一般セッション(ポスター講演)

[13p-PB6-1~20] 21.1 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

2015年9月13日(日) 16:00 〜 18:00 PB6 (白鳥ホール)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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16:00 〜 18:00

[13p-PB6-1] 大気圧CVD法によるβ-Ga₂O₃ナノ構造の成長とフォトルミネッセンス特性

〇寺迫智昭¹、大森裕也²、河﨑雄樹²、佐伯拓哉²、門田直己²、宮田晃²、矢木正和³ (1.愛媛大院理工、2.愛媛大工、3.香川高専)

16:00 〜 18:00

[13p-PB6-2] β-Ga₂O₃単結晶の光学非線形屈折率測定

〇齋藤伸吾¹、市田正夫²、尾沼猛儀^3,1、佐々木公平^4,1、倉又朗人⁴、関根徳彦¹、笠松章史¹、東脇正高¹ (1.情通機構、2.甲南大、3.工学院大、4.タムラ製作所)

16:00 〜 18:00

[13p-PB6-3] α-Al₂O₃基板上にミストCVD成長させたα-Ga₂O₃薄膜の表面緩和構造

〇尾坂駿¹、丹波大樹¹、高橋一暉¹、織田真也^2,3、金子健太郎²、田畑博史¹、久保理¹、藤田静雄²、片山光浩¹ (1.阪大院工、2.京大院工、3.FLOSFIA(株))

16:00 〜 18:00

[13p-PB6-4] 触媒反応生成高エネルギーH₂Oを用いたサファイア基板上へのZnO薄膜堆積におけるNO添加

石塚侑己¹、田島諒一¹、大橋優樹¹、玉山泰宏¹、〇安井寛治¹ (1.長岡技科大)

16:00 〜 18:00

[13p-PB6-5] 酸化亜鉛薄膜のガスセンサ特性

〇安達裕¹、渡邊賢¹、齋藤紀子¹、鈴木拓¹、坂口勲¹、大橋直樹¹ (1.物材機構)

16:00 〜 18:00

[13p-PB6-6] RFスパッタリング法による酸化亜鉛薄膜の電気的伝導メカニズムの検証

〇(D)張捷生¹、大村泰久¹、斉藤正¹ (1.関西大学)

16:00 〜 18:00

[13p-PB6-7] 水素導入による酸化亜鉛の電気特性変化（II）

〇安部功二¹、秦弘樹¹ (1.名古屋工業大)

16:00 〜 18:00

[13p-PB6-8] プラズマ手法による酸化亜鉛薄膜の合成

〇渡邉幸輝¹、竹内健太¹、種村眞幸¹ (1.名工大院工)

16:00 〜 18:00

[13p-PB6-9] UHV スパッタ法により成長したZnO 層の大気アニール処理(IV)

〇(M2)松久健司¹、佐久間大樹¹、羽鳥翼¹、渡邉和樹¹、水野愛¹、篠田宏之¹、六倉信喜¹ (1.東京電機大工)

16:00 〜 18:00

[13p-PB6-10] ゾル・ゲルディップ法によるZnCdO/ZnO多層膜構造の作製

〇安田隆¹、佐々木宗人¹、清野大¹ (1.石専大理工)

16:00 〜 18:00

[13p-PB6-11] プラズマ支援分子線堆積法によるフレキシブル基板上へのGZO透明導電膜の形成と評価

〇(M2)中島紳¹、中嶋謙¹、小柳津祥典¹、中山智矢¹、村中司¹、鍋谷暢一¹、松本俊¹ (1.山梨大院総研)

16:00 〜 18:00

[13p-PB6-12] Nb:TiO₂/Ga:ZnO積層膜の大気および真空アニールの効果

〇杉浦怜¹、舩木修平¹、山田容士¹ (1.島根大総理工)

16:00 〜 18:00

[13p-PB6-13] 大気アニールによるスパッタNb:TiO₂透明導電膜の作製

〇中尾祥一郎^1,2、廣瀬靖^1,2,3、長谷川哲也^1,2,3 (1.KAST、2.CREST、3.東大院理)

16:00 〜 18:00

△ [13p-PB6-14] イオン液体ゲート絶縁膜を用いた
a-InGaZnO薄膜トランジスタの界面における結合状態の解析

〇岡田広美¹、藤井茉美¹、石河泰明¹、三輪一元²、小野新平²、浦岡行治¹ (1.奈良先端大、2.電中研)

16:00 〜 18:00

[13p-PB6-15] 無極性ZnO/ZnMgO量子井戸の量子閉じ込めシュタルク効果

〇山本真也¹、本山達也¹、山本敦史¹、岩ケ下翔平¹、阿部友紀¹、笠田洋文¹、安東孝止¹、市野邦男¹ (1.鳥取大院工)

16:00 〜 18:00

[13p-PB6-16] 過剰酸素の抑制による真空環境で安定なIn-Si-O TFT

〇相川慎也^1,2、三苫伸彦¹、木津たきお¹、生田目俊秀¹、塚越一仁¹ (1.物材機構、2.工学院大)

16:00 〜 18:00

[13p-PB6-17] Siをドープしたβ-Ga₂O₃の時間分解分光

木村奈々¹、〇小田久哉¹、安川大¹、若井宏文¹、山中明生¹ (1.千歳科技大)

16:00 〜 18:00

[13p-PB6-18] 電界印加ゾル-ゲル法を用いたn-ZnO/Si3N4/NiO/p-Siヘテロ接合の発光特性

〇大西智哉¹、阿部一徳²、青山隆¹、山口博之¹、小宮山崇夫¹、長南安紀¹ (1.秋田県立大、2.秋田大)

16:00 〜 18:00

△ [13p-PB6-19] RF熱プラズマ法により生成した窒素ドープ酸化亜鉛ナノ粒子のPL特性

〇平儀野雄斗¹、清山拓史¹、阿部耕介¹、Jie Lin¹、吉田俊幸¹、藤田恭久¹ (1.島根大院総理)

16:00 〜 18:00

△ [13p-PB6-20] MOCVD法により作製したZnMgO:N/ZnOシングルヘテロ接合からのEL発光

〇柳瀬将吾¹、錦織大和¹、藤田恭久¹ (1.島根大院総理)

一般セッション(口頭講演)

[14a-1B-1~11] 21.1 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

2015年9月14日(月) 09:00 〜 12:00 1B (133+134)

座長:牧野久雄(高知工科大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[14a-1B-1] UHVスパッタ法により成長したZnO層の大気アニール処理(Ⅱ)

〇(M1)渡邉和樹¹、松久健司¹、佐久間大樹¹、羽鳥翼¹、篠田宏之¹、六倉信喜¹ (1.東京電機大工)

09:15 〜 09:30

[14a-1B-2] UHVスパッタ法により成長したZnO層の大気アニール処理(Ⅲ)

〇(M1)羽鳥翼¹、佐久間大樹¹、松久健司¹、渡邉和樹¹、水野愛¹、篠田宏之¹、六倉信喜¹ (1.東京電機大工)

09:30 〜 09:45

△ [14a-1B-3] ZnO グラフォエピタキシャル薄膜の電気特性評価

〇工藤徹也¹、大島孝仁¹、大橋一輝¹、吉松公平¹、大友明^1,2 (1.東工大院理工、2.元素戦略)

09:45 〜 10:00

△ [14a-1B-4] V添加ZnO薄膜の不安定核形成の抑制に関する検討

〇千葉博¹、渡部晃弘¹、川島知之¹、鷲尾勝由¹ (1.東北大院工)

10:00 〜 10:15

[14a-1B-5] 高濃度V添加ZnO薄膜における複相組織の形成

〇川島知之¹、渡部晃弘¹、鷲尾勝由¹ (1.東北大院工)

休憩（10:15 〜 10:30）

10:30 〜 10:45

[14a-1B-6] ミストCVD法を用いた硫黄添加酸化亜鉛薄膜の形成と評価

〇里善仁¹、皆見憲亮¹、石原卓也¹、中良弘^1,3、永岡昭二^2,3、須恵耕二¹、中村有水^1,3 (1.熊大大学院自然科学、2.熊本産技、3.くまもと有機薄膜)

10:45 〜 11:00

[14a-1B-7] 大気圧非平衡プラズマを用いたZnO薄膜へのNドーピング

〇岩崎裕徳¹、野瀬幸則¹、吉村武¹、芦田淳¹、上原剛²、藤村紀文¹ (1.大阪府立大院工、2.積水化学)

11:00 〜 11:15

[14a-1B-8] 微量O₂添加常圧N₂プラズマの励起過程と高抵抗ZnO薄膜の作製

〇(D)野瀬幸則¹、木口拓也¹、髙田賢志¹、吉村武¹、芦田淳¹、上原剛²、藤村紀文¹ (1.阪府大、2.積水化学)

11:15 〜 11:30

△ [14a-1B-9] 紫外レーザープロセスを利用した ZnO ナノワイヤの無触媒成長におけるサファイア基板面方位への依存性

〇(DC)下垣哲也¹、高橋将大¹、東畠三洋¹、中村大輔¹、池上浩¹、中田芳樹²、岡田龍雄¹ (1.九州大学、2.大阪大学)

11:30 〜 11:45

[14a-1B-10] ゾル－ゲル法によるMgO基板上でのNiO薄膜成長に及ぼす焼成温度の影響

〇國分義弘¹、小柳真彗¹、中込真二¹ (1.石巻専修大理工)

11:45 〜 12:00

[14a-1B-11] 常圧MOCVD法によるCuO薄膜の作製

〇藤原一樹¹、寺村瑞樹¹、田口健太朗¹、谷口凱¹、石川博康^1,2 (1.芝浦工大、2.SIT GI研究センター)

一般セッション(口頭講演)

[15a-1B-1~10] 21.1 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

2015年9月15日(火) 09:00 〜 11:45 1B (133+134)

座長:大島孝仁(東工大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
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09:00 〜 09:15

[15a-1B-1] [論文奨励賞受賞記念講演] Physics on development of open-air atmospheric pressure thin film fabrication technique using mist droplets: Control of precursor flow

〇川原村敏幸¹ (1.高知工科大)

09:15 〜 09:30

△ [15a-1B-2] α-(Al_xGa_1-x)₂O₃バッファ層を用いたα-Ga₂O₃薄膜の結晶構造評価

〇神野莉衣奈¹、伊藤義人¹、金子健太郎¹、藤田静雄¹ (1.京大院工)

09:30 〜 09:45

△ [15a-1B-3] アニールバッファ上に作製したSnドープalpha-Ga₂O₃薄膜の電気特性評価

〇赤岩和明¹、金子健太郎¹、藤田静雄¹ (1.京大院工)

09:45 〜 10:00

[15a-1B-4] オゾンMBE成長β-Ga₂O₃ホモエピタキシャル膜の表面モフォロジーのVI/III比依存性

〇佐々木公平¹、倉又朗人¹、山腰茂伸¹ (1.タムラ製作所)

10:00 〜 10:15

△ [15a-1B-5] KrFエキシマレーザーアニールによるβ-Ga₂O₃エピタキシャル薄膜の室温作製と光学特性評価

〇(DC)塩尻大士¹、福田大二¹、内田啓貴¹、髙野詩織¹、土嶺信男²、小山浩司³、金子智^4,1、松田晃史¹、吉本護¹ (1.東工大、2.(株)豊島製作所、3.(株)並木精密宝石、4.神奈川県産技セ)

休憩（10:15 〜 10:30）

10:30 〜 10:45

△ [15a-1B-6] β-Ga₂O₃(0\overline{1}0)単結晶のエッチピット観察

〇植松卓巳¹、桝谷聡士¹、森林朋也¹、花田賢志¹、輿公祥²、佐々木公平²、倉又朗人²、嘉数誠¹ (1.佐賀大院工、2.（株）タムラ製作所)

10:45 〜 11:00

[15a-1B-7] β-Ga₂O₃基板の結晶欠陥評価(3)

〇永井哲也¹、野網健悟¹、佐々木雅之¹、中居克彦¹、二木登史郎¹ (1.日鉄住金テクノロジー㈱)

11:00 〜 11:15

[15a-1B-8] III族酸化物結晶の熱的安定性の比較

〇富樫理恵¹、野村一城¹、江口千尋¹、木佐貫裕美¹、後藤健^1,2、Thieu Quang Tu^1,3、村上尚¹、熊谷義直¹、倉又朗人²、山腰茂伸²、Monemar Bo^3,4、纐纈明伯¹ (1.東京農工大院工、2.タムラ製作所、3.東京農工大GIRO、4.Linköping Univ.)

11:15 〜 11:30

[15a-1B-9] 大気圧プラズマCVD法を用いたβ -Ga₂O₃薄膜の低温成長

〇木口拓也¹、野瀬幸則¹、高田賢志¹、上原剛²、藤村紀文¹ (1.阪府大　工、2.積水化学)

11:30 〜 11:45

[15a-1B-10] β-Ga₂O₃結晶の(010)面における光学的異方性

〇尾沼猛儀^1,2、齋藤伸吾²、佐々木公平^3,2、増井建和³、山口智広¹、本田徹¹、東脇正高² (1.工学院大、2.情通機構、3.タムラ製作所)

一般セッション(口頭講演)

[15p-1B-1~18] 21.1 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

2015年9月15日(火) 13:15 〜 18:00 1B (133+134)

座長:浦岡行治(奈良先端大),神谷利夫(東工大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:15 〜 13:30

△ [15p-1B-1] 金属/β-Ga₂O₃ (-201) 界面における強いフェルミ準位ピンニング効果

〇若林諒¹、大島孝仁¹、服部真依¹、佐々木公平²、増井建和²、倉又朗人²、山腰茂伸²、吉松公平¹、大友明^1,3 (1.東工大院理工、2.タムラ製作所、3.元素戦略)

13:30 〜 13:45

△ [15p-1B-2] β-Ga₂O₃上γ-Al₂O₃膜のエピタキシャル構造と容量電圧特性評価

〇服部真依¹、大島孝仁¹、若林諒¹、佐々木公平²、増井建和²、倉又朗人²、山腰茂伸²、吉松公平¹、大友明^1,3 (1.東工大院理工、2.タムラ製作所、3.元素戦略)

13:45 〜 14:00

△ [15p-1B-3] Snドープβ-Ga₂O₃(\overline{2}01)単結晶のショットキーバリアダイオードの作製

〇(M1)古賀優太¹、原田和也¹、花田賢志¹、大石敏之¹、嘉数誠¹ (1.佐賀大院工)

14:00 〜 14:15

[15p-1B-4] GaNとβ-Ga₂O₃のヘテロ構造に基づくショットキーダイオード

〇中込真二¹、高橋勇祐¹、佐藤孝彰¹、國分義弘¹ (1.石巻専修大理工)

14:15 〜 14:30

[15p-1B-5] IGZO膜におけるスパッタリング条件依存性

〇上野充¹、新井真¹、清田淳也¹、齋藤一也¹ (1.株式会社アルバック)

14:30 〜 14:45

[15p-1B-6] TFT用アモルファス酸化物半導体の最適製膜条件の特徴

〇神谷利夫^1,2、井手啓介¹、雲見日出也²、細野秀雄^1,2 (1.東工大応セラ研、2.東工大元素センター)

14:45 〜 15:00

△ [15p-1B-7] アモルファスIn-Ga-Zn-Oにおける過剰酸素と不安定性の関係

〇井手啓介¹、平松秀典¹、雲見日出也²、細野秀雄^1,2、神谷利夫^1,2 (1.東工大応セラ研、2.東工大元素センター)

15:00 〜 15:15

[15p-1B-8] 不純物水素がアモルファスIn-Ga-Zn-Oの欠陥に及ぼす影響

Tang Haochun¹、〇神谷利夫^1,2、石川恭平¹、井手啓介¹、平松秀典¹、上田茂典³、大橋直樹^2,3、雲見日出也²、細野秀雄^1,2 (1.東工大応セラ研、2.東工大元素センター、3.物材機構)

15:15 〜 15:30

[15p-1B-9] チタン酸化物薄膜への電気化学的手法による微細領域キャリアドーピング

〇矢嶋赳彬¹、西村知紀¹、鳥海明¹ (1.東京大学)

休憩（15:30 〜 15:45）

15:45 〜 16:00

[15p-1B-10] [講演奨励賞受賞記念講演] 塗布型a-InZnO薄膜トランジスタに向けた銀ナノペーストの印刷適性

〇浦川哲^1,2、石河泰明¹、長田至弘¹、藤井茉実¹、浦岡行治¹ (1.奈良先端大、2.学振特別研究員DC)

16:00 〜 16:15

△ [15p-1B-11] X線光電子分光によるInGaZnOのキャリア生成メカニズムの解析
～Heプラズマ処理時の基板バイアスの効果～

〇(M1)曲勇作¹、牧野久雄^1,2、Wang Dapeng^1,2、古田守^1,2 (1.高知工大、2.総研)

16:15 〜 16:30

△ [15p-1B-12] パルス電圧下における酸化物TFTの自己発熱による劣化現象についての考察

〇木瀬香保利¹、藤井茉美¹、山崎はるか¹、浦川哲¹、苫井重和²、矢野公規²、Wang Dapeng³、古田守³、石河泰明¹、浦岡行治¹ (1.奈良先端大、2.出光興産、3.高知工科大)

16:30 〜 16:45

△ [15p-1B-13] CドープIn-Si-O TFTのNBTI及びPBTI特性の改善

〇(M2)栗島一徳^1,2、生田目俊秀²、三苫伸彦²、木津たきお²、塚越一仁²、澤田朋実²、大井暁彦²、山本逸平^3,2、大石知司³、知京豊裕²、小椋厚志¹ (1.明治大、2.物材機構、3.芝浦工大)

16:45 〜 17:00

[15p-1B-14] 塗布性を向上させたIGZO前駆体溶液の作製と焼成プロセスの検討

〇小倉晋太郎¹、鄭恵貞¹、植村聖¹、牛島洋史¹、福田伸子¹ (1.産総研)

17:00 〜 17:15

[15p-1B-15] 低温塗布IGZOを用いた有機半導体とのハイブリッドインバータの作製

〇(P)鄭恵貞¹、栗原一徳¹、小倉晋太郎¹、吉田学¹、牛島洋史¹、福田伸子¹、植村聖¹ (1.産総研)

17:15 〜 17:30

[15p-1B-16] 二層InSiO構造を用いた薄膜トランジスタ

〇(PC)木津たきお¹、相川慎也^1,2、生田目俊秀¹、塚越一仁¹ (1.物材機構、2.工学院大)

17:30 〜 17:45

[15p-1B-17] ヒータ構造を付加したa-InGaZnO TFTの発熱特性

〇岩松新之輔¹、阿部泰¹、矢作徹¹、加藤睦人¹ (1.山形県工技セ)

17:45 〜 18:00

△ [15p-1B-18] 塗布型有機ゲート絶縁膜を用いたトップゲート・セルフアライン型IGZO TFT

〇(D)戸田達也¹、曲勇作¹、古田守¹ (1.高知工大)

一般セッション(口頭講演)

[16a-1B-1~12] 21.1 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

2015年9月16日(水) 09:00 〜 12:15 1B (133+134)

座長:川原村敏幸(高知工科大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[16a-1B-1] Ga添加ZnO薄膜の熱処理による表面吸着特性の変化

〇牧野久雄^1,2、ルクマンヌルハキム²、野本淳一¹、山本哲也¹ (1.高知工科大総研、2.高知工科大電子・光)

09:15 〜 09:30

[16a-1B-2] 酸素ガス流量と放電電流を制御因子とした反応性プラズマ蒸着 Ga 添加 ZnO 膜のキャリア輸送制御

〇野本淳一¹、牧野久雄^1,2、北見尚久³、酒見俊之³、山本哲也¹ (1.高知工科大総研、2.高知工科大システム工、3.住友重機械工業株式会社)

09:30 〜 09:45

△ [16a-1B-3] 反応性プラズマ蒸着法によるGa添加ZnO薄膜成長中における飛来粒子の入射エネルギーおよびイオン化率

〇北見尚久¹、酒見俊之¹、野本淳一²、牧野久雄^2,3、青木康¹、加藤隆典¹、山本哲也² (1.住友重機械、2.高知工科大学総研、3.高知工科大学システム工)

09:45 〜 10:00

[16a-1B-4] 多結晶AZO透明導電膜のキャリア輸送に対する結晶粒界の影響(2)

〇宇於崎涼介¹、宮田俊弘¹、南内嗣¹ (1.金沢工大　OEDS R&D センター)

10:00 〜 10:15

[16a-1B-5] SiO₂/ZnO積層膜のアニールによる電気特性の向上

〇山田容士¹、舩木修平¹、井上創太¹、菊池大樹¹ (1.島根大総理工)

10:15 〜 10:30

△ [16a-1B-6] 低温での水素イオンビーム照射による酸化亜鉛薄膜の物性制御

〇中山亮¹、前里光彦¹、長岡孝²、有田誠²、北川宏^1,3 (1.京大院理、2.九大院工、3.JST-CREST)

休憩（10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

[16a-1B-7] サファイア基板上のZnO透明導電膜の特性

〇赤沢方省¹ (1.NTT DIC)

11:00 〜 11:15

△ [16a-1B-8] アナターゼ型Ti_1-xNb_xO₂の電気伝導の方位依存性

〇(M2)山口裕生¹、中尾祥一郎^2,3、井野龍一朗¹、河村益徳¹、長谷川哲也^2,3、山田直臣¹ (1.中部大院工、2.KAST、3.東大理)

11:15 〜 11:30

△ [16a-1B-9] 透明p型半導体γ-CuI薄膜の作製と評価

〇(M1)井野龍一朗¹、丸矢航平¹、山口裕生¹、河村益徳¹、二宮善彦¹、山田直臣¹ (1.中部大院工)

11:30 〜 11:45

[16a-1B-10] ZrO₂微粒子光散乱層を利用した色素増感太陽電池の高効率化

小野理恵子¹、遠藤剛志¹、大塚玲奈¹、〇奥谷昌之^1,2 (1.静岡大院工、2.静岡大グリーン研)

11:45 〜 12:00

[16a-1B-11] TNO透明導電膜の導入による色素増感太陽電池の作用電極界面の最適化

遠藤剛志¹、小野理恵子¹、〇奥谷昌之^1,2、岩城諒¹、竹村秀一郎¹、中尾祥一郎³、岡崎壮平³、坂井延寿³、山田直臣³、一杉太郎⁴、長谷川哲也⁵ (1.静岡大院工、2.静岡大グリーン研、3.神奈川技術アカデミー、4.東北大WPI-AIMR、5.東大院理)

12:00 〜 12:15

[16a-1B-12] ワイドギャップ酸化物半導体のプラズモニック技術：
可視電波透過性を有するフレキシブル熱線反射シートの創出

〇松井裕章¹、古田晋也²、長谷部貴之³、蓮池紀幸⁴、田畑仁¹ (1.東大工、2.巴製作所、3.税関中央分析所、4.京都工繊大)

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[13p-PB6-1~20] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [13p-PB6-14] イオン液体ゲート絶縁膜を用いたa-InGaZnO薄膜トランジスタの界面における結合状態の解析

△ [13p-PB6-19] RF熱プラズマ法により生成した窒素ドープ酸化亜鉛ナノ粒子のPL特性

△ [13p-PB6-20] MOCVD法により作製したZnMgO:N/ZnOシングルヘテロ接合からのEL発光

[14a-1B-1~11] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [14a-1B-3] ZnO グラフォエピタキシャル薄膜の電気特性評価

△ [14a-1B-4] V添加ZnO薄膜の不安定核形成の抑制に関する検討

△ [14a-1B-9] 紫外レーザープロセスを利用した ZnO ナノワイヤの無触媒成長におけるサファイア基板面方位への依存性

[15a-1B-1~10] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [15a-1B-2] α-(AlxGa1-x)2O3バッファ層を用いたα-Ga2O3薄膜の結晶構造評価

△ [15a-1B-3] アニールバッファ上に作製したSnドープalpha-Ga2O3薄膜の電気特性評価

△ [15a-1B-5] KrFエキシマレーザーアニールによるβ-Ga2O3エピタキシャル薄膜の室温作製と光学特性評価

△ [15a-1B-6] β-Ga2O3(0\overline{1}0)単結晶のエッチピット観察

[15p-1B-1~18] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [15p-1B-1] 金属/β-Ga2O3 (-201) 界面における強いフェルミ準位ピンニング効果

△ [15p-1B-2] β-Ga2O3上γ-Al2O3膜のエピタキシャル構造と容量電圧特性評価

△ [15p-1B-3] Snドープβ-Ga2O3(\overline{2}01)単結晶のショットキーバリアダイオードの作製

△ [15p-1B-7] アモルファスIn-Ga-Zn-Oにおける過剰酸素と不安定性の関係

△ [15p-1B-11] X線光電子分光によるInGaZnOのキャリア生成メカニズムの解析～Heプラズマ処理時の基板バイアスの効果～

△ [15p-1B-12] パルス電圧下における酸化物TFTの自己発熱による劣化現象についての考察

△ [15p-1B-13] CドープIn-Si-O TFTのNBTI及びPBTI特性の改善

△ [15p-1B-18] 塗布型有機ゲート絶縁膜を用いたトップゲート・セルフアライン型IGZO TFT

[16a-1B-1~12] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [16a-1B-3] 反応性プラズマ蒸着法によるGa添加ZnO薄膜成長中における飛来粒子の入射エネルギーおよびイオン化率

△ [16a-1B-6] 低温での水素イオンビーム照射による酸化亜鉛薄膜の物性制御

△ [16a-1B-8] アナターゼ型Ti1-xNbxO2の電気伝導の方位依存性

△ [16a-1B-9] 透明p型半導体γ-CuI薄膜の作製と評価

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[13p-PB6-1~20] 21.1 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [13p-PB6-14] イオン液体ゲート絶縁膜を用いた
a-InGaZnO薄膜トランジスタの界面における結合状態の解析

[14a-1B-1~11] 21.1 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[15a-1B-1~10] 21.1 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [15a-1B-2] α-(Al_xGa_1-x)₂O₃バッファ層を用いたα-Ga₂O₃薄膜の結晶構造評価

△ [15a-1B-3] アニールバッファ上に作製したSnドープalpha-Ga₂O₃薄膜の電気特性評価

△ [15a-1B-5] KrFエキシマレーザーアニールによるβ-Ga₂O₃エピタキシャル薄膜の室温作製と光学特性評価

△ [15a-1B-6] β-Ga₂O₃(0\overline{1}0)単結晶のエッチピット観察

[15p-1B-1~18] 21.1 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [15p-1B-1] 金属/β-Ga₂O₃ (-201) 界面における強いフェルミ準位ピンニング効果

△ [15p-1B-2] β-Ga₂O₃上γ-Al₂O₃膜のエピタキシャル構造と容量電圧特性評価

△ [15p-1B-3] Snドープβ-Ga₂O₃(\overline{2}01)単結晶のショットキーバリアダイオードの作製

△ [15p-1B-11] X線光電子分光によるInGaZnOのキャリア生成メカニズムの解析
～Heプラズマ処理時の基板バイアスの効果～

[16a-1B-1~12] 21.1 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [16a-1B-8] アナターゼ型Ti_1-xNb_xO₂の電気伝導の方位依存性