一般セッション(口頭講演)

[11a-A21-1~11] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2015年3月11日(水) 09:00 〜 12:00 A21 (6A-213)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[11a-A21-1] タンデム太陽電池応用のためのSi/InGaPヘテロ接合の電気伝導特性

〇梁剣波¹、柴麗¹、西田将太¹、重川直輝¹ (1.大阪市立大学)

09:15 〜 09:30

[11a-A21-2] GaAsSb バックワードダイオードの実測特性の理論解析によるデバイスモデル構築

〇小野孝介¹、藤田尚成¹、伊森香織¹、須原理彦¹、高橋剛² (1.首都大理工, 2.富士通研)

09:30 〜 09:45

[11a-A21-3] InSb HEMT作製におけるプロセスダメージの検討

〇前田章臣¹、辻大介¹、竹鶴達哉¹、藤川紗千恵¹、藤代博記¹、渡邊一世²、山下良美²、遠藤聡²、原紳介²、笠松章史² (1.東理大院基礎工, 2.情報通信研究機構)

09:45 〜 10:00

△ [11a-A21-4] ビスエチルメチルアミノシランを用いた原子層堆積SiO₂保護膜を有するAlGaAs/InGaAs HEMTの特性

〇鈴木貴之¹、滝川陽介¹、張東岩¹、内藤志麻子¹、岩田直高¹ (1.豊田工大)

10:00 〜 10:15

△ [11a-A21-5] SiCN鋳型プロセスを用いた傾斜フィールドプレート構造を持つInGaAs系HEMTの作製とその特性

〇吉田智洋¹、畠山信也¹、安川奈那¹、尾辻泰一¹、末光哲也¹ (1.東北大通研)

休憩（10:15 〜 10:30）

10:30 〜 10:45

[11a-A21-6] 基板転写InP HBTにおけるメタルサブコレクタの熱抵抗低減効果

〇白鳥悠太^1,²、星拓也^1,²、柏尾典秀^1,³、栗島賢二^1,²、日暮栄治⁴、松崎秀昭^1,² (1.日本電信電話, 2.NTT先端集積ﾃﾞﾊﾞｲｽ研, 3.NTTﾃﾞﾊﾞｲｽｲﾉﾍﾞｰｼｮﾝｾﾝﾀ, 4.東大)

10:45 〜 11:00

[11a-A21-7] 原子拡散接合を用いてSiCウエハ上に作製したInP-DHBT

〇渡邉昌崇¹、柳沢昌輝¹、上坂勝己¹、江川満¹、小路元¹ (1.住友電工)

11:00 〜 11:15

△ [11a-A21-8] 容量測定法によるSiC-PNダイオードの電荷変動機構解析

〇松島宏行¹、沖野泰之¹、望月和浩¹、山田廉一¹ (1.日立中研)

11:15 〜 11:30

[11a-A21-9] パルスI-V法による4H-SiC MOSFETの界面特性評価

〇磯野弘典¹、矢野裕司^1,²、冬木隆¹ (1.奈良先端大, 2.筑波大)

11:30 〜 11:45

△ [11a-A21-10] Demonstrate of a Low On-resistance 6.5kV PiN Diode Fabricated on a SiC Substrate with p+ epitaxial layer

〇Yuan Bu¹, Norifumi Kameshiro¹, Akio Shima¹, Ren-ichi Yamada¹, Yasuhiro Shimamoto¹ (1.Hitachi Ltd.)

11:45 〜 12:00

[11a-A21-11] GIT双方向スイッチ等価回路モデルの高精度化

〇井手利英¹、清水三聡¹、沈旭強¹、森田竜夫²、大塚信之²、上田哲三² (1.産総研先進パワエレ, 2.パナソニック)

一般セッション(口頭講演)

[11p-A21-1~12] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2015年3月11日(水) 14:00 〜 17:15 A21 (6A-213)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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14:00 〜 14:15

[11p-A21-1] Arイオン照射によるダイヤモンド半導体用オーミック電極の形成

〇関裕平¹、星野靖¹、斎藤保直¹、中田穣治¹ (1.神奈川大理)

14:15 〜 14:30

[11p-A21-2] (-201), (010) Ga₂O₃ 上における結晶化Al₂O₃ 層の面方位依存性

〇上村崇史¹、ダイワシガマニキルシナムルティ¹、倉又朗人²、山腰茂伸²、東脇正高¹ (1.情通研機構, 2.タムラ製作所)

14:30 〜 14:45

[11p-A21-3] (010) Ga₂O₃ 上Al₂O₃ 結晶化層厚と界面準位密度の相関

〇上村崇史¹、ダイワシガマニキルシナムルティ¹、倉又朗人²、山腰茂伸²、東脇正高¹ (1.情通研機構, 2.タムラ製作所)

14:45 〜 15:00

▲ [11p-A21-4] Planar Device Isolation for β-Ga₂O₃ Field Effect Transistors

〇ManHoi Wong¹, Kohei Sasaki^{2, 1}, Akito Kuramata², Shigenobu Yamakoshi², Masataka Higashiwaki¹ (1.NICT, 2.Tamura Corp.)

15:00 〜 15:15

[11p-A21-5] 中性粒子ビームエッチングとプラズマエッチングにおけるAlGaNのエッチング表面状態の比較

〇李昌勇¹、肥後昭男²、Thomas Cédric¹、新村忠³、寒川誠二^1,^2,⁴ (1.東北大流体研, 2.東北大学WPI-AIMR, 3.東芝生産技術センター, 4.JST-CREST)

15:15 〜 15:30

[11p-A21-6] 中性粒子ビームによるAlGaN/GaN HEMTリセスゲート構造の作製

〇李昌勇¹、肥後昭男²、太田実雄³、藤岡洋^3,⁴、寒川誠二^1,^2,⁴ (1.東北大流体研, 2.東北大学WPI-AIMR, 3.東京大学生産研, 4.JST-CREST)

休憩（15:30 〜 15:45）

15:45 〜 16:00

[11p-A21-7] 光照射下におけるn型GaN中プラズマ照射誘起欠陥の挙動の温度依存性

〇折茂力都¹ (1.首都大理工)

16:00 〜 16:15

[11p-A21-8] MOCVD n-GaNで観測されるEv+0.86eV正孔トラップのODLTS測定

〇(M1)宮本一輝¹、徳田豊¹ (1.愛知工大)

16:15 〜 16:30

[11p-A21-9] 水素雰囲気異方性熱エッチングによる超微細ナノGaN構造の作製

〇(M2)喜多諒¹、蜂屋諒¹、菊池昭彦^1,² (1.上智大理工, 2.上智大学ナノテクノロジーセンター)

16:30 〜 16:45

[11p-A21-10] 段差付き基板上に成長したAlGaN/GaNヘテロ構造の電気的特性

〇(DC)樹神真太郎¹、Asubar Joel¹、徳田博邦¹、中澤敏志²、石田昌宏²、上田哲三²、葛原正明¹ (1.福井大院工, 2.パナソニック（株）AIS社　技術本部)

16:45 〜 17:00

[11p-A21-11] Au-Au熱圧着転写によるAlGaN/GaN HEMTのDC特性の向上

〇廣木正伸¹、熊倉一英¹、山本秀樹¹ (1.NTT物性研)

17:00 〜 17:15

[11p-A21-12] リセスゲート促進障壁層AlGaN/GaN 非対称Open-Gate HFETの高温特性

〇前田就彦^1,²、廣木正伸²、佐々木智²、原田裕一² (1.東京工科大, 2.NTT研究所)

一般セッション(口頭講演)

[12a-A21-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2015年3月12日(木) 09:00 〜 12:30 A21 (6A-213)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[12a-A21-1] AlTiO/InAlN/AlN/GaN金属-絶縁体-半導体電界効果トランジスタにおけるゲートリーク電流の伝導機構

〇梁吉慶¹、宇井利昌¹、H.-A. Shih¹、山口慎也¹、鈴木寿一¹ (1.北陸先端大)

09:15 〜 09:30

[12a-A21-2] 金属ゲート電極材料のAlGaN/GaN HEMT のリーク電流への影響

〇大賀一樹¹、川那子高暢²、角嶋邦之²、片岡好則²、西山彰²、杉井信之²、若林整²、筒井一生²、名取研二¹、岩井洋¹ (1.東工大フロンティア研, 2.東工大総理工)

09:30 〜 09:45

△ [12a-A21-3] 界面顕微光応答法を用いたAlGaN/GaN HEMTの劣化過程の２次元評価

〇山本晋吾¹、畠山信也²、末光哲也²、塩島謙次¹ (1.福井大院工, 2.東北大学)

09:45 〜 10:00

[12a-A21-4] 界面顕微光応答法を用いたイオン注入n - G a N ショットキー接触の２次元評価

〇山本晋吾¹、村瀬真悟¹、田中丈士^1,²、三島友義²、中村徹³、塩島謙次¹ (1.福井大院工, 2.日立金属, 3.法政大)

10:00 〜 10:15

△ [12a-A21-5] 自立基板の劈開面に形成したn-GaNショットキー接触の評価

〇永縄萌¹、青木俊周¹、吉田丈洋²、三島友義^2,³、塩島謙次¹ (1.福井大院工, 2.日立金属(株), 3.法政大学)

10:15 〜 10:30

△ [12a-A21-6] GaNショットキーバリアダイオードの順方向特性におけるアノード電極端効果

〇吉川大地¹、山口裕太郎²、山中宏治²、大石敏之¹ (1.佐賀大理工, 2.三菱電機)

10:30 〜 10:45

△ [12a-A21-7] 三端子構造を用いたGaN ショットキーバリアダイオードの寄生抵抗解析

〇山口修造¹、山口裕太郎²、山中宏治²、大石敏之¹ (1.佐賀大理工, 2.三菱電機)

休憩（10:45 〜 11:00）

11:00 〜 11:15

[12a-A21-8] N極性p形GaNショットキー電極の電気的特性の評価

〇青木俊周¹、谷川智之²、片山竜二²、松岡隆志²、塩島謙次¹ (1.福井大院工, 2.東北大金研)

11:15 〜 11:30

[12a-A21-9] 走査型非線形誘電率顕微鏡によるAlGaN/GaN構造の2次元電子ガス及び分極の評価

〇廣瀬光太郎¹、茅根慎通¹、長康雄¹ (1.東北大通研)

11:30 〜 11:45

[12a-A21-10] GaN系半導体への局所レーザアニールによる注入Siの活性化

〇(M1)永井昂哉¹、分島彰男¹、江川孝志¹、平田智也²、安藤聡²、谷克彦² (1.名工大, 2.ワイエイシイフェトン)

11:45 〜 12:00

△ [12a-A21-11] 放射光光電子分光法によるn-GaN上Al/Tiコンタクトの界面反応分析

〇伊藤丈予¹、淺原亮平¹、野崎幹人¹、中澤敏志²、石田昌宏²、上田哲三²、吉越章隆³、寺岡有殿³、細井卓治¹、志村考功¹、渡部平司¹ (1.阪大院工, 2.パナソニック, 3.原子力機構)

12:00 〜 12:15

[12a-A21-12] AlGaN/GaN HEMT構造への凹凸AlGaN層導入によるコンタクト抵抗の低減

〇武井優典¹、下田智裕¹、筒井一生¹、齋藤渉²、角嶋邦之¹、若林整¹、片岡好則¹、岩井洋¹ (1.東工大, 2.東芝ｾﾐｺﾝﾀﾞｸﾀｰ&ｽﾄﾚｰｼﾞ社)

12:15 〜 12:30

[12a-A21-13] δドープGaNキャップ/AlGaN/GaN構造のオーミックコンタクト抵抗

〇(B)加藤直樹¹、安藤彰浩¹、分島彰男¹、江川孝志¹、長田大和²、上村隆一郎² (1.名工大, 2.アルバック)

一般セッション(口頭講演)

[12p-A21-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2015年3月12日(木) 14:00 〜 17:30 A21 (6A-213)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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14:00 〜 14:15

[12p-A21-1] 超格子キャップ層を用いたAlGaN/GaN MOSFET

〇按田義治¹、塩崎奈々子¹、根来昇¹、中澤敏志¹、鶴見直大¹、石田昌宏¹、上田哲三¹ (1.パナソニック)

14:15 〜 14:30

[12p-A21-2] 選択再成長を用いたノーマリオフAlGaN/GaN MOSFET

〇中澤敏志¹、塩崎奈々子¹、根来昇¹、鶴見直大¹、按田義治¹、石田昌宏¹、上田哲三¹ (1.パナソニック)

14:30 〜 14:45

△ [12p-A21-3] 酸素雰囲気熱処理プロセスがGaN MOS界面特性に与える影響

〇大平城二¹、千崎泰¹、谷田部然治^1,²、橋詰保^1,² (1.北大量集センター, 2.JST-CREST)

14:45 〜 15:00

[12p-A21-4] n-GaN MOSキャパシタにおける界面電荷の温度特性

〇高島信也¹、上野勝典¹、江戸雅晴¹、T.Paul Chow² (1.富士電機, 2.RPI)

15:00 〜 15:15

△ [12p-A21-5] AlGaN/GaN系PチャネルHFETのMOS構造によるノーマリーオフ化

〇久保田俊介¹、萱沼怜¹、中島昭³、西澤伸一³、大橋弘通^2,³、筒井一生¹、角嶋邦之¹、若林整¹、岩井洋² (1.東工大総理工, 2.東工大フロンティア研, 3.産総研)

15:15 〜 15:30

[12p-A21-6] AlGaN上にALD成膜したHfO₂を用いたMIS-HEMTの電気的特性

〇西野剛介¹、吉田雄祐¹、久保俊晴¹、三好実人¹、江川孝志¹ (1.名古屋工業大学)

休憩（15:30 〜 15:45）

15:45 〜 16:00

△ [12p-A21-7] AlGaN/GaN HEMT 構造のAlGaN層内部の電子トラップ解析

〇(M1)馬場俊之¹、永久雄一²、川那子高暢²、角嶋邦之²、片岡好則²、西山彰²、杉井信之²、若林整²、筒井一生²、名取研二¹、岩井洋¹ (1.東工大フロンティア研, 2.東工大総理工)

16:00 〜 16:15

[12p-A21-8] 低周波インピーダンス測定によるGaN HEMTのトラップモデリング

〇山口裕太郎¹、大塚浩志¹、小山英寿¹、加茂宣卓¹、南條拓真¹、山中宏治¹、大石敏之² (1.三菱電機, 2.佐賀大学)

16:15 〜 16:30

[12p-A21-9] GaN HEMT Drain-lagのGaN channel層依存性

〇鎌田陽一¹、岡本直哉¹、佐藤優¹、山田敦史¹、小谷淳二¹、石黒哲郎¹、多木俊裕¹、尾崎史朗¹、新井田佳孝¹、牧山剛三¹、渡部慶二¹、常信和清¹ (1.株式会社富士通研究所)

16:30 〜 16:45

△ [12p-A21-10] AlGaN/GaN HEMTにおけるオフ状態ストレス後の表面帯電評価

〇西口賢弥¹、橋詰保^1,² (1.北大量集センター, 2.JST-CREST)

16:45 〜 17:00

[12p-A21-11] 高圧水蒸気処理によるAlGaN/GaN HEMTの電流コラプス抑制

小林洋平¹、〇Asubar Joel¹、吉嗣晃治²、谷田部然治³、徳田博邦¹、堀田昌宏²、浦岡行治²、橋詰保³、葛原正明¹ (1.福井大院工, 2.奈良先端科学技術大学院大学, 3.北大量集センター)

17:00 〜 17:15

[12p-A21-12] AlGaN/GaN HEMTにおける発光と電流コラプスの相関

〇(M1)大井慎太郎¹、坂井田佳紀¹、Asubar Joel¹、徳田博邦¹、葛原正明¹ (1.福井大院工)

17:15 〜 17:30

[12p-A21-13] 三次元フィールドプレート構造を用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプス改善

〇鈴木敦也¹、秋良鴻介¹、Joel Asubar¹、徳田博邦¹、葛原正明¹ (1.福井大院工)

一般セッション(ポスター講演)

[13p-P17-1~24] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2015年3月13日(金) 16:30 〜 18:30 P17 (総合体育館)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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16:30 〜 18:30

△ [13p-P17-1] 高正孔濃度GaAsSbコンタクト層を有するGaAsSb/InGaAsSbベースDHBTのMOCVD成長

〇星拓也¹、柏尾典秀²、杉山弘樹¹、横山春喜¹、栗島賢二¹、井田実¹、松崎秀昭¹ (1.NTT先端集積デバイス研, 2.NTTデバイスイノベーションセンタ)

16:30 〜 18:30

[13p-P17-2] InAs-PHEMT特性に及ぼす正孔蓄積の効果

〇小松竜大¹、西尾結¹、佐藤万里衣¹、佐藤宇人¹、杉山駿輔¹、高梨良文¹ (1.東理大)

16:30 〜 18:30

[13p-P17-3] In-Plane Gateデバイスの電流‐電圧特性

〇坂元翔¹、小野満恒二²、山本秀樹²、堀越佳治¹、牧本俊樹¹ (1.早大理工, 2.NTT BRL)

16:30 〜 18:30

△ [13p-P17-4] 超格子FETに向けたダブルバリアp-i-n接合ダイオード

〇行待篤志¹、柏野壮志¹、宮本恭幸¹ (1.東工大院理工)

16:30 〜 18:30

[13p-P17-5] 格子整合系InAlN/ AlGaN HEMT デバイスの試作と評価

〇藤田周¹、三好実¹、江川孝志¹ (1.名工大)

16:30 〜 18:30

[13p-P17-6] GaN/AlN共鳴トンネルダイオードで生じる双安定性の劣化メカニズム

〇永瀬成範¹、高橋言緒¹、清水三聡¹ (1.産総研)

16:30 〜 18:30

△ [13p-P17-7] InAlN/GaN HEMTs における傾斜型フィールドプレートによるドレイン空乏領域長への影響

〇安川奈那¹、畠山信也¹、吉田智洋¹、尾辻泰一¹、末光哲也¹ (1.東北大通研)

16:30 〜 18:30

[13p-P17-8] 独立に電圧印加可能なField Plateを有するAlGaN/GaN HEMTのパルスI-V特性

〇間瀬駿¹、江川孝志¹、分島彰男¹ (1.名工大)

16:30 〜 18:30

[13p-P17-9] サファイア基板上GaN PSJ（分極超接合）トランジスタの連続通電特性

〇松本壮太¹、平田祥子¹、中村文彦¹、斎藤武尊¹、一丸敬一¹、八木修一¹、河合弘治¹ (1.パウデック)

16:30 〜 18:30

[13p-P17-10] ノーマリーオフGaN-PSJトランジスタ

〇平田祥子¹、松本壮太¹、一丸敬一¹、斎藤武尊¹、八木修一¹、中村文彦¹、河合弘治¹ (1.株式会社パウデック)

16:30 〜 18:30

[13p-P17-11] GaNバラクタダイオードの製作

高橋言緒¹、坂村祐一¹、長南紘志¹、木内真希¹、井手利英¹、沈旭強¹、〇清水三聡¹、板谷太郎¹、島田雅夫² (1.産総研, 2.ＲＦデバイステクノロジーズ)

16:30 〜 18:30

△ [13p-P17-12] 分極接合GaNウエハを用いたパワー集積回路

〇萱沼怜¹、久保田俊介¹、中島昭³、西澤伸一³、大橋弘通^2,³、筒井一生¹、角嶋邦之¹、若林整¹、岩井洋² (1.東工大総理工, 2.東工大フロンティア研, 3.産業技術総合研究所)

16:30 〜 18:30

[13p-P17-13] 鉄ドープMOCVD n-GaNショットキーダイオードのアドミタンス分光

〇上田聖悟¹ (1.愛知工大)

16:30 〜 18:30

[13p-P17-14] Ar⁺イオン照射したMOCVD-GaN:Si膜の電気的評価

〇中野由崇¹、高木健司¹、小川大輔¹、中村圭二¹、新部正人²、川上烈生³ (1.中部大工, 2.兵庫県立大高度研, 3.徳島大院工)

16:30 〜 18:30

[13p-P17-15] CF₄プラズマ処理したAlGaN/GaNヘテロ構造の電気的評価

〇中野由崇¹、川上烈生²、新部正人³、高木健司¹、白濱達夫²、向井孝志⁴ (1.中部大工, 2.徳島大院工, 3.兵庫県大高度研, 4.日亜化学)

16:30 〜 18:30

[13p-P17-16] ドライエッチングがAl₂O₃/AlGaN/GaN構造のMOS界面特性に与える影響

〇谷田部然治^1,²、大平城二¹、佐藤威友¹、橋詰保^1,² (1.北大量集センター, 2.JST-CREST)

16:30 〜 18:30

[13p-P17-17] GaN基板上にプラズマCVDで形成したSiO₂-MOSキャパシタの特性

〇上野勝典¹、高島信也¹、松山秀昭¹、江戸雅春¹、中川清和² (1.富士電機, 2.山梨大)

16:30 〜 18:30

[13p-P17-18] Al₂O₃/InAlN界面特性のプロセス依存性

〇千葉勝仁¹、赤澤正道¹ (1.北大　量集センター)

16:30 〜 18:30

[13p-P17-19] ノーマリーオフGaN系MOSFETの実現に向けた再成長プロセス

〇井上恵太¹、成田知隆¹、分島彰男¹、江川孝志¹ (1.名工大)

16:30 〜 18:30

[13p-P17-20] AlGaN/GaN HEMTにおける局所リークへのエピタキシャル層の影響

〇成田知隆¹、藤本祐一¹、分島彰男¹、江川孝志¹ (1.名古屋工大)

16:30 〜 18:30

[13p-P17-21] GaN基板上AlGaN/GaN HEMT構造の表面モフォロジが耐圧に与える影響

〇田邉真一¹、渡邉則之¹、内田昌宏²、松崎秀昭¹ (1.NTT先端集積デバイス研, 2.NTT-AT)

16:30 〜 18:30

△ [13p-P17-22] 表面活性化接合によるn⁺-Si/n-GaNコンタクトの検討

〇(B)西村拓也¹、梁剣波¹、渡邉則之²、重川直輝¹ (1.大阪市大工, 2.NTT研究所)

16:30 〜 18:30

[13p-P17-23] Low resistance ohmic contact on AlGaN/GaN heterostructures grown on GaN substrate

〇Daryoush H. Zadeh¹, Shinichi Tanabe¹, Noriyuki Watanabe¹, Hideaki Matsuzaki¹ (1.NTT Dev. Tech. Labs.)

16:30 〜 18:30

[13p-P17-24] AlGaN/GaN HEMTへの凹凸AlGaN層導入によるコンタクト抵抗低減効果の凹凸構造パターン依存性

〇下田智裕¹、武井優典¹、筒井一生¹、齋藤渉²、角嶋邦之¹、若林整¹、片岡好則¹、岩井洋¹ (1.東工大, 2.東芝ｾﾐｺﾝﾀﾞｸﾀｰ&ｽﾄﾚｰｼﾞ社)

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[11a-A21-1~11] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [11a-A21-4] ビスエチルメチルアミノシランを用いた原子層堆積SiO2保護膜を有するAlGaAs/InGaAs HEMTの特性

△ [11a-A21-5] SiCN鋳型プロセスを用いた傾斜フィールドプレート構造を持つInGaAs系HEMTの作製とその特性

△ [11a-A21-8] 容量測定法によるSiC-PNダイオードの電荷変動機構解析

△ [11a-A21-10] Demonstrate of a Low On-resistance 6.5kV PiN Diode Fabricated on a SiC Substrate with p+ epitaxial layer

[11p-A21-1~12] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

▲ [11p-A21-4] Planar Device Isolation for β-Ga2O3 Field Effect Transistors

[12a-A21-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [12a-A21-3] 界面顕微光応答法を用いたAlGaN/GaN HEMTの劣化過程の２次元評価

△ [12a-A21-5] 自立基板の劈開面に形成したn-GaNショットキー接触の評価

△ [12a-A21-6] GaNショットキーバリアダイオードの順方向特性における アノード電極端効果

△ [12a-A21-7] 三端子構造を用いたGaN ショットキーバリアダイオードの寄生抵抗解析

△ [12a-A21-11] 放射光光電子分光法によるn-GaN上Al/Tiコンタクトの界面反応分析

[12p-A21-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [12p-A21-3] 酸素雰囲気熱処理プロセスがGaN MOS界面特性に与える影響

△ [12p-A21-5] AlGaN/GaN系PチャネルHFETのMOS構造によるノーマリーオフ化

△ [12p-A21-7] AlGaN/GaN HEMT 構造のAlGaN層内部の電子トラップ解析

△ [12p-A21-10] AlGaN/GaN HEMTにおけるオフ状態ストレス後の表面帯電評価

[13p-P17-1~24] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [13p-P17-1] 高正孔濃度GaAsSbコンタクト層を有するGaAsSb/InGaAsSbベースDHBTのMOCVD成長

△ [13p-P17-4] 超格子FETに向けたダブルバリアp-i-n接合ダイオード

△ [13p-P17-7] InAlN/GaN HEMTs における傾斜型フィールドプレートによるドレイン空乏領域長への影響

△ [13p-P17-12] 分極接合GaNウエハを用いたパワー集積回路

△ [13p-P17-22] 表面活性化接合によるn+-Si/n-GaNコンタクトの検討

認証

△ [11a-A21-4] ビスエチルメチルアミノシランを用いた原子層堆積SiO₂保護膜を有するAlGaAs/InGaAs HEMTの特性

▲ [11p-A21-4] Planar Device Isolation for β-Ga₂O₃ Field Effect Transistors

△ [12a-A21-6] GaNショットキーバリアダイオードの順方向特性におけるアノード電極端効果

△ [13p-P17-22] 表面活性化接合によるn⁺-Si/n-GaNコンタクトの検討