一般セッション(口頭講演)
[21a-135-1~10] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション
09:00 〜 09:15
〇白石 悠人1、 山崎 翔太1、 中山 隆史1 (1.千葉大理)
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09:15 〜 09:30
〇(M1)徳弘 快1、 阪本 大樹1、 清水 雅弘1、 下間 靖彦1、 三浦 清貴1、 八戸 啓2 (1.京大院工、2.プラウド（株）)
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09:30 〜 09:45
〇河合 宏樹1、 中崎 靖1、 金村 貴永1、 石原 貴光1 (1.東芝メモリ)
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09:45 〜 10:00
〇祖父江 琢哉1、 藏本 駿介1、 萩原 一樹1、 田中 貴久1、 内田 建1 (1.慶應大理工)
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10:00 〜 10:15
〇(M2)二村 湧斗1、 牧原 克典1、 大田 晃生1、 池田 弥央1、 宮崎 誠一1 (1.名古屋大院工)
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10:30 〜 10:45
〇(M2)牧平 真太朗1、 森 伸也1 (1.阪大工)
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10:45 〜 11:00
〇三島 嵩也1、 橋本 風渡1、 森 伸也1 (1.阪大工)
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11:00 〜 11:15
〇山下 大輝1 (1.阪大院工)
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11:15 〜 11:30
〇服部 淳一1 (1.産総研)
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11:30 〜 11:45
〇甲斐 春貴1、 阿部 成海1、 熊谷 祐希1、 岩村 航2、 久保田 弘1、 橋新 剛1、 吉岡 昌雄2 (1.熊大院自、2.熊大工)
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