一般セッション(口頭講演)

[17a-D101-1~8] 16.3 シリコン系太陽電池

2018年3月17日(土) 09:45 〜 11:45 D101 (56-101)

加藤慎也(名工大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:45 〜 10:00

△ [17a-D101-1] スクリーン印刷電極を用いた両面受光-裏面電極型結晶シリコン太陽電池の作製と評価

〇立花福久¹、棚橋克人¹、望月敏光¹、白澤勝彦¹、高遠秀尚¹ (1.産総研)

10:00 〜 10:15

[17a-D101-2] メタルラップスルー型太陽電池のアイソレーション加工

〇小野裕道¹、三瓶義之¹、小林翼¹、高島康文²、佐々木信也²、木田康博³、白澤勝彦³、高遠秀尚³ (1.福島県ハイテクプラザ、2.東成イービー東北(株)、3.産総研福島再生可能エネルギー研究所)

10:15 〜 10:30

[17a-D101-3] ガスソース分子線エピタキシー法による高被覆率Geドットマスクを用いた光閉じ込め構造の作製

〇(M1)太田湧士¹、本部惇史¹、後藤和泰¹、黒川康良¹、宇佐美徳隆¹、ドミトリーユラソフ²、アレクシーナビコフ²、ミカエルシャリーブ² (1.名大院工、2.ロシア科学アカデミー)

10:30 〜 10:45

▲ [17a-D101-4] Texture Size Control by Adding Glass Micro-Particles into an Alkaline Solution Used for Crystalline Silicon Solar Cells

〇(P)Cong Thanh Nguyen¹、 Koichi Koyama¹、 Huynh Thi Cam Tu¹、 Keisuke Ohdaira¹、 Hideki Matsumura¹ (1.Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST))

10:45 〜 11:00

[17a-D101-5] PECVD法を用いたシリコン量子ドット積層構造作製におけるバリア層の構造・光学特性評価

〇(B)赤石龍士郎¹、北沢宏平¹、小野聖¹、加藤慎也²、後藤和泰¹、宇佐美徳隆¹、黒川康良¹ (1.名大院工、2.名工大院工)

11:00 〜 11:15

[17a-D101-6] 熱回収型太陽電池

〇上出健仁¹、望月敏光¹、秋山英文^2,3、高遠秀尚¹ (1.産総研、2.東大物性研、3.OPERANDO-OIL)

11:15 〜 11:30

[17a-D101-7] 太陽光励起レーザーと組み合わせるためのシリコン光電変換素子（IV）

〇竹田康彦¹、伊藤忠¹、山田登¹、飯塚英男¹、伊藤博²、元廣友美² (1.豊田中研、2.名大)

11:30 〜 11:45

[17a-D101-8] IoT 応用に向けた両面受光高電圧アモルファスSi 多接合太陽電池

〇(B)佐々木崚¹、小長井誠¹、屋敷保聡²、時岡秀忠² (1.都市大総研、2.三菱先端総研)

一般セッション(口頭講演)

[18a-D101-1~10] 16.3 シリコン系太陽電池

2018年3月18日(日) 09:00 〜 11:45 D101 (56-101)

國井稔枝(パナソニック)、中田和吉(東工大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[18a-D101-1] Voc、IscマッピングによるRib型Si太陽電池の評価

〇小長井誠¹、市川幸美¹、黒川康良² (1.都市大総研、2.名大工)

09:15 〜 09:30

[18a-D101-2] ヘテロ接合型Si太陽電池のElectroluminescence特性

〇(B)近藤嶺¹、澤野憲太郎¹、市川幸美¹、小長井誠¹ (1.都市大総研)

09:30 〜 09:45

△ [18a-D101-3] B Cat-doped a-Si:H層をもつSiヘテロ接合太陽電池

〇秋山勝哉¹、大平圭介¹ (1.北陸先端大)

09:45 〜 10:00

▲ [18a-D101-4] Plasma Ion Implantation: a Promising Method for Fabricating the Low Cost Interdigitated Back Contact Silicon Heterojunction Solar Cell

〇(P)Tu ThiCam Huynh¹、 Koichi Koyama²、 Noboru Yamaguchi²、 Hideo Suzuki²、 Keisuke Ohdaira¹、 Hideki Matsumura¹ (1.JAIST、2.ULVAC Inc.)

10:00 〜 10:15

[18a-D101-5] 極薄a-Si:Hのギャップ内準位と輸送特性～水素希釈とアニールの効果～

〇布村正太¹、坂田功¹、松原浩司¹ (1.産総研太陽光発電研究センター)

10:30 〜 10:45

[18a-D101-6] a-Si:H/c-Siヘテロ界面近傍ボイド構造の高速評価
－ボイドサイズと光学パラメータの相関普遍性に関する考察－

〇松木伸行¹、松井卓矢²、満汐孝治²、オロークブライアン²、大島永康²、上殿明良³ (1.神奈川大、2.産総研、3.筑波大)

10:45 〜 11:00

[18a-D101-7] a-Si上に金属を直接堆積したSiヘテロ接合太陽電池の検討(2)

〇小西武雄¹、小山晃一¹、大平圭介¹、松村英樹¹ (1.北陸先端大)

11:00 〜 11:15

△ [18a-D101-8] 硬X線光電子分光法を用いたITO/a-Si界面特性の評価

〇(B)西原達平¹、小島拓人¹、肥山卓矢¹、松村英樹²、神岡武文³、大下裕雄³、安野聡⁴、廣沢一郎⁴、小椋厚志¹ (1.明治大学、2.北陸先端科学技術大学院大学、3.豊田工業大学、4.高輝度光科学研究センター)

11:15 〜 11:30

[18a-D101-9] RPDダメージ解析：ITO/SiO₂/Si構造デバイスにおけるライフタイムおよび界面特性の相関の検討

〇(M1)磯貝勇樹¹、神岡武文¹、 Lee Hyunju¹、小島信晃¹、大下祥雄¹ (1.豊田大工)

11:30 〜 11:45

[18a-D101-10] キャリア選択コンタクトにおける電極材料の界面仕事関数および成膜ダメージ評価：ALD-TiO_x

〇(PC)神岡武文¹、望月健矢²、後藤和泰²、林豊¹、磯貝勇樹¹、中村京太郎³、宇佐美徳隆²、大下祥雄¹ (1.豊田工大、2.名大院工、3.明治大)

一般セッション(口頭講演)

[18p-D101-1~17] 16.3 シリコン系太陽電池

2018年3月18日(日) 13:15 〜 18:00 D101 (56-101)

新船幸二(兵庫県立大)、大橋史隆(岐阜大)、岡本親扶(シャープ)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:15 〜 13:30

[18p-D101-1] 画像処理によるフォトルミネッセンス画像における転位クラスターの検出とその最適化

〇田島和哉¹、羽山優介¹、村松哲郎¹、沓掛健太朗²、松本哲也³、工藤博章³、宇佐美徳隆¹ (1.名大院工、2.名大未来社会創造機構、3.名大院情報)

13:30 〜 13:45

△ [18p-D101-2] 太陽電池用Cz-Siにおける酸素析出が金属ゲッタリングに与える影響

〇(B)大西康平¹、小島拓人¹、木下晃輔¹、大下祥雄²、小椋厚志¹ (1.明治大理工、2.豊田工大)

13:45 〜 14:00

△ [18p-D101-3] 太陽電池用ｎ型Cz-Siの結晶成長条件が熱処理後の酸素析出に与える影響－赤外線トモグラフィーによる評価

〇(M1)木下晃輔¹、小島拓人¹、大下祥雄²、小椋厚志¹ (1.明治大学、2.豊田工業大学)

14:00 〜 14:15

[18p-D101-4] Si 中のΣ9{111}/{115}非対称粒界における双安定構造

〇大野裕¹、清水康雄¹、永井康介¹、沓掛健太朗¹、吉田秀人²、竹田精治²、横井達矢³、中村篤智³、松永克志³ (1.東北大金研、2.阪大産研、3.名大工)

14:15 〜 14:30

[18p-D101-5] ドーピングレベルに依存するSi中の積層欠陥とNa原子の相互作用

〇大野裕¹、森戸春彦¹、沓掛健太朗¹、米永一郎¹、横井達矢²、中村篤智²、松永克志² (1.東北大金研、2.名大工)

14:30 〜 14:45

▲ [18p-D101-6] The impact of saw mark direction and diamond wire diameter on the fracture strength
of thin (120 and 140 µm) Si wafers

〇(P)Halubai Sekhar¹、 Fukuda Tetsuo¹、 Tanahashi Katsuto¹、 Shirasawa Katsuhiko¹、 Takato Hidetaka¹、 Ohkubo Kazuya² (1.Fukushima Renewable Energy Institute, AIST、2.Noritake Company Limited, Fukuoka)