一般セッション(ポスター講演)

[27p-PB5-1~13] 13.6 Siデバイス／集積化技術

2013年3月27日(水) 13:30 〜 15:30 PB5 (第二体育館)

ポスター掲示時間13:30〜15:30(PB会場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

[27p-PB5-1] 急峻なサブスレッショルド特性を持つボディコンタクト付きSOI MOSFETにおけるヒステリシス特性の制御 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○森貴之，増田大樹，井田次郎 (金沢工大)

[27p-PB5-2] ▼Drain-Current Fluctuation during Dynamic Gate Bias in Si MOSFETs due to Random Telegraph Noise (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○馮ウェイ^1,2，山田啓作^1,2，大毛利健治^1,2 (筑波大¹，JST-CREST²)

[27p-PB5-3] △酸化濃縮法Ge-On-Insulator層の薄膜化がMOS界面正孔移動度に与える効果 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○忻宇飛¹，金栄現¹，Rui Zhang¹，長田剛規²，秦雅彦²，横山正史¹，竹中充¹，高木信一¹ (東大¹，住友化学²)

[27p-PB5-4] 極薄膜In_xGa_1-xAs-OI MOSFETの電子移動度に与える膜厚揺らぎ散乱の影響 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○金相賢^1,2，横山正文¹，田岡紀之¹，中根了昌¹，長田剛規³，市川磨³，福原昇³，秦雅彦³，竹中充¹，高木信一¹ (東大院工¹，日本学術振興会特別研究員²，住友化学³)

[27p-PB5-5] Junction-less InGaAs-OI Tri-gate nMOSFETsにおける高移動度実現 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○入沢寿史¹，小田穣¹，守山佳彦¹，池田圭司¹，三枝栄子¹，Wipakorn Jevasuwan¹，前田辰朗¹，市川麿²，石原敏雄²，秦雅彦²，手塚勉² (産総研GNC¹，住友化学²)

[27p-PB5-6] 4 端子トンネルFinFETs におけるセカンドゲートを用いたV_th調整 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○水林亘^{1, 2}，福田浩一^{1, 2}，森貴洋^{1, 2}，遠藤和彦^{1, 2}，柳永勛^{1, 2}，松川貴^{1, 2}，大内真一^{1, 2}，石川由紀²，右田真司^{1, 2}，森田行則^{1, 2}，田邊顕人^1,2，塚田順一²，山内洋美²，昌原明植^1,2，太田裕之^1,2 (GNC-産総研¹，産総研-NeRI²)

[27p-PB5-7] 浅いpn 接合における電子状態とトンネル伝導 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○本多周太，大井龍介，植田暁子，佐野伸行 (筑波大電物)

[27p-PB5-8] Si/SiGe正孔トンネル型2重量子井戸共鳴トンネルダイオード (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○（M2）伊賀宏一郎，須田良幸 (東京農工大)

[27p-PB5-9] Si/SiGe系非対称2重量子井戸n-RTD (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○（M1）渡邉嵩也，須田良幸 (東京農工大　院工)

[27p-PB5-10] 熱電変換素子に向けたGe/Si コアシェルナノワイヤの作製 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○小路智也¹，小寺哲夫^1,2，野口智弘¹，宇佐美浩一¹，河野行雄¹，小田俊理¹ (東工大量子ナノ研セ¹，さきがけ-JST²)

[27p-PB5-11] 3次元実装SSD用昇圧回路のEMC距離依存性評価 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

畑中輝義^1,2，^○上口光¹，竹内健¹ (中央大¹，東大²)

[27p-PB5-12] ブロック消去アーキテクチャを用いたNAND型高集積相変化メモリ (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○上口光¹，吉岡和顕²，竹内健¹ (中央大¹，東大²)

[27p-PB5-13] △微小磁性体電極集積によるシリコン2重結合量子ドットへの2軸磁場印加 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○蒲原知宏¹，小寺哲夫^1,2,3，河野行雄¹，小田俊理¹ (東工大量子ナノ研セ¹，東大ナノ量子機構²，JST-PRESTO³)

一般セッション(口頭講演)

[28a-G9-1~11] 13.6 Siデバイス／集積化技術

2013年3月28日(木) 09:00 〜 11:45 G9 (B5号館 2F-2203)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

[28a-G9-1] BiCS型三次元積層NANDフラッシュメモリにおけるゲート長、ゲート間隔及び積層数の設計方針 (9:00 AM ～ 9:15 AM)

^○宮地幸祐¹，柳原裕貴²，竹内健¹ (中大¹，東大²)

[28a-G9-2] 統合ソリッドステートストレージアーキテクチャ (9:15 AM ～ 9:30 AM)

^○田中丸周平^1,2，土井雅史¹，竹内健¹ (中大理工¹，東大工²)

[28a-G9-3] 統合ソリッドステードストレージの信頼性評価 (9:30 AM ～ 9:45 AM)

^○土井雅史¹，田中丸周平^1,2，竹内健¹ (中大理工¹，東大工²)

[28a-G9-4] 20nm世代TLC(3bit/cell) NANDフラッシュメモリの信頼性評価 (9:45 AM ～ 10:00 AM)

^○山根佳彦¹，蜂谷尚悟¹，田中丸周平^1,2，竹内健¹ (中大理工¹，東大工²)

[28a-G9-5] 硝酸酸化（NAOS）膜の超低消費電力型ガラス基板上CPUや恒久保存メモリ「デジタルロゼッタストーン」への応用 (10:00 AM ～ 10:15 AM)

^○松本健俊，赤井智喜，今井繁規，小林光 (阪大産研、CREST-JST)

[28a-G9-6] 不良セルへの電荷同時注入による修復技術を用いた低消費電力6T-SRAM (10:15 AM ～ 10:30 AM)

^○宮地幸祐¹，宮野信治²，竹内健¹ (中大¹，半導体理工学研究センター²)

[28a-G9-7] ナノCMOS技術を用いた擬似スピンMOSFETおよび不揮発性SRAMセルの性能と設計 (10:30 AM ～ 10:45 AM)

^○周藤悠介^1,3,4，山本修一郎^2,3，菅原聡^1,3 (東工大像情報¹，東工大総理工²，科技機構CREST³，神奈川科学技術アカデミー⁴)

[28a-G9-8] 擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性デュアルポートSRAMセルの提案とNVPG応用 (10:45 AM ～ 11:00 AM)

山本修一郎¹，^○周藤悠介^2,3，菅原聡^1,2 (東工大院総理工¹，東工大像情報²，神奈川科学技術アカデミー³)

[28a-G9-9] ▲SRAM安定性の製造後自己修復手法に向けたPFETのオフ状態ストレスにおけるVth シフトとばらつきのストレス条件依存性 (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○Nurul Ezaila Alias¹，Anil Kumar²，更屋拓哉³，宮野信治⁴，俊郎平本⁵ (University of Tokyo¹，University of Tokyo²，University of Tokyo³，Semiconductor Technology Academic Research Center⁴，University of Tokyo⁵)

[28a-G9-10] Silicon-on-Thin-Buried Oxide(SOTB) CMOS SRAMの0.4V動作に対するVthばらつきの影響 (11:15 AM ～ 11:30 AM)

^○篠原博文¹，山本芳樹¹，槇山秀樹¹，岩松俊明¹，尾田秀一¹，蒲原史朗¹，杉井信之¹，山口泰男¹，水谷朋子²，平本俊郎² (ＬＥＡＰ¹，東大生研²)

[28a-G9-11] 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) MOSトランジスタにおけるサブスレッショルド係数ばらつきの統計的解析 (11:30 AM ～ 11:45 AM)

^○水谷朋子¹，山本芳樹²，槇山秀樹²，篠原博文²，岩松俊明²，尾田秀一²，杉井信之²，平本俊郎¹ (東大生研¹，LEAP²)

一般セッション(口頭講演)

[28p-G9-1~18] 13.6 Siデバイス／集積化技術

2013年3月28日(木) 13:30 〜 18:30 G9 (B5号館 2F-2203)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

[28p-G9-0] 昼食(105分)

[28p-G9-1] シリコンテクノロジー分科会賞授賞式（15分） (1:30 PM ～ 1:45 PM)

[28p-G9-2] 「第4回応用物理学会シリコンテクノロジー分科会論文賞受賞記念講演」（30分）
原子移動型スイッチの低電圧化と信頼性の改善 (1:45 PM ～ 2:15 PM)

^○多田宗弘，阪本利司，宮村信，伴野直樹，岡本浩一郎，井口憲幸，波田博光 (LEAP)

[28p-G9-3] 「第4回応用物理学会シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞受賞記念講演」（15分）
高アスペクト比TSVへの無電解めっき皮膜形成に向けたPdナノ粒子触媒吸着 (2:15 PM ～ 2:30 PM)

^○井上史大¹，清水智弘¹，三宅浩志¹，有馬良平¹，伊藤俊彦²，關洋文²，篠崎夕子²，山本智彦²，新宮原正三¹ (関西大工¹，東レリサーチセンター²)

[28p-G9-4] △自己組織化静電仮接合を用いたC2W三次元集積化技術 (2:30 PM ～ 2:45 PM)

^○（M2）橋口日出登¹，福島誉史²，裵志哲²，Murugesan Mariappan²，木野久志¹，李康旭²，田中徹^{1, 3}，小柳光正² (東北大院工¹，東北大未来研²，東北大院医工³)

[28p-G9-5] ▼質量検出型平面共鳴ナノエレクトロメカニカルセンサー (2:45 PM ～ 3:00 PM)

^○（P）Faezeh Arab Hassani¹，Cecilia Dupre²，Eric Ollier²，Cornel Cobianu³，Silvia Armini⁴，Vladimir Cherman⁴，Adrian Mihai Ionescu⁵，土屋良重⁶，水田博^1,6 (北陸先端大¹，CEA-LETI²，ハネウェル³，IMEC⁴，EPFL⁵，サザンプトン大⁶)