一般セッション(ポスター講演)

[17p-PA1-1~16] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

2014年9月17日(水) 13:30 〜 15:30 PA1 (第1体育館)

ポスター掲示時間13:30～15:30(PA1会場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:30 〜 15:30

[17p-PA1-1] 高機能非冷却赤外線センサの高性能化III -ナノギャップ3次元プラズモニックメタマテリアル吸収体の作製-

^○植月満治¹，秦久敏¹，三崎浩司¹，小川新平¹，藤澤大介¹，木股雅章² (三菱電機¹，立命館大²)

13:30 〜 15:30

[17p-PA1-2] 3Dスプリングを用いた可変プラズモニック構造とその光学特性

^○西山宏昭，阿部佑真，市村琢朗，大関透典，齋藤泰登 (山形大院理工)

13:30 〜 15:30

△ [17p-PA1-3] 小型分光器の実現に向けた面内回転型MEMS分光デバイス

^○岡勇作，篠崎亮輔，下川房男，大平文和，高尾英邦 (香川大)

13:30 〜 15:30

△ [17p-PA1-4] 集積化CMOS-MEMS加速度センサへ向けたsub-1G静電容量型センサの検討

^○亀井将太¹，山根大輔¹，小西敏文²，松島隆明²，年吉洋³，町田克之^1,2，益一哉¹ (東工大¹，NTT-AT²，東大³)

13:30 〜 15:30

[17p-PA1-5] 積層メタル構造による3軸加速度センサの検討

^○松島隆明¹，小西敏文¹，山根大輔²，年吉洋³，益一哉²，町田克之^1,2 (NTT-AT¹，東工大²，東大³)

13:30 〜 15:30

[17p-PA1-6] エネルギーハーベスティングデバイスの検討(4)

^○小西敏文¹，山根大輔²，松島隆明¹，益一哉²，年吉洋³，町田克之^1,2 (NTT-AT¹，東工大²，東大³)

13:30 〜 15:30

[17p-PA1-7] 壁面に熱電対を配置したマイクロ流路デバイス

^○（B）柴田真宏，山口貴大，熊谷慎也，佐々木実 (豊田工大)

13:30 〜 15:30

[17p-PA1-8] MEMSによるマイクロ流体界面での反応性プラズマ形成

^○柄崎克樹，熊谷慎也，佐々木実 (豊田工大)

13:30 〜 15:30

[17p-PA1-9] 連続発振Siレーザ結晶化におけるマルチラインビーム化の効果

^○平田達誠¹，黒木伸一郎¹，山野真幸¹，佐藤旦¹，小谷光司²，吉川公麿¹ (広島大RNBS¹，東北大院²)

13:30 〜 15:30

[17p-PA1-10] 高性能poly-Si TFT特性とチャネル結晶面方位との相関

^○山野真幸¹，黒木伸一郎¹，平田達誠¹，佐藤旦¹，小谷光司²，吉川公麿¹ (広島大ナノデバイス¹，東北大工²)

13:30 〜 15:30

▲ [17p-PA1-11] Pulsed-Laser-Microcrystallization of Si Thin Films on Metal Films with Crystallization-Induction Layers of YSZ by the Two-Step Irradiation Method

^〇Lien Mai，Susumu Horita (JAIST)

13:30 〜 15:30

△ [17p-PA1-12] a-Si膜の軟X線照射結晶化における横方向成長

^○平野翔大¹，草壁史¹，部家彰¹，松尾直人¹，神田一浩² (兵庫県立大院工¹，兵庫県立大高度研²)

13:30 〜 15:30

[17p-PA1-13] 透明導電膜付きポリカーボネート基板上における多結晶シリコン薄膜の結晶成長

^○河本直哉¹，只友一行¹，野口隆²，岡田竜弥² (山口大院理工¹，琉球大²)

13:30 〜 15:30

[17p-PA1-14] Niシリサイド化速度のSi結晶構造依存性 -分子動力学法による解析-

^○橋本修一郎，小杉山洋希，セイソン，武井康平，木谷哲，図師知文，渡邉孝信 (早大理工)

13:30 〜 15:30

[17p-PA1-15] 金属Germanideの相図とGe界面におけるショットキーバリア

^○（DC）飯塚将太，中山隆史 (千葉大理)

13:30 〜 15:30

[17p-PA1-16] 炭素を用いたCu拡散抑制の検討

^○ラーエドアルスバイエ，山下諒，上野和良 (芝浦工大)

一般セッション(口頭講演)

[18a-A19-1~13] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

2014年9月18日(木) 09:00 〜 12:30 A19 (E311)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[18a-A19-1] 軟X線照射によるB₁₀H₁₄注入Si基板中のB原子活性化

^○部家彰¹，平野翔大¹，草壁史¹，松尾直人¹，神田一浩² (兵庫県立大¹，兵庫県立大高度研²)

09:15 〜 09:30

[18a-A19-2] Bi 原子細線をドーパント源とするSi 結晶中のBi\deltaドーピング法：　EXAFSによるドーピング機構解明

村田晃一^1,2，新田清文³，宇留賀朋哉³，寺田靖子³，日塔光一¹，坂田修身¹，^○三木一司^1,2 (物材機構¹，筑波大院数物²，JASRI³)

09:30 〜 09:45

[18a-A19-3] Bi原子細線をドーパント源とするSi結晶中のBiδドーピング法: アニール温度の再考

^○（M2）金澤孝^1,2，村田晃一^1,2，日塔光一¹，三木一司^1,2 (物材機構¹，筑波大院数物²)

09:45 〜 10:00

[18a-A19-4] リン酸溶液中レーザドーピングによるGeダイオードの低温形成

^○高橋恒太¹，黒澤昌志^1,2，池上浩³，坂下満男¹，竹内和歌奈¹，中塚理¹，財満鎭明¹ (名大院工¹，学振PD²，九大院シス情³)

10:00 〜 10:15

[18a-A19-5] Sn/Geコンタクトにおけるショットキー障壁高さのGe面方位依存性

^○鈴木陽洋¹，鄧云生¹，黒澤昌志^1,2，坂下満男¹，中塚理¹，財満鎭明¹ (名大院工¹，学振特別研究員²)

10:15 〜 10:30

[18a-A19-6] WSin/Ge接合の結合状態とフェルミレベルピニング解除

^○内田紀行¹，岡田直也^1,2，宮崎剛英³，福田浩一¹，金山敏彦⁴ (産総研ナノエレ¹，JST-さきがけ²，産総研ナノシステム³，産総研⁴)

休憩10:30～10:45 （10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

[18a-A19-7] 中性無電解銅めっき法を用いたアルミ電極上への銅バンプ形成

^○杉浦修 (千葉工大工)

11:00 〜 11:15

[18a-A19-8] W内包Siクラスターを凝集した原子層厚シリサイド膜の電気伝導特性

^○岡田直也^1,2，内田紀行²，金山敏彦² (JSTさきがけ¹，産総研²)

11:15 〜 11:30

[18a-A19-9] 常温超音波接合技術によるVGAサイズ近赤外イメージセンサーの作製

^○（DC）首藤高徳¹，岩鍋圭一郎¹，小倉睦郎²，西田克彦²，浅野種正¹ (九大¹，アイアールスペック²)

11:30 〜 11:45

[18a-A19-10] 先鋭バンプの超音波接合による常温接合機構の調査

^○岩鍋圭一郎，首藤高徳，多喜川良，浅野種正 (九大)

11:45 〜 12:00

[18a-A19-11] 先鋭バンプの微細化による常温CoC接合の低荷重化

^○青木洋平，多喜川良，岩鍋圭一郎，首藤高徳，浅野種正 (九大)

12:00 〜 12:15

[18a-A19-12] 直接貼付InP/SiO2接合界面におけるボイド占有率の評価

^○松本恵一，金谷佳則，岸川純也，下村和彦 (上智大理工)

12:15 〜 12:30

[18a-A19-13] ３次元構造撮像デバイスの実現に向けた画素回路の試作

^○後藤正英¹，萩原啓¹，井口義則¹，大竹浩¹，更屋拓哉²，日暮栄治²，年吉洋²，平本俊郎² (NHK技研¹，東大²)

一般セッション(口頭講演)

[18p-A19-1~14] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

2014年9月18日(木) 14:00 〜 17:45 A19 (E311)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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昼食12:30～14:00 （12:30 〜 14:00）

14:00 〜 14:15

△ [18p-A19-1] 1次元プラズモニックメタマテリアル吸収体による偏光検知非冷却赤外線センサ

^○（M2）高川陽輔¹，小川新平²，増田恭平¹，宮下晃一¹，木股雅章¹ (立命館大¹，三菱電機²)

14:15 〜 14:30

[18p-A19-2] 高機能非冷却赤外線センサの高性能化I:3次元プラズモニックメタマテリアル吸収体の基礎検討

^○小川新平¹，藤澤大介¹，秦久敏¹，植月満治¹，三崎浩司¹，木股雅章² (三菱電機¹，立命館大²)

14:30 〜 14:45

[18p-A19-3] 高機能非冷却赤外線センサの高性能化Ⅱ:3次元プラズモニックメタマテリアル吸収体の光学特性

^○藤澤大介¹，小川新平¹，秦久敏¹，植月満治¹，三崎浩司¹，木股雅章² (三菱電機¹，立命館大²)

14:45 〜 15:00

[18p-A19-4] 焦電型赤外線センサの感度向上に向けた配線材料薄膜化

^○（M1）米丸翔太¹，大石浩史¹，赤井大輔^1,2，石田誠^1,2 (豊橋技科大工¹，豊橋技科大EIRIS²)

15:00 〜 15:15

△ [18p-A19-5] アルミ微細周期構造による表面プラズモンを利用したフレキシブルカラーフィルムの製作

^○（B）熊谷隼人，本間浩章，高橋一浩，石田誠，澤田和明 (豊橋技術科学大)

15:15 〜 15:30

[18p-A19-6] 薄膜PZT-MEMSバイモルフ構造を用いた自励発振システム

^○（M2）井上純一，松田貴文，神田健介，藤田孝之，前中一介 (兵庫県大工)

15:30 〜 15:45

[18p-A19-7] 三次元Si加工基板上へのPZT成膜と評価

^○（M1）森上慎悟，井上純一，神田健介，藤田孝之，前中一介 (兵県大工)

15:45 〜 16:00

[18p-A19-8] 太陽光励起レーザーと組み合わせるためのシリコン光電変換素子

^○竹田康彦¹，飯塚英男¹，伊藤忠¹，水野真太郎¹，長谷川和男¹，市川正¹，伊藤博¹，梶野勉¹，樋口和夫^1,2，一木輝久²，元廣友美² (豊田中研¹，名大²)

休憩16:00～16:15 （16:00 〜 16:15）

16:15 〜 16:30

[18p-A19-9] バッファアンプを搭載するマイクロプローブ細胞外電極アレイ

^○（M1）牧野浩樹¹，浅井皓平¹，田中将徳¹，石田誠^1,2，河野剛士¹ (豊橋技科大¹，EIIRIS²)

16:30 〜 16:45

[18p-A19-10] Ir/SiO₂マイクロチューブ，ガラス管アレイ集積化神経電極デバイス

^○（M1）松尾朋幸¹，中邨友彦¹，坂田真浩¹，山際翔太¹，澤畑博人¹，石田誠^1,2，河野剛士¹ (豊橋技科大¹，EIIRIS²)

16:45 〜 17:00

△ [18p-A19-11] ビーズを用いたPDMS製細菌捕獲チップの検討 Ⅱ- 蛍光強度の時間依存性蛍光強度の時間依存性 -

^○西村祐典¹，林隆平¹，中澤寛一¹，石田誠¹，澤田和明¹，石井仁¹，町田克之^2,3，益一哉²，吉田眞一⁴，齋藤光正⁴ (豊橋技科学大電気・電子情報工学¹，東工大²，NTT-AT³，九大医学研究院⁴)

17:00 〜 17:15

△ [18p-A19-12] 材料判別を実現する熱伝導率センサ集積型メッシュ状シリコン触覚イメージャ

^○大杉亮太，高木優佑，前田祐作，寺尾京平，鈴木孝明，下川房男，高尾英邦 (香川大)

17:15 〜 17:30

[18p-A19-13] 圧電MEMS振動発電における銅めっきによる錘の形成

^○村上修一¹，苅谷健人²，吉村武²，長瀧敬行¹，中出卓男¹，佐藤和郎¹，藤村紀文² (大阪府立産技研¹，大阪府立大²)

17:30 〜 17:45

[18p-A19-14] アルミ薄膜を用いた陽極接合による真空封止技術

^○唐澤賢志，杉山剛，田家良久，浜田秀史，吉田宜史 (セイコーインスツル)

一般セッション(口頭講演)

[19a-A19-1~13] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

2014年9月19日(金) 09:00 〜 12:30 A19 (E311)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[19a-A19-1] 450mmφシリコンエピタキシャル成長速度の数値計算

^○松井美沙子，羽深等 (横国大院工)

09:15 〜 09:30

[19a-A19-2] SiHCl₃-SiH_x系における気相・表面化学反応

^○齋藤あゆ美，桜井あゆみ，羽深等 (横国大院工)

09:30 〜 09:45

[19a-A19-3] ランガサイト結晶振動子を用いたその場測定によるSiHCl3-BCl3混合系化学気相堆積の観察

齋藤あゆ美，宮崎賢都，松井美沙子，^○羽深等 (横国大院工)

09:45 〜 10:00

[19a-A19-4] ラマン分光による電子線照射非晶質Ge薄膜の固相成長過程の評価

^○村上英司郎¹，茂藤健太¹，野満建至¹，原英之²，西村浩人²，高倉健一郎¹，角田功¹ (熊本高専¹，ブルカーバイオスピン²)

10:00 〜 10:15

[19a-A19-5] 初期非晶質性を変調した Ge 薄膜の Au 誘起成長

^○岡本隼人¹，堀眞聡¹，茂藤健太¹，崎山晋¹，塘内功大¹，原英之²，西村浩人²，高倉健一郎¹，角田功¹ (熊本高専¹，ブルカーバイオスピン²)

10:15 〜 10:30

[19a-A19-6] O₂混合Arスパッタにより成膜した高耐圧SiO₂膜の電気特性評価

^○岡田竜弥，井村公彦，野口隆 (琉大工)

休憩10:30～10:45 （10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

[19a-A19-7] マイクロ熱プラズマジェット結晶化によるSi極細線の電気特性評価及び薄膜トランジスタ応用

^○（M2）山本将悟，森崎誠司，林将平，中谷太一，東清一郎 (広大院先端研)

11:00 〜 11:15

[19a-A19-8] 大気圧マイクロ熱プラズマジェット結晶化Ge膜を用いたTFTの電気特性評価

^○中谷太一，林将平，森崎誠司，上倉敬弘，山本将悟，東清一郎 (広大院先端研)

11:15 〜 11:30

△ [19a-A19-9] 量子分子動力学法に基づくシリコン酸化膜のエッチングプロセスにおけるエッチャントの堆積メカニズムの解明

^○（D）伊藤寿¹，桑原卓哉¹，樋口祐次¹，尾澤伸樹¹，寒川誠二²，久保百司¹ (東北大院工¹，東北大流体研²)

11:30 〜 11:45

[19a-A19-10] ナノシリコン弾道電子源を用いたⅣ族半導体薄膜の堆積

^○八木麻実子，須田隆太郎，小島明，Mentek Romain，白樫淳一，越田信義 (農工大院工)

11:45 〜 12:00

[19a-A19-11] アンドープ基板を用いたSi/SiGe量子ドットデバイスのノイズ評価

^○本田拓夢¹，武田健太²，神岡純¹，米田淳³，Marian Marx³，小寺哲夫^4,5，樽茶清悟^2,3,5，小田俊理¹ (東工大量子ナノ研¹，東大²，理研³，東工大⁴，東大ナノ量子機構⁵)

12:00 〜 12:15

[19a-A19-12] SiナノワイヤのNiシリサイド化速度へのポスト酸化アニールの影響

^○セイソン¹，橋本修一郎¹，小杉山洋希¹，武井康平¹，麻田修平¹，徐泰宇¹，若水昂¹，今井亮佑²，徳武寛紀²，松川貴³，富田基裕²，小椋厚志²，昌原明植³，渡邉孝信¹ (早大理工¹，明大理工²，産総研³)

12:15 〜 12:30

[19a-A19-13] 酸化膜被覆型Siナノワイヤのシリサイド化に伴う破裂現象

^○武井康平¹，小杉山洋希¹，橋本修一郎¹，セイソン¹，麻田修平¹，徐泰宇¹，若水昂¹，松川貴²，昌原明植²，渡邉孝信¹ (早大理工¹，産総研²)

一般セッション(口頭講演)

[19p-A19-1~15] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

2014年9月19日(金) 14:00 〜 18:00 A19 (E311)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
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昼食12:30～14:00 （12:30 〜 14:00）

14:00 〜 14:15

[19p-A19-1] 新Ti原料を用いた低抵抗CVD-TiN薄膜の形成

原田和宏，中谷公彦，^○芦原洋司，金山健司 (日立国際電気)

14:15 〜 14:30

[19p-A19-2] ZrN_x膜を用いた一体型バリヤの作製

^○佐藤勝，武山真弓，野矢厚 (北見工大)

14:30 〜 14:45

▲ [19p-A19-3] Formation of Highly Pure Metallic Ruthenium Film Using Hot-wire-assisted Atomic Layer Deposition for Electrode Applications

^○Yuan Guangjie，Hideharu Shimizu，Takeshi Momose，Yukihiro Shimogaki (東大院工)

14:45 〜 15:00

△ [19p-A19-4] 3次元アトムプローブを用いた新規Cu(Mn)/Co(W)配線システムのサブナノ構造の解明とバリヤ性評価

^○（D）嶋紘平¹，涂远²，韓斌²，高見澤悠²，清水秀治¹，清水康雄²，百瀬健¹，井上耕治²，永井康介²，霜垣幸浩¹ (東大院工¹，東北大金研²)

15:00 〜 15:15

[19p-A19-5] 銅配線用新規低温分解性フッ素フリー原料

須藤弘¹，石川真人¹，^○町田英明¹，Rasadujjaman Md²，近藤英一² (気相成長¹，山梨大²)

15:15 〜 15:30

[19p-A19-6] Supercritical Fluid Chemical Deposition of Cu in Ru-lined Deep Nanotrenches using a New Cu^(I) Amidinate Precursor

Md. Rasadujjaman¹，渡邉満洋¹，須藤弘²，町田英明²，^○近藤英一¹ (山梨大¹，気相成長²)

15:30 〜 15:45

[19p-A19-7] 基板表裏面間差圧を用いたウェハレベル超臨界Cu均一成膜

^○渡邉満洋¹，植野隆大¹，近藤英一¹，山本敏²，末益龍夫² (山梨大院医工¹，フジクラ²)

15:45 〜 16:00

[19p-A19-8] 臭素ドープ多層グラフェン配線のためのパッシベーション膜の検討

^○松本勇士¹，青笹明彦¹，小杉諒佑¹，宮崎久生²，和田真²，佐久間尚志²，梶田明広²，酒井忠司²，上野和良¹ (芝浦工大¹，超低電圧デバイス技術研究組合²)

休憩16:00～16:15 （16:00 〜 16:15）

16:15 〜 16:30

[19p-A19-9] TSVに適用可能なSiN_x膜の低温作製とその特性評価

^○武山真弓¹，佐藤勝¹，野矢厚¹，小林靖志²，中田義弘²，中村友二² (北見工大¹，富士通研²)

16:30 〜 16:45

[19p-A19-10] NOとF2を用いたSiケミカルドライエッチング中のF失活過程の解析(II)

^○田嶋聡美¹，林俊雄¹，石川健治¹，関根誠¹，佐々木実²，山川晃司³，堀勝¹ (名大院工¹，豊田工大²，片桐エンジニアリング³)

16:45 〜 17:00

[19p-A19-11] ローコストTSV向けテーパーエッチング開発

^○作石敏幸^1,2，村山貴英^1,2，森川泰宏^1,2 (アルバック¹，NMEMS²)

17:00 〜 17:15

[19p-A19-12] 3次元積層集積デバイス向け高アスペクト比のビア深さ測定

^○中村誠，北田秀樹，作山誠樹 (富士通)

17:15 〜 17:30

[19p-A19-13] 3D IC用ビアラスト・バックサイドビアプロセスにおけるプラズマダメージのMOSFET特性への影響評価

^○菅原陽平¹，橋口日出登¹，谷川星野¹，木野久志²，福島誉史³，李康旭³，小柳光正³，田中徹^1,2 (東北大院工¹，東北大院医工²，東北大未来研³)

17:30 〜 17:45

[19p-A19-14] 再配線構造による薄化Siチップの熱変形挙動

^○土手暁¹，森田将¹，北田秀樹¹，水島賢子²，作山誠樹¹ (富士通¹，富士通研究所²)

17:45 〜 18:00

[19p-A19-15] 反射型レチクルフリー露光装置を用いた不均一伸縮基板対応アライメント方式の開発

^○刀根輝徳¹，横山聡¹，久保田弘¹，吉岡昌雄² (熊大院自¹，熊大工²)

一般セッション(口頭講演)

[20a-A19-1~12] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

2014年9月20日(土) 09:00 〜 12:15 A19 (E311)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[20a-A19-1] 局所クリーン化ミニマルPLADエア循環システム（Ⅲ）

^○谷島孝¹，飯田健次郎^1,2，安井政治¹，ソマワンクンプアン^1,2，前川仁^1,2，原史朗^1,2 (ミニマルファブ技術研究組合¹，産総研²)

09:15 〜 09:30

[20a-A19-2] 必要最小限の薬液を使用したスピン現像の効果

^○奥田修史¹，武内翔^1,2，扇子義久^1,2，ソマワンクンプアン^1,3，原史朗^1,3 (ミニマルファブ¹，リソテック²，産総研³)

09:30 〜 09:45

[20a-A19-3] ミニマルマスクレス描画装置におけるリソグラフィー解像度の均一性制御（Ⅱ）

^○北山侑司¹，吉岡昌男^1,2，入田亮一^1,2，三宅賢治^1,2，ソマワンクンプアン^1,3，原史朗^1,3 (ミニマルファブ技術研究組合¹，PMT²，産総研³)

09:45 〜 10:00

[20a-A19-4] 二重のレーザ加熱によるハーフインチウェハ面内の温度均一性

^○遠江栄希¹，千葉貴史^1,3，寺田昌男^1,3，清水真博^1,3，山口博隆²，石田夕起^1,2，池田伸一^1,2，ソマワンクンプアン^1,2，原史朗^1,2 (ミニマルファブ技組¹，産総研²，坂口電熱³)

10:00 〜 10:15

[20a-A19-5] ミニマル集光加熱炉における加熱効率および温度均一性の改善

^○三浦典子¹，相澤洸^1,2，山田武史^1,2，大西康弘^1,2，池田伸一^1,3，遠江栄希¹，石田夕起^1,3，三ケ原孝則¹，中戸克彦¹，ソマワンクンプアン^1,3，原朗^1,3 (ミニマルファブ¹，米倉製作所²，産総研³)

10:15 〜 10:30

[20a-A19-6] ミニマル抵抗加熱炉で形成した熱酸化膜の電気的特性（Ⅱ）

^○中戸克彦¹，居村史人¹，浅野均¹，鈴木真之佑^1,3，松田祥吾^1,3，柳沼綾美^1,3，森川清彦^1,3，服部昌^1,3，池田伸一^1,2，クンプアンソマワン^1,2，原史朗^1,2 (ミニマルファブ技術研究組合¹，産総研²，光洋サーモシステム³)

休憩10:30～10:45 （10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

[20a-A19-7] ボロンシリサイドの低温酸化によるボロン拡散制御

^○古賀和博¹，梅山規男^1,2，居村史人¹，浅野均¹，遠江栄希¹，ソマワンクンプアン^1,2，原史朗^1,2 (ミニマルファブ技術研究組合¹，産総研²)

11:00 〜 11:15

[20a-A19-8] マイクロプラズマを用いたエッチングプロセス（Ⅲ）

^○田中宏幸¹，清水禎樹^1,2，小木曽久人^1,2，中野禅^1,2，新堀俊一郎³，加藤木真紀³，高橋賢³，白山裕也³，横須賀俊太郎³，ソマワンクンプアン^1,2，原朗^1,2 (ミニマルファブ¹，産総研²，三友製作所³)

11:15 〜 11:30

[20a-A19-9] ミニマルファブ用TSVプラズマエッチング装置のエッチング特性

^○本村大成^1,2，高橋和貴³，笠嶋悠司¹，菊永和也¹，上杉文彦¹，安藤晃³，猿渡新水¹，田中宏幸²，清水禎樹^1,2，中野禅^1,2，小木曽久人^1,2，ソマワンクンプアン^1,2，原史朗^1,2 (産総研¹，ミニマルファブ技術研究組合²，東北大³)

11:30 〜 11:45

[20a-A19-10] ミニマルスパッタ装置におけるAｌ薄膜の成膜性(Ⅱ)

^○加藤旭彦^1,3，小木曽久人^1,2，中野禅^1,2，薮田勇気³，ソマワンクンプアン^1,2，原史朗^1,2 (ミニマルファブ技術研究組合¹，産総研²，誠南工業³)

11:45 〜 12:00

[20a-A19-11] 集光型赤外線加熱炉を用いたハーフインチシリコンCVD装置(III)

^○李寧¹，羽深等¹，池田伸一²，石田夕起²，原史朗² (横国大院工¹，産総研²)

12:00 〜 12:15

[20a-A19-12] ミニマルSi-CVDプロセスにおける膜厚分布の成長条件依存性

^○石田夕起^1,2，池田伸一^1,2，三ケ原孝則²，中戸克彦²，三浦典子²，羽深等³，ソマワンクンプアン^1,2，原史朗^1,2 (産総研¹，ミニマルファブ技術研究組合²，横国大³)

セッション一覧

13．半導体A（シリコン） » 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[17p-PA1-1~16] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

△ [17p-PA1-3] 小型分光器の実現に向けた面内回転型MEMS分光デバイス

△ [17p-PA1-4] 集積化CMOS-MEMS加速度センサへ向けたsub-1G静電容量型センサの検討

▲ [17p-PA1-11] Pulsed-Laser-Microcrystallization of Si Thin Films on Metal Films with Crystallization-Induction Layers of YSZ by the Two-Step Irradiation Method

△ [17p-PA1-12] a-Si膜の軟X線照射結晶化における横方向成長

[18a-A19-1~13] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[18p-A19-1~14] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

△ [18p-A19-1] 1次元プラズモニックメタマテリアル吸収体による偏光検知非冷却赤外線センサ

△ [18p-A19-5] アルミ微細周期構造による表面プラズモンを利用したフレキシブルカラーフィルムの製作

△ [18p-A19-11] ビーズを用いたPDMS製細菌捕獲チップの検討 Ⅱ- 蛍光強度の時間依存性 蛍光強度の時間依存性 -

△ [18p-A19-12] 材料判別を実現する熱伝導率センサ集積型メッシュ状シリコン触覚イメージャ

[19a-A19-1~13] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

△ [19a-A19-9] 量子分子動力学法に基づくシリコン酸化膜のエッチングプロセスにおけるエッチャントの堆積メカニズムの解明

[19p-A19-1~15] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

▲ [19p-A19-3] Formation of Highly Pure Metallic Ruthenium Film Using Hot-wire-assisted Atomic Layer Deposition for Electrode Applications

△ [19p-A19-4] 3次元アトムプローブを用いた新規Cu(Mn)/Co(W)配線システムのサブナノ構造の解明とバリヤ性評価

[20a-A19-1~12] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

△ [18p-A19-11] ビーズを用いたPDMS製細菌捕獲チップの検討 Ⅱ- 蛍光強度の時間依存性蛍光強度の時間依存性 -