一般セッション(口頭講演)

[18a-C102-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2018年3月18日(日) 09:00 〜 12:00 C102 (52-102)

廣瀬靖(東大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[18a-C102-1] 多結晶ZnO薄膜において光電流減衰特性の温度依存性からのバンドエネルギー状態の評価

〇(M1)田崎克佳^1,2、 Suchada Worasawat^1,2、根尾陽一郎²、畑中義式¹、三村秀典² (1.静岡大、2.電研)

09:15 〜 09:30

▲ [18a-C102-2] Study of Photocatalytic Reaction with Oxygen Molecules in the Nano-rods ZnO Film Prepared by Hydrothermal Growth

〇(D)Suchada Worasawat^1,3、 Katsuyoshi Tasaki^2,3、 Yoichiro Neo³、 Yoshinori Hatanaka³、 Hidenori Mimura³ (1.GSST, Shizuoka Univ.、2.GSIST, Shizuoka Univ.、3.RIE, Shizuoka Univ.)

09:30 〜 09:45

▲ [18a-C102-3] Nanostructured ZnO Photoelectrode grown on Seedless Flexible Substrate

〇(PC)MD Faruk Hossain¹、 Shigeki Naka¹、 Hiroyuki Okada¹ (1.University of Toyama)

09:45 〜 10:00

[18a-C102-4] 新規電子触媒デバイスの創製：TiO₂薄膜におけるアヴァランシェ電子増倍効果発現と制御の試み

〇山崎友貴¹、佐藤知正¹、松木伸行¹ (1.神奈川大工)

10:00 〜 10:15

△ [18a-C102-5] BaSnO₃薄膜の光キャリア移動度評価

〇木原勝也¹、高橋竜太^1,2、リップマーミック¹ (1.東大物性研、2.JSTさきがけ)

10:15 〜 10:30

[18a-C102-6] DCスパッタリング法によるTaドープSnO₂膜の作製

〇三河通男¹、中田邦彦² (1.香川高専、2.住友化学株式会社)

10:45 〜 11:00

△ [18a-C102-7] ミストCVD法によるYSZ基板上のSnO₂薄膜の作製と薄膜構造評価

〇丹羽泰之¹、菅大介¹、小金澤智之²、島川祐一¹ (1.京大化研、2.JASRI)

11:00 〜 11:15

[18a-C102-8] ミストCVD 法によるフッ素添加SnO2 の単結晶薄膜成長

〇奥村太一¹、西中浩之¹、吉本昌広¹ (1.京都工繊大)

11:15 〜 11:30

▼ [18a-C102-9] Control of TiO₂ thin film density and mechanical properties by laser radiation.

〇(DC)Dauksta Edvins^1,2、 Arturs Medvids²、 Vygantas Mizeikis¹、 Kenji Murakami¹ (1.Shizuoka University、2.Riga Technical Univ.)

11:30 〜 11:45

▲ [18a-C102-10] Formation and Characterization of Ga Doped ZnO 1-D Nanostructures by Using Advanced Spray Pyrolysis Deposition Technique

Sameera Attanayake¹、 Masayuki Okuya²、〇Kenji Murakami² (1.GSST Shizuokka Univ.、2.GSIST Shizuoka Univ.)

11:45 〜 12:00

△ [18a-C102-11] 極性反転ZnO圧電薄膜を用いた高効率トランスデューサ

〇(B)間島毅¹、清水貴博^1,2、柳谷隆彦^1,2,3 (1.早大、2.材研、3.JSTさきがけ)

一般セッション(口頭講演)

[18p-C102-1~16] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2018年3月18日(日) 13:45 〜 18:00 C102 (52-102)

内藤泰久(産総研)、新宮原正三(関西大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:45 〜 14:00

[18p-C102-1] Si基板上のスパッタ堆積Si酸化膜の抵抗変化機構の考察

〇大村泰久¹、山口凛太郎¹、佐藤伸吾¹ (1.関西大)

14:00 〜 14:15

[18p-C102-2] Si基板上のスパッタ堆積Si酸化膜の抵抗変化過渡現象観察

〇大村泰久¹、佐藤伸吾¹ (1.関西大)

14:15 〜 14:30

[18p-C102-3] スパッタ堆積Si酸化膜の抵抗スイッチングエネルギーの評価

〇大村泰久¹、赤野拓哉^1,2、佐藤伸吾¹ (1.関西大、2.奈良先端大学院大)

14:30 〜 14:45

▲ [18p-C102-4] Neutral Oxygen Beam Surface Treatment Enabled Resistive Switching Characteristics in ZnO-based Conducting Bridge Random Access Memory

〇(PC)FIRMAN MANGASA SIMANJUNTAK¹、 Takeo Ohno¹、 Seiji Samukawa¹ (1.Tohoku Univ.)

14:45 〜 15:00

[18p-C102-5] 酸化タンタル薄膜における抵抗スイッチ現象の決定論的挙動から確率的挙動への遷移

〇西義史^1,2、メンツェルステファン^2,3 (1.東芝研開セ、2.アーヘン工大、3.ユーリッヒ研究所)

15:00 〜 15:15

[18p-C102-6] Ta₂O₅抵抗変化素子のアナログ抵抗変化特性

〇島久¹、高橋慎¹、内藤泰久¹、秋永広幸¹ (1.産総研)

15:15 〜 15:30

[18p-C102-7] c-AFMおよびPEEMによるTaO_x膜の抵抗変化記録スポット観察

〇三沢源人¹、川北純平^2,3、谷内敏之^2,3、辛埴^2,3、内藤泰久^1,2、島久^1,2、秋永広幸^1,2 (1.産総研ナノエレ、2.OPERANDO-OIL、3.東大物性研)

15:30 〜 15:45

[18p-C102-8] センシング応用に向けた金属酸化物メモリスタにおけるグラジュアルリセットの電圧範囲拡大の検討

〇岩田達哉^1,2、澤田和明^1,2 (1.豊技大、2.エレクトロニクス先端融合研究所)

16:00 〜 16:15

△ [18p-C102-9] レーザー励起光電子顕微鏡によるReRAMの化学状態の非破壊operando観測

〇(M2)川北純平^1,2、島久^2,3、内藤泰久^2,3、秋永広幸^2,3、谷内敏之^1,2、辛埴^1,2 (1.東大物性研、2.産総研・東大オペランド計測、3.産総研ナノエレ)

16:15 〜 16:30

△ [18p-C102-10] 4端子メモリスタ素子の抵抗変化特性精密制御

〇清水拓磨¹、永田善也¹、竹内正太郎¹、藤平哲也¹、酒井朗¹ (1.阪大院基礎工)

16:30 〜 16:45

△ [18p-C102-11] 酸素空孔分布制御型4端子メモリスタ素子における抵抗変化機構の有限要素法シミュレーション

〇永田善也¹、清水拓磨¹、竹内正太郎¹、藤平哲也¹、酒井朗¹ (1.阪大院基礎工)

16:45 〜 17:00

△ [18p-C102-12] 標準電極電位差を利用した3値記憶素子の作製

〇(B)渡邊佑紀¹、清水亮太^1,2、西尾和記¹、杉山一生¹、リウウェイ³、渡邉聡³、一杉太郎¹ (1.東工大物質理工、2.JSTさきがけ、3.東大工)

17:00 〜 17:15

△ [18p-C102-13] 全固体酸化還元トランジスタを用いたSrVO₃薄膜の導電率変調

〇高柳真^1,2、土屋敬志²、並木航^1,2、樋口透¹、寺部一弥² (1.東理大、2.物材機構)

17:15 〜 17:30

△ [18p-C102-14] 導電性ブリッジメモリにおける超広域抵抗制御と電流低減の実現

〇(B)清水敦史¹、肥田聡太²、岸田悟²、木下健太郎¹ (1.東京理科大理、2.鳥取大工)

17:30 〜 17:45

△ [18p-C102-15] 異なる結晶性を有するTiO₂薄膜を用いたPt/TiO₂/Pt抵抗変化素子の電気的特性の評価

〇(B)荒畑雅也¹、西佑介¹、木本恒暢¹ (1.京大工)

17:45 〜 18:00

△ [18p-C102-16] Ta₂O₅を用いた抵抗変化素子特性の酸素組成および膜厚依存性

〇宮谷俊輝¹、西佑介¹、木本恒暢¹ (1.京大工)

一般セッション(口頭講演)

[19a-C102-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2018年3月19日(月) 09:00 〜 12:00 C102 (52-102)

渋谷圭介(産総研)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[19a-C102-1] スパッタリング法を用いたマグネシウム固体電解質薄膜の作製と特性評価

〇藤ノ木紀仁¹、辻田卓司¹、富山盛央¹ (1.パナソニック株式会社)

09:15 〜 09:30

[19a-C102-2] (104)LiCoO₂ 正極/Li₃BO₃ アモルファス電解質の正極/電解質界面構造の第一原理計算による理論解析

〇池田稔¹、田中喜典²、大野隆央^1,2 (1.物質材料・研究機構MANA、2.物質材料・研究機構GREEN)

09:30 〜 09:45

△ [19a-C102-3] 酸化物ドットを担持したLiCoO₂エピタキシャル薄膜の作製とその高速充放電特性のドット種依存性

〇安原颯¹、吉川祐未²、寺西貴志²、安井伸太郎¹、谷山智康¹、伊藤満¹ (1.東京工業大学、2.岡山大学)

09:45 〜 10:00

△ [19a-C102-4] LiTi₂O₄負極材料のエピタキシャル薄膜を利用した全固体Li電池の作製

〇(B)小林安貴¹、西尾和記¹、清水亮太^1,2、一杉太郎¹ (1.東工大物質理工、2.JST さきがけ)

10:00 〜 10:15

[19a-C102-5] 四重ペロブスカイトLaCu₃Mn_4-xFe_xO₁₂薄膜の作製と磁気特性

〇山本一理¹、清水啓佑¹、重松圭¹、東正樹¹ (1.東工大フロンティア材料研)

10:15 〜 10:30

[19a-C102-6] ペロブスカイト構造BaSn_1-xPb_xO₃薄膜における弱反局在効果の観測

〇(M1)千田啄丸¹、塩貝純一¹、藤原宏平¹、塚﨑敦¹ (1.東北大金研)

10:45 〜 11:00

[19a-C102-7] [講演奨励賞受賞記念講演] LaOエピタキシャル薄膜における超伝導の格子歪効果

〇神永健一^1,2、岡大地²、福村知昭^2,3,4、長谷川哲也¹ (1.東大院理、2.東北大院理、3.東北大WPI-AIMR、4.東北大スピントロニクス教育センター)

11:00 〜 11:15

△ [19a-C102-8] Ruddlesden-Popper型Sr_n₊₁V_nO_3n+1(001)(n = 1, 2)エピタキシャル薄膜の次元性制御による金属絶縁体転移

〇福田慎太郎¹、岡大地¹、福村知昭^1,2,3 (1.東北大院理、2.東北大 AIMR、3.東北大 CSRN)

11:15 〜 11:30

△ [19a-C102-9] 強いスピン軌道相互作用を持つ高電気伝導性YbOエピタキシャル薄膜

〇山本卓¹、齋藤大地¹、神永健一^1,2、岡大地¹、長谷川哲也²、福村知昭^1,3,4 (1.東北大理、2.東大院理、3.東北大 WPI-AIMR、4.東北大 CSRN)

11:30 〜 11:45

△ [19a-C102-10] 分子線エピタキシー法によるSr₂RuO₄超伝導薄膜の作製

〇打田正輝¹、井出元晴¹、渡邉湖介¹、高橋圭^2,3、十倉好紀^1,2、川﨑雅司^1,2 (1.東大工、2.理研CEMS、3.JSTさきがけ)

11:45 〜 12:00

[19a-C102-11] Sr₂RuO₄薄膜の超伝導特性の評価

〇井出元晴¹、打田正輝¹、川村稔²、高橋圭^2,3、小塚裕介¹、十倉好紀^1,2、川﨑雅司^1,2 (1.東大工、2.理研CEMS、3.JSTさきがけ)

一般セッション(口頭講演)

[20a-C102-1~12] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2018年3月20日(火) 09:00 〜 12:15 C102 (52-102)

近松彰(東大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[20a-C102-1] 六方晶窒化ホウ素上におけるVO₂薄膜の成長と評価

〇玄地真悟¹、山本真人¹、神吉輝夫¹、渡邊賢司²、谷口尚²、田中秀和¹ (1.阪大産研、2.物材機構)

09:15 〜 09:30

[20a-C102-2] 六方晶窒化ホウ素をゲート絶縁体として用いたVO₂ FETにおける高効率抵抗変調

〇(M1)安西勇人¹、山本真人¹、神吉輝夫¹、渡邊賢司²、谷口尚²、松本和彦¹、田中秀和¹ (1.阪大産研、2.物材機構)

09:30 〜 09:45

[20a-C102-3] VO₂の金属－絶縁体転移を用いたシリコン導波路光スイッチ

〇渋谷圭介¹、渥美裕樹¹、吉田知也¹、榊原陽一¹、森雅彦¹、澤彰仁¹ (1.産総研)

09:45 〜 10:00

△ [20a-C102-4] 金属絶縁体転移型VO₂FETにおけるパルスゲート電圧応答

〇若藤祐斉¹、矢嶋赳彬¹、西村知紀¹、鳥海明¹ (1.東大マテ)

10:00 〜 10:15

△ [20a-C102-5] K蒸着によるVO₂薄膜の金属–絶縁体転移制御

〇志賀大亮^1,2、簔原誠人²、北村未歩²、湯川龍²、三橋太一^1,2、堀場弘司²、組頭広志^1,2 (1.東北大院理、2.KEK-PF)

10:15 〜 10:30

[20a-C102-6] 相転移材料の熱自由度を利用したニューロン回路とその自律動作

〇矢嶋赳彬¹、西村知紀¹、鳥海明¹ (1.東大マテ)

10:45 〜 11:00

[20a-C102-7] TiO₂（001）基板上のナノ電極ギャップ単結晶VO₂ナノワイヤーにおける
巨大抵抗跳躍の観測

〇辻佳秀¹、神吉輝夫¹、田中秀和¹ (1.阪大産研)

11:00 〜 11:15

[20a-C102-8] エピタキシャルVO₂薄膜におけるPt触媒水素ドーピングによる巨大抵抗変調

〇村岡敬太¹ (1.阪大産研)

11:15 〜 11:30

△ [20a-C102-9] ハーフメタルCrO₂のスピン脱偏極の起源：高分解能スピン分解光電子分光

〇藤原弘和¹、寺嶋健成²、砂川正典¹、矢野佑幸¹、吉井文哉¹、松浦由佳¹、矢治光一郎³、原沢あゆみ³、黒田健太³、辛埴³、脇田高徳²、村岡祐治^1,2、横谷尚睦^1,2 (1.岡山大院自然、2.岡山大基礎研、3.東大物性研)

11:30 〜 11:45

△ [20a-C102-10] 電気二重層を用いた強誘電ゲートトランジスタの作製

〇西野隆太郎¹、小塚裕介¹、賀川史敬^1,2、打田正輝¹、川﨑雅司^1,2 (1.東大院工、2.理研CEMS)

11:45 〜 12:00

△ [20a-C102-11] 分子線エピタキシー法によるZnSnO₃およびMgSnO₃の薄膜安定化

〇(M2)湊博哉¹、藤原宏平¹、塩貝純一¹、熊本明仁²、柴田直哉²、塚﨑敦¹ (1.東北大金研、2.東大院工総合研究機構)

12:00 〜 12:15

△ [20a-C102-12] ペロブスカイト型遷移金属酸化物ヘテロ界面における電荷移動のメカニズム

〇(P)北村未歩¹、小林正起¹、簔原誠人¹、坂井延寿¹、藤岡洋²、堀場弘司¹、組頭広志¹ (1.高エネ研、2.東大生研)

一般セッション(口頭講演)

[20p-C102-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2018年3月20日(火) 13:45 〜 16:30 C102 (52-102)

北村未歩(高エネ研)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:45 〜 14:00

[20p-C102-1] ニッケル酸フッ化物NdNiO_3−xF_xの第一原理計算

〇倉内裕史¹、近松彰¹、長谷川哲也¹ (1.東大院理)

14:00 〜 14:15

[20p-C102-2] 希土類鉄ガーネット多層薄膜における磁気特性

〇菊池亮太¹、加藤木章浩¹、佐藤英斗¹、山原弘靖¹、田畑仁¹ (1.東大院工)

14:15 〜 14:30

[20p-C102-3] 希土類鉄ガーネット薄膜における歪み構造と磁気・分光特性

〇加藤木章浩¹、菊池亮太¹、佐藤英斗¹、山原弘靖¹、関宗俊¹、田畑仁¹ (1.東大院工)

14:30 〜 14:45

[20p-C102-4] Co置換BiFeO₃薄膜における電場による面外磁化の反転

〇清水啓佑¹、川邊諒¹、北條元²、山本孟¹、壬生攻³、東正樹¹ (1.東工大フロンティア材料研究所、2.九州大総理工、3.名工大工)

14:45 〜 15:00

[20p-C102-5] 酸化物双極子層を用いた光電極のフラットバンド電位の変調

〇疋田育之¹、立川卓¹、長田礎²、 Kyuho Lee²、西尾和記^2,3、小笠原寛人¹、 Harold Hwang^1,2 (1.SLAC、2.Stanford大、3.東工大物質理工)

15:15 〜 15:30

[20p-C102-6] フッ化物イオン挿入によるLa_1.85Sr_0.15CuO_4-δ薄膜の超伝導転移温度変調

〇(M1)山田邦¹、近松彰¹、小野塚智也¹、丸山敬裕¹、石上亮介¹、長谷川哲也¹ (1.東大院理)

15:30 〜 15:45

[20p-C102-7] 擬2次元SrTiO₃極薄膜への電界効果キャリアドーピング

〇東條尚志¹、吉松公平¹、大友明^1,2 (1.東工大物質理工学院、2.元素戦略)

15:45 〜 16:00

[20p-C102-8] 無限層構造 (Sr,La)CuO₂ への電界効果キャリアドーピング

長沼志昌¹、片山裕美子¹、〇上野和紀¹ (1.東大総合文化)

16:00 〜 16:15

[20p-C102-9] 磁気で動作する電気二重層トランジスタ

〇土屋敬志¹、井村将隆¹、小出康夫¹、寺部一弥¹ (1.物質・材料研究機構)

16:15 〜 16:30

[20p-C102-10] SmNiO₃-EDLTにおけるワイドレンジ精密抵抗変調制御

〇(M1)川本大喜¹、服部梓^1,2、山本真人¹、田中秀和¹ (1.阪大産研、2.JST さきがけ)

一般セッション(ポスター講演)

[19p-P5-1~39] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2018年3月19日(月) 13:30 〜 15:30 P5 (ベルサール高田馬場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:30 〜 15:30

[19p-P5-1] 対向ターゲット式スパッタ法によるWO₃膜の高速堆積

〇安田洋司¹、星陽一¹ (1.東京工芸大工)

13:30 〜 15:30

▲ [19p-P5-2] Epitaxial growth of highly strained RuO₂ thin film by self-buffering method

〇(M2)Zainab Fatima¹、 Daichi Oka¹、 Tomoteru Fukumura^1,2,3 (1.Tohoku Univ.、2.WPI-AIMR、3.CSRN)

13:30 〜 15:30

[19p-P5-3] Bi正方格子層状酸化物La₂O₂Biにおける金属絶縁体転移

〇松本倖汰¹、河底秀幸¹、福村知昭^1,2,3 (1.東北大理、2.東北大WPI-AIMR、3.東北大CSRN)

13:30 〜 15:30

[19p-P5-4] TiN導電層上VO₂薄膜における自励発振特性の電極探針荷重依存性

〇戸部龍太¹、青戸智寛¹、北川陽介¹、間宮圭亮¹、沖村邦雄¹ (1.東海大工)

13:30 〜 15:30

[19p-P5-5] TiN(111) 配向基板の導入による相転移VO₂薄膜の配向成長と粒界拡散効果

〇青戸智寛¹、沖村邦雄¹ (1.東海大院工)

13:30 〜 15:30

[19p-P5-6] YSZ基板上に作製したVO₂薄膜の金属‐絶縁体転移現象の観測

森田巧¹、丹野友博¹、箕原誠人²、堀場弘司²、組頭広志²、〇樋口透¹ (1.東理大理、2.高エネ研)

13:30 〜 15:30

[19p-P5-7] 高周波基板バイアススパッタ法により転移温度を低下させたZnO/glass上VO₂薄膜の光学特性

〇星野寛明¹、福住達郎¹、佐藤賢太¹、沖村邦雄¹、山口巖²、土屋哲男² (1.東海大院工、2.産総研)

13:30 〜 15:30

[19p-P5-8] Nd_0.6Sr_0.4FeO_3-_δ薄膜の歪み効果と電気特性

〇(M2)並木航¹、髙栁真^1,2、土屋敬志²、簑原誠人³、堀場弘司³、組頭広志³、樋口透¹ (1.東理大理、2.物材機構、3.高エネ研)

13:30 〜 15:30

[19p-P5-9] βパイロクロア型CsW₂O₆の金属-絶縁体転移におけるホールドープ効果

〇相馬拓人¹、吉松公平¹、堀場弘司^2,3、組頭広志^2,3、大友明^1,3 (1.東工大物質理工学院、2.KEK-PF、3.元素戦略)

13:30 〜 15:30

△ [19p-P5-10] 固相エピタキシャル成長法による常圧成長Ca₂RuO₄薄膜の伝導特性

〇(M1)安田将太¹、福地厚¹、有田正志¹、高橋庸夫¹ (1.北大院情報)

13:30 〜 15:30

[19p-P5-11] 室温平面ホール効果によるLa_0.67Sr_0.33MnO₃(100)薄膜の磁気異方性

〇(D)川村欣也^1,2、土屋敬志²、蓑原誠人³、堀場弘司³、組頭広志³、寺部一弥²、樋口透¹ (1.東理大理、2.物材機構、3.高エネ研)

13:30 〜 15:30

[19p-P5-12] ウェットプロセスを用いた抵抗変化型素子のメモリ特性評価

〇(B)西郷太輔¹、東正挙¹、番貴彦¹、山本伸一¹ (1.龍谷大理工)

13:30 〜 15:30

[19p-P5-13] ウェットプロセスによる酸化タンタル薄膜の作製と抵抗変化型メモリへの応用

〇東正挙¹、西郷太輔¹、番貴彦¹、山本伸一¹ (1.龍大理工)

13:30 〜 15:30

[19p-P5-14] 分子膜を用いたギャップ型原子スイッチの伝導経路観察

〇(B)三島望実¹、長谷川剛¹ (1.早稲田大学)

13:30 〜 15:30

[19p-P5-15] 多結晶HfO₂における抵抗スイッチング現象の機構解析-第一原理計算によるアプローチ-

〇(M1C)肥田聡太¹、山崎隆浩²、奈良純²、大野隆央²、岸田悟^1,3、木下健太郎⁴ (1.鳥取大工、2.物材機構、3.TiFREC、4.東京理科大)

13:30 〜 15:30

[19p-P5-16] 縦型３端子原子スイッチの開発（１）

〇荒木聖人¹、長谷川剛¹ (1.早大先進理工)

13:30 〜 15:30

[19p-P5-17] Ag₂Sアイランドのネットワークを用いたリザーバコンピューティングの基礎研究

〇尾島慶太¹、内藤泰久²、長谷川剛¹ (1.早大先進理工、2.産総研)

13:30 〜 15:30

[19p-P5-18] 分子膜ギャップ型原子スイッチのスイッチオン時間分布計測

〇有馬知里¹、長谷川剛¹ (1.早大理工)

13:30 〜 15:30

[19p-P5-19] Si微細加工によるPt-Pd/(Y₂O₃添加ZrO₂単結晶薄膜)/Pt-Pd構造の作製とその抵抗スイッチング特性

〇二ツ森皓史¹、塩田忠¹、西岡國生²、松谷晃宏²、多田大³、西山昭雄¹、篠崎和夫¹ (1.東工大物理工、2.東工大マイクロ、3.東工大分析)

13:30 〜 15:30

[19p-P5-20] 圧力勾配型プラズマガンを用いた近赤外高透過導電性 IWO 膜の作製

〇近藤裕佑¹、橋本典晃²、古谷英二²、筧芳治¹、森隆志¹、山田義春¹、田中剛¹ (1.大阪技術研、2.中外炉工業(株))

13:30 〜 15:30

[19p-P5-21] 自立型FTOナノファイバ膜の低抵抗化

〇一木晃雅¹、 Muhammad Zobayer BinMukhlish¹、野見山輝明¹、堀江雄二¹ (1.鹿大院理工)

13:30 〜 15:30

[19p-P5-22] ε-Ga₂O₃のエピタキシャル合成と誘電特性評価

〇遊佐昴¹、岡大地¹、福村知昭^1,2,3 (1.東北大理、2.東北大 WPI-AIMR、3.東北大 CSRN)

13:30 〜 15:30

▲ [19p-P5-23] Ionization potentials and electron affinities of amorphous Cd-In-Ga-O

〇(D)Minseok Kim¹、 Hiroshi Yanagi¹ (1.University of Yamanashi)

13:30 〜 15:30

[19p-P5-24] 多重バッファ層を用いたFTO/ZnOの結晶性の向上

〇(M1)森晃弘¹、趙新為¹、関蘇軍¹ (1.東理大理)

13:30 〜 15:30

[19p-P5-25] スパッタ法によるASnO₃(A=Sr,Ba)薄膜の作製と電気特性評価

〇金川いづる¹、吉村武¹、藤村紀文¹ (1.阪府立工)

13:30 〜 15:30

[19p-P5-26] ゾル-ゲル法で作製した不純物添加AlO_x薄膜の特性

〇南谷勇樹¹、安部功二¹ (1.名工大)

13:30 〜 15:30

[19p-P5-27] 沈殿法を用いたBiVO₄粉末の特性評価

〇(B)大畑裕介¹、馬場稔也¹、西谷幹彦²、番貴彦¹、山本伸一¹ (1.龍谷大理工、2.大阪大学)

13:30 〜 15:30

[19p-P5-28] TiO₂/WO₃/ITO三層同軸ナノファイバの光充放電特性

〇松田拓也¹、頼田家維¹、隈元大登¹、小牧平知¹、野見山輝明¹、堀江雄二¹ (1.鹿大院理工)

13:30 〜 15:30

[19p-P5-29] 電着液のpHによるCu₂Oの抵抗率の変化

〇揚野哲也¹、税所健¹、前田大輝¹、野見山輝明¹、堀江雄二¹、小ヶ口晃² (1.鹿児島大学院理工、2.タカタ株技術本部)

13:30 〜 15:30

△ [19p-P5-30] La,Rh共ドープによるSrTiO₃光カソード特性の増強作用

〇細川喜久¹、高橋竜太^1,2、組頭広志³、リップマーミック¹ (1.東大物性研、2.JSTさきがけ、3.高エネ研)

13:30 〜 15:30

[19p-P5-31] 銅イオン供給律速条件下でのCu₂O薄膜の電気化学成長

〇塩本周平¹、芦田淳¹、吉村武¹、藤村紀文¹ (1.阪府大工)

13:30 〜 15:30

▲ [19p-P5-32] Fabrication of Perovskite Solar Cell with Thickness-defendant TiO₂ Photoelectrode

〇(PC)MD Faruk Hossain¹、 Shigeki Naka¹、 Hiroyuki Okada¹ (1.University of Toyama)

13:30 〜 15:30

[19p-P5-33] Redox反応を利用したアモルファスWO_3-x薄膜のキャパシタンス素子

酒井貴弘¹、杉本天¹、林博洋¹、箕原誠人²、組頭広志²、〇樋口透¹ (1.東理大理、2.高エネ研)

13:30 〜 15:30

[19p-P5-34] Sm-doped CeO_2-_d薄膜の中低温域における表面イオン伝導性

西岡大貴¹、並木航¹、蓑原誠人²、組頭広志²、〇樋口透¹ (1.東理大理、2.高エネ研)

13:30 〜 15:30

[19p-P5-35] TiO₂多孔体内壁に導電性高分子ポリアニリンを電着したモノリシック3次元電池

〇秋好恭兵¹、有馬稜一¹、野見山輝明¹、堀江雄二¹、小ヶ口晃² (1.鹿児島大院、2.タカタ株式会社)

13:30 〜 15:30

[19p-P5-36] 全固体電気二重層をゲートとしたa-IGZOトランジスタの作製と動作検証

〇(M1)渡邉佳孝¹、浅野哲也¹、藤井茉美¹、 Juan Paolo Bermundo¹、石河泰明¹、浦岡行治¹、足立秀明¹ (1.奈良先端大)

13:30 〜 15:30

△ [19p-P5-37] ベイズ最適化を活用した成膜条件探索システムの構築

〇(M1)小林成¹、清水亮太^1,2、安藤康伸³、西尾和記¹、一杉太郎¹ (1.東工大物質理工、2.JST さきがけ、3.産総研)

13:30 〜 15:30

△ [19p-P5-38] パルスレーザー堆積法によるNaCrO₂エピタキシャル薄膜成長

〇(M1)遊馬博明¹、清水亮太^1,2、西尾和記¹、一杉太郎¹ (1.東工大物質理工、2.JST さきがけ)

13:30 〜 15:30

[19p-P5-39] 分子動力学計算による異種酸化物界面のダイポール形成機構に関する考察

〇金丸翔大¹、中川宣拓¹、高橋憶人¹、渡邉孝信¹ (1.早大理工)

セッション一覧

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[18a-C102-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

▲ [18a-C102-2] Study of Photocatalytic Reaction with Oxygen Molecules in the Nano-rods ZnO Film Prepared by Hydrothermal Growth

▲ [18a-C102-3] Nanostructured ZnO Photoelectrode grown on Seedless Flexible Substrate

△ [18a-C102-5] BaSnO3薄膜の光キャリア移動度評価

△ [18a-C102-7] ミストCVD法によるYSZ基板上のSnO2薄膜の作製と薄膜構造評価

▼ [18a-C102-9] Control of TiO2 thin film density and mechanical properties by laser radiation.

▲ [18a-C102-10] Formation and Characterization of Ga Doped ZnO 1-D Nanostructures by Using Advanced Spray Pyrolysis Deposition Technique

△ [18a-C102-11] 極性反転ZnO圧電薄膜を用いた高効率トランスデューサ

[18p-C102-1~16] 6.3 酸化物エレクトロニクス

▲ [18p-C102-4] Neutral Oxygen Beam Surface Treatment Enabled Resistive Switching Characteristics in ZnO-based Conducting Bridge Random Access Memory

△ [18p-C102-9] レーザー励起光電子顕微鏡によるReRAMの化学状態の非破壊operando観測

△ [18p-C102-10] 4端子メモリスタ素子の抵抗変化特性精密制御

△ [18p-C102-11] 酸素空孔分布制御型4端子メモリスタ素子における抵抗変化機構の有限要素法シミュレーション

△ [18p-C102-12] 標準電極電位差を利用した3値記憶素子の作製

△ [18p-C102-13] 全固体酸化還元トランジスタを用いたSrVO3薄膜の導電率変調

△ [18p-C102-14] 導電性ブリッジメモリにおける超広域抵抗制御と電流低減の実現

△ [18p-C102-15] 異なる結晶性を有するTiO2​薄膜を用いたPt/TiO2/Pt抵抗変化素子の電気的特性の評価

△ [18p-C102-16] Ta2O5を用いた抵抗変化素子特性の酸素組成および膜厚依存性

[19a-C102-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [19a-C102-3] 酸化物ドットを担持したLiCoO2エピタキシャル薄膜の作製とその高速充放電特性のドット種依存性

△ [19a-C102-4] LiTi2O4負極材料のエピタキシャル薄膜を利用した全固体Li電池の作製

△ [19a-C102-8] Ruddlesden-Popper型Srn+1VnO3n+1(001)(n = 1, 2)エピタキシャル薄膜の次元性制御による金属絶縁体転移

△ [19a-C102-9] 強いスピン軌道相互作用を持つ高電気伝導性YbOエピタキシャル薄膜

△ [19a-C102-10] 分子線エピタキシー法によるSr2RuO4超伝導薄膜の作製

[20a-C102-1~12] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [20a-C102-4] 金属絶縁体転移型VO­2 FETにおけるパルスゲート電圧応答

△ [20a-C102-5] K蒸着によるVO2薄膜の金属–絶縁体転移制御

△ [20a-C102-9] ハーフメタルCrO2のスピン脱偏極の起源：高分解能スピン分解光電子分光

△ [20a-C102-10] 電気二重層を用いた強誘電ゲートトランジスタの作製

△ [20a-C102-11] 分子線エピタキシー法によるZnSnO3およびMgSnO3の薄膜安定化

△ [20a-C102-12] ペロブスカイト型遷移金属酸化物ヘテロ界面における電荷移動のメカニズム

[20p-C102-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[19p-P5-1~39] 6.3 酸化物エレクトロニクス

▲ [19p-P5-2] Epitaxial growth of highly strained RuO2 thin film by self-buffering method

△ [19p-P5-10] 固相エピタキシャル成長法による常圧成長Ca2RuO4薄膜の伝導特性

▲ [19p-P5-23] Ionization potentials and electron affinities of amorphous Cd-In-Ga-O

△ [19p-P5-30] La,Rh共ドープによるSrTiO3光カソード特性の増強作用

▲ [19p-P5-32] Fabrication of Perovskite Solar Cell with Thickness-defendant TiO2 Photoelectrode

△ [19p-P5-37] ベイズ最適化を活用した成膜条件探索システムの構築

△ [19p-P5-38] パルスレーザー堆積法によるNaCrO2エピタキシャル薄膜成長

認証

△ [18a-C102-5] BaSnO₃薄膜の光キャリア移動度評価

△ [18a-C102-7] ミストCVD法によるYSZ基板上のSnO₂薄膜の作製と薄膜構造評価

▼ [18a-C102-9] Control of TiO₂ thin film density and mechanical properties by laser radiation.

△ [18p-C102-13] 全固体酸化還元トランジスタを用いたSrVO₃薄膜の導電率変調

△ [18p-C102-15] 異なる結晶性を有するTiO₂薄膜を用いたPt/TiO₂/Pt抵抗変化素子の電気的特性の評価

△ [18p-C102-16] Ta₂O₅を用いた抵抗変化素子特性の酸素組成および膜厚依存性

△ [19a-C102-3] 酸化物ドットを担持したLiCoO₂エピタキシャル薄膜の作製とその高速充放電特性のドット種依存性

△ [19a-C102-4] LiTi₂O₄負極材料のエピタキシャル薄膜を利用した全固体Li電池の作製

△ [19a-C102-8] Ruddlesden-Popper型Sr_n₊₁V_nO_3n+1(001)(n = 1, 2)エピタキシャル薄膜の次元性制御による金属絶縁体転移

△ [19a-C102-10] 分子線エピタキシー法によるSr₂RuO₄超伝導薄膜の作製

△ [20a-C102-4] 金属絶縁体転移型VO₂FETにおけるパルスゲート電圧応答

△ [20a-C102-5] K蒸着によるVO₂薄膜の金属–絶縁体転移制御

△ [20a-C102-9] ハーフメタルCrO₂のスピン脱偏極の起源：高分解能スピン分解光電子分光

△ [20a-C102-11] 分子線エピタキシー法によるZnSnO₃およびMgSnO₃の薄膜安定化

▲ [19p-P5-2] Epitaxial growth of highly strained RuO₂ thin film by self-buffering method

△ [19p-P5-10] 固相エピタキシャル成長法による常圧成長Ca₂RuO₄薄膜の伝導特性

△ [19p-P5-30] La,Rh共ドープによるSrTiO₃光カソード特性の増強作用

▲ [19p-P5-32] Fabrication of Perovskite Solar Cell with Thickness-defendant TiO₂ Photoelectrode

△ [19p-P5-38] パルスレーザー堆積法によるNaCrO₂エピタキシャル薄膜成長