一般セッション(口頭講演)

[9a-Z20-1~11] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2020年9月9日(水) 09:00 〜 12:00 Z20

佐々木公平(ノベルクリスタルテクノロジー)、藤井茉美(奈良先端大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

△ [9a-Z20-1] 室温エキシマレーザー照射によるMgAl₂O₄単結晶基板上でのGa₂O₃薄膜の固相エピタキシー

〇松島拓海¹、渡邉一樹¹、大賀友瑛¹、土嶺信男²、金子智^3,1、松田晃史¹、吉本護¹ (1.東工大物質理工、2.(株)豊島製作所、3.神奈川県産技総研)

09:15 〜 09:30

△ [9a-Z20-2] デバイス応用に向けたα-Ga₂O₃二重ELO膜の平坦化

〇河原克明¹、大島祐一²、沖川満¹、四戸孝¹ (1.FLOSFIA、2.NIMS)

09:30 〜 09:45

△ [9a-Z20-3] スピネル基板上に格子整合して成長したγ-(Al_xGa_1-x)₂O₃混晶薄膜の界面の結晶構造解析

〇堀江竜斗¹、田原大祐¹、西中浩之¹、吉本昌広¹ (1.京工繊大)

09:45 〜 10:00

△ [9a-Z20-4] ミストCVD法によるLiTaO₃基板上へのバッファ層を用いないrh-ITOエピタキシャル薄膜の成長とその評価

〇島添和樹¹、西中浩之¹、新田悠汰¹、伊藤雄祐¹、吉本昌広¹ (1.京都工繊大)

10:00 〜 10:15

△ [9a-Z20-5] プラズマ支援分子線堆積法によるフレキシブル基板上へのGZO透明導電膜の形成と評価 (5)

〇(M1)佐藤陽平¹、中田耕輔¹、宮下周大¹、村中司¹、鍋谷暢一¹、松本俊¹ (1.山梨大学工)

10:30 〜 10:45

▼ [9a-Z20-6] Electric Field Thermopower Modulation Analyses of the Channel Thickness for SnO₂ Thin Film Transistors

〇(D)Doudou Liang^1,2、 Binjie Chen³、 Hai Jun Cho¹、 Hiromichi Ohta¹ (1.RIES-Hokkaido Univ.、2.USTB、3.IST-Hokkaido Univ.)

10:45 〜 11:00

△ [9a-Z20-7] Air及びN₂雰囲気のバイアスストレスによるアモルファスCarbon-doped In₂O₃TFTのトランジスタ特性

〇小林陸^1,2、生田目俊秀²、女屋崇^1,2,3、大井暁彦²、池田直樹²、長田貴弘²、塚越一仁²、小椋厚志^1,4 (1.明大理工、2.物材機構、3.学振DC、4.明大MREL)

11:00 〜 11:15

△ [9a-Z20-8] 陽極酸化法Al₂O₃ゲート絶縁膜を用いたIGZO TFTの低温作製

〇(M1)河野守哉¹、森海¹、曲勇作^1,2、古田守^1,2 (1.高知工大、2.高知工大ナノ研)

11:15 〜 11:30

△ [9a-Z20-9] 岩塩構造MgZnO薄膜における深紫外PL寿命の評価

〇工藤幹太¹、石井恭平²、小野瑞生¹、金子健太郎²、山口智広¹、嶋紘平³、小島一信³、藤田静雄²、本田徹¹、秩父重英³、尾沼猛儀¹ (1.工学院大、2.京大院工、3.東北大多元研)

11:30 〜 11:45

△ [9a-Z20-10] 量子もつれ光子対発生に向けたZnO/ZnMgO多重量子井戸微小共振器の設計

〇矢野岳人¹、上向井正裕¹、谷川智之¹、片山竜二¹ (1.阪大院工)

11:45 〜 12:00

▼ [9a-Z20-11] Leakage current reduction in ZnO nanoparticle based near UV-LEDs

〇(M1C)RAJ DEEP¹、 Yuki Konishi¹、 Islam Mohammad Shafiqul¹、 Jie Lin²、 Toshiyuki Yoshida¹、 Yasuhisa Fujita^1,2 (1.Shimane Univ.、2.SNCC)

一般セッション(口頭講演)

[9p-Z20-1~16] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2020年9月9日(水) 13:00 〜 17:45 Z20

川原村敏幸(高知工科大)、尾沼猛儀(工学院大)、金子健太郎(京大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:00 〜 13:30

[9p-Z20-1] [（再講演）第10回化合物半導体エレクトロニクス業績賞（赤﨑勇賞）受賞記念講演] GaAs系、ZnSe系、および酸化物半導体の結晶成長における新技術開拓

〇藤田静雄¹ (1.京大院工)

13:30 〜 13:45

[9p-Z20-2] TEM観察を用いたSnドープm面α-Ga₂O₃の結晶欠陥評価

〇早川紘生¹、城川潤二郎¹、高橋勲²、四戸孝²、荒木努¹ (1.立命館大理工、2.FLOSFIA)

13:45 〜 14:00

[9p-Z20-3] カソードルミネッセンス法を用いたm面サファイア基板上Sn-doped α-Ga₂O₃の深い準位の解析

〇守屋亮¹、城川潤二郎¹、高橋勲²、四戸孝²、荒木努¹ (1.立命館大理工、2.FLOSFIA)

14:00 〜 14:15

[9p-Z20-4] n型α-Ga₂O₃におけるトラップ準位の光容量法を用いた解析

〇高根倫史¹、金子健太郎¹、四戸孝²、藤田静雄¹ (1.京大院工、2.(株)FLOSFIA)

14:30 〜 14:45

[9p-Z20-5] 高品質VB成長β型酸化ガリウムバルク結晶のシンクロトロンX線トポグラフィー観察

〇嘉数誠¹、スダーンセイリープ¹、小林拓実²、大葉悦子²、干川圭吾^2,3 (1.佐賀大院工、2.不二越機械工業（株）、3.信州大工)

14:45 〜 15:00

[9p-Z20-6] HVPE成長β型酸化ガリウムエピ層中の積層欠陥の観察

〇嘉数誠¹、スダーンセイリープ¹、佐々木公平²、桝谷聡士²、川崎克己³、平林潤³、倉又朗人² (1.佐賀大院工、2.ノベルクリスタルテクノロジー、3.TDK（株）)

15:00 〜 15:15

[9p-Z20-7] 直接合成法によるβ-Ga₂O₃の結晶成長における供給温度の影響

〇神元将太¹、西野克志¹ (1.徳島大学)

15:15 〜 15:30

[9p-Z20-8] 酸化ガリウム結晶への窒素イオン注入が分光感度特性に及ぼす影響

〇(M1)中西雅彦¹、ワンマンホイ²、山口智広¹、本田徹¹、東脇正高²、尾沼猛儀^1,2 (1.工学院大、2.情通機構)

15:30 〜 15:45

[9p-Z20-9] ワイドギャップ半導体β-Ga₂O₃における水素の局所電子状態

〇平石雅俊¹、岡部博孝¹、幸田章宏^1,2、門野良典^1,2、井手啓介³、神谷利夫^3,4、細野秀雄^3,4 (1.高エネ研、2.総研大、3.東工大フロンティア研、4.東工大元素センター)

15:45 〜 16:00

[9p-Z20-10] ミストCVD法を用いて(-201) β-Ga₂O₃基板上に成長したκ-Ga₂O₃薄膜の構造解析

〇梶田優気¹、西中浩之¹、新田悠汰¹、吉本昌広¹ (1.京工繊大)

16:15 〜 16:30

[9p-Z20-11] 超高感度エミッション顕微鏡によるEFG成長β型酸化ガリウムショットキーバリアダイオードの漏れ電流の起源の同定

〇嘉数誠¹、スダーンセイリープ¹、佐々木公平²、大石敏之¹、川崎克己³、平林潤³、倉又朗人² (1.佐賀大院工、2.ノベルクリスタルテクノロジー、3.TDK（株）)

16:30 〜 16:45

[9p-Z20-12] ドリフト層の成長レートによる酸化ガリウムショットキーバリアダイオード電気特性の改善

〇林家弘¹、桝谷聡士¹、尾林賢郷¹、タンガラジャアムタ¹、ティユクァントゥ¹、大塚文雄¹、小石川結樹¹、佐々木公平¹、倉又朗人¹ (1.ノベルクリスタルテクノロジー)

16:45 〜 17:00

[9p-Z20-13] Mist CVD法を用いたα-(AlGa)₂O₃混晶成長におけるアセチルアセトナート錯化の影響

〇太田茉莉香¹、宇野和行¹、田中一郎¹ (1.和歌山大システム工)

17:00 〜 17:15

[9p-Z20-14] MBE成長Al₂O₃ホモエピタキシャル薄膜の表面モフォロジー制御

〇(PC)神野莉衣奈¹、奥村宏典¹ (1.筑波大数理)

17:15 〜 17:30

[9p-Z20-15] バンドギャップ4 eV以上のp型 α-(Ir,Ga)₂O₃の作製

〇金子健太郎¹、増田泰久¹、高橋勲²、菅野亮平²、四戸孝²、藤田静雄¹ (1.京大院工、2.(株)FLOSFIA)

17:30 〜 17:45

[9p-Z20-16] 水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法によるHVPE-In₂O₃成長層のエッチング特性の熱力学的検討

〇富樫理恵¹、笠羽遼¹、大江優輝¹、後藤健²、熊谷義直²、菊池昭彦¹ (1.上智大理工、2.東京農工大院)

一般セッション(口頭講演)

[10a-Z20-1~12] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2020年9月10日(木) 09:00 〜 12:15 Z20

古林寛(高知工科大)、西中浩之(京都工繊大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[10a-Z20-1] 電気化学堆積法によるPETフィルム基板上の酸化亜鉛薄膜の作製

〇(M1)勝海正隆¹、樋口千夏¹、粕谷遥平¹、上滝尚子¹、赤坂哲也¹ (1.明星大理工)

09:15 〜 09:30

[10a-Z20-2] HEATE法によるZnO単結晶のエッチング特性評価とナノ構造の作製

〇伊藤大智¹、森谷裕太¹、菊池昭彦^1,2,3 (1.上智大・理工、2.上智大フォトニクス研究センター、3.上智大半導体研究所)

09:30 〜 09:45

[10a-Z20-3] ミストCVD法を用いたフレキシブルなZnO薄膜のエピタキシャル成長および光学的特性の評価

〇新田悠汰¹、西中浩之¹、吉本昌広¹ (1.京工繊大)

09:45 〜 10:00

[10a-Z20-4] 顕微ラマンイメージングとスペクトル解析によるn形ZnO結晶の高温電子物性に関する研究

〇(M1)加悦港人¹、須田潤¹ (1.中京大工)

10:00 〜 10:15

[10a-Z20-5] µCLBS 法による石英上 CuO 薄膜内の単結晶 Cu2O 帯成長

〇大峠開星¹、葉文昌¹、小林伸彦² (1.島根大、2.カリフォルニア大サンタクルーズ校)

10:15 〜 10:30

[10a-Z20-6] Pt担持したSrTiO₃(100)面の光電気化学特性

〇(M2)沈昊哉¹、今関裕貴¹、佐藤正寛²、藤井克司³、嶺岸耕²、中野義昭¹、杉山正和² (1.東大院工、2.東大先端研、3.理研)

10:45 〜 11:00

[10a-Z20-7] ゾル・ゲルディップ法によるCo添加NiOのエピタキシャル成長

〇安田隆¹、白嶋賢仁¹、壹岐智行¹ (1.石専大理工)

11:00 〜 11:15

[10a-Z20-8] RFリアクティブマグネトロンスパッタ法を用いて成長させたNiOエピタキシャル薄膜のTEM観察

〇西本啓介¹、杉山睦^1,2 (1.東理大　理工、2.東理大　総研)

11:15 〜 11:30

[10a-Z20-9] W添加In₂O₃薄膜における高ホール移動度の起源

〇古林寛¹、前原誠²、酒見俊之²、北見尚久^1,2、山本哲也¹ (1.高知工科大総研、2.住友重機械工業(株))

11:30 〜 11:45

[10a-Z20-10] フレキシブルデバイス応用に向けた酸化物薄膜の繰り返し曲げ耐久性評価

〇熊谷敏宏¹、大浦紀頼¹、和田英男¹、小山政俊¹、前元利彦¹、佐々誠彦¹ (1.大阪工大ナノ材研)

11:45 〜 12:00

[10a-Z20-11] 水素化In–Ga–Zn–Oの表面およびバルク電子状態評価

〇曲勇作^1,2、増田健太郎¹、牧野久雄^1,2、古田守^1,2 (1.高知工大、2.高知工大総研)

12:00 〜 12:15

[10a-Z20-12] [第42回論文奨励賞受賞記念講演] Hot carrier effects in InGaZnO thin-film transistor

〇髙橋崇典¹、宮永良子¹、藤井茉美¹、田中淳²、竹知和重²、田邉浩²、 Bermundo Juan Paolo¹、石河泰明^1,3、浦岡行治¹ (1.奈良先端大、2.Tianma Japan、3.青山学院大)

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[9a-Z20-1~11] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [9a-Z20-1] 室温エキシマレーザー照射によるMgAl2O4単結晶基板上でのGa2O3薄膜の固相エピタキシー

△ [9a-Z20-2] デバイス応用に向けたα-Ga2O3二重ELO膜の平坦化

△ [9a-Z20-3] スピネル基板上に格子整合して成長したγ-(AlxGa1-x)2O3混晶薄膜の界面の結晶構造解析

△ [9a-Z20-4] ミストCVD法によるLiTaO3基板上へのバッファ層を用いないrh-ITOエピタキシャル薄膜の成長とその評価

△ [9a-Z20-5] プラズマ支援分子線堆積法によるフレキシブル基板上へのGZO透明導電膜の形成と評価 (5)

▼ [9a-Z20-6] Electric Field Thermopower Modulation Analyses of the Channel Thickness for SnO2 Thin Film Transistors

△ [9a-Z20-7] Air及びN2雰囲気のバイアスストレスによるアモルファスCarbon-doped In2O3TFTのトランジスタ特性

△ [9a-Z20-8] 陽極酸化法Al2O3ゲート絶縁膜を用いたIGZO TFTの低温作製

△ [9a-Z20-9] 岩塩構造MgZnO薄膜における深紫外PL寿命の評価

△ [9a-Z20-10] 量子もつれ光子対発生に向けたZnO/ZnMgO多重量子井戸微小共振器の設計

▼ [9a-Z20-11] Leakage current reduction in ZnO nanoparticle based near UV-LEDs

[9p-Z20-1~16] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[10a-Z20-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

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[9a-Z20-1~11] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [9a-Z20-1] 室温エキシマレーザー照射によるMgAl₂O₄単結晶基板上でのGa₂O₃薄膜の固相エピタキシー

△ [9a-Z20-2] デバイス応用に向けたα-Ga₂O₃二重ELO膜の平坦化

△ [9a-Z20-3] スピネル基板上に格子整合して成長したγ-(Al_xGa_1-x)₂O₃混晶薄膜の界面の結晶構造解析

△ [9a-Z20-4] ミストCVD法によるLiTaO₃基板上へのバッファ層を用いないrh-ITOエピタキシャル薄膜の成長とその評価

▼ [9a-Z20-6] Electric Field Thermopower Modulation Analyses of the Channel Thickness for SnO₂ Thin Film Transistors

△ [9a-Z20-7] Air及びN₂雰囲気のバイアスストレスによるアモルファスCarbon-doped In₂O₃TFTのトランジスタ特性

△ [9a-Z20-8] 陽極酸化法Al₂O₃ゲート絶縁膜を用いたIGZO TFTの低温作製

[9p-Z20-1~16] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[10a-Z20-1~12] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」