMSデバイス断面の結晶方位解析およびデバイス特性との関連

〇藤本亮祐¹、安田光伸¹、篠崎夕子¹、川崎直彦¹、大塚祐二¹ (1.東レリサーチ)

一般セッション(ポスター講演)

[19p-PA3-1~9] 6.1 強誘電体薄膜

2019年9月19日(木) 13:30 〜 15:30 PA3 (第一体育館)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:30 〜 15:30

[19p-PA3-1] 機械学習を用いた球表面上の位置センシング

〇(B)横山諒伍¹、今井清貴¹、橋爪洋一郎¹、岡村総一郎¹、中嶋宇史^1,2 (1.東京理科大理、2.JSTさきがけ)

13:30 〜 15:30

[19p-PA3-2] 圧電高分子膜(P(VDF-TrFE))をゲート絶縁膜に用いたZnO-FETにおけるチャネル構造依存性

〇岡山琢哉¹、松本周作¹、古川昭雄¹ (1.東理大理工)

13:30 〜 15:30

[19p-PA3-3] BiFeO₃系非鉛圧電薄膜を用いる振動発電素子

〇泉宏和¹、吉村武²、藤村紀文²、村上修一³、佐藤和郎³ (1.兵庫工技セ、2.大阪府大院工、3.大阪技術研)

13:30 〜 15:30

[19p-PA3-4] Short range biaxial strain relief mechanism within epitaxially grown BiFeO₃

In-Tae Bae¹、安井伸太郎²、一ノ瀬智浩³、伊藤満²、白石貴久⁴、木口賢紀⁴、〇永沼博^3,5,7,6 (1.NY州立大Binghamton校、2.東工大、3.東北大、4.東北大金研、5.東北大CIES、6.東北大CSIS、7.東北大CSRN)

13:30 〜 15:30

[19p-PA3-5] 印刷成膜用強誘電体微小粒子に関する研究

〇山崎美沙¹、山口正樹^1,2 (1.芝浦工大院理工、2.芝浦工大RCGI)

13:30 〜 15:30

[19p-PA3-6] 酸素スプレー法を用いた反応性スパッタリングによるBa(Zr_1-xTi_x)O₃膜の作製

〇牧野碧¹、篠原崇之¹、砂岡裕基¹、西田謙¹ (1.防衛大通信工)

13:30 〜 15:30

[19p-PA3-7] RFスパッタリング装置を用いたガラス基板上へのPZT薄膜成膜

〇(M1)上田一貴¹、神野伊策¹ (1.神戸大工)

13:30 〜 15:30

[19p-PA3-8] (1-x)NaNbO₃–xCaZrO₃薄膜の作製と構造評価

〇(M2)鈴木志歩¹、白石貴久²、木口賢紀²、今野豊彦² (1.東北大工、2.東北大金研)

13:30 〜 15:30

[19p-PA3-9] 金属－酸化物薄膜接合系におけるエネルギーバンドアライメント

〇狩野旬¹、押目典宏²、廣瀬哲³、上田剛慈¹、安井伸太郎⁴、浜嵜容丞⁴、伊藤満^2,4、三上仁志³、池田直¹、藤井達生¹、柏原浩大¹、 Schneider Julien⁵ (1.岡山大院自然、2.産総研、3.本田技研、4.東工大フロンティア材料研、5.INPT)

セッション一覧

6 薄膜・表面 » 6.1 強誘電体薄膜

[20a-C309-1~13] 6.1 強誘電体薄膜

△ [20a-C309-3] 対向ターゲット式スパッタリング法によるHf0.5Zr0.5O2薄膜の作製

△ [20a-C309-4] 溶液塗布熱分解法によるHf0.5Zr0.5O2薄膜の作製

△ [20a-C309-5] HfO2基薄膜の電界誘起相転移

△ [20a-C309-6] 【注目講演】スパッタリング法を用いたY: HfO2強誘電体膜の室温成膜

△ [20a-C309-7] ZnO /LiNbO3構造の電気特性の極性及び温度依存性

△ [20a-C309-9] マルチフェロイックh-DyFeO3薄膜の誘電・磁気特性

△ [20a-C309-10] マルチフェロイックFe2Mo3O8薄膜における磁気転移温度の向上

△ [20a-C309-11] BiFe0.9Co0.1O3薄膜のストライプ型強誘電・強磁性ドメインの面内電場印加による構造変化

[21a-C309-1~13] 6.1 強誘電体薄膜

△ [21a-C309-2] 水熱合成法で作製した(KxNa1-x)NbO3自己分極膜の圧電特性の評価

△ [21a-C309-5] Si基板上のエピタキシャル(K,Na)NbO3薄膜の結晶構造および圧電特性の評価

▲ [21a-C309-8] Characterization of piezoelectric vibration energy harvesters using impulse vibration

△ [21a-C309-10] リラクサ強誘電体ポリマー膜における交流電界下の電気熱量効果

△ [21a-C309-12] 光電流作用スペクトルで見たシフト電流の欠陥耐性

△ [21a-C309-13] 分子線エピタキシー法による強誘電体SbSI薄膜の作製

[21p-C309-1~9] 6.1 強誘電体薄膜

△ [21p-C309-5] (PbxSr1-x)TiO3薄膜における組成及び膜厚がドメイン構造に及ぼす影響

△ [21p-C309-6] PZT薄膜における組成相境界近傍のドメイン構造に及ぼす弾性場の影響

△ [21p-C309-7] 組成相境界近傍組成のPZT膜の電界による構造変化と圧電性の評価

[19p-PA3-1~9] 6.1 強誘電体薄膜

認証

△ [20a-C309-3] 対向ターゲット式スパッタリング法によるHf_0.5Zr_0.5O₂薄膜の作製

△ [20a-C309-4] 溶液塗布熱分解法によるHf_0.5Zr_0.5O₂薄膜の作製

△ [20a-C309-5] HfO₂基薄膜の電界誘起相転移

△ [20a-C309-6] 【注目講演】スパッタリング法を用いたY: HfO₂強誘電体膜の室温成膜

△ [20a-C309-7] ZnO /LiNbO₃構造の電気特性の極性及び温度依存性

△ [20a-C309-9] マルチフェロイックh-DyFeO₃薄膜の誘電・磁気特性

△ [20a-C309-10] マルチフェロイックFe₂Mo₃O₈薄膜における磁気転移温度の向上

△ [20a-C309-11] BiFe_0.9Co_0.1O₃薄膜のストライプ型強誘電・強磁性ドメインの面内電場印加による構造変化

△ [21a-C309-2] 水熱合成法で作製した(K_xNa_1-x)NbO₃自己分極膜の圧電特性の評価

△ [21a-C309-5] Si基板上のエピタキシャル(K,Na)NbO₃薄膜の結晶構造および圧電特性の評価

△ [21p-C309-5] (Pb_xSr_1-x)TiO₃薄膜における組成及び膜厚がドメイン構造に及ぼす影響