〇Sylvain Sergent¹, Munetaka Arita¹, Satoshi Kako², Taichi Iki¹, Satoshi Iwamoto^1,², Yasuhiko Arakawa^1,² (1.Nanoquine, Univ. of Tokyo, 2.IIS, Univ. of Tokyo)

12:45 〜 13:00

[13a-B1-17] AlGaN 薄膜中における局在中心の励起子分子発光の観測

〇壹岐太一¹、有田宗貴²、加古敏^1,²、荒川泰彦^1,² (1.東大生研, 2.東大ナノ量子)

一般セッション(口頭講演)

[13p-B1-1~7] 15.4 III-V族窒化物結晶

2015年3月13日(金) 16:15 〜 18:00 B1 (6B-101)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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16:15 〜 16:30

[13p-B1-1] [講演奨励賞受賞記念講演] 位置制御GaNナノワイヤ量子ドットの巨大励起子分子束縛エネルギー

〇チェギヒョン¹、ホームズマーク¹、加古敏²、有田宗貴¹、荒川泰彦^1,² (1.東大ナノ量子機構, 2.東大生研)

16:30 〜 16:45

▲ [13p-B1-2] Momentum Space Spectroscopy of AlGaN/Air DBR Microcavities

〇Renchun Tao¹, Munetaka Arita², Satoshi Kako¹, Kenji Kamide², Yasuhiko Arakawa^1,² (1.IIS., Univ. of Tokyo, 2.NanoQuine., Univ. of Tokyo)

16:45 〜 17:00

[13p-B1-3] グラフェンを用いた窒化物ナノコラムの結晶成長

〇今野裕太¹、林宏暁¹、岸野克己¹ (1.上智大理工)

17:00 〜 17:15

△ [13p-B1-4] 水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法によるInGaN/GaN多重量子井戸ナノ構造の作製

〇水谷友哉¹、蜂屋諒¹、古橋洋樹¹、喜多諒¹、菊池昭彦^1,² (1.上智大, 2.上智ナノテクセンター)

17:15 〜 17:30

[13p-B1-5] 窒化物半導体における貫通転位近傍での原子偏析に関する理論的研究

〇坂口涼平¹、秋山亨¹、中村浩次¹、伊藤智徳¹ (1.三重大院工)

17:30 〜 17:45

[13p-B1-6] X線マイクロビームによるGaN基板上InGaN系デバイスの評価

〇横川俊哉¹、栫拓也¹、今井康彦²、木村滋² (1.山口大工, 2.JASRI)

17:45 〜 18:00

△ [13p-B1-7] Siサブ波長回折格子/SiO₂膜/LED構造を有する窒化物系偏光LED

〇高島祐介¹、田邉聖人¹、清水亮¹、原口雅宣^1,²、直井美貴^1,² (1.徳島大ATS, 2.徳島大STS)

セッション一覧

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[11a-B1-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [11a-B1-6] (InN)1/(GaN)4 短周期超格子の擬似混晶化

▲ [11a-B1-7] High indium content (InN)m/(GaN)n SPSs on relaxed InGaN templates

▲ [11a-B1-9] GaN growth on Hf foils using nearly lattice-matched HfN barriers by pulsed sputtering deposition

△ [11a-B1-12] 指向性スパッタリングAlN中間層を用いた Si(001)基板上単結晶(1013)GaN成長

[11p-B1-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [11p-B1-7] Naフラックス結合成長法で作製したGaNバルク結晶における成長初期界面の欠陥構造解析

△ [11p-B1-11] 静滴法を用いた窒化サファイア基板のGa-Al融液に対する濡れ角測定

△ [11p-B1-12] AlN溶液成長における熱力学計算を用いた成長速度の向上

△ [11p-B1-20] m面Al1-xInxN薄膜の分光エリプソメトリーによる評価

[12a-B1-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [12a-B1-2] ホモエピタキシャル成長n型GaNのホール効果測定

△ [12a-B1-8] 規則配列GaNナノコラム上InGaN単一量子井戸の発光機構

△ [12a-B1-9] 規則配列InGaN/GaNナノコラム細線化(直径35 nm)と発光特性

[12p-B1-1~23] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [12p-B1-4] 窒化a面サファイア基板上へのc面AlNの有機金属気相成長

▲ [12p-B1-6] Elimination of small-angle grain boundary in AlN grown on sapphire substrate

△ [12p-B1-10] MOVPE法によるSiC基板上の無極性面高Al組成AlGaN成長

△ [12p-B1-11] 高キャリア濃度n型AlGaNの電気的特性

△ [12p-B1-14] トンネル接合を用いたモノリシック型白色LEDの検討

△ [12p-B1-16] 加圧MOVPE法を用いた(0001)面GaN上InGaN/GaN多重量子井戸の成長

△ [12p-B1-20] N極性(0001)GaNのMOVPE選択成長における貫通転位密度の低減

[12p-P16-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

▼ [12p-P16-5] Low-Temperature Growth of InN Films on Si(111) Substrates by Radical-Enhanced Metal-Organic Chemical Vapor Deposition

[13a-B1-1~17] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [13a-B1-1] GaNの欠陥によるレーザー誘起THz放射振幅の増強

△ [13a-B1-3] フリップチップ加工による低熱抵抗規則配列ナノコラムLED

▲ [13a-B1-5] Nitrogen Excess Pressure Annealing of Gallium Nitride using a Novel Heat-Beam Method

△ [13a-B1-6] 高Al組成のn-AlGaNにおけるV系電極のコンタクト特性

△ [13a-B1-8] SiO2ナノ周期構造を有する基板上に作製した窒化物系青色LEDの発光特性

△ [13a-B1-14] フーリエ分光法による位置制御GaNナノワイヤ量子ドットにおけるスペクトル拡散の評価

▲ [13a-B1-16] High-Q AlGaN photonic crystal nanocavities for coupling with fluctuation GaN QDs

[13p-B1-1~7] 15.4 III-V族窒化物結晶

▲ [13p-B1-2] Momentum Space Spectroscopy of AlGaN/Air DBR Microcavities

△ [13p-B1-4] 水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法によるInGaN/GaN多重量子井戸ナノ構造の作製

△ [13p-B1-7] Siサブ波長回折格子/SiO2膜/LED構造を有する窒化物系偏光LED

認証

△ [11a-B1-6] (InN)₁/(GaN)₄ 短周期超格子の擬似混晶化

△ [11p-B1-20] m面Al_1-xIn_xN薄膜の分光エリプソメトリーによる評価

△ [13a-B1-8] SiO₂ナノ周期構造を有する基板上に作製した窒化物系青色LEDの発光特性

△ [13p-B1-7] Siサブ波長回折格子/SiO₂膜/LED構造を有する窒化物系偏光LED