dec and Hysteresis-Free

^○M. H. Lee¹, P. G. Chen^1,2, C. Liu³, K. T. Chen⁴, M. J. Xie¹, S. N. Liu¹, H. H. Chen¹, C. H. Tang¹, J. W. Lee¹, W. H. Tu², K. S. Li⁵, M. C. Chen⁵, M. H. Liao², C. Y. Chang^3,6, C. H. Cheng¹, S. T. Chang⁴, C. W. Liu² (1.National Taiwan Normal Univ.(Taiwan), 2.National Taiwan Univ.(Taiwan), 3.NCTU(Taiwan), 4.National Chung Hsing Univ.(Taiwan), 5.National Nano Device Lab.(Taiwan), 6.Academia Sinica(Taiwan))

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials |2016年9月27日(火) 15:40 〜 16:10 |PDF ダウンロード

[A-2-02] Advantages of Silicon-on-Insulator FETs over FinFETs in Steep Subthreshold Swing Operation in Ferroelectric Gate FETs

^○H. Ota¹, S. Migita¹, J. Hattori¹, K. Fukuda¹, A. Toriumi² (1.AIST(Japan), 2.Univ. of Tokyo(Japan))

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials |2016年9月27日(火) 16:10 〜 16:30 |PDF ダウンロード

[A-2-03] New Findings on the Gate-Length Dependence of Subthreshold Swing for Ultra-Thin-Body Negative Capacitance FETs

^○C. P. Tsai¹, P. Su¹ (1.NCTU(Taiwan))

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials |2016年9月27日(火) 16:30 〜 16:50 |PDF ダウンロード

[A-2-04] Effects of Impurity and Composition Profile Steepness on Electrical Characteristics of GaAsSb/InGaAs Hetero-junction Vertical TFETs

^○T. Gotow^1,3, M. Mitsuhara^2,3, T. Hoshi^2,3, H. Sugiyama^2,3, M. Takenaka^1,3, S. Takagi^1,3 (1.Univ. of Tokyo(Japan), 2.NTT Device Tech. Labs.(Japan), 3.JST-CREST(Japan))

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials |2016年9月27日(火) 16:50 〜 17:10 |PDF ダウンロード

[A-2-05] InGaAs/Si Heterojunction Tunnel FET with Modulation-doped Channel

^○K. Tomioka^1,2, F. Ishizaka¹, J. Motohisa¹, T. Fukui¹ (1.Hokkaido Univ.(Japan), 2.JST-PRESTO(Japan))

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials |2016年9月27日(火) 17:10 〜 17:30 |PDF ダウンロード

[A-3-01] Evaluation of Effective Mass of Inversion-layer Holes in Strained-Si pMOSFETs utilizing Shubnikov de-Haas (SdH) Oscillation

A. Shimada¹, R. Nakane¹, M. Takenaka^1,2,^○S. Takagi^1,2 (1.Univ. of Tokyo(Japan), 2.JST-CREST(Japan))

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials |2016年9月28日(水) 09:30 〜 09:50 |PDF ダウンロード

[A-3-02(Invited)] Carrier Transport Analysis of High-performance Poly-Si Nanowire Transistors

^○M. Oda¹, K. Sakuma¹, Y. Kamimuta¹, M. Saitoh¹ (1.Toshiba Corp.(Japan))

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials |2016年9月28日(水) 09:50 〜 10:20 |PDF ダウンロード

[A-3-03] On the Drain Bias Dependence of Tunnel FETs

^○K. Fukuda¹, T. Mori¹, H. Asai¹, J. Hattori¹, W. Mizubayashi¹, Y. Morita¹, H. Fuketa¹, S. Migita¹, H. Ota¹, M. Masahara¹, K. Endo¹, T. Matsukawa¹ (1.AIST(Japan))

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials |2016年9月28日(水) 10:20 〜 10:40 |PDF ダウンロード

[A-4-01(Invited)] InGaAs-on-Si(Ge) 3D Monolithic Integration for CMOS and More-than-Moore Technologies

^○V. V. Deshpande¹, V. Djara¹, T. Morf¹, P. Hashemi², E. O'Connor¹, K. Balakrishnan², D. Caimi¹, M. Sousa¹, J. Fompeyrine¹, L. Czornomaz¹ (1.IBM Research GmbH(Switzerland), 2.IBM T.J. Watson Research Center(USA))

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials |2016年9月28日(水) 13:30 〜 14:00 |PDF ダウンロード

[A-4-02] Reliability Analysis for Monolithic 3D UTB GeOI and SOI 6T SRAM Cells considering Interlayer Coupling

^○V. P. -H. Hu¹ (1.National Central Univ.(Taiwan))

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials |2016年9月28日(水) 14:00 〜 14:20 |PDF ダウンロード