一般セッション(ポスター講演)

[12a-P12-1~7] 13.3 絶縁膜技術

2015年3月12日(木) 09:30 〜 11:30 P12 (総合体育館)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:30 〜 11:30

[12a-P12-1] MONOS型メモリにおける絶縁膜中の原子欠陥に関する第一原理計算

〇白川裕規¹、洗平昌晃²、神谷克政³、白石賢二² (1.筑波大院数理, 2.名大院工, 3.神奈工大)

09:30 〜 11:30

[12a-P12-2] 定電流キャリヤ注入法を用いたMONOS構造の正孔捕獲特性の評価

〇(M1)田中伸¹、内藤慎二¹、小林清輝¹ (1.東海大院工)

09:30 〜 11:30

▲ [12a-P12-3] Charge retention characteristics of charge trapping nonvolatile memories with silicon carbonitride (SiCN) dielectrics

〇(D)SheikhRashel Ahmed¹, Shinji Naito², Hironori Shibayama³, Jyunya Nakamura³, Kyoteru Kobayashi^1,^2,³ (1.GRAD SCH S&T, Tokai Univ, 2.GRAD SCH Eng, Tokai Univ, 3.SCH Eng, Tokai Univ.)

09:30 〜 11:30

[12a-P12-4] 酸化剤を変えたALD-Al₂O₃膜のMOSキャパシタの特性評価

〇福井僚¹、中村嘉基¹、角嶋邦之²、片岡好則²、西山彰²、杉井信之²、若林整²、筒井一生²、名取研二¹、岩井洋¹ (1.東工大フロンティア研, 2.東工大総理工)

09:30 〜 11:30

[12a-P12-5] 欠損を含むシリコン酸化膜中のアンモニア分子の透過

〇奥友希¹、戸塚正裕¹、志賀俊彦¹、渡辺斉¹ (1.三菱電機　波光電)

09:30 〜 11:30

▲ [12a-P12-6] Improvement of Electrical Properties of InGaAs MOS Interfaces by Inserting La Oxide Interfacial Layers into InGaAs Gate Stacks

〇(D)ChihYu Chang^1,³, Osamu Ichikawa^2,³, Takenori Osada^2,³, Hisashi Yamada^2,³, Mitsuru Takenaka^1,³, Shinichi Takagi^1,³ (1.The Univ. of Tokyo, 2.Sumitomo Chemical, 3.JST-CREST)

09:30 〜 11:30

[12a-P12-7] Radical-Enhanced ALD法によるGe基板上Alジャーマネイトの形成機構に関する検討

横平知也¹、〇梁池昂生¹、柳炳學²、山本千綾²、山中淳二²、佐藤哲也²、岡本浩³、福田幸夫¹ (1.諏訪東京理科大学, 2.山梨大学, 3.弘前大学)

一般セッション(口頭講演)

[13a-A24-1~13] 13.3 絶縁膜技術

2015年3月13日(金) 09:00 〜 12:30 A24 (6A-217)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

▲ [13a-A24-1] Passivation of silicon surfaces by heat treatment in liquid water at 110^oC

〇Tomohiko Nakamura¹, Toshiyuki Sameshima¹, Masahiko Hasumi¹, Tomohisa Mizuno² (1.TUAT, 2.Kanagawa Univ.)

09:15 〜 09:30

[13a-A24-2] 高圧水蒸気中における陽極酸化法により成膜したSiO_２膜の特性評価

〇(M1C)手原大貴¹、尾和瀬智成¹、呉研¹、高橋芳浩¹ (1.日大理工)

09:30 〜 09:45

[13a-A24-3] 低温Kr/O₂プラズマ酸化法によるSiO₂/Si構造の作製および評価

〇藤川雄太¹、岩崎好孝¹、上野智雄¹ (1.農工大工)

09:45 〜 10:00

[13a-A24-4] Multi-Phonon遷移を考慮したSmall-PolaronのVariable Range Hopping

〇宝玉充¹、谷本弘吉¹、青木伸俊¹、石丸一成¹ (1.東芝セミコンダクター＆ストレージ社)

10:00 〜 10:15

[13a-A24-5] XANES から推定したSiO₂/Si 界面の物性評価

〇森谷真帆^1,²、小林大輔²、山本知之¹、廣瀬和之² (1.早大理工, 2.宇宙科学研究所)

10:15 〜 10:30

[13a-A24-6] SiC MOSキャパシタのTZDB測定時動画撮影による絨毯爆撃状破壊痕形成メカニズムの解明

〇佐藤創志¹、廣井佑紀²、山部紀久夫²、北畠真³、遠藤哲郎^1,^4,⁵、丹羽正昭¹ (1.東北大CIES, 2.筑波大院, 3.FUPET, 4.東北大CSIS, 5.東北大院工)

10:30 〜 10:45

▲ [13a-A24-7] Effectiveness of surface potential fluctuation for representing inversion-layer mobility limited by Coulomb scattering in MOSFETs

〇(D)Weili Cai^1,², Mitsuru Takenaka^1,², Shinichi Takagi^1,² (1.Tokyo Univ., 2.JST CREST)

休憩（10:45 〜 11:00）

11:00 〜 11:15

△ [13a-A24-8] 水蒸気を用いたプラズマ誘起原子層堆積法によるAl₂O₃膜の絶縁特性改善

〇梅原智明¹、堀田昌宏¹、吉嗣晃治¹、石河泰明¹、浦岡行治¹ (1.奈良先端大)

11:15 〜 11:30

[13a-A24-9] 分子動力学法によるhigh-k/SiO₂界面のダイポール形成シミュレーション（２）－酸素密度緩和モデルで説明できないMgO/SiO₂界面ダイポールの再現－

〇功刀遼太¹、橋口誠広¹、志村昴亮¹、小椋厚志^3,⁵、佐藤真一^4,⁵、渡邉孝信^1,^2,⁵ (1.早大理工, 2.早大ナノ機構, 3.明大理工, 4.兵庫県立大, 5.JST-CREST)

11:30 〜 11:45

[13a-A24-10] ３次元アトムプローブ法によるAl₂O₃膜中の水素分布評価

〇清水康雄¹、韓斌¹、井上耕治¹、矢野史子²、井上真雄³、国宗依信⁴、島田康弘⁴、片山俊治⁴、井手隆⁴、永井康介¹ (1.東北大金研, 2.東京都市大, 3.ルネサス, 4.ルネサスセミコンダクタマニュファクチュアリング)

11:45 〜 12:00

▼ [13a-A24-11] Patterning of High-k/metal gate Stack by Neutral Beam Etching Technique for Sub-20 nm CMOS Technology

〇YinHsien Su^1,², JiaNan Shih¹, Tomohiro Kubota², WenHsi Lee¹, YingLang Wang³, Seiji Samukawa² (1.National Cheng Kung Univ., 2.Tohoku Univ., 3.TSMC)

12:00 〜 12:15

▲ [13a-A24-12] In-situ Formation of HfN_x Gate Stack Structures Utilizing ECR Plasma Sputtering

〇Atthi Nithi¹, Shun-ichiro Ohmi¹ (1.Tokyo Inst. of Tech.)

12:15 〜 12:30

[13a-A24-13] TiN/HfO₂/TiN構造におけるHfO₂膜の強誘電的特性TiN/HfO₂/TiN構造におけるHfO₂膜の強誘電的特性

〇西村知紀¹、矢嶋赳彬¹、鳥海明¹ (1.東大院工)

一般セッション(口頭講演)

[14a-A24-1~12] 13.3 絶縁膜技術

2015年3月14日(土) 09:00 〜 12:15 A24 (6A-217)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[14a-A24-1] CVD法を用いたGeO₂/Ge構造の作製と評価

〇小倉大輝¹、岩崎好孝¹、上野智雄¹ (1.東京農工大工)

09:15 〜 09:30

[14a-A24-2] Hf-Post Metallization AnnealingによるGeO₂/Ge界面特性の改善効果

〇新井田淳平¹、岩崎好孝¹、上野智雄¹ (1.農工大院工)

09:30 〜 09:45

[14a-A24-3] 低温アニールによるGeNx膜質改善

〇田中佑治¹、岩崎好孝¹、上野智雄¹ (1.農工大工)

09:45 〜 10:00

[14a-A24-4] プラズマ後窒化(100)面及び(110)面SiGe MOS界面の比較

〇(D)韓在勲^1,²、竹中充^1,²、高木信一^1,² (1.東大院工, 2.JST-CREST)

10:00 〜 10:15

△ [14a-A24-5] Al₂O₃/Ge構造に対する熱酸化にともなうGe表面からのGe原子放出過程

〇柴山茂久^1,²、中嶋薫³、坂下満男¹、中塚理¹、木村健二³、財満鎭明^1,⁴ (1.名大院工, 2.学振特別研究員, 3.京大院工, 4.名大エコトピア)

10:15 〜 10:30

[14a-A24-6] ALDとECRプラズマ酸化による酸化膜固定電荷密度の制御

〇永冨雄太¹、長岡裕一¹、田中慎太郎¹、山本圭介²、王冬¹、中島寛² (1.九大総理工, 2.九大産学連携センター)

休憩（10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

△ [14a-A24-7] GaSb表面の純窒化プロセスの検討

〇(M2)後藤高寛^1,²、藤川紗千恵¹、藤代博記¹、小倉睦郎²、安田哲二²、前田辰郎^1,² (1.東理大院基礎工, 2.産総研)

11:00 〜 11:15

△ [14a-A24-8] Ge上ルチル型TiO₂層へのアクセプタドープによる絶縁性向上の試み

〇(B)鈴木良尚¹、長田貴弘²、山下良之²、チナマトゥパウルサミー²、小橋和義¹、生田目俊秀²、小椋厚志¹、知京豊裕² (1.明治大学, 2.物質材料研究機構)

11:15 〜 11:30

[14a-A24-9] 原子マッチングを利用した結晶性La₂O₃ high-k/Ge(111)構造の作製

〇金島岳¹、梶原康裕¹、銭高真人¹、山田晋也¹、浜屋宏平¹ (1.阪大基礎工)

11:30 〜 11:45

[14a-A24-10] 結晶性La₂O₃/Ge(111)における電気特性のアニール効果

〇銭高真人¹、梶原康裕¹、山田晋也¹、浜屋宏平¹、金島岳¹ (1.阪大基礎工)

11:45 〜 12:00

▲ [14a-A24-11] Reliability-aware Germanium Gate Stack Formation by GeO₂Network Modification

〇Cimang Lu^1,², Choong Hyun Lee^1,², Tomonori Nishimura^1,², Kosuke Nagashio^1,², Akira Toriumi^1,² (1.The Univ. of Tokyo, 2.JST-CREST)

12:00 〜 12:15

▼ [14a-A24-12] Design of High-k and Interfacial Layer on Germanium for 0.5 nm EOT

〇Cimang Lu^1,², Choong Hyun Lee^1,², Tomonori Nishimura^1,², Kosuke Nagashio^1,², Akira Toriumi^1,² (1.The Univ. of Tokyo, 2.JST-CREST)

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13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[12a-P12-1~7] 13.3 絶縁膜技術

[12a-P12-1] MONOS型メモリにおける絶縁膜中の原子欠陥に関する第一原理計算

[12a-P12-2] 定電流キャリヤ注入法を用いたMONOS構造の正孔捕獲特性の評価

▲ [12a-P12-3] Charge retention characteristics of charge trapping nonvolatile memories with silicon carbonitride (SiCN) dielectrics

[12a-P12-4] 酸化剤を変えたALD-Al₂O₃膜のMOSキャパシタの特性評価

[12a-P12-5] 欠損を含むシリコン酸化膜中のアンモニア分子の透過

▲ [12a-P12-6] Improvement of Electrical Properties of InGaAs MOS Interfaces by Inserting La Oxide Interfacial Layers into InGaAs Gate Stacks

[12a-P12-7] Radical-Enhanced ALD法によるGe基板上Alジャーマネイトの形成機構に関する検討

[13a-A24-1~13] 13.3 絶縁膜技術

▲ [13a-A24-1] Passivation of silicon surfaces by heat treatment in liquid water at 110^oC

[13a-A24-2] 高圧水蒸気中における陽極酸化法により成膜したSiO_２膜の特性評価

[13a-A24-3] 低温Kr/O₂プラズマ酸化法によるSiO₂/Si構造の作製および評価

[13a-A24-4] Multi-Phonon遷移を考慮したSmall-PolaronのVariable Range Hopping

[13a-A24-5] XANES から推定したSiO₂/Si 界面の物性評価

[13a-A24-6] SiC MOSキャパシタのTZDB測定時動画撮影による絨毯爆撃状破壊痕形成メカニズムの解明

▲ [13a-A24-7] Effectiveness of surface potential fluctuation for representing inversion-layer mobility limited by Coulomb scattering in MOSFETs

△ [13a-A24-8] 水蒸気を用いたプラズマ誘起原子層堆積法によるAl₂O₃膜の絶縁特性改善

[13a-A24-9] 分子動力学法によるhigh-k/SiO₂界面のダイポール形成シミュレーション（２）－酸素密度緩和モデルで説明できないMgO/SiO₂界面ダイポールの再現－

[13a-A24-10] ３次元アトムプローブ法によるAl₂O₃膜中の水素分布評価

▼ [13a-A24-11] Patterning of High-k/metal gate Stack by Neutral Beam Etching Technique for Sub-20 nm CMOS Technology

▲ [13a-A24-12] In-situ Formation of HfN_x Gate Stack Structures Utilizing ECR Plasma Sputtering

[13a-A24-13] TiN/HfO₂/TiN構造におけるHfO₂膜の強誘電的特性TiN/HfO₂/TiN構造におけるHfO₂膜の強誘電的特性

[14a-A24-1~12] 13.3 絶縁膜技術

[14a-A24-1] CVD法を用いたGeO₂/Ge構造の作製と評価

[14a-A24-2] Hf-Post Metallization AnnealingによるGeO₂/Ge界面特性の改善効果

[14a-A24-3] 低温アニールによるGeNx膜質改善

[14a-A24-4] プラズマ後窒化(100)面及び(110)面SiGe MOS界面の比較

△ [14a-A24-5] Al₂O₃/Ge構造に対する熱酸化にともなうGe表面からのGe原子放出過程

[14a-A24-6] ALDとECRプラズマ酸化による酸化膜固定電荷密度の制御

△ [14a-A24-7] GaSb表面の純窒化プロセスの検討

△ [14a-A24-8] Ge上ルチル型TiO₂層へのアクセプタドープによる絶縁性向上の試み

[14a-A24-9] 原子マッチングを利用した結晶性La₂O₃ high-k/Ge(111)構造の作製

[14a-A24-10] 結晶性La₂O₃/Ge(111)における電気特性のアニール効果

▲ [14a-A24-11] Reliability-aware Germanium Gate Stack Formation by GeO₂Network Modification

▼ [14a-A24-12] Design of High-k and Interfacial Layer on Germanium for 0.5 nm EOT

認証

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[12a-P12-1~7] 13.3 絶縁膜技術

▲ [12a-P12-3] Charge retention characteristics of charge trapping nonvolatile memories with silicon carbonitride (SiCN) dielectrics

▲ [12a-P12-6] Improvement of Electrical Properties of InGaAs MOS Interfaces by Inserting La Oxide Interfacial Layers into InGaAs Gate Stacks

[13a-A24-1~13] 13.3 絶縁膜技術

▲ [13a-A24-1] Passivation of silicon surfaces by heat treatment in liquid water at 110oC

▲ [13a-A24-7] Effectiveness of surface potential fluctuation for representing inversion-layer mobility limited by Coulomb scattering in MOSFETs

△ [13a-A24-8] 水蒸気を用いたプラズマ誘起原子層堆積法によるAl2O3膜の絶縁特性改善

▼ [13a-A24-11] Patterning of High-k/metal gate Stack by Neutral Beam Etching Technique for Sub-20 nm CMOS Technology

▲ [13a-A24-12] In-situ Formation of HfNx Gate Stack Structures Utilizing ECR Plasma Sputtering

[14a-A24-1~12] 13.3 絶縁膜技術

△ [14a-A24-5] Al2O3/Ge構造に対する熱酸化にともなうGe表面からのGe原子放出過程

△ [14a-A24-7] GaSb表面の純窒化プロセスの検討

△ [14a-A24-8] Ge上ルチル型TiO2層へのアクセプタドープによる絶縁性向上の試み

▲ [14a-A24-11] Reliability-aware Germanium Gate Stack Formation by GeO2 Network Modification

▼ [14a-A24-12] Design of High-k and Interfacial Layer on Germanium for 0.5 nm EOT

認証

▲ [13a-A24-1] Passivation of silicon surfaces by heat treatment in liquid water at 110^oC

△ [13a-A24-8] 水蒸気を用いたプラズマ誘起原子層堆積法によるAl₂O₃膜の絶縁特性改善

▲ [13a-A24-12] In-situ Formation of HfN_x Gate Stack Structures Utilizing ECR Plasma Sputtering

△ [14a-A24-5] Al₂O₃/Ge構造に対する熱酸化にともなうGe表面からのGe原子放出過程

△ [14a-A24-8] Ge上ルチル型TiO₂層へのアクセプタドープによる絶縁性向上の試み

▲ [14a-A24-11] Reliability-aware Germanium Gate Stack Formation by GeO₂Network Modification