〇(M1)Cabrejas Corsino Dianne¹、 Bermundo Juan Paolo¹、 Takahashi Kiyoshi²、 Ishikawa Yasuaki¹、 Uraoka Yukiharu¹ (1.Nara Institute of Science and Technology、2.Nippon Aluminum Alkyls, Ltd.)

11:45 〜 12:00

[16a-502-11] 高移動度In系酸化物半導体材料の開発(2)

〇大竹文人¹、氏原祐輔¹、上野充¹、小林大士¹、清田淳也¹、齋藤一也¹ (1.アルバック)

12:00 〜 12:15

△ [16a-502-12] プロトンをインターカレーションした単結晶WO₃薄膜の状態保持特性

〇桑形航行¹、美藤大輝¹、村上聡¹、岩田知也¹、小池一歩¹、原田義之¹、矢野満明¹、稲葉克彦²、小林信太郎² (1.大阪工大ナノ材研、2.リガク X線研究所)

一般セッション(ポスター講演)

[16p-P8-1~23] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2017年3月16日(木) 13:30 〜 15:30 P8 (展示ホールＢ)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

13:30 〜 15:30

△ [16p-P8-1] 液相法によるZnOナノ・マイクロ粒子の合成と光学特性

〇伴地孝啓¹、原田義之²、藤元章²、前元利彦^1,2 (1.大阪工大工、2.大阪工大ナノ材研)

13:30 〜 15:30

[16p-P8-2] パルスガス供給によるZnO結晶膜の単分子層成長制御

〇小野翔太郎¹、齋藤太朗¹、寛治安井¹ (1.長岡技科大工)

13:30 〜 15:30

[16p-P8-3] スパッタ法による単結晶NdGaO₃基板上への非極性ZnO薄膜の作製

〇(B)田中優太¹、佐久間実緒¹、小嶋天俊¹、今井裕司¹、川崎浩司¹、柏葉安宏¹、阿部貴美²、中川玲²、新倉郁生²、柏葉安兵衛²、長田洋² (1.仙台高専、2.岩手大理工)

13:30 〜 15:30

[16p-P8-4] 電気化学的処理による酸化亜鉛薄膜の電気的特性変化

〇安部功二¹、大久保貴雅¹、石川寛人¹ (1.名工大)

13:30 〜 15:30

[16p-P8-5] フレキシブル基板上に形成した酸化亜鉛薄膜の曲げ耐性と抵抗評価

〇永山幸希¹、芦田浩平¹、孫屹¹、カルトシュタインオリバー¹、小山政俊¹、前元利彦¹、佐々誠彦¹ (1.大阪工大ナノ材研)

13:30 〜 15:30

[16p-P8-6] 過酸化水素処理を施した酸化亜鉛単結晶の光導電特性

〇柏葉安宏¹、阿部貴美²、佐久間実緒¹、川崎浩司¹、今井裕司¹、中川玲²、新倉郁生²、柏葉安兵衛²、長田洋² (1.仙台高専、2.岩手大理工)

13:30 〜 15:30

[16p-P8-7] PLDで成長したMn doped ZnOの残留ドナー濃度低減に関する検討

〇金屋良輔¹、高田賢志¹、桐谷乃輔¹、吉村武¹、芦田淳¹、藤村紀文¹ (1.阪府大工)

13:30 〜 15:30

[16p-P8-8] 有機金属分解法を用いたSb添加SnO₂薄膜の作製と評価

〇(B)川崎祐久¹、澤畠淳二¹ (1.茨城高専)

13:30 〜 15:30

[16p-P8-9] PVD法による高ヘイズSnO₂透明導電膜の作製

〇福本通孝¹、中尾祥一郎²、廣瀬靖^1,2、長谷川哲也^1,2 (1.東大院理、2.KAST)

13:30 〜 15:30

[16p-P8-10] 熱処理がZnO-SnO₂を用いた薄膜トランジスタ特性に与える影響（II）

〇佐藤和郎¹、村上修一¹、金岡祐介¹、中山健吾¹、山田義春¹、筧芳治¹、櫻井芳昭¹ (1.大阪府立産技研)

13:30 〜 15:30

[16p-P8-11] 原料交互供給によるSnO₂ナノワイヤーのVLS成長とフォトルミネッセンス特性

〇寺迫智昭¹、河野幸輝²、矢木正和³ (1.愛媛大院理工、2.愛媛大工、3.香川高専)

13:30 〜 15:30

[16p-P8-12] Cu(NO₃)₂・3H₂OをCu原料に用いたFe支援CBD法によるCuO薄膜とCu₂O薄膜の選択成長

〇寺迫智昭¹、大西航暉²、岡田英之²、小原翔平² (1.愛媛大院理工、2.愛媛大工)

13:30 〜 15:30

[16p-P8-13] SiO₂/GZO積層膜の特性の膜厚及びアニール温度依存性

〇浅野祐稀¹、杉浦怜¹、正力幹也¹、舩木修平¹、山田容士¹ (1.島根大総理工)

13:30 〜 15:30

[16p-P8-14] プラズマ支援分子線堆積法によるフレキシブル基板上へのGZO透明導電膜の形成と評価 (2)

〇村中司¹、中山智矢¹、中島伸¹、岡島康介¹、鍋谷暢一¹、松本俊¹ (1.山梨大院総研)

13:30 〜 15:30

[16p-P8-15] β-Ga₂O₃(-201)表面における窒化物成長の初期過程のナノレベル観察

〇陳蕾¹、岡田有史¹、 Ferreyra Romualdo A.¹、上田大助¹、角野広平¹ (1.京工繊大工芸)

13:30 〜 15:30

[16p-P8-16] β-Ga₂O₃単結晶基板の電気的評価

〇中野由崇¹ (1.中部大工)

13:30 〜 15:30

[16p-P8-17] β-Ga₂O₃ (001) 基板上へのGa₂O₃のMBE成長

〇中田義昭¹、佐々木公平²、倉又朗人²、山腰茂伸²、東脇正高¹ (1.情通機構、2.タムラ製作所)

13:30 〜 15:30

[16p-P8-18] β-Ga₂O₃ (010) 基板上へのGa₂O₃のMBE成長

〇中田義昭¹、佐々木公平²、倉又朗人²、山腰茂伸²、東脇正高¹ (1.情通機構、2.タムラ製作所)

13:30 〜 15:30

[16p-P8-19] p型伝導を示す9番目のコランダム構造酸化物 α-Ir₂O₃の結晶成長とその電気特性

〇金子健太郎^1,2、韓欣一¹、人羅俊実²、藤田静雄¹ (1.京大院工、2.㈱FLOSFIA)

13:30 〜 15:30

△ [16p-P8-20] α-Ir₂O₃/α-Ga₂O₃積層構造の作製

〇韓欣一¹、金子健太郎^1,2、人羅俊実²、藤田静雄¹ (1.京大院工、2.株式会社FLOSFIA)

13:30 〜 15:30

[16p-P8-21] スパッタ法によるCuAlO₂薄膜の成膜：ターゲット作成とスパッタリングによるターゲット表面の構造変化

〇惠原貴志¹、飯坂涼¹、阿部真理奈¹、阿部清晃¹、佐藤拓也¹ (1.石巻専修大学理工)

13:30 〜 15:30

△ [16p-P8-22] フロントゲート型ZnO薄膜トランジスタの低温作製

〇(B)片寄翔太¹、新坂龍一¹、野崎眞次¹、内田和男¹ (1.電通大)

13:30 〜 15:30

△ [16p-P8-23] a-InGaZnO薄膜の熱電特性に対する成膜条件と熱処理温度の影響

〇瀬名波大貴¹、上沼睦典¹、多和勇樹¹、石河泰明¹、浦岡行治¹、足立秀明¹ (1.奈良先端大)

一般セッション(口頭講演)

[17a-502-1~10] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2017年3月17日(金) 09:00 〜 11:45 502 (502)

村中司(山梨大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:00 〜 09:15

△ [17a-502-1] 溶液法IGZO薄膜におけるGa比率が酸素空孔密度に与える影響

〇(M1)落合祐輔¹、森本貴明¹、福田伸子³、大木義路^1,2 (1.早大先進理工、2.早大材研、3.産総研FLEC)

09:15 〜 09:30

△ [17a-502-2] 溶液法で作製したIGZO薄膜に対する紫外光照射と熱処理の影響

〇高森悠圭¹、落合祐輔¹、森本貴明¹、福田伸子³、大木義路^1,2 (1.早大先進理工、2.早大材研、3.産総研FLEC)

09:30 〜 09:45

[17a-502-3] 非晶質InGaZnO₄およびInSnZnO₄薄膜トランジスタのNBITS特性評価

〇大野祐樹¹、清水耕作¹ (1.日大生産工)

09:45 〜 10:00

▼ [17a-502-4] Au/Mo-catalyzed Vapor-Liquid-Solid Growth of InGaZnO Nanowires from Amorphous Thin Film

〇(M1)Felizco JenichiClairvaux Escubio¹、 Uenuma Mutsunori¹、 Senaha Daiki¹、 Ishikawa Yasuaki¹、 Uraoka Yukiharu¹ (1.NAIST)

10:00 〜 10:15

[17a-502-5] Pt/Mg_xZn_1-xO/n-ZnOショットキーフォトダイオードにおける電流感度の逆バイアス電圧依存性

〇遠藤治之¹、高橋強¹、柏葉安兵衛² (1.岩手県工技センタ、2.岩手大)

10:30 〜 10:45

[17a-502-6] ZnO単結晶の絶対輻射量子効率測定

〇小島一信¹、秩父重英¹ (1.東北大多元研)

10:45 〜 11:00

[17a-502-7] Sn₂Nb₂O₇の電子構造およびキャリアドーピング

〇相浦義弘¹、小澤健一²、長谷泉¹、阪東恭子¹、羽賀浩人^1,3、川中浩史¹、三溝朱音^1,4、菊地直人¹ (1.産総研、2.東工大、3.茨城大、4.東理大)

11:00 〜 11:15

[17a-502-8] 電気化学インピーダンス法を用いた
SnO₂ ガスセンサの感度および電荷空乏層の振る舞いの定量分析

〇田沼涼¹、杉山睦¹ (1.東理大　理工/総研)

11:15 〜 11:30

[17a-502-9] 高感度水素検出用昇温脱離ガス分析装置の開発
― 酸化物半導体薄膜中の微量水素濃度決定への適用 ―

〇(PC)半那拓¹、平松秀典^1,2、坂口勲³、細野秀雄^1,2 (1.東工大　元素戦略研、2.東工大　フロンティア材料研、3.物材機構)

11:30 〜 11:45

[17a-502-10] 時間的･空間的隔たり産み出すミスト流を用いた新反応制御技術の開発

〇川原村敏幸¹、鄧太江¹、刘丽¹、 E.K.C. ﾌﾟﾗﾃﾞｨｰﾌﾟ¹、龍田宗孝¹、古田守¹、須和祐太¹、佐藤翔太¹、中曽根義晃¹、山沖駿友¹、西美咲¹、小林勇亮¹、坂本雅仁¹、ﾙﾄﾝｼﾞｬﾝﾋﾟﾓﾝﾊﾟﾝ¹ (1.高知工大)

セッション一覧

21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[14a-502-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [14a-502-3] MgO (100)基板上β-Ga2O3:Si (100)薄膜のヘテロエピタキシャル成長

△ [14a-502-4] 室温レーザーアニールにより作製されたβ-Ga2O3エピタキシャル薄膜の配向性制御

△ [14a-502-6] β-(AlxGa1-x)2O3/Ga2O3ヘテロ接合界面におけるキャリア閉じ込めの観察

△ [14a-502-9] α-(AlxGa1-x)2O3バッファ層によるGa2O3の構造制御

△ [14a-502-10] ミストCVD法によるε-Ga2O3成長のストイキオメトリー制御

[14p-502-1~15] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [14p-502-1] α-Ga2O3の表面バンドベンディングの評価

△ [14p-502-4] (-201) β-Ga2O3ショットキーバリアダイオードのリーク電流と結晶欠陥との関係

▲ [14p-502-7] Effect of Nitridation on Properties of AlN/β-Ga2O3 Composite Structures

△ [14p-502-10] ミストCVD法によるα-Al2O3基板へのNiO薄膜の成長

△ [14p-502-12] p形NiO薄膜における電気的特性と光学的特性の関係

△ [14p-502-14] ミストCVD法における高品質金属酸化物薄膜作製を目的とした反応メカニズム解析(Ⅰ)

[15a-502-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [15a-502-6] アフターアークプラズマ型酸素負イオン照射装置における時間分解プローブ測定

▲ [15a-502-7] Electric Field Thermopower Modulation of BaSnO3 Epitaxial Film

△ [15a-502-9] バンドギャップ可変p型半導体Sn2Nb2-xTaxO7

△ [15a-502-11] アモルファスCuCrO2薄膜の固相成長におけるNとMg添加の効果

[16a-502-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [16a-502-1] 高性能レアメタルフリーGa-Sn-O薄膜トランジスタ

△ [16a-502-3] スプレー法および蒸発乾燥法による酸化亜鉛ナノ粒子層の形成と評価

△ [16a-502-4] グルコースの連続モニタリングに向けたZnO系溶液ゲートFETへの酵素固定化方法の改善

△ [16a-502-6] ホールトラップがCドープIn-Si-Oのトランジスタ特性へ及ぼす影響

△ [16a-502-7] 微量フッ素添加による塗布型酸化物TFTの特性改善

▼ [16a-502-9] Electrical properties Improvement of Top Gate a-IGZO Thin-Film Transistor using Solution Gate Insulator by Ultraviolet-Ozone and Thermal Treatment

▲ [16a-502-10] Effect of Dimethylaluminum Hydride as Al2O3 Precursor on the Characteristics of a-InGaZnO Thin-Film Transistors

△ [16a-502-12] プロトンをインターカレーションした単結晶WO3薄膜の状態保持特性

[16p-P8-1~23] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [16p-P8-1] 液相法によるZnOナノ・マイクロ粒子の合成と光学特性

△ [16p-P8-20] α-Ir2O3/α-Ga2O3積層構造の作製

△ [16p-P8-22] フロントゲート型ZnO薄膜トランジスタの低温作製

△ [16p-P8-23] a-InGaZnO薄膜の熱電特性に対する成膜条件と熱処理温度の影響

[17a-502-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [17a-502-1] 溶液法IGZO薄膜におけるGa比率が酸素空孔密度に与える影響

△ [17a-502-2] 溶液法で作製したIGZO薄膜に対する紫外光照射と熱処理の影響

▼ [17a-502-4] Au/Mo-catalyzed Vapor-Liquid-Solid Growth of InGaZnO Nanowires from Amorphous Thin Film

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[14a-502-1~10] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [14a-502-3] MgO (100)基板上β-Ga₂O₃:Si (100)薄膜のヘテロエピタキシャル成長

△ [14a-502-4] 室温レーザーアニールにより作製されたβ-Ga₂O₃エピタキシャル薄膜の配向性制御

△ [14a-502-6] β-(Al_xGa_1-x)₂O₃/Ga₂O₃ヘテロ接合界面におけるキャリア閉じ込めの観察

△ [14a-502-9] α-(Al_xGa_1-x)₂O₃バッファ層によるGa₂O₃の構造制御

△ [14a-502-10] ミストCVD法によるε-Ga₂O₃成長のストイキオメトリー制御

[14p-502-1~15] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [14p-502-1] α-Ga₂O₃の表面バンドベンディングの評価

△ [14p-502-4] (-201) β-Ga₂O₃ショットキーバリアダイオードのリーク電流と結晶欠陥との関係

▲ [14p-502-7] Effect of Nitridation on Properties of AlN/β-Ga₂O₃ Composite Structures

△ [14p-502-10] ミストCVD法によるα-Al₂O₃基板へのNiO薄膜の成長

[15a-502-1~12] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

▲ [15a-502-7] Electric Field Thermopower Modulation of BaSnO₃ Epitaxial Film

△ [15a-502-9] バンドギャップ可変p型半導体Sn₂Nb_2-xTa_xO₇

△ [15a-502-11] アモルファスCuCrO₂薄膜の固相成長におけるNとMg添加の効果

[16a-502-1~12] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

▲ [16a-502-10] Effect of Dimethylaluminum Hydride as Al₂O₃ Precursor on the Characteristics of a-InGaZnO Thin-Film Transistors

△ [16a-502-12] プロトンをインターカレーションした単結晶WO₃薄膜の状態保持特性

[16p-P8-1~23] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [16p-P8-20] α-Ir₂O₃/α-Ga₂O₃積層構造の作製

[17a-502-1~10] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」