一般セッション(口頭講演)

[6a-A503-1~13] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

2017年9月6日(水) 09:00 〜 12:30 A503 (503)

永井勇太(ｸﾞﾛｰﾊﾞﾙｳｪｰﾊｽﾞ･ｼﾞｬﾊﾟﾝ)、竹内正太郎(阪大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[6a-A503-1] ミリ秒オーダのフラッシュランプアニール(FLA)装置による残留欠陥の回復

〇上田晃頌¹、布施和彦¹、阿部誠¹、青山敬幸¹、加藤慎一¹、小林一平¹ (1.SCREEN)

09:15 〜 09:30

[6a-A503-2] 分子クラスターイオン注入エピウェーハの製品特性（１）
-注入領域における水素の脱離・吸着挙動の解析-

〇奥山亮輔¹、柾田亜由美¹、重松理史¹、廣瀬諒¹、門野武¹、古賀祥泰¹、奥田秀彦¹、栗田一成¹ (1.SUMCO)

09:30 〜 09:45

[6a-A503-3] 分子クラスターイオン注入エピウェーハの製品特性(２)
ー常温接合エピウェーハの重金属ゲッタリング特性 ―

〇古賀祥泰¹、門野武¹、奥山亮輔¹、重松理史¹、廣瀬諒¹、柾田亜由美¹、奥田秀彦¹、栗田一成¹ (1.株式会社SUMCO)

09:45 〜 10:00

[6a-A503-4] 分子クラスターイオン注入エピウェーハの製品特性 (3)
-ダブルエピタキシャルウェーハのゲッタリング挙動解析-

〇奥田秀彦¹、柾田亜由美¹、重松理史¹、廣瀬諒¹、門野武¹、奥山亮輔¹、古賀祥泰¹、栗田一成¹ (1.SUMCO)

10:00 〜 10:15

△ [6a-A503-5] 分子クラスターイオン注入エピウェーハの製品特性（４）
-３次元アトムプローブによる重金属ゲッタリングメカニズムの解析-

〇重松理史¹、奥山亮輔¹、廣瀬諒¹、柾田亜由美¹、門野武¹、古賀祥泰¹、奥田秀彦¹、栗田一成¹ (1.SUMCO)

10:15 〜 10:30

△ [6a-A503-6] 分子クラスターイオン注入エピウェーハの製品特性（５）-新規多元素・分子クラスターイオン注入技術開発-

〇廣瀬諒¹、奥山亮輔¹、門野武¹、柾田亜由美¹、重松理史¹、古賀祥泰¹、奥田秀彦¹、栗田一成¹、宮本直樹² (1.株式会社SUMCO、2.日新イオン機器株式会社)

10:45 〜 11:00

[6a-A503-7] シリコン結晶成長の点欠陥の発生と消滅に関する一考察(1)：引き上げ速度と温度勾配の関係

〇阿部孝夫¹、高橋徹¹、白井光雲² (1.信越半導体　磯部研、2.阪大　産研)

11:00 〜 11:15

[6a-A503-8] シリコン結晶成長の点欠陥の発生と消滅に関する一考察(2)：格子間原子の発生機構

〇阿部孝夫¹、高橋徹¹、白井光雲² (1.信越半導体、2.阪大　産研)

11:15 〜 11:30

[6a-A503-9] Si単結晶成長における転位密度の半径方向温度差依存性

〇中野智¹、劉鑫¹、韓学峰¹、柿本浩一¹ (1.九大応力研)

11:30 〜 11:45

▲ [6a-A503-10] 3D global heat transfer model on floating zone (FZ) for silicon crystal growth

〇(PC)Xuefeng Han¹、 Satoshi Nakano¹、 Xin Liu¹、 Koichi Kakimoto¹ (1.Kyushu Univ.)

11:45 〜 12:00

▲ [6a-A503-11] Control of crucible movement on melting process and carbon contamination in Czochralski silicon crystal growth

〇Xin Liu¹、 Xue-Feng Han¹、 Satoshi Nakano¹、 Koichi Kakimoto¹ (1.RIAM, Kyushu Univ.)

12:00 〜 12:15

[6a-A503-12] CZ炉内のCO濃度

〇宮村佳児¹、原田博文¹、中野智¹、柿本浩一¹ (1.九大応力研)

12:15 〜 12:30

△ [6a-A503-13] 太陽電池用多結晶Siの成長過程と冷却過程における転位の増殖

〇井手智朗¹、中野智²、原田博文²、宮村佳児²、柿本浩一^1,2 (1.九大院工、2.九大応力研)

一般セッション(口頭講演)

[6p-A503-1~12] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

2017年9月6日(水) 13:45 〜 17:00 A503 (503)

大野裕(東北大)、仮屋崎弘昭(ｸﾞﾛｰﾊﾞﾙｳｪｰﾊｽﾞ･ｼﾞｬﾊﾟﾝ)、中川聰子(ｸﾞﾛｰﾊﾞﾙｳｪｰﾊｽﾞ･ｼﾞｬﾊﾟﾝ)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:45 〜 14:00

[6p-A503-1] 電子線照射発光活性化PL法におけるSi中の炭素濃度計測の電子線照射量影響

〇中川聰子¹、永井勇太¹ (1.グローバルウェーハズ・ジャパン)

14:00 〜 14:15

△ [6p-A503-2] 電子線照射発光活性化液体窒素温度PL法によるP添加n型CZ-Si結晶の炭素定量

〇石川陽一郎¹、田島道夫¹、木内広達¹、小椋厚志¹、宮村佳児²、原田博文²、柿本浩一² (1.明治大理工、2.九州大工)

14:15 〜 14:30

[6p-A503-3] 伝導帯/中間バンド励起によるGaPN混晶のキャリア再結合過程の光学的評価

〇根岸知華¹、ドゥラルハク¹、福田武司¹、鎌田憲彦¹、矢口裕之¹ (1.埼玉大院理工)

14:30 〜 14:45

[6p-A503-4] UV-LEDの禁制帯内励起光による非発光再結合準位の検出

〇松田健¹、ドゥラルハク¹、福田武司¹、鎌田憲彦¹ (1.埼玉大院理工)

14:45 〜 15:00

△ [6p-A503-5] 光熱偏向分光法によるGa_1-xIn_xN薄膜の評価

〇福田清貴^1,2、尾沼猛儀²、 Sang Liwen¹、山口智広²、本田徹²、角谷正友¹ (1.物質材料研究機構、2.工学院大学)

15:15 〜 15:30

[6p-A503-6] シリコンウェーハにおける自由キャリアのバルク・表面再結合拡散モデル： I. 厳密解とバルクライフタイム評価

〇金田寛¹、大村一郎¹ (1.九工大院生命体工)

15:30 〜 15:45

[6p-A503-7] シリコンウェーハにおける自由キャリアのバルク・表面再結合拡散モデル： II.キャリア濃度分布

〇金田寛¹、米澤英晃²、大村一郎¹ (1.九工大院生命体工、2.九工大工)

15:45 〜 16:00

[6p-A503-8] シリコン結晶中の低濃度炭素の測定(Ⅺ)
電子線照射による1x10¹³cm^-3までの赤外参照試料とブロックゲージの作製

〇井上直久^1,2、河村裕一² (1.東京農工大、2.大阪府立大学)

16:00 〜 16:15

[6p-A503-9] シリコン結晶中の低濃度炭素の測定(Ⅻ)10¹³cm^-3までの検出と10¹⁴cm^-3までの高精度測定・装置の検討

〇井上直久¹ (1.東京農工大)

16:15 〜 16:30

[6p-A503-10] シリコン結晶中の低濃度炭素の測定(XIII)参照試料とブロックゲージとスペクトルと測定プロセスの共有による高感度高精度測定ネットワーク化と実用化

〇井上直久^1,2、河村裕一² (1.東京農工大、2.大阪府立大)

16:30 〜 16:45

[6p-A503-11] シリコン結晶中のサーマルドナー形成から解析した酸素の拡散係数

〇鳥越和尚¹、梅野繁¹、小野敏昭¹ (1.SUMCO)

16:45 〜 17:00

[6p-A503-12] データ科学的手法による効率的なマッピング(3)：測定点移動距離の検討

〇沓掛健太朗¹、菊地亮太²、大野裕¹、下山幸治² (1.東北大金研、2.東北大流体研)

一般セッション(ポスター講演)

[7p-PB6-1~10] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

2017年9月7日(木) 13:30 〜 15:30 PB6 (国際センター2F)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:30 〜 15:30

△ [7p-PB6-1] GeSnC系薄膜の表面近傍におけるCとSn原子の形成エネルギーと熱平衡濃度の算出

〇只野快¹、末岡浩治² (1.岡山県大院情報系工、2.岡山県大情報工)

13:30 〜 15:30

[7p-PB6-2] IV族混晶系半導体中の原子配置に関する第一原理解析

〇(M2)小山広貴¹、末岡浩治¹ (1.岡山県大)

13:30 〜 15:30

[7p-PB6-3] Si単結晶中のフレンケルペア形成過程に関する第一原理解析

〇福田大晃¹、末岡浩治² (1.岡山県大院情報系工、2.岡山県大情報工)

13:30 〜 15:30

[7p-PB6-4] アモルファスAl₂O₃絶縁膜中のO空孔とAl空孔の理論的検討

〇小嶋英嗣¹、長川健太¹、白川裕規¹、洗平昌晃^1,2、白石賢二^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

13:30 〜 15:30

[7p-PB6-5] 赤燐高ドープCZ-Si結晶におけるSi-P析出物の構造解析

〇仙田剛士¹、石川高志¹、藤森洋行¹、松村尚¹、成松真吾¹、安部吉亮¹、堀川智之¹ (1.グローバルウェーハズ・ジャパン)

13:30 〜 15:30

[7p-PB6-6] DLTS法を用いたSiパワーデバイスのプロトン照射欠陥の評価 (2)

〇清井明¹、湊忠玄¹、中村勝光¹ (1.三菱電機)

13:30 〜 15:30

[7p-PB6-7] 強制振動子法を用いたポーラスSiCのフォノン解析

〇佐藤祐大¹、大八木晋¹、橋本明弘¹ (1.福井大院工)

13:30 〜 15:30

△ [7p-PB6-8] 多機能走査型プローブ顕微鏡によるSiC-MOSFETの評価

〇(M1C)内田悠貴¹、中島瑞貴¹、山本秀和¹、佐藤宣夫¹ (1.千葉工大工)

13:30 〜 15:30

[7p-PB6-9] X線侵入深さ依存性を考慮した角度分解トポグラフィーによるAlイオン注入SiC基板の歪状態の観察

〇高橋由美子¹、平野馨⼀¹、志村考功²、長町信治³ (1.KEK-PF、2.⼤阪⼤院⼯、3.(株)⻑町サイエンスラボ)

13:30 〜 15:30

[7p-PB6-10] 輸送気相法ナフタセン結晶の低指数異方的空洞構造

〇城貞晴¹ (1.愛院大教養)

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[6a-A503-1~13] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

△ [6a-A503-5] 分子クラスターイオン注入エピウェーハの製品特性（４）-３次元アトムプローブによる重金属ゲッタリングメカニズムの解析-

△ [6a-A503-6] 分子クラスターイオン注入エピウェーハの製品特性（５）-新規多元素・分子クラスターイオン注入技術開発-

▲ [6a-A503-10] 3D global heat transfer model on floating zone (FZ) for silicon crystal growth

▲ [6a-A503-11] Control of crucible movement on melting process and carbon contamination in Czochralski silicon crystal growth

△ [6a-A503-13] 太陽電池用多結晶Siの成長過程と冷却過程における転位の増殖

[6p-A503-1~12] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

△ [6p-A503-2] 電子線照射発光活性化液体窒素温度PL法によるP添加n型CZ-Si結晶の炭素定量

△ [6p-A503-5] 光熱偏向分光法によるGa1-xInxN薄膜の評価

[7p-PB6-1~10] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

△ [7p-PB6-1] GeSnC系薄膜の表面近傍におけるCとSn原子の形成エネルギーと熱平衡濃度の算出

△ [7p-PB6-8] 多機能走査型プローブ顕微鏡によるSiC-MOSFETの評価

認証

△ [6a-A503-5] 分子クラスターイオン注入エピウェーハの製品特性（４）
-３次元アトムプローブによる重金属ゲッタリングメカニズムの解析-

△ [6p-A503-5] 光熱偏向分光法によるGa_1-xIn_xN薄膜の評価