一般セッション(ポスター講演)

[19a-P7-1~14] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

2013年9月19日(木) 09:30 〜 11:30 P7 (デイヴィス記念館 )

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:30 〜 11:30

[19a-P7-1] 高抵抗GaNのトラップ評価

^○徳田豊¹，田中丈士^2,3，塩島謙次²，乙木洋平³ (愛知工大¹，福井大院工²，日立電線³)

09:30 〜 11:30

[19a-P7-2] n型GaN電気的特性劣化におけるプラズマ照射条件の影響

^○本郷直樹，瀧本拓真，中村成志，奥村次徳 (首都大理工)

09:30 〜 11:30

△ [19a-P7-3] 界面顕微光応答法によるn-GaNショットキー接触の2次元評価

^○山本晋吾¹，青木俊周¹，金田直樹²，三島友義²，塩島謙次¹ (福井大院工¹，日立電線²)

09:30 〜 11:30

[19a-P7-4] a面低Mgドープp-GaNショットキー接触の評価

^○青木俊周¹，Ji-Su Son²，天野浩²，塩島謙次¹ (福井大院工¹，名大²)

09:30 〜 11:30

[19a-P7-5] Si基板上(111)における歪超格子を用いたGaN層の歪制御

^○小田龍平 (名工大)

09:30 〜 11:30

[19a-P7-6] p-GaN基板上MISFETの窒素イオン注入による素子分離

^○（M1）葛西駿，小川弘貴，中村徹 (法政大理工)

09:30 〜 11:30

[19a-P7-7] フィールドプレートを有するイオン注入GaN-HEMT

^○青柳拓也，岡田裕太郎，中村徹 (法政大理工)

09:30 〜 11:30

[19a-P7-8] 透明ゲート電極を用いたAlGaN/GaN HEMTにおけるEL発光のゲートバイアス依存性

^○成田知隆，藤本祐一，分島彰男，江川孝志 (名工大)

09:30 〜 11:30

[19a-P7-9] ECRスパッタ法Al₂O₃およびSiN保護膜を有するAlGaN/GaN HEMTの電位評価

^○水江千帆子，市川弘之，井上和孝 (住友電工　伝送デバイス研)

09:30 〜 11:30

[19a-P7-10] TiSi_{2(/sub)電極の熱処理によるAlGaN/GaNへのコンタクト特性の変化}

^○岡本真里¹，松川佳弘¹，角嶋邦之²，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，岩井洋¹，若林整²，筒井一生¹，齋藤渉³，名取研二¹ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²，東芝セミコンダクター&ストレージ社³)

09:30 〜 11:30

[19a-P7-11] AlGaN/GaN HEMTへの凹凸AlGaN層導入による2次元電子ガス濃度分布評価および低抵抗コンタクト形成の可能性

^○神谷真行¹，寺山一真¹，武井優典¹，齋藤渉²，角嶋邦之¹，若林整¹，片岡好則¹，筒井一生¹，岩井洋¹ (東工大¹，東芝ｾﾐｺﾝﾀﾞｸﾀｰ&ｽﾄﾚｰｼﾞ社²)

09:30 〜 11:30

[19a-P7-12] AlGaN/GaN系 pチャネルHFETの製作

^○米澤宏昭¹，中島昭³，西澤伸一³，大橋弘通³，筒井一生¹，角嶋邦之¹，若林整¹，岩井洋² (東工大総理工¹，東工大ﾌﾛﾝﾃｨｱ研²，産業技術総合研究所³)

09:30 〜 11:30

[19a-P7-13] ALD-Al₂O₃ 絶縁体層を有するInAlN MOS ダイオードの作製手順の検討

^○千葉勝仁，中野拓真，赤澤正道 (北大量集センター)

09:30 〜 11:30

[19a-P7-14] 試料端局所照射によるn-AlGaAs/GaAsヘテロ接合チャネルの光電流

^○川津琢也¹，野田武司¹，間野高明¹，佐久間芳樹¹，榊裕之^1,2 (物材機構¹，豊田工大²)

一般セッション(口頭講演)

[19p-D7-1~17] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

2013年9月19日(木) 13:00 〜 17:45 D7 (MK 3F-302)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:00 〜 13:30

[19p-D7-1] 「応用物理学会優秀論文賞受賞記念講演」（30分）Inverted-Type InGaAs Metal–Oxide–Semiconductor High-Electron-Mobility Transistor on Si Substrate with Maximum Drain Current Exceeding 2A/mm

^○Xiuju Zhou，Qiang Li，Chak Wah Tang，Kei May Lau (香港工科大)

13:30 〜 13:45

[19p-D7-2] 各種チャネル材料を用いたナノスケールHEMTの周波数限界

^○長井彰平¹，永井佑太郎¹，藤川紗千恵¹，原紳介²，遠藤聡²，渡邊一世²，笠松章史²，藤代博記¹ (東理大院基礎工¹，情報通信研究機構²)

13:45 〜 14:00

[19p-D7-3] 各種チャネル材料を用いたIII-V DG MOSFETの特性解析

^○大濱諒子，西田明央，藤川紗千恵，藤代博記 (東理大院基礎工)

14:00 〜 14:15

△ [19p-D7-4] 高電流密度化にむけたInP ソースを有するIII–V–OI InGaAs MOSFET のチャネル厚依存性

^○大澤一斗，加藤淳，佐賀井健，金澤徹，上原英治，宮本恭幸 (東工大理工)

14:15 〜 14:30

[19p-D7-5] SiN/SiO₂サイドウォールプロセスを用いたf_t>500GHz InP/InGaAs HBT技術

^○柏尾典秀，栗島賢二，井田実，松崎秀昭 (NTTフォトニクス研)

14:30 〜 14:45

△ [19p-D7-6] 急峻なSS特性の為のInGaAs/InP超格子FETにおけるキャリア濃度依存性

^○柏野壮志，行待篤志，宮本恭幸 (東工大)

14:45 〜 15:00

△ [19p-D7-7] 伝導帯の非放物線性を考慮した歪InSb-HEMTにおける二次元電子ガスのエネルギー状態の理論解析

^○（D）西尾結，丹下隆博，佐藤宇人，平山尚美，飯田努，高梨良文 (東理大基礎工)

15:00 〜 15:15

△ [19p-D7-8] GaN上に形成したAuめっき配線に対する下地電極の影響

^○前田和弘，西沢弘一郎，志賀俊彦，竹見政義 (三菱電機)

15:15 〜 15:30

△ [19p-D7-9] Siイオン注入を用いたβ-Ga₂O₃へのオーミックコンタクト形成

^○佐々木公平^1,2，東脇正高²，倉又朗人¹，増井建和³，山腰茂伸¹ (タムラ製作所¹，情通機構²，光波³)

休憩　（15:30 〜 15:45）

15:45 〜 16:00

[19p-D7-10] ディプレッションモードGa₂O₃ MOSFET

^○東脇正高¹，佐々木公平^2,1，上村崇史¹，マンホイワン¹，キルシナムルティダイワシガマニ¹，倉又朗人²，増井建和³，山腰茂伸² (情報通信研究機構¹，タムラ製作所²，光波³)

16:00 〜 16:15

[19p-D7-11] Al2O3/ n-Ga2O3 MOSダイオード(2)

^○上村崇史¹，Man Hoi Wong¹，佐々木公平^2,1，Krishnamuruthy Daivasigamani¹，倉又朗人²，増井健和³，山腰茂伸²，東脇正高¹ (情報通信研究機構¹，タムラ製作所²，光波³)

16:15 〜 16:30

[19p-D7-12] ポーラスアルミナマスクによるGaAs(001)基板上へのパターンの転写

^○（M1）山崎剛典，森下義隆 (農工大)

16:30 〜 16:45

[19p-D7-13] 電気化学的手法と裏面光照射によるGaN多孔質ナノ構造の形成

^○渡部晃生，熊崎祐介，谷田部然治，佐藤威友 (北大量集セ)

16:45 〜 17:00

[19p-D7-14] 層状BN剥離層を用いたAlGaN/GaN HEMTの銅板への転写

^○廣木正伸，熊倉一英，小林康之，赤坂哲也，山本秀樹，牧本俊樹 (NTT物性研)

17:00 〜 17:15

[19p-D7-15] 超高次非線形誘電率顕微鏡法のパワーデバイス評価への応用－SiC-MOSFETの断面測定－

^○茅根慎通¹，中村孝²，長康雄¹ (東北大通研¹，ローム²)

17:15 〜 17:30

[19p-D7-16] ゲート容量が非対称な共通ゲート構造三重ドットターンスタイルの動作解析

^○中嶌篤志，今井茂 (立命館大理工)

17:30 〜 17:45

[19p-D7-17] 金属-誘電体遮蔽半導体ピラー構造の微小光共振器作製とその評価

^○竹本亮，石原渚，黒澤裕之，末宗幾夫 (北大電子研)

一般セッション(口頭講演)

[20a-D7-1~11] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

2013年9月20日(金) 09:00 〜 12:00 D7 (MK 3F-302)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

△ [20a-D7-1] 塩素ガスプラズマによるGaNエッチングにおける窒素ガス添加の効果

^○（M2）劉沢セイ，朴鐘胤，曹佳棟，加古隆，石川健治，小田修，竹田圭吾，近藤博基，関根誠，堀勝 (名大院工)

09:15 〜 09:30

[20a-D7-2] 窒化ガリウム表面の過剰酸化を抑制する洗浄液の検討

^○辻幸洋^1,2，勝山造¹，寺本章伸²，白井泰雪²，須川成利²，大見忠弘² (住友電工¹，東北大²)

09:30 〜 09:45

[20a-D7-3] ALD-Al₂O₃を用いたMIS構造の電気的特性におけるオゾン導入条件の影響

^○（M1）吉田雄祐，ジョセフフリーズマン，久保俊晴，江川孝志 (名工大)

09:45 〜 10:00

△ [20a-D7-4] n-GaN上ALD-Al₂O₃膜に対する高圧水蒸気処理の効果

^○吉嗣晃治¹，梅原智明¹，堀田昌宏^1,2，石河泰明^1,2，浦岡行治^1,2 (奈良先端大¹，CREST²)

10:00 〜 10:15

[20a-D7-5] 高温熱処理を挟む2段階ALDプロセスによるAl₂O₃/InAlN界面特性の向上

^○中野拓真，千葉勝仁，赤澤正道 (北大)

10:15 〜 10:30

△ [20a-D7-6] GaN系MOS-HEMTにおけるMOS界面準位評価と電気特性への影響

^○堀祐臣¹，谷田部然治¹，橋詰保^1,2 (北大量集センター¹，JST-CREST²)

休憩　（10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

[20a-D7-7] p形GaNショットキー接触における水素プラズマ処理の影響

^○青木俊周¹，吉田智洋²，末光哲也²，金田直樹³，三島友義³，塩島謙次¹ (福井大院工¹，東北大通研²，日立電線³)

11:00 〜 11:15

[20a-D7-8] GaN基板上低キャリア厚膜n-GaNショットキ‐接触の評価

^○（M1）木原雄平¹，塩島謙次¹，青木俊周¹，金田直樹²，三島友義¹ (福井大院工¹，日立電線²)

11:15 〜 11:30

[20a-D7-9] AlGaN緩衝層がGaNショットキー接合特性に与える影響

^○（M2）馬万程¹，橋詰保^1,2 (北大量集センター　情報科学研究科¹，JST-CREST²)

11:30 〜 11:45

△ [20a-D7-10] TiN電極を有するマイクロ波整流用GaNショットキーバリアダイオード

^○（M1C）板井勇樹¹，岸明徳¹，李柳暗¹，白石孝之¹，福居和人¹，劉強¹，敖金平¹，大野泰夫² (徳島大院 STS研¹，eデバイス²)

11:45 〜 12:00

△ [20a-D7-11] デュアルゲート構造によるAlGaN/GaN HEMTの電流コラプス評価

^○西口賢弥¹，Joel T. Asubar¹，橋詰保^1,2 (北大量集センター¹，JST-CREST²)

一般セッション(口頭講演)

[20p-D7-1~8] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

2013年9月20日(金) 13:00 〜 15:00 D7 (MK 3F-302)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食　（12:00 〜 13:00）

13:00 〜 13:15

[20p-D7-1] GaN基板へのMgイオン注入の基礎検討

^○及川拓弥¹，金田直樹²，加藤茂樹¹，三島友義²，中村徹¹ (法政大¹，日立電線²)

13:15 〜 13:30

[20p-D7-2] AlGaN/GaN上のTiSi₂電極によるコンタクトの温度依存性

^○譚錫昊¹，岡本真里¹，角嶋邦之²，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，若林整²，筒井一生²，齋藤渉³，岩井洋¹，名取研二¹ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²，東芝セミコンダクター&ストレージ社³)

13:30 〜 13:45

[20p-D7-3] AlGaN/GaN上のTiC電極の電流電圧特性の熱処理温度依存性

^○松川佳弘¹，岡本真里¹，角嶋邦之²，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，若林整²，筒井一生¹，斎藤渉³，岩井洋¹，名取研二¹ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²，東芝セミコンダクター&ストレージ社³)

13:45 〜 14:00

[20p-D7-4] AlGaN/GaN系HEMTにおけるコンタクト特性のAlGaN層厚依存性

^○武井優典¹，神谷真行¹，寺山一真¹，米澤宏昭¹，齋藤渉³，筒井一生¹，角嶋邦之¹，若林整¹，片岡好則²，岩井洋² (東工大総理工¹，東工大ﾌﾛﾝﾃｨｱ研²，東芝ｾﾐｺﾝﾀﾞｸﾀｰ&ｽﾄﾚｰｼﾞ社³)

14:00 〜 14:15

[20p-D7-5] ショットキーゲート材料によるAlGaN/GaNの容量電圧特性への影響

^○宗清修¹，川那子高暢²，角嶋邦之²，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，筒井一生²，名取研二¹，若林整¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²)

14:15 〜 14:30

[20p-D7-6] ZrO₂/Al₂O₃多層膜ゲートn-GaN MISダイオードの界面特性

^○（D）樹神真太郎，徳田博邦，葛原正明 (福井大)

14:30 〜 14:45

[20p-D7-7] AlGaN/GaN ヘテロ構造を用いたpHセンサの温度依存性

^○新潟一宇，逢坂直也，楢野和宏，敖金平 (徳島大院STS研)

14:45 〜 15:00

[20p-D7-8] 自立GaN基板上の自己整合型イオン注入ノーマリーオフ型MISFET

^○（M2）小川弘貴¹，葛西駿¹，金田直樹³，土屋朋信²，三島友義³，中村徹¹ (法政大理工¹，日立中研²，日立電線³)

セッション一覧

14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[19a-P7-1~14] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

△ [19a-P7-3] 界面顕微光応答法によるn-GaNショットキー接触の2次元評価

[19p-D7-1~17] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

△ [19p-D7-4] 高電流密度化にむけたInP ソースを有するIII–V–OI InGaAs MOSFET のチャネル厚依存性

△ [19p-D7-6] 急峻なSS特性の為のInGaAs/InP超格子FETにおけるキャリア濃度依存性

△ [19p-D7-7] 伝導帯の非放物線性を考慮した歪InSb-HEMTにおける二次元電子ガスのエネルギー状態の理論解析

△ [19p-D7-8] GaN上に形成したAuめっき配線に対する下地電極の影響

△ [19p-D7-9] Siイオン注入を用いたβ-Ga2O3へのオーミックコンタクト形成

[20a-D7-1~11] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

△ [20a-D7-1] 塩素ガスプラズマによるGaNエッチングにおける窒素ガス添加の効果

△ [20a-D7-4] n-GaN上ALD-Al2O3膜に対する高圧水蒸気処理の効果

△ [20a-D7-6] GaN系MOS-HEMTにおけるMOS界面準位評価と電気特性への影響

△ [20a-D7-10] TiN電極を有するマイクロ波整流用GaNショットキーバリアダイオード

△ [20a-D7-11] デュアルゲート構造によるAlGaN/GaN HEMTの電流コラプス評価

[20p-D7-1~8] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

△ [19p-D7-9] Siイオン注入を用いたβ-Ga₂O₃へのオーミックコンタクト形成

△ [20a-D7-4] n-GaN上ALD-Al₂O₃膜に対する高圧水蒸気処理の効果