一般セッション(口頭講演)

[18a-D8-1~12] 13.2 絶縁膜技術

2014年3月18日(火) 09:00 〜 12:15 D8 (D215)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

△ [18a-D8-1] 光電子制御プラズマCVDによるゲートスタック用DLCの誘電率制御：Low-kからHigh-kまで

^○（M1）林広幸¹，鷹林将²，楊猛¹，小川修一¹，尾辻泰一²，高桑雄二¹ (東北大多元研¹，東北大通研²)

09:15 〜 09:30

△ [18a-D8-2] 微小角入射X線小角散乱及び広角散乱によるSiO₂薄膜中の短距離秩序性の評価

^○永田晃基^1,4，徳武寛紀¹，長坂将也¹，小椋厚志¹，廣沢一郎²，諏訪智之³，寺本章伸³，服部健雄³，大見忠弘³ (明大理工¹，高輝度光科学研究センター²，東北大³，学振特別研究員⁴)

09:30 〜 09:45

[18a-D8-3] 混合させたシリコーンオイルとオゾンガスを用いた酸化シリコン膜の低温形成

^○伊藤拓也，西岡賢祐 (宮崎大工)

09:45 〜 10:00

△ [18a-D8-4] 共鳴核反応法を用いた水素分布測定および水素による絶縁膜劣化機構の詳細解析

^○東悠介¹，高石理一郎¹，鈴木正道¹，加藤弘一¹，富田充裕¹，三谷祐一郎¹，松本益明²，小倉正平²，福谷克之² (東芝研開セ¹，東大生産研²)

10:00 〜 10:15

[18a-D8-5] SiO₂, Si₃N₄, Si中の窒化種（NH_x）の拡散と反応

^○中崎靖¹，平野泉¹，宮田正靖¹，加藤弘一¹，三谷祐一郎¹，山下寛樹²，赤堀浩史² (東芝研開セ¹，東芝S&S社²)

10:15 〜 10:30

▲ [18a-D8-6] Effects of biaxially-tensile strain on properties of Si/SiO2 interface states generated by electrical stress

^○蔡偉立^1,2，竹中充^1,2，高木信一^1,2 (東大院工¹，JST CREST²)

休憩 10:30〜10:45 （10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

[18a-D8-7] SiN膜組成に依存したMONOS型メモリのデータ保持劣化メカニズム解明

^○藤井章輔，安田直樹 (東芝)

11:00 〜 11:15

△ [18a-D8-8] MONOS型メモリの消去速度と保持特性を両立するためのSiN膜設計指針

^○藤井章輔，安田直樹 (東芝)

11:15 〜 11:30

[18a-D8-9] シリコン窒化膜の紫外光誘起電流に対する金属電極の仕事関数の影響

^○（M1）鈴木亜嵐，小林清輝 (東海大院工)

11:30 〜 11:45

[18a-D8-10] Al/Al₂O₃/Al-rich Al-O/SiO₂/p-Siゲート構造メモリの高温保持特性評価

^○尾崎槙哉¹，川江健²，森本章治² (金沢大院自然¹，金沢大理工²)

11:45 〜 12:00

▲ [18a-D8-11] Effects of Annealing Ambient on the Electrical Properties of HfN Gate Insulator Formed by ECR Plasma Sputtering

^○（M2）Nithi Atthi，韓大熙，大見俊一郎 (Tokyo Inst. Tech.)

12:00 〜 12:15

[18a-D8-12] High-k/SiO₂界面のダイポール層形成メカニズムの考察－多重極子誘起酸素移動モデルの提案－

^○志村昂亮¹，栗山亮¹，橋口誠広¹，高橋隆介¹，小椋厚志^3,5，佐藤真一^4,5，渡邉孝信^1,2,5 (早大理工¹，早大ナノ機構²，明大理工³，兵庫県立大⁴，ＪＳＴ－ＣＲＥＳＴ⁵)

一般セッション(口頭講演)

[18p-D8-1~15] 13.2 絶縁膜技術

2014年3月18日(火) 13:30 〜 17:30 D8 (D215)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食 12:15〜13:30 （12:15 〜 13:30）

13:30 〜 13:45

[18p-D8-1] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）High-k/Geゲートスタック界面特性向上に向けたゲート電極形成後熱処理条件の検討

^○田中亮平¹，秀島伊織¹，箕浦佑也¹，吉越章隆²，寺岡有殿²，細井卓治¹，志村考功¹，渡部平司¹ (阪大院工¹，原子力機構²)

13:45 〜 14:00

△ [18p-D8-2] Geゲートスタック形成のための酸素中性粒子ビームを用いたAl/Ge同時酸化プロセス

^○中山大樹¹，大野武雄²，北城雅基¹，寒川誠二^1,2 (東北大流体研¹，東北大WPI²)

14:00 〜 14:15

[18p-D8-3] Al2O3/Ge形成後のプラズマ酸化によるゲートスタックの低温形成

^○永冨雄太¹，長岡裕一¹，山本圭介²，王冬¹，中島寛² (九大・院総合理工学府¹，九大・産学連携センター²)

14:15 〜 14:30

△ [18p-D8-4] ルチル型TiO₂界面層を用いたHfO₂/Ge界面構造制御

^○小橋和義^1,2，長田貴弘²，生田目俊秀²，山下良之²，小椋厚志¹，知京豊裕² (明大理工¹，物材機構²)

14:30 〜 14:45

[18p-D8-5] Kr/O₂プラズマ酸化法を用いたGeO₂/Ge構造の作成及び評価

^○中谷友哉，山口まりな，岩崎好考，上野智雄 (東京農工大・工)

14:45 〜 15:00

△ [18p-D8-6] 酸化プロセスにおけるゲート絶縁膜/Ge界面の界面準位密度を決定づける物理的要因

^○柴山茂久^1,2，加藤公彦¹，坂下満男¹，竹内和歌奈¹，田岡紀之¹，中塚理¹，財満鎭明¹ (名大院工¹，学振特別研究員²)

15:00 〜 15:15

[18p-D8-7] 容量値の時間応答を利用したGe MOS界面における遅い準位の定量的評価

^○田中克久^1,2，張睿^1,2，竹中充^1,2，高木信一^1,2 (東大工¹，JST-CREST²)

15:15 〜 15:30

△ [18p-D8-8] プラズマ後窒化によるAl2O3/SiGe MOS界面改善のGe組成依存性

^○（M2）韓在勲^1,2，張睿^1,2，長田剛規³，畑雅彦³，竹中充^1,2，高木信一^1,2 (東大院工¹，JST-CREST²，住友化学³)

休憩 15:30〜15:45 （15:30 〜 15:45）

15:45 〜 16:00

△ [18p-D8-9] GaN (0001) 表面におけるトリメチルアルミニウム分子吸着の理論的研究

^○近田旬佑，高尾将和，本多敦史，檜貝信一，白露幸祐，藤井高志 (村田製作所)

16:00 〜 16:15

△ [18p-D8-10] 熱酸化におけるGe(001)基板上Ge_1-xSn_x層の表面Sn析出に対する熱安定性

^○加藤公彦，浅野孝典，田岡紀之，坂下満男，中塚理，財満鎭明 (名大院工)

16:15 〜 16:30

△ [18p-D8-11] Al₂O₃/GaSb MOS界面構造における絶縁膜堆積前処理の検討

^○（M1）後藤高寛^1,2，藤川紗千恵¹，藤代博記¹，小倉睦郎²，安田哲二²，前田辰郎² (東理大院基礎工¹，産総研²)

16:30 〜 16:45

[18p-D8-12] La₂O₃/InGaAs界面ラフネスに及ぼすALDプロセスの影響

^○大嶺洋¹，ダリューシュハサンザデ¹，角嶋邦之²，西山彰²，杉井信之²，片岡好則²，若林整²，筒井一生²，名取研二¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア研¹，東工大院総合理工²)

16:45 〜 17:00

▲ [18p-D8-13] Ga₂O₃ and Al₂O₃ hybrid passivation for improving of HfO₂/InGaAs MIS characteristics

^○Wipakorn Jevasuwan，Tatsuro Maeda，Noriyuki Miyata，Minuro Oda，Toshifumi Irisawa，Tsutomu Tezuka，Tetsuji Yasuda (産総研)

17:00 〜 17:15

△ [18p-D8-14] 低界面準位とsub-nm CETを有するLa₂O₃/In_0.53Ga_0.47Asゲートスタックの実現

^○（PC）ダリューシュハサンザデ¹，大嶺洋¹，角嶋邦之²，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，若林整²，筒井一生²，名取研二¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²)

17:15 〜 17:30

△ [18p-D8-15] HfO₂成膜前アニールにより形成したGaO_xパッシベーション層形成によるSub-1.0 nm EOT HfO₂/In_0.53Ga_0.47As nMISFETの電子移動度向上

^○小田穣¹，入沢寿史¹，上牟田雄一¹，JevasuwanWipakorn¹，前田辰郎¹，市川磨²，石原敏雄²，長田剛規²，手塚勉¹ (産総研GNC¹，住友化学²)

一般セッション(ポスター講演)

[19p-PG2-1~12] 13.2 絶縁膜技術

2014年3月19日(水) 16:00 〜 18:00 PG2 (G棟2階)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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16:00 〜 18:00

[19p-PG2-1] 酸素プラズマ処理によるシリコン表面パッシベーション

^○（M2）野手智仁，吉冨真也，古川潤，阿部博史，蓮見真彦，鮫島俊之 (東京農工大工)

16:00 〜 18:00

[19p-PG2-2] シリコン欠損を有するSiN_x膜中へのH₂O, HBr分子の透過

^○奥友希，志賀俊彦，戸塚正裕，竹見政義 (三菱電機波光電)

16:00 〜 18:00

[19p-PG2-3] シリコン表面の酸化膜密度分布

^○（M2）土井修平，林真理子，蓮沼隆，山部紀久夫 (筑波大)

16:00 〜 18:00

[19p-PG2-4] 極薄アモルファス及び多結晶HfO₂膜の信頼性評価

^○戸村有佑¹，蓮沼隆¹，山部紀久夫¹，右田真司² (筑波大院¹，産総研²)

16:00 〜 18:00

[19p-PG2-5] Si(110),(111)基盤上で熱処理による界面反応で形成したLa-silicateゲート絶縁膜の物理的理解に関する研究

^○関拓也¹，角嶋邦之²，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，若林整²，筒井一生²，名取研二¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²)

16:00 〜 18:00

[19p-PG2-6] ALD法によるAlジャーマネイト絶縁層を用いたGe-MIS構造における界面近傍トラップのDLTS評価

^○成田英史¹，福田幸夫²，王谷洋平²，梁池昂生²，花田毅広²，石崎博基²，岡本浩¹ (弘前大¹，諏訪東理大²)

16:00 〜 18:00

[19p-PG2-7] 極薄AlOx層挿入によるHigh-k/Ge界面反応制御機構の解析

^○小川慎吾^1,2，川崎直彦¹，木村耕輔¹，田中亮平²，箕浦佑也²，細井卓治²，志村考功²，渡部平司² (TRC¹，阪大院工²)

16:00 〜 18:00

[19p-PG2-8] CVD法によるGe酸化膜の作製と評価

^○（M1）松岡悠斗，岩崎好考，上野智雄 (東京農工大)

16:00 〜 18:00

[19p-PG2-9] マイクロ波生成酸素ラジカル照射によるGe表面の酸化

^○梁池昂生¹，原田力維¹，柳炳學¹，関渓太²，石崎博基¹，王谷洋平¹，佐藤哲也²，福田幸夫¹ (諏訪東京理科大¹，山梨大²)

16:00 〜 18:00

[19p-PG2-10] 反応性RFスパッター法によるp-Ge基板上へのGeO₂薄膜形成

^○柳炳學¹，関渓太²，菊地泰斗¹，梁池昂生¹，石崎博基¹，王谷洋平¹，佐藤哲也²，福田幸夫¹ (諏訪東京理科大¹，山梨大²)

16:00 〜 18:00

[19p-PG2-11] 容量―電圧特性から推定したhigh-k/InGaAs MOS キャパシタの酸化膜トラップ分布

^○竇春萌¹，角嶋邦之²，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，若林整²，筒井一生¹，名取研二¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア研究機構¹，東工大総合理工学研究科²)

16:00 〜 18:00

[19p-PG2-12] ALD-Al₂O₃/InGaAs界面への金属添加の効果

^○吉田俊幸 (島根大総理工)

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[18a-D8-1~12] 13.2 絶縁膜技術

△ [18a-D8-1] 光電子制御プラズマCVDによるゲートスタック用DLCの誘電率制御：Low-kからHigh-kまで

△ [18a-D8-2] 微小角入射X線小角散乱及び広角散乱によるSiO2薄膜中の短距離秩序性の評価

△ [18a-D8-4] 共鳴核反応法を用いた水素分布測定および水素による絶縁膜劣化機構の詳細解析

▲ [18a-D8-6] Effects of biaxially-tensile strain on properties of Si/SiO2 interface states generated by electrical stress

△ [18a-D8-8] MONOS型メモリの消去速度と保持特性を両立するためのSiN膜設計指針

▲ [18a-D8-11] Effects of Annealing Ambient on the Electrical Properties of HfN Gate Insulator Formed by ECR Plasma Sputtering

[18p-D8-1~15] 13.2 絶縁膜技術

△ [18p-D8-2] Geゲートスタック形成のための酸素中性粒子ビームを用いたAl/Ge同時酸化プロセス

△ [18p-D8-4] ルチル型TiO2界面層を用いたHfO2/Ge界面構造制御

△ [18p-D8-6] 酸化プロセスにおけるゲート絶縁膜/Ge界面の界面準位密度を決定づける物理的要因

△ [18p-D8-8] プラズマ後窒化によるAl2O3/SiGe MOS界面改善のGe組成依存性

△ [18p-D8-9] GaN (0001) 表面におけるトリメチルアルミニウム分子吸着の理論的研究

△ [18p-D8-10] 熱酸化におけるGe(001)基板上Ge1-xSnx層の表面Sn析出に対する熱安定性

△ [18p-D8-11] Al2O3/GaSb MOS界面構造における絶縁膜堆積前処理の検討

▲ [18p-D8-13] Ga2O3 and Al2O3 hybrid passivation for improving of HfO2/InGaAs MIS characteristics

△ [18p-D8-14] 低界面準位とsub-nm CETを有するLa2O3/In0.53Ga0.47Asゲートスタックの実現

△ [18p-D8-15] HfO2成膜前アニールにより形成したGaOxパッシベーション層形成によるSub-1.0 nm EOT HfO2/In0.53Ga0.47As nMISFETの電子移動度向上

[19p-PG2-1~12] 13.2 絶縁膜技術

△ [18a-D8-2] 微小角入射X線小角散乱及び広角散乱によるSiO₂薄膜中の短距離秩序性の評価

△ [18p-D8-4] ルチル型TiO₂界面層を用いたHfO₂/Ge界面構造制御

△ [18p-D8-10] 熱酸化におけるGe(001)基板上Ge_1-xSn_x層の表面Sn析出に対する熱安定性

△ [18p-D8-11] Al₂O₃/GaSb MOS界面構造における絶縁膜堆積前処理の検討

▲ [18p-D8-13] Ga₂O₃ and Al₂O₃ hybrid passivation for improving of HfO₂/InGaAs MIS characteristics

△ [18p-D8-14] 低界面準位とsub-nm CETを有するLa₂O₃/In_0.53Ga_0.47Asゲートスタックの実現

△ [18p-D8-15] HfO₂成膜前アニールにより形成したGaO_xパッシベーション層形成によるSub-1.0 nm EOT HfO₂/In_0.53Ga_0.47As nMISFETの電子移動度向上