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15．結晶工学 » 15.6 IV族系化合物

一般セッション(口頭講演)

[17p-E5-1~13] 15.6 IV族系化合物

2014年3月17日(月) 13:15 〜 16:45 E5 (E105)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:15 〜 13:30

[17p-E5-1] 150mm径SiCウエハのSORIに対するエピ成長の影響

^○工藤千秋^1,2，伊藤佐千子⁵，升本恵子^1,5，浅水啓州^1,3，田村謙太郎^1,3，西尾譲司^1,4，児島一聡^1,5，大野俊之^1,6 (FUPET¹，パナソニック²，ローム³，東芝⁴，産総研⁵，日立製作所⁶)

13:30 〜 13:45

[17p-E5-2] 150mmφウエハを用いた4H-SiCのC面みなしエピ成長実験の妥当性評価

^○西尾譲司^1,2，工藤千秋^1,3，伊藤佐千子⁴，升本恵子^1,4，浅水啓州^1,5，田村謙太郎^1,5，児島一聡^1,4，大野俊之^1,6 (FUPET¹，東芝²，パナソニック³，産総研⁴，ローム⁵，日立製作所⁶)

13:45 〜 14:00

△ [17p-E5-3] 4H-SiC C面微傾斜エピタキシャル成長における成長条件と積層欠陥密度の関係

^○升本恵子^1,2，伊藤佐千子^1,2，浅水啓州^1,3，田村謙太郎^1,3，工藤千秋^1,4，西尾譲司^1,5，児島一聡^1,2，大野俊之^1,6，奥村元^1,2 (FUPET¹，産総研²，ローム³，パナソニック⁴，東芝⁵，日立⁶)

14:00 〜 14:15

[17p-E5-4] THzエリプソメトリーによるSiCエピタキシャル膜の電気特性測定

^○藤井高志¹，岩本敏志¹，佐藤幸徳¹，長島健² (日邦プレシジョン¹，阪大レーザー研²)

14:15 〜 14:30

[17p-E5-5] PVTを用いたSiC結晶成長における不純物混入解析

^○柿本浩一¹，BingGao¹，中野智¹，寒川義裕¹，西澤伸一² (九大応力研¹，産総研²)

14:30 〜 14:45

▲ [17p-E5-6] 物理的気相輸送法を用いた4H-SiC単結晶成長における基底面転位の3次元解析

^○高冰，中野智，柿本浩一 (九大応力研)

14:45 〜 15:00

▲ [17p-E5-7] PVT成長法を用いた4H-SiC単結晶における基底面転位の低減に対するヒーター電力制御の最適化

^○高冰，中野智，柿本浩一 (九大応力研)

15:00 〜 15:15

[17p-E5-8] 2ゾーン加熱型昇華炉を用いた昇華法によるp型SiC成長

^○江藤数馬^1,2，髙木覚¹，三浦知則^1,2，加藤智久^1,2，奥村元^1,2 (ＦＵＰＥＴ¹，産総研²)

休憩 15:15〜15:30 （15:15 〜 15:30）

15:30 〜 15:45

▲ [17p-E5-9] SiC溶液法C面成長におけるTSD変換

^○肖世玉，原奈津美，原田俊太，宇治原徹 (名大院工)

15:45 〜 16:00

[17p-E5-10] SiC溶液成長における貫通らせん転位変換の弾性エネルギーによる考察

^○原田俊太，肖世玉，原奈都美，勝野弘康，田川美穂，宇治原徹 (名大院工)

16:00 〜 16:15

[17p-E5-11] SiC溶液成長界面の明視野像・干渉像のリアルタイム同時観察

^○川西咲子，吉川健，森田一樹 (東大生研)

16:15 〜 16:30

△ [17p-E5-12] 4H-SiC溶液成長法における凸形状成長による貫通らせん転位の変換挙動

^○古池大輝，梅崎智典，堀尾篤史，原田俊太，田川美穂，宇治原徹 (名大院工)

16:30 〜 16:45

△ [17p-E5-13] 触媒表面エッチング法を用いた6インチ4H-SiC基板の平坦化加工

^○礒橋藍¹，佐野泰久¹，岡本武志¹，加藤智久²，山内和人¹ (大阪院工¹，産総研²)

一般セッション(ポスター講演)

[17a-PG3-1~15] 15.6 IV族系化合物

2014年3月17日(月) 09:30 〜 11:30 PG3 (G棟2階)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
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09:30 〜 11:30

[17a-PG3-1] Si(111)基板上に炭素との固相反応で生成したSiC薄膜の評価

^○細谷友崇¹，三本菅正太²，伊藤俊³，吹留博一²，長澤弘幸²，末光眞希^2,4 (東北大工¹，東北大通研²，東北大金研³，JST/CREST⁴)

09:30 〜 11:30

[17a-PG3-2] ｵﾌ基板上での4H-SiC溶液成長におけるｽﾃｯﾌﾟﾊﾞﾝﾁﾝｸﾞと結晶極性

^○遠藤奨太¹，亀井一人^1,2，岸田豊²，森口晃治² (東北大院環境科学¹，新日鐵住金先端研²)

09:30 〜 11:30

△ [17a-PG3-3] AR-XPSによる4H-SiCの初期酸化過程の解明

^○笹子知弥，野平博司 (東京都市大)

09:30 〜 11:30

[17a-PG3-4] 犠牲酸化処理がステップバンチング上ゲート絶縁膜信頼性に及ぼす影響

^○山田敬一¹，石山修¹，迫秀樹¹，先崎純寿^1,2，北畠真¹ (FUPET¹，産総研²)

09:30 〜 11:30

[17a-PG3-5] NF₃添加酸化によるSiO₂/SiC(0001)界面の安定化

^○（M1）名越政仁，蓮沼隆，山部紀久夫 (筑波大)

09:30 〜 11:30

▲ [17a-PG3-6] Impact of the atomic-step finishing by CMP on the wettability of SiC substrates

^○Gemma Rius¹, Yuji Hirose¹, Yayoi Tanaka¹, Osamu Eryu¹ (NITech)

09:30 〜 11:30

[17a-PG3-7] 4H-SiC(0001)Si面及び(000-1)C面、それぞれの酸化反応の動的シミュレーション

^○（PC）小山洋^1,2，山崎隆浩^1,2，奈良純^1,2，清水達雄³，大野隆央^1,2,4 (物材機構¹，MARCEED²，東芝研究開発センター³，東大生研⁴)

09:30 〜 11:30

[17a-PG3-8] SiC結晶の表面モフォロジーと転位の関係

^○生頼義久¹，渡邉俊哉¹，佐藤高広¹，一色俊之²，福井宗利¹ (日立ハイテク¹，京都工芸繊維大²)

09:30 〜 11:30

[17a-PG3-9] 高感度発熱解析によるSiCデバイス中リーク箇所の同定

^○小山皓洋^1,2，渡邊寛^1,2，纐纈英典^1,2，長江明美^1,2，田中貴規²，中西洋介^1,2，中村勇²，中田修平^1,2，山川聡^1,2 (FUPET¹，三菱電機²)

09:30 〜 11:30

[17a-PG3-10] SiCトレンチMOSFETの移動度解析

^○朽木克博¹，河路佐智子¹，渡辺行彦¹，宮原真一朗²，斎藤順³ (豊田中研¹，デンソー²，トヨタ自動車³)

09:30 〜 11:30

[17a-PG3-11] SiC-MOSキャパシタの電気特性のガンマ線照射線量依存性

^○田中量也¹，横関貴史¹，藤田奈津子²，牧野高紘²，小野田忍²，大島武²，田中雄季³，神取幹郎³，吉江徹³，土方泰斗¹ (埼玉大院理工研¹，原子力機構²，サンケン電気³)

09:30 〜 11:30

[17a-PG3-12] Si及びSiC-MOSFETのI-V特性に対するガンマ線照射の影響

^○横関貴史¹，田中量也¹，藤田奈津子²，牧野高紘²，小野田忍²，大島武²，田中雄季³，神取幹郎³，吉江徹³，土方泰斗¹ (埼玉大院理工研¹，原子力機構²，サンケン電気³)

09:30 〜 11:30

[17a-PG3-13] 両面研磨6H-SiC基板のSi面及びC面へのフェムト秒レーザー照射

^○宮川鈴衣奈，江龍修 (名工大院)

09:30 〜 11:30

[17a-PG3-14] レーザアニールを用いたオーム性接触形成技術

^○富永貴亮，岡部博明，中西洋介，須賀原和之，冨田信之，山川聡 (三菱電機)

09:30 〜 11:30

[17a-PG3-15] 超短パルスレーザを用いたSiCウエハの高速ダイシング加工

^○中島昭¹，立石陽介³，村上寛¹，高橋秀知³，太田道春³，小杉亮治²，三谷武志²，西澤伸一¹，大橋弘通¹ (産総研エネ技部門¹，産総研先進パワエレ²，アイシン精機³)

一般セッション(口頭講演)

[18a-E5-1~8] 15.6 IV族系化合物

2014年3月18日(火) 09:30 〜 11:45 E5 (E105)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:30 〜 09:45

[18a-E5-1] 4H-SiC表面酸化機構の酸化温度と酸素分圧による違いの理解

^○喜多浩之^1,2，菊地リチャード平八郎¹，平井悠久¹ (東大院工¹，JSTさきがけ²)

09:45 〜 10:00

△ [18a-E5-2] 熱力学および速度論的知見に基づく低界面欠陥密度4H-SiC(0001) MOSの実現

^○菊地リチャード平八郎¹，喜多浩之^1,2 (東大院工¹，JST さきがけ²)

10:00 〜 10:15

△ [18a-E5-3] 4H-SiC(000-1)C面におけるwet酸化界面構造の雰囲気による相違

^○平井悠久¹，喜多浩之^1,2 (東大院工¹，JSTさきがけ²)

10:15 〜 10:30

[18a-E5-4] SiC熱酸化膜MOSキャパシタの絶縁破壊痕表面における炭素の挙動

^○佐藤創志¹，廣井佑紀³，山部紀久夫³，北畠真⁴，遠藤哲郎^1,2，丹羽正昭¹ (東北大国際集積センター¹，東北大工学研究科²，筑波大電子物理³，FUPET⁴)

10:30 〜 10:45

△ [18a-E5-5] 4H-SiC (11-20)面及び(1-100)面基板上に作製したラテラルMOSFETの特性比較

^○有吉恵子^1,2，原田信介^1,3，先崎純寿^1,3，小島貴仁^1,4，小林勇介^1,4，田中保宣^1,3，飯島良介²，四戸孝^1,2 (FUPET¹，東芝²，産総研³，富士電機⁴)

休憩 10:45〜11:00 （10:45 〜 11:00）

11:00 〜 11:15

[18a-E5-6] SiC基板表面の光学顕微鏡観察におけるXY分解能の影響

^○田村謙太郎^1,3，迫秀樹^1,4，佐々木雅之^1,5，山下任^1,6，浅水啓州^1,3，伊藤佐千子²，児島一聡^1,2，長屋正武^1,7，貴堂高徳^1,6，北畠真^1,8，河田研治^1,2，加藤智久^1,2 (FUPET¹，AIST²，ローム³，東レリサーチセンター⁴，新日鐵住金⁵，昭和電工⁶，デンソー⁷，パナソニック⁸)

11:15 〜 11:30

[18a-E5-7] ミラー電子顕微鏡像の転位コントラスト形成要因の検討

^○一色俊之¹，長谷川正樹² (京都工繊大¹，日立中研²)

11:30 〜 11:45

[18a-E5-8] 二光子励起蛍光による4H-SiC貫通転位の3Dイメージング

^○田沼良平，土田秀一 (電中研)

一般セッション(口頭講演)

[18p-E5-1~11] 15.6 IV族系化合物

2014年3月18日(火) 13:15 〜 16:15 E5 (E105)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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昼食 11:45〜13:15 （11:45 〜 13:15）

13:15 〜 13:30

△ [18p-E5-1] 高電流増幅率4H-SiC(000-1) BJTの電流増幅率の温度依存性

^○浅田聡志¹，奥田貴史²，木本恒暢²，須田淳² (京大工¹，京大院工²)

13:30 〜 13:45

[18p-E5-2] 界面トラップによるクーロン散乱を取り入れたSiC-MOSFETのキャリア移動度モデル

^○野口弘樹，村上英一，園田優 (九州産業大)

13:45 〜 14:00

[18p-E5-3] Si/4H-SiCヘテロ接合界面に対する熱処理の効果

^○梁剣波¹，新井学²，西田将太¹，森本雅史¹，重川直輝¹ (阪市大¹，新日本無線²)

14:00 〜 14:15

△ [18p-E5-4] SAB法によるp⁺-Si / n-4H-SiC接合のアニール温度依存性

^○（M1）西田将太¹，梁剣波¹，林朋宏¹，森本雅史¹，重川直輝¹，新井学² (阪市大工¹，新日本無線²)

14:15 〜 14:30

[18p-E5-5] 市販されているSiC MOSFETの長期安定性

^○南眞嗣 (フェニテックセミコンダクター)

14:30 〜 14:45

△ [18p-E5-6] 水素ガスエッチングを施した4H-SiC極性面および無極性面基板の表面形状

^○東孝洋，金子光顕，木本恒暢，須田淳 (京大院工)

休憩 14:45〜15:00 （14:45 〜 15:00）

15:00 〜 15:15

△ [18p-E5-7] ゲートバイアスストレスによるしきい値電圧変動の緩和挙動と新規測定法の提案

^○染谷満¹，岡本大¹，原田信介¹，石森均¹，高須伸次¹，畠山哲夫¹，武井学²，児島一聡¹，米澤善幸¹，福田憲司¹，奥村元¹ (産総研先進パワエレ¹，富士電機²)

15:15 〜 15:30

△ [18p-E5-8] コンダクタンス法を用いたSiC(11\overline{2}0)および(1\overline{1}00) MOS界面準位の評価

^○中澤成哉¹，奥田貴史¹，中村孝²，木本恒暢¹ (京大工¹，ローム²)

15:30 〜 15:45

[18p-E5-9] p型4H-SiC中に存在する価電子帯近傍の深い準位

^○中根浩貴，加藤正史，市村正也 (名工大)

15:45 〜 16:00

[18p-E5-10] 4H-SiCにおける表面再結合速度の温度依存性の評価

^○小濱公洋，森佑人，加藤正史，市村正也 (名工大)

16:00 〜 16:15

[18p-E5-11] 4H-SiC表面の水分解反応：第一原理解析

松岡良，^○鶴田健二，新池一央 (岡山大院自然)