〇HuaHsuan Chen¹、 Daisuke Ohori¹、 Takuya Ozaki¹、 Mitsuya Utsuno²、 Tomohiro Kubota²、 Toshihisa Nozawa²、 Seiji Samukawa^1,3 (1.IFS, Tohoku Univ.、2.ASM Japan K.K.、3.AIMR, Tohoku Univ.)

13:45 〜 14:00

[11p-M136-3] Charge trapping characteristics in SiO₂ during application of electric stress at high temperature

〇(M2)Takeshi Nanke¹、 Ryu Hasunuma¹ (1.Univ. of Tuskuba)

14:00 〜 14:15

[11p-M136-4] Siピラー酸化におけるSiミッシングに関する理論検討II

〇影島博之^1,4、白石賢二^2,4、遠藤哲郎^3,4 (1.島根大、2.名古屋大、3.東北大、4.JST ACCEL)

14:15 〜 14:30

[11p-M136-5] シリコン同位体ナノピラー構造中における酸化増速自己拡散のアトムプローブ観測

〇木我亮太郎¹、林彩弥佳¹、宮本聡¹、清水康雄²、永井康介²、遠藤哲郎^3,4、伊藤公平¹ (1.慶大理工、2.東北大金研、3.東北大CIES、4.JST-ACCEL)

14:45 〜 15:00

[11p-M136-6] Si/SiO₂界面解析に向けたニューラルネットワークポテンシャルの応用

〇又賀誠¹、名倉拓哉¹、洗平昌晃^1,2、白石賢二^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

15:00 〜 15:15

△ [11p-M136-7] High-kゲートスタック界面準位密度のフラッシュランプアニール温度依存評価

〇首藤広大¹、吉仲泰萌¹、藤原広大¹、河原崎光²、青山敬幸²、加藤慎一²、奈良安雄¹ (1.兵庫県立大工、2.(株)SCREENセミコンダクターソリューションズ)

15:15 〜 15:30

▼ [11p-M136-8] Impact of metal gate electrodes on electrical properties of Y₂O₃/Si_0.78Ge_0.22 gate stacks

〇(D)TsungEn Lee¹、 Mitsuru Takenaka¹、 Shinichi Takagi¹ (1.Univ. of Tokyo)

15:30 〜 15:45

△ [11p-M136-9] 温度変動に伴う酸化膜キャパシタの蓄積電荷量の変動に対する界面ダイポール層の温度依存性の寄与の検証

〇濱口高志¹、喜多浩之¹ (1.東大院工)

16:00 〜 16:15

[11p-M136-10] GeO₂/Ge界面におけるGeO脱離の調査

〇渡邉龍一郎¹、豊田健一郎¹、和知祥太郎¹、岩崎好孝¹、上野智雄¹ (1.東京農工大学院)

16:15 〜 16:30

▲ [11p-M136-11] Crystallization of GeO₂ on Ge is really triggered by GeO desorption?

〇Min Xie¹、 Tomonori Nishimura¹、 Takeaki Yajima¹、 Akira Toriumi¹ (1.Univ. Tokyo)

16:30 〜 16:45

[11p-M136-12] Germaniumの高圧酸素熱酸化機構と形成されたGeO₂膜の性質

王旭¹、西村知紀¹、〇鳥海明¹ (1.東大院工)

16:45 〜 17:00

[11p-M136-13] CVD法を用いたGeO₂/Ge構造の作製と評価

〇勝野泰幸¹、佐藤亜武¹、岩崎好孝¹、上野智雄¹ (1.農工大学院工)

17:00 〜 17:15

[11p-M136-14] Kr/O₂プラズマ酸化法を用いたHfO₂/Ge直接接合構造の作製

〇所附武志¹、岩崎好考¹、上野智雄¹ (1.東京農工大工)

セッション一覧

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[11a-PB2-1~10] 13.3 絶縁膜技術

[11a-PB2-1] SiO₂，Si₃N₄膜へのH₂O分子の透過障壁の生成要因

[11a-PB2-2] 格子定数の変調によるSiO₂中のV_o拡散障壁の変化の研究

[11a-PB2-3] 酸素欠損のあるSiO₂の動特性に関する圧力効果と温度効果の検討

[11a-PB2-4] NH₃ガスを用いた酸化Si膜残留OH成分除去量の低温アニール条件依存性

[11a-PB2-5] ハフニウムを添加したシリコン窒化膜の窒素原子空孔の欠陥準位

[11a-PB2-6] トンネル電流解析によるMONOS型不揮発性メモリの捕獲正孔密度の決定

[11a-PB2-7] 準安定原子誘起電子分光法によるO/Cs/SiC(3×3)表面の電子状態測定

△ [11a-PB2-8] Si基板上SiO₂絶縁膜の角度分解XPSを用いた深さ分解膜質評価

[11a-PB2-9] HfO₂-ZrO₂系薄膜における反強誘電性の発現過程について

[11a-PB2-10] AlONゲート絶縁膜へのHf添加によるホールリーク抑制の物理的起源

[11p-M136-1~14] 13.3 絶縁膜技術

[11p-M136-1] 局在キャリアのデトラップの温度依存性に関する考察

▲ [11p-M136-2] High quality silicon dioxide by low temperature neutral beam enhanced atomic layer deposition

[11p-M136-3] Charge trapping characteristics in SiO₂ during application of electric stress at high temperature

[11p-M136-4] Siピラー酸化におけるSiミッシングに関する理論検討II

[11p-M136-5] シリコン同位体ナノピラー構造中における酸化増速自己拡散のアトムプローブ観測

[11p-M136-6] Si/SiO₂界面解析に向けたニューラルネットワークポテンシャルの応用

△ [11p-M136-7] High-kゲートスタック界面準位密度のフラッシュランプアニール温度依存評価

▼ [11p-M136-8] Impact of metal gate electrodes on electrical properties of Y₂O₃/Si_0.78Ge_0.22 gate stacks

△ [11p-M136-9] 温度変動に伴う酸化膜キャパシタの蓄積電荷量の変動に対する界面ダイポール層の温度依存性の寄与の検証

[11p-M136-10] GeO₂/Ge界面におけるGeO脱離の調査

▲ [11p-M136-11] Crystallization of GeO₂ on Ge is really triggered by GeO desorption?

[11p-M136-12] Germaniumの高圧酸素熱酸化機構と形成されたGeO₂膜の性質

[11p-M136-13] CVD法を用いたGeO₂/Ge構造の作製と評価

[11p-M136-14] Kr/O₂プラズマ酸化法を用いたHfO₂/Ge直接接合構造の作製

認証

セッション一覧

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[11a-PB2-1~10] 13.3 絶縁膜技術

△ [11a-PB2-8] Si基板上SiO2絶縁膜の角度分解XPSを用いた深さ分解膜質評価

[11p-M136-1~14] 13.3 絶縁膜技術

▲ [11p-M136-2] High quality silicon dioxide by low temperature neutral beam enhanced atomic layer deposition

△ [11p-M136-7] High-kゲートスタック界面準位密度のフラッシュランプアニール温度依存評価

▼ [11p-M136-8] Impact of metal gate electrodes on electrical properties of Y2O3/Si0.78Ge0.22 gate stacks

△ [11p-M136-9] 温度変動に伴う酸化膜キャパシタの蓄積電荷量の変動に対する界面ダイポール層の温度依存性の寄与の検証

▲ [11p-M136-11] Crystallization of GeO2 on Ge is really triggered by GeO desorption?

認証

△ [11a-PB2-8] Si基板上SiO₂絶縁膜の角度分解XPSを用いた深さ分解膜質評価

▼ [11p-M136-8] Impact of metal gate electrodes on electrical properties of Y₂O₃/Si_0.78Ge_0.22 gate stacks

▲ [11p-M136-11] Crystallization of GeO₂ on Ge is really triggered by GeO desorption?