一般セッション(口頭講演)
[12a-N102-1~9] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理
2021年9月12日(日) 09:00 〜 11:30 N102 (口頭)
△:奨励賞エントリー
▲:英語発表
▼:奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄:どちらもなし
09:00 〜 09:15
〇平島 伊織1、 桑畑 周司1 (1.東海大工)
09:15 〜 09:30
〇南 吏玖1、 石川 健治1、 堤 隆嘉1、 近藤 博基1、 関根 誠1、 小田 修1、 堀 勝1 (1.名大)
09:30 〜 09:45
〇(M2)吉江 泰斗1、 堤 隆嘉2、 石川 健治2、 堀 勝2 (1.名大院工、2.名大低温プラズマ科学研究センター)
09:45 〜 10:00
〇(D)Charisse Cagomoc1、 Michiro Isobe1、 Eric Hudson2、 Satoshi Hamaguchi1 (1.Osaka University、2.Lam Research Corp.)
10:15 〜 10:30
〇久山 智弘1,2、 占部 継一郎1、 江利口 浩二1 (1.京大院工、2.学振特別研究員DC)
10:30 〜 10:45
〇郷矢 崇浩1、 久山 智弘1,2、 占部 継一郎1、 江利口 浩二1 (1.京大院工、2.学振特別研究員 DC)
10:45 〜 11:00
〇平田 瑛子1,2、 深沢 正永1、 J. U. Tercero2、 伊藤 智子2、 礒部 倫郎2、 唐橋 一浩2、 浜口 智志2、 釘宮 克尚1、 萩本 賢哉1、 岩元 勇人1 (1.ソニーセミコンダクタソリューションズ(株)、2.阪大院工)
11:00 〜 11:15
〇布村 正太1、 坂田 功1、 堤 隆嘉2、 堀 勝2 (1.産総研、2.名大)
11:15 〜 11:30
〇布村 正太1、 坂田 功1、 佐藤 愛子1、 ロザック ミカエル1、 三沢 達也2、 板垣 奈穂3、 白谷 正治3 (1.産総研、2.佐賀大、3.九大)