^○東城俊介¹，田中凌平¹，額賀俊成¹，富樫理恵¹，永島徹²，木下亨²，Baxter Moody³，村上尚¹，Ramon Collazo⁴，熊谷義直¹，Zlatko Sitar^3,4 (農工大院工¹，トクヤマ²，HexaTech, Inc.³，North Carolina State University⁴)

16:00 〜 16:15

△ [17p-C5-10] 多元溶媒窒化法を用いた単結晶AlNウィスカーの合成

^○（M2）陳鳴宇¹，永冶仁¹，渡邉将太¹，竹内幸久¹，原田俊太¹，荒井重勇²，田川美穂¹，宇治原徹¹ (名大院工¹，名大エコトピア研²)

16:15 〜 16:30

△ [17p-C5-11] AlN溶液成長における化学平衡計算を用いた実験条件の決定

^○（M2）永冶仁，陳鳴宇，渡邉将太，竹内幸久，原田俊太，田川美穂，宇治原徹 (名大院工)

休憩16:30～16:45 （16:30 〜 16:45）

16:45 〜 17:15

[17p-C5-12] 「応用物理学会優秀論文賞受賞記念講演」（30分）
Epitaxial Growth of III-Nitride/Graphene Heterostructures for Electronic Devices

^○Neeraj Nepal，Virginia D. Wheeler，Travis J. Anderson，Francis J. Kub，Michael A. Mastro，Rachael L. Myers-Ward，Syed B. Qadri，Jaime A. Freitas Jr.，Sandra C. Hernandez，Luke O. Nyakiti，Scott G. Walton，Kurt Gaskill，Charles R. Eddy, Jr. (米海軍研)

17:15 〜 17:30

[17p-C5-13] 前駆体二段階生成HVPE法による窒化イットリア安定化ジルコニア(111)基板上への高速InN成長

^○小島千恵，富樫理恵，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯 (東京農工大院工)

17:30 〜 17:45

△ [17p-C5-14] 反応性スパッタ法によるGaN薄膜のエピタキシャル成長

^○磯崎勇児¹，山下雄一郎²，八木貴志²，賈軍軍¹，竹歳尚之²，中村新一¹，重里有三¹ (青学大理工¹，産総研²)

17:45 〜 18:00

[17p-C5-15] 反応性パルスDCスパッタ法により作製したAlN膜の表面構造および結晶性に及ぼすスパッタ圧力の影響

^○（M1）竹内洋仁，大塚誠，福山博之 (東北大多元研)

18:00 〜 18:15

[17p-C5-16] パルススパッタ法によるhcp金属基板上への窒化物薄膜成長

^○金惠蓮¹，太田実雄¹，田中龍太¹，小林篤¹，上野耕平¹，藤岡洋^1,2 (東大¹，JST-CREST²)

18:15 〜 18:30

[17p-C5-17] UHVスパッタエピタキシー法によるInN層の成長(Ⅱ)

^○（M2）多田暁由，小橋勇希，福井迪，神田赳志，篠田宏之，六倉信喜 (東京電機大工)

18:30 〜 18:45

[17p-C5-18] UHV スパッタエピタキシー法によるInN 層の成長 (III)

^○（M2）福井迪，小橋勇希，多田暁由，神田赳志，篠田宏之，六倉信喜 (東京電機大工)

一般セッション(口頭講演)

[18a-C5-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

2014年9月18日(木) 08:30 〜 12:30 C5 (オープンホール)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

08:30 〜 08:45

[18a-C5-1] 低温PLを利用したInGaNにおけるIn分布の製膜条件依存性

^○鈴木雄大¹，百瀬健¹，寺本喬²，Christian Dussarrat²，藤井克司¹，杉山正和¹，霜垣幸浩¹ (東大院工¹，エアリキード²)

08:45 〜 09:00

△ [18a-C5-2] GaInN/GaNヘテロ接合における格子緩和の評価

^○（M1）石原耕史¹，近藤保成¹，松原大幸¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山智¹，赤﨑勇^1,2 (名城大理工¹，名古屋大赤﨑記念研究センター²)

09:00 〜 09:15

△ [18a-C5-3] 高InNモル分率GaInNを用いたトンネル接合（2）

^○（M2）南川大智¹，井野匡貴¹，高須賀大貴¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山智¹，赤﨑勇^1,2 (名城大¹，名大・赤崎記念研究センター²)

09:15 〜 09:30

△ [18a-C5-4] サファイア基板上MOVPE成長N極性面(000\overline{1})InGaNを用いた赤・緑・青色発光ダイオードの作製

^○正直花奈子¹，崔正焄¹，谷川智之^1,2，窪谷茂幸¹，花田貴^1,2，片山竜二^1,2，松岡隆志^1,2 (東北大金研¹，JST, CREST²)

09:30 〜 09:45

[18a-C5-5] MOVPE法を用いたGaN両極性同時成長における極性界面形成メカニズムの検討

^○（M1）久瀬健太，藤田陽平，井上翼，中野貴之 (静大院工)

09:45 〜 10:00

[18a-C5-6] MOVPE選択成長によるGaNナノコラムのマスクパターン依存性

^○水野尚之¹，加藤嵩裕¹，上山智¹，竹内哲也¹，岩谷素顕¹，赤崎勇^1,2 (名城大理工¹，名大・赤崎記念研究センター²)

10:00 〜 10:15

[18a-C5-7] サファイア基板のサーマルクーリング

^○林家弘，鈴木周平，岡田俊祐，三宅秀人，平松和政 (三重大工)

休憩10:15～10:30 （10:15 〜 10:30）

10:30 〜 10:45

△ [18a-C5-8] 有機金属気相成長法によるScAlMgO₄(0001)基板上(In)GaNエピタキシャル層の作製と評価

^○（D）尾崎拓也，船戸充，川上養一 (京大院工)

10:45 〜 11:00

[18a-C5-9] COガスを用いたSi表面炭化により形成したSiC層の微細構造評価

^○出浦桃子¹，大野裕¹，福山博之²，米永一郎¹ (東北大金研¹，東北大多元研²)

11:00 〜 11:15

[18a-C5-10] MOCVDによる4インチSi(110)基板上へのGaN成長 ‐薄いAlN/GaN超格子中間層の周期数の影響‐

^○沈旭強，高橋言緒，井手利英，清水三聡 (産総研)

11:15 〜 11:30

△ [18a-C5-11] サファイア基板の窒化によるAlNの結晶性改善とAlGaN量子井戸の発光強度の向上

^○柴岡真実，船戸充，川上養一 (京大院工)

11:30 〜 11:45

△ [18a-C5-12] CLマッピング測定を用いたAlGaN系半導体における支配的な非輻射再結合経路の直接観察

^○（D）市川修平¹，船戸充¹，岩﨑洋介²，川上養一¹ (京大院工¹，JFEミネラル²)

11:45 〜 12:00

[18a-C5-13] m面GaN基板上に成長したAl_1-xIn_xNエピタキシャル薄膜の偏光特性

^○小島一信¹，池田宏隆²，藤戸健史²，秩父重英¹ (東北大多元研¹，三菱化学²)

12:00 〜 12:15

[18a-C5-14] 自立GaN基板上m面Al_1-xIn_xNエピタキシャル薄膜の発光特性(II)

^○秩父重英¹，石川陽一¹，大友友美¹，古澤健太郎¹，池田宏隆²，藤戸健史² (東北大多元研¹，三菱化学²)

12:15 〜 12:30

[18a-C5-15] 高Al組成p-AlGaN層のMgドーピング特性

^○奥村宏典，谷保芳孝，山本秀樹 (NTT物性基礎研)

一般セッション(口頭講演)

[18p-C5-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

2014年9月18日(木) 13:30 〜 19:15 C5 (オープンホール)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

昼食12:30～13:30 （12:30 〜 13:30）

13:30 〜 14:00

[18p-C5-1] 「応用物理学会優秀論文賞受賞記念講演」（30分）
Performance and Reliability of Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on AlN Substrates Prepared by Hydride Vapor Phase Epitaxy

^○木下亨^1,2，小幡俊之¹，永島徹¹，柳裕之¹，Baxter Moody³，三田清二³，井上振一郎^2,4，熊谷義直⁵，纐纈明伯⁵，Zlatko Sitar^3,6 (トクヤマ¹，神戸大²，HexaTech³，情通機構⁴，農工大⁵，ノースカロライナ大⁶)

14:00 〜 14:15

[18p-C5-2] GaN/AlN/GaNフォトカソードにおけるAlN成長温度依存

^○中村亮裕¹，藤井克司²，杉山正和¹，中野義昭¹ (東大院工¹，GS+I²)

14:15 〜 14:30

[18p-C5-3] 高キャリア濃度Siドープn型Al_0.03Ga_0.97N上のAg電極を用いた高反射電極の検討

^○河合俊介¹，飯田大輔¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山智¹，赤﨑勇^1,2 (名城大理工¹，名大赤﨑研究記念センター²)

14:30 〜 14:45

▲ [18p-C5-4] High light-extraction efficiency induced by evanescent wave coupling effect in GaN-based light-emitting diodes

^○（P）Guodong Hao¹，Ahmed Mohammed Jahir¹，Tokio Takahashi¹，Mitsuaki Shimizu¹，Xue-Lun Wang¹，Hiroyuki Kishi²，Yukiko Hayashi²，Keigo Takeguchi² (AIST¹，Asahi Kasei Corp.²)

14:45 〜 15:00

[18p-C5-5] ZnO透明電極を用いたGaN系LEDの特性改善

^○赤塚雄太，江川孝志，三好実人 (名古屋工大)

15:00 〜 15:15

[18p-C5-6] III族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流狭窄構造の低抵抗化

^○井野匡貴¹，南川大智¹，竹内哲也¹，上山智¹，岩谷素顕¹，赤﨑勇^1,2 (名城大理工¹，名大赤崎記念センター²)

15:15 〜 15:30

[18p-C5-7] 窒化物半導体発光トランジスタの高速光出力変調

^○熊倉一英，山本秀樹 (NTT物性研)

休憩15:30～15:45 （15:30 〜 15:45）

15:45 〜 16:15

[18p-C5-8] 「応用物理学会優秀論文賞受賞記念講演」（30分）
Remarkably Suppressed Luminescence Inhomogeneity in a (0001) InGaN Green Laser Structure

^○船戸充¹，金潤碩¹，平貴之¹，金田昭男¹，川上養一¹，三好隆²，長濱慎一² (京大¹，日亜化学²)

16:15 〜 16:30

△ [18p-C5-9] 変調分光法によるInGaN/GaN LEDの内部電界の観測

^○谷川智之^1,2，片山竜二^1,2，正直花奈子¹，窪谷茂幸¹，松岡隆志^1,2，本田善央³，天野浩^3,4 (東北大金研¹，JST-CREST²，名大院工³，赤﨑記念研究センター⁴)

16:30 〜 16:45

[18p-C5-10] 水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法で作製したInGaN/GaN量子井戸ナノ構造の光学特性評価

^○蜂屋諒¹，喜多諒¹，菊池昭彦^1,2 (上智大理工¹，上智大ナノテクセンター²)

16:45 〜 17:00

[18p-C5-11] 水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法によるGaNナノ構造作製とその熱力学的解析

^○喜多諒¹，蜂屋諒¹，菊池昭彦^1,2 (上智大理工¹，上智大ナノテクノロジー研究センター²)

17:00 〜 17:15

[18p-C5-12] 分子動力学法による窒化物半導体の超格子構造の格子歪み解析

^○（M2）雨川将大¹，吉村善徳¹，河村貴宏¹，鈴木泰之¹，寒川義裕²，柿本浩一² (三重大院工¹，九大応力研²)

17:15 〜 17:30

[18p-C5-13] AlN半極性面における表面再構成およびAl原子の吸着脱離に関する理論的検討

^○竹本圭孝，秋山亨，中村浩次，伊藤智徳 (三重大院工)

17:30 〜 17:45

[18p-C5-14] GaNテンプレート基板とSi基板の常温ウェハ接合

^○土山和晃¹，田原浩行¹，山根啓補¹，関口寛人¹，岡田浩^1,2，若原昭浩¹ (豊技大工¹，EIIRIS²)

休憩17:45～18:00 （17:45 〜 18:00）

18:00 〜 18:15

[18p-C5-15] GaN成長表面におけるC-N結合エネルギーの第一原理計算

^○河村貴宏^1,2，今林弘毅²，丸山美帆子²，今出完²，吉村政志²，森勇介²，森川良忠² (三重大院工¹，阪大院工²)

18:15 〜 18:30

[18p-C5-16] Naフラックス法による半極性面透明GaNバルク結晶育成

^○中村亘志¹，高澤秀生¹，丸山美帆子¹，今出完¹，吉村政志¹，崔成伯^1,2，森田幸弘^1,2，森勇介¹ (阪大院工¹，パナソニック²)

18:30 〜 18:45

[18p-C5-17] Ga-Alフラックスを用いた液相成長法による低酸素分圧下でのAl極性AlN膜の作製

^○（M1）関谷竜太¹，安達正芳¹，大塚誠¹，杉山正史²，飯田潤二²，福山博之¹ (東北大多元研¹，住友金属鉱山²)

18:45 〜 19:00

[18p-C5-18] 酸性アモノサーマル法による高品位GaN高速育成

^○斉藤真^1,2，包全喜^1,3，栗本浩平^1,3，冨田大輔¹，小島一信¹，山崎芳樹¹，鏡谷勇二²，茅野林造³，喬焜¹，石黒徹¹，横山千昭¹，秩父重英¹ (東北大多元研¹，三菱化学²，日本製鋼所³)

19:00 〜 19:15

△ [18p-C5-19] メサ加工テンプレート基板を用いた電流制御型液相成長によるGaN横方向成長

^○高倉宏幸，冨田将史，神林大介，岩川宗樹，水野陽介，山田純平，安井亮太，丸山隆浩，成塚重弥 (名城大)

一般セッション(ポスター講演)

[19p-PB6-1~26] 15.4 III-V族窒化物結晶

2014年9月19日(金) 16:00 〜 18:00 PB6 (第2体育館)

ポスター掲示時間16:00～18:00(PB6会場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

16:00 〜 18:00

[19p-PB6-1] 物性値変化を考慮したアモノサーマル法によるGaNバルク単結晶育成時の熱流体解析

^○増田善雄¹，金久保光央¹，冨田大輔²，横山千昭² (産総研¹，東北大多元研²)

16:00 〜 18:00

△ [19p-PB6-2] Naフラックス法におけるポイントシード上結合結晶の膜厚と反りの関係

^○今西正幸，轟夕摩，村上航介，今林弘毅，松尾大輔，高澤秀生，丸山美帆子，今出完，吉村政志，森勇介 (阪大院工)

16:00 〜 18:00

[19p-PB6-3] r面サファイア基板上におけるa面GaN成長に関する検討

^○加藤貴久¹，水野尚之¹，伊藤弘晃¹，飯田大輔²，藤井高志³，福田承生⁴，上山智¹，竹内哲也¹，岩谷素顕¹，赤﨑勇^1,5 (名城大理工¹，東京理大²，立命館大³，福田結晶技術⁴，名大・赤﨑記念研究センター⁵)

16:00 〜 18:00

[19p-PB6-4] SiNマスクによるGaN選択成長における成長前プロセスの検討

^○シンマン¹，萱沼怜¹，武井優典¹，高橋言緒³，井手利英³，清水三聡³，筒井一生¹，角嶋邦之¹，若林整¹，片岡好則²，岩井洋² (東工大総理工¹，東工大フロンティア研²，産総研³)

16:00 〜 18:00

[19p-PB6-5] RF-MBE法を用いたGaN成長が疑似Al基板に与える影響

^○（M2）大澤真弥¹，渡邉悠斗¹，尾沼猛儀^1,2，山口智広¹，本田徹¹ (工学院大¹，東京高専²)

16:00 〜 18:00

[19p-PB6-6] 疑似Al基板上GaN薄膜のフォトルミネッセンス評価

^○渡邉悠斗¹，大澤真弥¹，尾沼猛儀^1,2，山口智広¹，本田徹¹ (工学院大¹，東京高専²)

16:00 〜 18:00

▼ [19p-PB6-7] Study on Homo-Epitaxial Growth of GaN by Radical-Enhanced Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (REMOCVD)

^○（P）盧翌，小田修，近藤博基，石川健治，関根誠，堀勝 (名大院工)

16:00 〜 18:00

[19p-PB6-8] 3Dプリンターを用いた流速支援GaN液相成長用ボートの設計

^○岩川宗樹，高倉宏幸，冨田将史，神林大介，安井亮太，水野陽介，山田純平，丸山隆浩，成塚重弥 (名城大理工)

16:00 〜 18:00

[19p-PB6-9] RF-MBE法によるr面サファイア基板上へのa面InN成長

^○前田理也，畑泰希，山崎隆弘，山根悠介，牧本俊樹 (早大理工)

16:00 〜 18:00

[19p-PB6-10] 金属マスクを用いた昇華法AlNの選択成長

^○袴田涼馬¹，本田善央¹，天野浩^1,2 (名大院工¹，赤崎記念研究センター²)

16:00 〜 18:00

[19p-PB6-11] InGaN系発光ダイオードにおける発光層直下の超格子の周期が光学的特性に与える影響

^○岡田成仁，山田陽一，只友一行 (山口大院理工)

16:00 〜 18:00

[19p-PB6-12] InGaN系発光ダイオードにおける発光層直下の超格子が電気的特性に与える影響

^○岡田成仁，山田陽一，只友一行 (山口大院理工)

16:00 〜 18:00

[19p-PB6-13] InGaN量子井戸構造における輻射・非輻射再結合ダイナミクスのIn組成比依存性

^○平生英之，乾隆登，田中勇介，倉井聡，岡田成仁，只友一行，山田陽一 (山口大院・理工)

16:00 〜 18:00

[19p-PB6-14] InGaN量子井戸構造における暗点近傍の微視的発光分布

^○細川大介，立山裕基，三原練磨，藤井翔，倉井聡，岡田成仁，只友一行，山田陽一 (山口大院理工)

16:00 〜 18:00

[19p-PB6-15] 加圧MOVPE法を用いた半極性面上 InGaN/GaN 多重量子井戸の成長

^○田村彰^1,2，本田善央^1,2，天野浩^1,2 (名大院工¹，赤崎記念研究センター²)

16:00 〜 18:00

[19p-PB6-16] Eu添加GaNを用いた選択成長によって形成した半極性面上におけるInGaN/GaN多重量子井戸の発光特性

^○児島貴徳¹，高野翔太¹，長谷川亮介¹，Dolf Timmerman¹，小泉淳¹，船戸充²，川上養一²，藤原康文¹ (阪大院工¹，京大院工²)

16:00 〜 18:00

[19p-PB6-17] AlGaN系量子井戸構造の高温PLE測定

^○福野智規¹，中村豪仁¹，和泉平¹，倉井聡¹，三宅秀人²，平松和政²，山田陽一¹ (山口大院理工¹，三重大院工²)

16:00 〜 18:00

[19p-PB6-18] AlGaN混晶薄膜の高温PLE測定

^○中尾文哉¹，長坂智幸¹，鶴丸拓斗¹，倉井聡¹，三宅秀人²，平松和政²，山田陽一¹ (山口大院理工¹，三重大院工²)

16:00 〜 18:00

[19p-PB6-19] Si濃度の異なるAl_0.61Ga_0.39N混晶薄膜のカソードルミネッセンス法による局所スペクトル評価

^○倉井聡¹，三宅秀人²，平松和政²，山田陽一¹ (山口大院理工¹，三重大院工²)

16:00 〜 18:00

[19p-PB6-20] 低温AlNスペーサを用いたInAlN/GaNヘテロ構造の特性改善

^○（M2）伊藤達也，渡邉新，井上恵太，江川孝志 (名工大院)

16:00 〜 18:00

[19p-PB6-21] AlGaN系UVC LEDへの透明p-AlGaN超格子ホール横拡散層の導入

^○前田哲利，定昌史，平山秀樹 (理研)

16:00 〜 18:00

[19p-PB6-22] III-V族窒化物太陽電池特性のp-GaN 層Mg dopingと InGaN層のキャリア密度依存性

^○角谷正友^1,2，本田徹³，Liwen Sang¹，中野由崇⁴，長谷川文夫⁴ (物材機構¹，JST-ALCA²，工学院大³，中部大⁴)

16:00 〜 18:00

▲ [19p-PB6-23] Detail Study on Lattice Deformation and Recovery of GaN by Mg-ion-implantation and the Subsequent Thermal Annealing

^○（DC）孫政¹，マークオールソン¹，呂迪¹，永山勉³，渡邊哲也⁴，本田善央¹，天野浩^1,2 (Nagoya Univ.¹，Akasaki Research Center²，Nissin Ion Equipment Co., Ltd.³，Nissin Electric Co., Ltd.⁴)

16:00 〜 18:00

[19p-PB6-24] 逆バイアス下光電流測定によるSRHモデル修正

^○宇佐美茂佳¹，本田善央¹，天野浩^1,2 (名大院工¹，赤﨑記念研究センター²)

16:00 〜 18:00

▲ [19p-PB6-25] Realization of vertically well-aligned GaN nanowire based core-shell array growth by MOVPE : Morphology evolution and luminescent properties

^○（D）Byungoh Jung¹，Si-Young Bae¹，Masataka Imura²，Yoshio Honda¹，Hiroshi Amano¹ (名大¹，物材機構²)

16:00 〜 18:00

[19p-PB6-26] 混晶半導体の電子状態に対する新しい計算法：IQB

^○篠塚雄三 (和歌山大シス工)

一般セッション(口頭講演)

[20a-C5-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

2014年9月20日(土) 08:30 〜 12:00 C5 (オープンホール)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

08:30 〜 09:00

[20a-C5-1] 「応用物理学会優秀論文賞受賞記念講演」（30分）
Photoluminescence Excitation Spectroscopy on Single GaN Quantum Dots

Pawel Podemski^1,2，^○Mark Holmes¹，加古敏¹，有田宗貴¹，荒川泰彦¹ (東大¹，ヴロツワフ工科大²)

09:00 〜 09:15

[20a-C5-2] Al_xGa_1-x(x < 0.25)薄膜中における局在中心の構造・光学評価

^○壹岐太一¹，有田宗貴²，加古敏¹，荒川泰彦^1,2 (東大生産研¹，東大ナノ量子機構²)

09:15 〜 09:30

[20a-C5-3] Al_xGa_1-xN(x<0.25)薄膜中局在中心からの狭いPL発光線幅[40 μeV]の観測

^○有田宗貴¹，壹岐太一²，加古敏²，荒川泰彦^1,2 (東大ナノ量子機構¹，東大生研²)

09:30 〜 09:45

△ [20a-C5-4] InGaNナノコラムにおける発光寿命のコラム直径依存性

^○水野祐太郎^1,2，大音隆男^1,2，加納達也^1,2，宮川倫^1,2，吉田純^1,2，岸野克巳^1,2 (上智大理工¹，上智ナノテク²)

09:45 〜 10:00

[20a-C5-5] InGaN系ナノコラムにおける面内発光分布とキャリアダイナミクス

^○大音隆男^1,2，水野祐太郎^1,2，宮川倫^1,2，加納達也^1,2，吉田純^1,2，船戸充³，川上養一³，岸野克巳^1,2 (上智大理工¹，上智大ナノテク²，京大院工³)

休憩10:00～10:15 （10:00 〜 10:15）

10:15 〜 10:30

[20a-C5-6] InGaN/GaN 規則配列ナノコラムの光励起キャリアダイナミクス I

^○下迫直樹¹，猪瀬裕太¹，江馬一弘^1,2，岸野克巳^1,2 (上智大理工¹，上智大ナノテク²)

10:30 〜 10:45

[20a-C5-7] InGaN/GaN規則配列ナノコラムの光励起キャリアダイナミクス II

^○（PC）猪瀬裕太¹，下迫直樹¹，江馬一弘^1,2，岸野克巳^1,2 (上智大理工¹，上智ナノテク²)

10:45 〜 11:00

[20a-C5-8] InGaN系ナノコラムフォトニック結晶における自己形成型キャップレイヤモード

^○澄川雄樹¹，石沢峻介¹，岸野克巳^1,2 (上智大理工¹，上智ナノテク²)

11:00 〜 11:15

[20a-C5-9] ナノコラムフォトニック結晶のレーザー応用に向けたPL放射特性の評価

^○（PC）石沢峻介¹，澄川雄樹¹，本山界¹，岸野克巳^1,2 (上智大理工¹，上智大ナノテク²)

11:15 〜 11:30

△ [20a-C5-10] (001)Si基板上半極性面InGaN光共振器の誘導放出特性

^○久志本真希¹，本田善央¹，天野浩^1,2 (名大院工¹，赤崎研究センター²)

11:30 〜 11:45

△ [20a-C5-11] SNOMを用いた(0001)GaN基板上InGaN単一量子井戸におけるキャリアダイナミクス評価

^○平貴之¹，船戸充¹，川上養一¹，三好隆²，長濱慎一² (京大院工¹，日亜化学²)

11:45 〜 12:00

[20a-C5-12] InGaN量子井戸構造における非輻射再結合寿命と内部量子効率の励起エネルギー密度依存性

^○室谷英彰¹，杉浦藤虎¹，山田陽一²，本田善央³，天野浩³ (豊田高専¹，山口大院理工²，名大院工³)

一般セッション(口頭講演)

[20p-C5-1~8] 15.4 III-V族窒化物結晶

2014年9月20日(土) 13:00 〜 15:00 C5 (オープンホール)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

昼食12:00～13:00 （12:00 〜 13:00）

13:00 〜 13:15

[20p-C5-1] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
半極性(11\overline{2}2)InGaN/AlGaN応力補償超格子の光学特性

^○西中淳一，船戸充，川上養一 (京大院工)

13:15 〜 13:30

[20p-C5-2] MOVPE成長高In組成InGaN量子井戸構造の励起子緩和過程

^○長澤和輝，宮島顕祐，大川和宏 (東理大院理)

13:30 〜 13:45

[20p-C5-3] GaN におけるキャリア・励起子エネルギー緩和過程

^○馬蓓¹，山口裕暉¹，高橋賢治¹，後藤圭¹，竹内和真¹，岩堀友洋¹，森田健¹，石谷善博¹，三宅秀人²，平松和政² (千葉大工¹，三重大工²)

13:45 〜 14:00

[20p-C5-4] AlO_x/AlN/GaNヘテロ構造の発光特性

^○尾沼猛儀^1-3，杉浦洋平^2,3，山口智広²，本田徹²，東脇正高³ (東京高専¹，工学院大²，情通機構³)

14:00 〜 14:15

[20p-C5-5] EuドープAlGaNへのMg共添加による影響

^○金本匡祥¹，関口寛人¹，酒井優²，東海林篤²，岡田浩¹，若原昭浩¹ (豊橋技科大工¹，山梨大院医工²)

14:15 〜 14:30

[20p-C5-6] Exciton-phonon interaction in AlGaN ternary alloys

^○Ryan Banal，谷保芳孝，山本秀樹 (NTT物性研)

14:30 〜 14:45

[20p-C5-7] 混晶組成変調によるSi添加AlGaN多重量子井戸の発光効率向上

^○山崎芳樹¹，古澤健太郎¹，小島一信¹，中濵和大²，三宅秀人²，平松和政²，秩父重英¹ (東北大多元研¹，三重大院工²)

14:45 〜 15:00

△ [20p-C5-8] 顕微PL測定によるホモエピタキシャルAlGaN/AlN量子井戸におけるLOフォノンレプリカの観測

^○（D）岩田佳也，市川修平，船戸充，川上養一 (京大院工)

セッション一覧

15．結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[17a-C5-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [17a-C5-7] PAMBE法によるAlN/GaN多層構造作製における極薄GaN層の成長制御性に関する検討

△ [17a-C5-8] 規則配列GaNナノコラムの細線化～コラム径34 nmのナノコラムの実現～

[17p-C5-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [17p-C5-10] 多元溶媒窒化法を用いた単結晶AlNウィスカーの合成

△ [17p-C5-11] AlN溶液成長における化学平衡計算を用いた実験条件の決定

△ [17p-C5-14] 反応性スパッタ法によるGaN薄膜のエピタキシャル成長

[18a-C5-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [18a-C5-2] GaInN/GaNヘテロ接合における格子緩和の評価

△ [18a-C5-3] 高InNモル分率GaInNを用いたトンネル接合（2）

△ [18a-C5-4] サファイア基板上MOVPE成長N極性面(000\overline{1})InGaNを用いた赤・緑・青色発光ダイオードの作製

△ [18a-C5-8] 有機金属気相成長法によるScAlMgO4(0001)基板上(In)GaNエピタキシャル層の作製と評価

△ [18a-C5-11] サファイア基板の窒化によるAlNの結晶性改善とAlGaN量子井戸の発光強度の向上

△ [18a-C5-12] CLマッピング測定を用いたAlGaN系半導体における支配的な非輻射再結合経路の直接観察

[18p-C5-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

▲ [18p-C5-4] High light-extraction efficiency induced by evanescent wave coupling effect in GaN-based light-emitting diodes

△ [18p-C5-9] 変調分光法によるInGaN/GaN LEDの内部電界の観測

△ [18p-C5-19] メサ加工テンプレート基板を用いた電流制御型液相成長によるGaN横方向成長

[19p-PB6-1~26] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [19p-PB6-2] Naフラックス法におけるポイントシード上結合結晶の膜厚と反りの関係

▼ [19p-PB6-7] Study on Homo-Epitaxial Growth of GaN by Radical-Enhanced Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (REMOCVD)

▲ [19p-PB6-23] Detail Study on Lattice Deformation and Recovery of GaN by Mg-ion-implantation and the Subsequent Thermal Annealing

▲ [19p-PB6-25] Realization of vertically well-aligned GaN nanowire based core-shell array growth by MOVPE : Morphology evolution and luminescent properties

[20a-C5-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [20a-C5-4] InGaNナノコラムにおける発光寿命のコラム直径依存性

△ [20a-C5-10] (001)Si基板上半極性面InGaN光共振器の誘導放出特性

△ [20a-C5-11] SNOMを用いた(0001)GaN基板上InGaN単一量子井戸におけるキャリアダイナミクス評価

[20p-C5-1~8] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [20p-C5-8] 顕微PL測定によるホモエピタキシャルAlGaN/AlN量子井戸におけるLOフォノンレプリカの観測

△ [18a-C5-8] 有機金属気相成長法によるScAlMgO₄(0001)基板上(In)GaNエピタキシャル層の作製と評価