〇(D)KMD Jayathilaka^1,2, Loku S. R. Kumara³, Shinji Kohara³, Osami Sakata³, Vassilios Kapaklis⁴, Withana Siripala², Jayanetti K. D. S. Jayanetti1¹ (1.Univ. of Colombo, 2.Univ. of Kelaniya, 3.NIMS/SPring-8, 4.Uppsala Univ.)

11:15 〜 11:30

[16a-2H-10] 太陽電池のn型バッファ層応用に向けた低温MOCVDによるGa酸化物の作製

〇滝口雄貴¹、宮島晋介¹ (1.東工大院理工)

11:30 〜 11:45

[16a-2H-11] 逆オパール構造とナノ粒子構造を有するTiO₂光電極の電子構造

〇豊田太郎^1,4、Yindeesuk Witoon¹、奥野剛史¹、秋元正哉¹、神山慶太²、早瀬修二^3,4、沈青^1,4 (1.電通大情報理工学、2.分光計器、3.九工大生命体工、4.CREST)

11:45 〜 12:00

[16a-2H-12] 酸化亜鉛を用いたペロブスカイト型光触媒の開発

〇(M1)佐々木良¹、鈴木拓¹ (1.北九大)

12:00 〜 12:15

[16a-2H-13] 液相PLA法を用いた SrTi_1−XCo_XO₃光触媒薄膜の作製及び評価

〇市原文彦¹、村田悠馬¹、小野洋¹、Cheow-Keong Choo²、田中勝己¹ (1.電通大先進理工学専攻、2.電通大国際交流センター)

セッション一覧

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[13p-2H-1~21] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [13p-2H-1] 電気化学堆積法による Cu2O/InP ヘテロ構造の形成と特性評価

△ [13p-2H-2] 非接触原子間力顕微鏡を用いたLaAlO3(100)表面の原子分解能測定

△ [13p-2H-3] TiO2(110)表面におけるsub-surface Tiサイトでの余剰電子の強い局在化

△ [13p-2H-4] ルチル型TiO2単結晶の抵抗変化特性と結晶構造変化

△ [13p-2H-5] Pt/TiO2/PtおよびAg/TiO2/Ptにおける抵抗スイッチング特性の評価

△ [13p-2H-7] エピタキシャルFe3O4-δナノドット/Si基板における抵抗スイッチング特性の成長温度依存性

△ [13p-2H-8] BaBiO3/SrRuO3ヘテロ構造におけるトポロジカルホール効果

△ [13p-2H-9] SrTiO3界面の低キャリア領域における特異的なホール効果

△ [13p-2H-10] SrxBa1-xPbO3薄膜における電気伝導特性のSr組成依存性

△ [13p-2H-11] 原子層平坦(Sr,Ba)SnO3バッファー層導入によるLa:BaSnO3薄膜の移動度の向上

△ [13p-2H-12] 5 V級正極材料Li(Ni0.5Mn1.5)O4エピタキシャル薄膜を用いた全固体リチウム電池

△ [13p-2H-13] 新概念不揮発メモリ:固体酸化物Liイオン電解質を用いた電圧記憶素子

△ [13p-2H-14] イオンゲートによるWO3薄膜の相変化とその空間分布

△ [13p-2H-15] 斜方晶系GdScO3基板に成膜したBaTiO3薄膜の相転移挙動

△ [13p-2H-16] ペロブスカイト型Ti酸化物の金属-絶縁体転移における格子歪みの効果

△ [13p-2H-17] マルチフェロイックBiFe1-xCoxO3薄膜のスピン構造変化

△ [13p-2H-18] 強相関酸化物SrVO3薄膜の金属絶縁体転移と電界効果

△ [13p-2H-20] γ-Ti3O5薄膜の超伝導

△ [13p-2H-21] Ti2O3エピタキシャル薄膜の合成と異方性伝導

[14a-2H-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[14p-2H-1~15] 6.3 酸化物エレクトロニクス

▲ [14p-2H-12] Electric-field induced transport modulation in VO2 FETs with organic parylene-C/high-k oxide hybrid gate dielectric

[14p-PA13-1~21] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[15a-2H-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[16a-2H-1~13] 6.3 酸化物エレクトロニクス

▲ [16a-2H-9] Annealing effects of the sulfur treated n-type and p-type cuprous oxide

認証

△ [13p-2H-1] 電気化学堆積法による Cu₂O/InP ヘテロ構造の形成と特性評価

△ [13p-2H-2] 非接触原子間力顕微鏡を用いたLaAlO₃(100)表面の原子分解能測定

△ [13p-2H-3] TiO₂(110)表面におけるsub-surface Tiサイトでの余剰電子の強い局在化

△ [13p-2H-4] ルチル型TiO₂単結晶の抵抗変化特性と結晶構造変化

△ [13p-2H-5] Pt/TiO₂/PtおよびAg/TiO₂/Ptにおける抵抗スイッチング特性の評価

△ [13p-2H-7] エピタキシャルFe₃O_4-δナノドット/Si基板における抵抗スイッチング特性の成長温度依存性

△ [13p-2H-8] BaBiO₃/SrRuO₃ヘテロ構造におけるトポロジカルホール効果

△ [13p-2H-9] SrTiO₃界面の低キャリア領域における特異的なホール効果

△ [13p-2H-10] Sr_xBa_1-xPbO₃薄膜における電気伝導特性のSr組成依存性

△ [13p-2H-11] 原子層平坦(Sr,Ba)SnO₃バッファー層導入によるLa:BaSnO₃薄膜の移動度の向上

△ [13p-2H-12] 5 V級正極材料Li(Ni_0.5Mn_1.5)O₄エピタキシャル薄膜を用いた全固体リチウム電池

△ [13p-2H-14] イオンゲートによるWO₃薄膜の相変化とその空間分布

△ [13p-2H-15] 斜方晶系GdScO₃基板に成膜したBaTiO₃薄膜の相転移挙動

△ [13p-2H-17] マルチフェロイックBiFe_1-xCo_xO₃薄膜のスピン構造変化

△ [13p-2H-18] 強相関酸化物SrVO₃薄膜の金属絶縁体転移と電界効果

△ [13p-2H-20] γ-Ti₃O₅薄膜の超伝導

△ [13p-2H-21] Ti₂O₃エピタキシャル薄膜の合成と異方性伝導

▲ [14p-2H-12] Electric-field induced transport modulation in VO₂ FETs with organic parylene-C/high-k oxide hybrid gate dielectric