〇Jayanetti KDS Jayanetti¹、 Jayasinghage LK Jayasingha¹、 Migelhewa N Kaumal¹、 Karannagoda MDC Jayathilaka²、 Mudalige S Gunewardene¹、 Dammike. P Dissanayake¹ (1.Univ. of Colombo、2.Univ. of Kelaniya)

09:15 〜 09:30

▼ [7a-C23-2] Electrochemical modification of nanocubic p-Cu₂O electrodes for enhanced non-enzymatic glucose sensing

〇Jayasinghage LK Jayasingha¹、 Migelhewa N Kaumal¹、 Karannagoda MDC Jayathilaka²、 Mudalige S Gunewardene¹、 Dammike P Dissanayake¹、 Jayanetti KDS Jayanetti¹ (1.Univ. of Colombo、2.Univ. of Kelaniya)

09:30 〜 09:45

▲ [7a-C23-3] Preparation of rhodium oxide thin films by reactive sputtering and their electrochromic properties.

〇Chanyang Jeong¹、 Yoshio Abe¹、 Midori Kawamura¹、 Kyung Ho Kim¹、 Takayuki Kiba¹ (1.Kitami Inst.)

09:45 〜 10:00

▲ [7a-C23-4] Effective mass and bandgap of ZnSnN₂ earth-abundant solar absorber

〇(PC)Xiang Cao¹、 Fumio Kawamura²、 Takashi Taniguchi²、 Naoomi Yamada¹ (1.Chubu Univ.、2.NIMS)

10:15 〜 10:30

[7a-C23-5] 高温域におけるCr-Mn薄膜の大きなゲージ率

〇丹羽英二¹ (1.電磁研)

10:30 〜 10:45

[7a-C23-6] 反応性スパッタ法によるマンガン酸化物薄膜の作製とそのエレクトロクロミック特性

〇(M1)川浪諒¹、阿部良夫¹、川村みどり¹、金敬鎬¹、木場隆之¹ (1.北見工大工)

10:45 〜 11:00

[7a-C23-7] スパッタ法で作製したNiOOH及びWO₃薄膜のNafion分散液中でのエレクトロクロミック特性

〇野崎泰成¹、持塚亮佑¹、阿部良夫¹、川村みどり¹、金敬鎬¹、木場隆之¹ (1.北見工大工)

11:00 〜 11:15

[7a-C23-8] マルチフェロイックGaFeO₃薄膜の磁気及び強誘電特性へのCr置換効果

〇越阪部拓也¹、片山司¹、安井伸太郎¹、谷山智康¹、伊藤満¹ (1.東工大)

11:15 〜 11:30

[7a-C23-9] パルスレーザ堆積法を用いたチタン酸窒化物薄膜の作製

〇水城淳¹、井上忠彦^2,3、吉松公平¹、大橋直樹^2,3,4、大友明^1,4 (1.東工大物質理工、2.NIMS、3.九大総理工、4.東工大元素戦略)

11:30 〜 11:45

[7a-C23-10] ペロブスカイト酸窒化物MnTaO₂NのMn間磁性結合におけるNアニオンの寄与に関する理論計算

〇毛司辰¹、倉内裕史¹、神坂英幸¹、長谷川哲也¹ (1.東大院理)

一般セッション(口頭講演)

[7p-C23-1~22] 6.4 薄膜新材料

2017年9月7日(木) 13:45 〜 19:30 C23 (C23)

土屋哲男(産総研)、室谷裕志(東海大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

13:45 〜 14:00

[7p-C23-1] スパッタリング法によりSrTiO₃(111)基板上に成長させたPt薄膜の検討

〇葛西昌弘¹、土肥英幸¹ (1.九州大水素)

14:00 〜 14:15

[7p-C23-2] ALDで形成した薄膜InOx高移動度TFT

〇木津たきお¹、相川慎也^1,2、池田幸弘³、上野啓司³、生田目俊秀¹、塚越一仁¹ (1.物材機構、2.工学院大、3.埼玉大院理工)

14:15 〜 14:30

[7p-C23-3] 急峻なサブスレッショルドスロープを持つALD-AlO_xゲート絶縁膜アモルファスInSiO TFT

〇相川慎也^1,2、木津たきお²、生田目俊秀²、塚越一仁² (1.工学院大、2.NIMS)

14:30 〜 14:45

[7p-C23-4] 溶液法によるインジウム酸化物およびインジウム亜鉛酸化物の低温形成

〇芳本祐樹¹、李金望¹、下田達也¹ (1.北陸先端科学技術大学院大学)

14:45 〜 15:00

[7p-C23-5] 低温溶液プロセスによる無機p型半導体薄膜の作製

〇(M1)小屋尚輝¹、石﨑学¹、栗原正人¹ (1.山形大院理工)

15:00 〜 15:15

[7p-C23-6] キレートフレーム法によるアルミニウム合金上への断熱コーティング

〇小寿田貴士¹、中村淳^2,1、小松啓志¹、齋藤秀俊¹ (1.長岡技科大(院)、2.中部キレスト)

15:15 〜 15:30

[7p-C23-7] EDTA金属錯体溶液を用いたキレートフレーム法によるGd添加CeO₂粒子の合成

〇中村祥太¹、中村淳^2,1、小松啓志¹、齋藤秀俊¹ (1.長岡技科大（院）、2.中部キレスト)

15:30 〜 15:45

[7p-C23-8] EDTA金属錯体溶液の噴霧流量変化によるGd添加CeO₂粒子形態への影響

〇中村祥太¹、中村淳^2,1、小松啓志¹、齋藤秀俊¹ (1.長岡技科大（院）、2.中部キレスト(株))

15:45 〜 16:00

[7p-C23-9] 二硫化モリブデン MOS界面におけるスロートラップ評価

〇山下真史¹、高木信一¹、竹中充¹ (1.東大院工)

16:00 〜 16:15

[7p-C23-10] TiO₂-VO₂系エピタキシャル成長膜のスピノーダル分解にc 軸歪みが与える影響

〇吉井文哉¹、松浦由佳¹、壽賀友貴¹、脇田高徳²、寺嶋健成²、横谷尚睦²、村岡祐治² (1.岡山大院自然、2.岡山大基礎研)

16:30 〜 16:45

[7p-C23-11] サファイア基板上へのTiO₂-VO₂系スピノーダル分解膜の作製

〇村岡祐治¹、松浦由佳²、門脇賢司²、井尻正孝²、竹元嘉利²、寺嶋健成¹、脇田高徳¹、横谷尚睦¹ (1.岡山大基礎研、2.岡山大院自然科学)

16:45 〜 17:00

[7p-C23-12] パルスレーザー堆積法による四重ペロブスカイト酸化物の薄膜合成

〇重松圭¹、清水啓佑¹、東正樹¹ (1.東工大フロンティア材料研)

17:00 〜 17:15

△ [7p-C23-13] 四重ペロブスカイトLnCu₃Mn₄O₁₂薄膜の作製と室温フェリ磁性

〇(DC)清水啓佑¹、重松圭¹、東正樹¹ (1.東工大フロンティア材料研究所)

17:15 〜 17:30

[7p-C23-14] ステンレス系基板表面の摩擦を活用するカルコゲナイド系層状半導体MoS₂薄膜形成

〇伊藤孝郁¹、田邉匡生¹、小山裕¹ (1.東北大院工)

17:30 〜 17:45

[7p-C23-15] 液体低温プロセス酸化物TFTを用いたリングオシレータの作製

〇乾京介¹、芳本祐樹¹、李金望¹、下田達也¹ (1.北陸先端大)

17:45 〜 18:00

[7p-C23-16] EDTA金属錯体を出発原料にしたイットリア安定化ジルコニア膜の合成

〇中村陽平¹、中村淳^1,2、小松啓志¹、齋藤秀俊¹ (1.長岡技大、2.中部キレスト株式会社)

18:00 〜 18:15

[7p-C23-17] CeO₂光学薄膜の成膜手法の検討 (Ⅳ)

〇成田彩希¹、室谷裕志¹ (1.東海大院工)

18:15 〜 18:30

[7p-C23-18] 複合成膜により成膜された低屈折率MgF₂光学薄膜 (Ⅱ)

〇都野義樹¹、室谷裕志¹、松本繁治² (1.東海大院工、2.(株)シンクロン)

18:30 〜 18:45

[7p-C23-19] エピタキシャルBaTiO₃薄膜のフレキシブル化

〇馬谷真司¹、西川博昭² (1.近大院生物理工、2.近大生物理工)

18:45 〜 19:00

[7p-C23-20] 赤外・マイクロ波ハイブリッド加熱による多孔質TiO₂層の焼成と色素増感太陽電池への応用

〇池谷綾斗¹、青山貴裕¹、ヴィオラナジャージ²、ヤーノシュマダラス²、奥谷昌之¹ (1.静岡大院工、2.ブダペスト工科経済大)

19:00 〜 19:15

[7p-C23-21] 液中非平衡プラズマを利用したTiO₂膜の作製

〇奥村亮祐¹、鷺坂潤平¹、増田優貴¹、奥谷昌之¹ (1.静岡大院工)

19:15 〜 19:30

[7p-C23-22] パルスレーザー堆積法によるCu₃PdN薄膜の作製

〇金澤航己¹、宮本稜¹、浦田隆広¹、畑野敬史¹、飯田和昌¹、生田博志¹ (1.名大工)

一般セッション(ポスター講演)

[8a-PA2-1~17] 6.4 薄膜新材料

2017年9月8日(金) 09:30 〜 11:30 PA2 (国際センター1F)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:30 〜 11:30

[8a-PA2-1] ボロメータ型赤外線センサのためのニオブ・タングステンドープ酸化バナジウム膜の形成

北野玲¹、西純平¹、萩原敦¹、〇氷室貴大¹、齋藤洋司¹ (1.成蹊大院理工)

09:30 〜 11:30

[8a-PA2-2] VO₂薄膜のエピタキシャル成長とそのラマン分光特性

〇楠森毅¹、中尾節男¹ (1.産総研中部)

09:30 〜 11:30

[8a-PA2-3] 基板バイアス印加スパッタ法を用いた VO₂薄膜の再結晶化に関する研究

〇松岡耕平¹、アズハンヌル― ハニス²、沖村邦雄¹ (1.東海大院工、2.クアランプール大工)

09:30 〜 11:30

[8a-PA2-4] 加熱金属触媒体表面で励起したNOガスによるZnO結晶への窒素ドープ

小野翔太郎¹、齋藤太朗¹、伊庭竜太¹、〇安井寛治¹ (1.長岡技科大)

09:30 〜 11:30

[8a-PA2-5] 高周波マグネトロンスパッタで成膜したMoSi₂-Si複合体薄膜の
電気的特性と結晶構造

〇谷本峻吾¹、下薗宏祐¹、佐藤祐喜¹、大鉢忠¹、吉門進三¹ (1.同志社大院理工)

09:30 〜 11:30

[8a-PA2-6] RuO₂チップ抵抗体における高温･通電劣化プロセスの光学的観測

〇中村吉伸¹、北中佑樹¹、宮山勝¹、伊藤武²、浦野幸一²、中島智彦³、土屋哲男³ (1.東大院工、2.KOA㈱、3.産総研)

09:30 〜 11:30

[8a-PA2-7] 塗布光照射法による抵抗体膜の作製と評価

〇鵜澤裕子¹、山口巖¹、中島智彦¹、鈴木宗泰¹、土屋哲男¹ (1.産総研)

09:30 〜 11:30

[8a-PA2-8] 光MOD法への酸素プラズマ融合効果

〇(M2)瀬川龍生¹、西川雅美¹、中島智彦²、土屋哲男²、齊藤信雄¹、石橋隆幸¹ (1.長岡技大、2.産総研)

09:30 〜 11:30

▲ [8a-PA2-9] Effect of Substrate Temperature on Structural, Optical and Surface Morphological properties of E-beam Evaporated TiO₂ Photoelectrode

〇(P)MD Faruk Hossain¹、 Shigeki Naka²、 Hioryuki Okada² (1.Professor, Dept. of EEE, RUET, Bangladesh、2.Professor, Dept. of EEE, University of Toyama, Japan)

09:30 〜 11:30

[8a-PA2-10] 立方晶TiNの電気的特性

〇外山大貴¹、吉川真弘¹、藤田利晃²、長友憲昭²、牧本俊樹¹ (1.早大理工、2.三菱マテリアル)

09:30 〜 11:30

[8a-PA2-11] 立方晶Ti_1-xAl_xNの電気的特性

〇吉川真弘¹、外山大貴¹、藤田利晃²、長友憲昭²、牧本俊樹¹ (1.早大理工、2.三菱マテリアル)

09:30 〜 11:30

[8a-PA2-12] 強磁性体/反強磁性体Ru₂MnGe積層膜における反強磁性磁気モーメントの挙動

〇倪遠致¹、松下将輝¹、羽尻哲也¹、浅野秀文¹ (1.名大)

09:30 〜 11:30

[8a-PA2-13] Mn₃GaN_1-x薄膜の構造制御とMn₃GaN/ Mn₃GaN_1-x積層膜の作製と評価

〇石野直¹、ソジョンミン¹、後藤大尚¹、羽尻哲也¹、浅野秀文¹ (1.名大院工)

09:30 〜 11:30

[8a-PA2-14] ダイナミックオーロラPLD法によるMn₃CuN薄膜の成長

〇鈴木淳平¹ (1.静大院工)

09:30 〜 11:30

[8a-PA2-15] ナノコンポジットAlBN薄膜の硬度および膜構造に及ぼすB添加の効果

〇内田聖也¹、吉田智博²、村澤功基³、福井康雄³、櫻井正俊³、工藤昌輝⁴、鳥山誉亮⁴、吉武剛¹ (1.九大院総理工、2.福岡県工技セ機電研、3.オーエスジー株式会社、4.九大超顕微センター)

09:30 〜 11:30

[8a-PA2-16] MOCVD成長した単層TMDCのSTM観察

〇(M1)村瀬康太¹、小林佑²、吉田昭二¹、武内修¹、宮田耕充²、重川秀実¹ (1.筑波大数理物質、2.首都大東京理工)

09:30 〜 11:30

[8a-PA2-17] 酸化バナジウム系アモルファス薄膜のPLD作製と電気特性評価

〇藤元勇希¹、金子智^2,1、木村好里¹、松田晃史¹、吉本護¹ (1.東工大物質理工、2.神奈川産総研)

セッション一覧

6 薄膜・表面 » 6.4 薄膜新材料

[6p-C23-1~16] 6.4 薄膜新材料

△ [6p-C23-2] 様々な表面形状を有するLiCoO2エピタキシャル薄膜の高速充放電特性

△ [6p-C23-3] Mn3CuN極薄膜に対する電界効果キャリア注入

△ [6p-C23-4] パルスレーザー堆積法による高品質Cd3As2薄膜の作製

△ [6p-C23-5] 層状La-Ni-O系薄膜の一軸加圧熱処理による構造および特性変化

△ [6p-C23-6] TiH2エピタキシャル薄膜の配向制御と電子輸送特性評価

△ [6p-C23-8] Si基板上のストロンチウムシリケイト薄膜の固定電荷の起源

△ [6p-C23-9] スピネル型酸窒化物Fe3O4−xNyエピタキシャル薄膜の合成と物性評価

△ [6p-C23-10] 異なる表面金属層を用いた高安定銀薄膜の光学特性

△ [6p-C23-11] 高濃度Fe添加NiO薄膜の室温エピタキシャル成長と特性評価

▼ [6p-C23-13] Ambipolar transistor operation in WSe2 epitaxial thin films grown by molecular-beam epitaxy

▲ [6p-C23-14] Transport properties of single-crystalline TiSe2 epitaxial thin films grown by molecular-beam epitaxy

△ [6p-C23-15] 遷移金属カルコゲナイド電荷移動界面

△ [6p-C23-16] イオン液体液滴上への金薄膜の作製およびその構造評価

[7a-C23-1~10] 6.4 薄膜新材料

▲ [7a-C23-1] Morphological effects of electrodeposited Cu2O thin films on enhancement of glucose sensing

▼ [7a-C23-2] Electrochemical modification of nanocubic p-Cu2O electrodes for enhanced non-enzymatic glucose sensing

▲ [7a-C23-3] Preparation of rhodium oxide thin films by reactive sputtering and their electrochromic properties.

▲ [7a-C23-4] Effective mass and bandgap of ZnSnN2 earth-abundant solar absorber

[7p-C23-1~22] 6.4 薄膜新材料

△ [7p-C23-13] 四重ペロブスカイトLnCu3Mn4O12薄膜の作製と室温フェリ磁性

[8a-PA2-1~17] 6.4 薄膜新材料

▲ [8a-PA2-9] Effect of Substrate Temperature on Structural, Optical and Surface Morphological properties of E-beam Evaporated TiO2 Photoelectrode

認証

△ [6p-C23-2] 様々な表面形状を有するLiCoO₂エピタキシャル薄膜の高速充放電特性

△ [6p-C23-3] Mn₃CuN極薄膜に対する電界効果キャリア注入

△ [6p-C23-4] パルスレーザー堆積法による高品質Cd₃As₂薄膜の作製

△ [6p-C23-6] TiH₂エピタキシャル薄膜の配向制御と電子輸送特性評価

△ [6p-C23-9] スピネル型酸窒化物Fe₃O_4−xN_yエピタキシャル薄膜の合成と物性評価

▼ [6p-C23-13] Ambipolar transistor operation in WSe₂ epitaxial thin films grown by molecular-beam epitaxy

▲ [6p-C23-14] Transport properties of single-crystalline TiSe₂ epitaxial thin films grown by molecular-beam epitaxy

▲ [7a-C23-1] Morphological effects of electrodeposited Cu₂O thin films on enhancement of glucose sensing

▼ [7a-C23-2] Electrochemical modification of nanocubic p-Cu₂O electrodes for enhanced non-enzymatic glucose sensing

▲ [7a-C23-4] Effective mass and bandgap of ZnSnN₂ earth-abundant solar absorber

△ [7p-C23-13] 四重ペロブスカイトLnCu₃Mn₄O₁₂薄膜の作製と室温フェリ磁性

▲ [8a-PA2-9] Effect of Substrate Temperature on Structural, Optical and Surface Morphological properties of E-beam Evaporated TiO₂ Photoelectrode