一般セッション(口頭講演)

[21a-145-1~9] 13.3 絶縁膜技術

2018年9月21日(金) 09:00 〜 11:30 145 (レセプションホール)

中塚理(名大)、石崎博基(埼玉工大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[21a-145-1] Siピラー酸化におけるSiミッシングに関する理論検討

〇影島博之^1,4、白石賢二^2,4、遠藤哲郎^3,4 (1.島根大、2.名古屋大、3.東北大、4.JST-ACCEL)

09:15 〜 09:30

[21a-145-2] Si pillar酸化過程におけるSi基板中の酸素原子効果の理論的研究

〇(M2)名倉拓哉¹、長川健太¹、洗平昌晃^1,2,6、影島博之^3,6、遠藤哲郎^4,5,6、白石賢二^1,2,6 (1.名大院工、2.名大未来研、3.島根大院自然科学、4.東北大院工、5.国際集積セ、6.JST-ACCEL)

09:30 〜 09:45

[21a-145-3] 高純度オゾン由来の活性種を用いた室温CVD-SiO₂膜の特性

〇亀田直人¹、三浦敏徳¹、森川良樹¹、花倉満¹、中村健²、野中秀彦² (1.明電舎、2.産総研)

09:45 〜 10:00

[21a-145-4] SiBr₄を用いた低温ALDによるSiO₂成膜

〇今瀬章公¹、松本茂樹¹、徐永華¹、柴田雅仁¹ (1.トリケミカル研究所)

10:00 〜 10:15

[21a-145-5] 光電子エネルギー損失信号による絶縁酸化膜の誘電関数評価

〇大田晃生¹、池田弥央¹、牧原克典¹、宮﨑誠一¹ (1.名大)

10:30 〜 10:45

[21a-145-6] [講演奨励賞受賞記念講演] ナノZrO₂核生成層を用いた強誘電体Hf_xZr₁_-xO₂薄膜の作製技術

〇女屋崇^1,2,3、生田目俊秀²、澤本直美¹、大井暁彦²、池田直樹²、長田貴弘²、小椋厚志¹ (1.明治大学、2.物質・材料研究機構、3.学振特別研究員DC)

10:45 〜 11:00

[21a-145-7] HfO₂薄膜における熱処理昇降温速度の強誘電性への影響

〇森優樹¹、西村知紀¹、矢嶋赳彬¹、右田真司²、鳥海明¹ (1.東大院工、2.産総研)

11:00 〜 11:15

[21a-145-8] 硬X線光電子分光法(HAXPES)による強誘電体HfSiO MIM構造積層膜の化学結合状態解析

〇臼田宏治¹、上牟田雄一¹、株柳翔一¹、吉木昌彦²、富田充裕¹、齋藤真澄¹ (1.東芝メモリ新規メモリ開発部、2.東芝研開センター)

11:15 〜 11:30

[21a-145-9] Al/HfO₂/Si構造におけるフォーミングプロセスフリーの抵抗スイッチング現象

〇小林滉平¹、吉田晴彦¹、新船幸二¹、佐藤真一¹、堀田育志¹ (1.兵庫県大)

一般セッション(口頭講演)

[21p-145-1~14] 13.3 絶縁膜技術

2018年9月21日(金) 13:15 〜 17:00 145 (レセプションホール)

山本圭介(九大)、堀田育志(兵庫県立大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:15 〜 13:30

▲ [21p-145-1] [Young Scientist Presentation Award Speech] Thermal oxidation kinetics of Ge under high O₂ pressure

〇Xu Wang¹、 Tomonori Nishimura¹、 Takeaki Yajima¹、 Akira Toriumi¹ (1.Tokyo Univ.)

13:30 〜 13:45

[21p-145-2] Hf-Post Metallization AnnealingによるGeO₂/Ge界面の特性変化

〇藤原遥香¹、岩崎好孝¹、上野智雄¹、山田浩史¹、並木美太郎¹ (1.農工大院工)

13:45 〜 14:00

[21p-145-3] CVD法を用いたGeO₂/Ge構造の作製と評価

〇勝野泰幸¹、佐藤亜武¹、岩崎好孝¹、上野智雄¹ (1.東京農工大学)

14:00 〜 14:15

[21p-145-4] 電子ビーム蒸着によるGe上へのY酸化物系ゲート絶縁膜形成

〇秋山健太郎¹、井芹健人¹、温偉辰¹、山本圭介¹、王冬¹、中島寛² (1.九大・大学院総合理工学府・研究院、2.九大・GIC)

14:15 〜 14:30

[21p-145-5] Kr/O₂プラズマ酸化法を用いたHfO₂/Ge構造の作製及び評価

〇(M1)所附武志¹、岩崎好考¹、上野智雄¹ (1.東京農工大工)

14:30 〜 14:45

[21p-145-6] High-k/GeO₂/Geの作製と評価

〇渡邉龍一郎¹、豊田健一郎¹、和知祥太郎¹、岩崎好孝¹、上野智雄¹ (1.農工大工)

14:45 〜 15:00

▲ [21p-145-7] How Ge atoms behave in thermal oxidation of SiGe?

〇(P)Xiuyan Li¹、 Yusuke Noma¹、 Woojin Song¹、 Tomonori Nishimura¹、 Akira Toriumi¹ (1.Univ. of Tokyo)

15:15 〜 15:30

[21p-145-8] 金属Hf/Si構造に対する化学溶液酸化における酸化選択性の検証

〇大場裕貴¹、岩崎好孝¹、上野智雄¹ (1.農工大院工)

15:30 〜 15:45

[21p-145-9] 異種酸化物界面のダイポール形成に非晶質短距離秩序構造の違いが与える影響

〇金丸翔大¹、高橋憶人¹、ぺレアマーク¹、富田基裕¹、渡邉孝信¹ (1.早大理工)

15:45 〜 16:00

△ [21p-145-10] 温度変動による界面ダイポール層強度の変化の環境発電への応用可能性の検討

〇濱口高志¹、喜多浩之¹ (1.東大院工)

16:00 〜 16:15

[21p-145-11] 三色超構造の各界面が容量-電圧特性に与える影響

〇佐伯郁弥¹、吉田晴彦¹、新船幸二¹、佐藤真一¹、堀田育志¹ (1.兵庫県大)

16:15 〜 16:30

[21p-145-12] Siを導入したHfO₂のMIMキャパシタの容量特性

〇(B)岩塚春樹¹、星井拓也¹、宗田伊理也¹、若林整¹、筒井一生¹、角嶋邦之¹ (1.東工大工)

16:30 〜 16:45

[21p-145-13] 酸化セリウムを挿入したMIMキャパシタの充放電特性

〇佐々康平¹、久恒和也¹、星井拓也¹、宗田伊理也¹、若林整¹、筒井一生¹、角嶋邦之¹ (1.東工大工)

16:45 〜 17:00

▲ [21p-145-14] Accurate measurement of the internal potential in two capacitors connected in series for studying Negative Capacitance effects

〇(P)Xiuyan Li¹、 Tomonori Nishimura¹、 Akira Toriumi¹ (1.Univ. of Tokyo)

一般セッション(ポスター講演)

[20a-PA5-1~14] 13.3 絶縁膜技術

2018年9月20日(木) 09:30 〜 11:30 PA (イベントホール)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:30 〜 11:30

[20a-PA5-1] 多様な結晶構造を有するSiO₂膜へのH₂O分子透過

〇奥友希¹、戸塚正裕¹、佐々木肇¹ (1.三菱電機)

09:30 〜 11:30

[20a-PA5-2] 低温(150^oC)アニールによる低温酸化Si膜中残留OH成分の除去

〇堀田將¹ (1.北陸先端大)

09:30 〜 11:30

[20a-PA5-3] 酸素欠損のあるSiO₂の動特性に関する圧力効果の検討

〇矢島雄司¹、白石賢二^2,4、遠藤哲郎^3,4、影島博之^1,4 (1.島根大、2.名古屋大、3.東北大、4.JST-ACCEL)

09:30 〜 11:30

[20a-PA5-4] SiH₄/O₃による低温常圧CVD SiO₂膜の生成と酸化物半導体TFTへの適用

〇鈴木宏之¹、上野智雄²、内山博幸³、倉知郁生⁴、吉岡献太郎¹ (1.天谷製作所、2.東京農工大、3.日立製作所、4.D&S Inc.)

09:30 〜 11:30

[20a-PA5-5] 熱処理前後におけるプラズマALD積層絶縁膜の膜質および界面評価

〇棚橋優策¹、小川慎吾¹、井上敬子¹、杉本智美¹、清水夕美子¹、小坂志乃¹、関洋文¹ (1.東レリサーチセンター)

09:30 〜 11:30

[20a-PA5-6] AlONゲート絶縁膜へのHf原子混入効果に関する理論的研究

〇(M2)名倉拓哉¹、長川健太¹、洗平昌晃^1,2、細井卓治³、渡部平司³、押山淳²、白石賢二^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.阪大院工)

09:30 〜 11:30

[20a-PA5-7] 1050℃熱処理において生成したシリコン窒化膜の常磁性欠陥（２）

〇(M2)山口真司¹、小林清輝¹ (1.東海大院工)

09:30 〜 11:30

[20a-PA5-8] MONOS型不揮発性メモリの電子保持特性

〇(M2)岸田拓朗¹、小林清輝¹ (1.東海大院工)

09:30 〜 11:30

[20a-PA5-9] インピーダンス解析による強誘電性HfO₂における分極反転過程の観察

安田脩平¹、柴山茂久¹、〇西村知紀¹、矢嶋赳彬¹、右田真司²、鳥海明¹ (1.東大院工、2.産総研)

09:30 〜 11:30

[20a-PA5-10] InGaAs nチャネルMOSFETにおける界面準位発生と基板ホール電流の関係

〇(D)尹尚希¹、安大煥¹、竹中充¹、高木信一¹ (1.東京大学)

09:30 〜 11:30

[20a-PA5-11] マイクロ波プラズマを用いたSi基板上へのSiN薄膜の形成及び特性改善

〇小川隼平¹、黒田達也¹、加藤那征¹、丹羽一宏¹、石崎博基¹ (1.埼工大工)

09:30 〜 11:30

[20a-PA5-12] S-Passivation処理によるGe基板の表面状態

〇黒田達也¹、小川隼平¹、加藤那征¹、丹羽一宏¹、石崎博基¹ (1.埼工大工)

09:30 〜 11:30

[20a-PA5-13] High-k/GeO₂/Ge構造に与えるPDA効果の検証

〇和知祥太郎¹、渡邉龍一郎¹、北原義典¹、岩崎好孝¹、山田浩史¹、上野智雄¹、並木美太郎¹ (1.農工大院工)

09:30 〜 11:30

▲ [20a-PA5-14] Low-temperature fabrication of Ge MOS capacitors for spintronics and flexible electronics application

〇(D)Weichen Wen¹、 Keisuke Yamamoto¹、 Dong Wang¹、 Hiroshi Nakashima² (1.IGSES, Kyushu Univ.、2.GIC, Kyushu Univ.)

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[21a-145-1~9] 13.3 絶縁膜技術

[21p-145-1~14] 13.3 絶縁膜技術

▲ [21p-145-1] [Young Scientist Presentation Award Speech] Thermal oxidation kinetics of Ge under high O2 pressure

▲ [21p-145-7] How Ge atoms behave in thermal oxidation of SiGe?

△ [21p-145-10] 温度変動による界面ダイポール層強度の変化の環境発電への応用可能性の検討

▲ [21p-145-14] Accurate measurement of the internal potential in two capacitors connected in series for studying Negative Capacitance effects

[20a-PA5-1~14] 13.3 絶縁膜技術

▲ [20a-PA5-14] Low-temperature fabrication of Ge MOS capacitors for spintronics and flexible electronics application

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▲ [21p-145-1] [Young Scientist Presentation Award Speech] Thermal oxidation kinetics of Ge under high O₂ pressure