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6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

一般セッション(口頭講演)

[19a-H111-1~13] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2016年3月19日(土) 09:00 〜 12:15 H111 (本館)

中野匡規(東大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[19a-H111-1] 【講演奨励賞受賞記念講演】高品質γ-Ti₃O₅薄膜の合成と超伝導特性

〇吉松公平¹、坂田修身^2,3、大友彰^1,3 (1.東工大院理工、2.物質・材料研究機構、3.元素戦略)

09:15 〜 09:30

△ [19a-H111-2] TiO，Ti₂O₃，γ-Ti₃O₅共晶薄膜の超伝導

〇(M1)黒川輝¹、吉松公平¹、大友明^1,2 (1.東工大院理工、2.元素戦略)

09:30 〜 09:45

△ [19a-H111-3] Cs_xWO₃エピタキシャル薄膜の作製と超伝導特性の変調

〇相馬拓人¹、吉松公平¹、大友明^1,2 (1.東工大院理工、2.元素戦略)

09:45 〜 10:00

△ [19a-H111-4] YOエピタキシャル薄膜の電気輸送特性と光学特性

〇(D)神永健一^1,2、清良輔^1,2、林好一³、八方直久⁴、田尻寛男⁵、岡大地²、福村知昭²、長谷川哲也¹ (1.東大院理、2.東北大院理、3.名工大工、4.広市大院、5.JASRI)

10:00 〜 10:15

△ [19a-H111-5] 反応性RFスパッタ法で作製したCuCrO₂薄膜の光透過性と構造物性

〇千葉博¹、川島知之¹、鷲尾勝由¹ (1.東北大院工)

10:15 〜 10:30

△ [19a-H111-6] チタン酸ストロンチウムの光励起電気伝導特性

〇大澤尚幸¹、高橋竜太¹、 Lippmaa Mikk¹ (1.東大物性研)

10:30 〜 10:45

△ [19a-H111-7] 反強磁性絶縁体CaFeO3およびLaFeO3を用いた[(CaFeOx)n/(LaFeO3)n]m {m=14 for n=3,5,7 and (n, m)=(1,98),(3,33),(5,20)}人工超格子における磁気的特性の膜厚及び界面数依存性

〇大橋祥平¹、大島佳祐¹、松山裕貴¹、稲葉隆哲¹、渡部雄太¹、王春¹、張琦¹、宋華平¹、橋本拓也²、高瀬浩一¹、永田知子¹、山本寛¹、岩田展幸¹ (1.日大理工、2.日大文理)

10:45 〜 11:00

△ [19a-H111-8] ペロブスカイト型SrNbO₂Nエピタキシャル薄膜の巨大正磁気抵抗

〇岡大地¹、廣瀬靖^2,3、中尾祥一郎³、福村知昭¹、長谷川哲也^2,3 (1.東北大院理、2.東大院理、3.KAST)

11:00 〜 11:15

△ [19a-H111-9] ドメイン構造と酸素量の変調によるLaCuO_x薄膜の輸送特性制御

〇(D)小野塚智也¹、近松彰¹、廣瀬靖^1,2、長谷川哲也^1,2 (1.東大院理、2.KAST)

11:15 〜 11:30

△ [19a-H111-10] Co/Pt/r面及びc面配向Cr₂O₃積層膜の作製及び評価

〇(M1)隅田貴士¹、橋本浩佑¹、福井慎二郎¹、永田知子¹、山本寛¹、岩田展幸¹ (1.日大理工)

11:30 〜 11:45

△ [19a-H111-11] 表面処理条件の異なるYAlO₃(001)基板上に成膜したCr₂O₃薄膜の結晶構造解析および磁気特性

〇(M1)橋本浩佑¹、隅田貴士¹、福井慎二郎¹、永田知子¹、山本寛¹、岩田展幸¹ (1.日大理工)

11:45 〜 12:00

△ [19a-H111-12] 高電界効果移動度を有するBaSnO₃薄膜電界効果トランジスタ

〇(M2)西原和貴¹、藤原宏平¹、塩貝純一¹、塚﨑敦^1,2 (1.東北大金研、2.JSTさきがけ)

12:00 〜 12:15

△ [19a-H111-13] FeSe電気二重層トランジスタにおける超伝導転移温度の酸化物基板依存性

〇塩貝純一¹、伊藤恭太¹、三橋駿貴¹、野島勉¹、塚﨑敦^1,2 (1.東北大金研、2.JSTさきがけ)

一般セッション(口頭講演)

[19p-H111-1~22] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2016年3月19日(土) 13:15 〜 19:00 H111 (本館)

上野和紀(東大)、土屋敬志(東理大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
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13:15 〜 13:30

△ [19p-H111-1] 高周波基板バイアススパッタ法における高エネルギーイオン照射によるVO₂薄膜の
転移特性制御

〇(D)ヌルーハニスビンティアズハン¹、沖村邦雄¹、大坪嘉之²、木村真一²、ムスタファザグリウィ³、坂井穣³ (1.東海大院理工、2.大阪大、3.トゥール大GREMAN)

13:30 〜 13:45

△ [19p-H111-2] 基板上VO2薄膜の転移応力制御によるマイクロクラックの削減と転移の急峻化

〇(M2)大森康平¹、矢嶋赳彬¹、西村知紀¹、鳥海明¹ (1.東大院工)

13:45 〜 14:00

△ [19p-H111-3] 極微細VO₂ヘテロナノウォール細線の作製と金属-絶縁体転移特性

〇(M1)坪田智司¹、服部梓^1,2、田中秀和¹ (1.阪大産研、2.JSTさきがけ)

14:00 〜 14:15

[19p-H111-4] 二次元電子ガスの磁気イメージングのための超高分解能レーザー励起光電子顕微鏡

〇谷内敏之^1,2、両角海里¹、元結啓仁¹、 Rodel Tobias³、 Fortuna Franck³、 Santander-Syro Andrés³、辛埴^1,2 (1.東大物性研、2.JST-CREST、3.パリ南大)

14:15 〜 14:30

△ [19p-H111-5] SrTiO₃表面の2次元電子ガスにおける強磁性ドメインの面方位依存性

〇両角海里¹、元結啓仁¹、谷内敏之^1,2、 Tobias C. Rodel³、 Franck Fortuna³、 Andrés F. Santander-S³、辛埴^1,2 (1.東大物性研、2.JST-CREST、3.パリ南大)

14:30 〜 14:45

△ [19p-H111-6] 端面制御したLa_0.67Sr_0.33MnO₃エピタキシャル薄膜を用いた酸素還元反応触媒活性評価

〇西村幸恵¹、菅大介¹、島川祐一^1,2 (1.京大化研、2.JST-CREST)

14:45 〜 15:00

△ [19p-H111-7] 固体電解質中のLiイオン濃度分布:電圧印加下その場測定

〇杉山一生¹、齋藤正裕²、青木靖二²、大塚祐二²、清水亮太³、一杉太郎³ (1.東北大AIMR、2.㈱東レリサーチ、3.東工大理工)

15:00 〜 15:15

△ [19p-H111-8] Li(Ni_0.5Mn_1.5)O₄全固体リチウム電池における電解質/電極界面イオン伝導

〇(PC)河底秀幸¹、白木将¹、鈴木竜¹、清水亮太¹、一杉太郎^1,2 (1.東北大WPI-AIMR、2.東工大理工)

15:15 〜 15:30

[19p-H111-9] TiO₂/SiO₂界面への電気化学的水素ドープ

〇矢嶋赳彬¹、西村知紀¹、鳥海明¹ (1.東大マテ)

15:30 〜 15:45

▼ [19p-H111-10] Hydrogen Induced Colossal Resistance Switching in Perovskite Nickelates

〇Chen Jikun^1,2,3、 Shi Jian^1,4、 Zhou You¹、 Wu Yong²、 Jiang Yong²、 Shi Xun⁵、 Chen Lidong⁵、 Yajima Takeaki³、 Nishimura Tomonori³、 Torium Akira³、 Ramanathan Shriram¹ (1.Harvard Univ.、2.USTB、3.Univ. of Tokyo、4.RPI、5.SICCAS)

15:45 〜 16:00

△ [19p-H111-11] 漏液しないアルカリ電解液による導電性-磁性切替デバイスの省電力化

〇鈴木雄喜¹、片瀬貴義²、太田裕道² (1.北大院情報科学、2.北大電子研)

16:15 〜 16:30

[19p-H111-12] PLDで成膜したLi₃PO₄固体電解質/LiCoO₂電極界面のイオン伝導

〇白木将¹、鈴木竜¹、河底秀幸¹、清水亮太¹、白澤徹郎²、一杉太郎^1,3 (1.東北大AIMR、2.東大物性研、3.東工大理工)

16:30 〜 16:45

[19p-H111-13] 第一原理計算により求めた定圧化でのｱﾓﾙﾌｧｽLi₃BO₃電解質構造とLi拡散の理論解析

〇池田稔¹、大野隆央^1,2 (1.物材機構CMSU、2.物材機構GREEN)

16:45 〜 17:00

[19p-H111-14] イオン拡散における充填効果

〇福住勇矢¹、小林航^1,2、守友浩^1,2,3 (1.筑波大数理（科）、2.筑波大数理（系）、3.筑波大融合セ)

17:00 〜 17:15

[19p-H111-15] Ta₂O₅固体電解質薄膜へのプロトン注入と膜質評価

〇今井阿由子¹、古谷早苗¹、住吉研¹ (1.NLTテクノロジー)

17:15 〜 17:30

[19p-H111-16] 蓄電池プロセスのためのマルチスケール・マルチフィジックス計算化学手法の開発

〇畠山望¹、長山千恵子¹、鈴木悦子¹、宮野正之¹、大串巧太郎¹、ボノーパトリック¹、三浦隆治¹、鈴木愛¹、宮本直人¹、宮本明¹、幸琢寛²、小山章²、江田信夫²、長井龍²、太田璋² (1.東北大NICHe、2.LIBTEC)

17:30 〜 17:45

[19p-H111-17] P2型Na_xCo_1-yMn_yO₂固溶体のEXAFS解析

〇(M1)赤間翔太¹、天羽薫²、小林航^1,3,4、丹羽秀治^1,3,4、守友浩^1,3,4 (1.筑波大数理(科)、2.筑波大理工学群、3.筑波大数理(系)、4.筑波大融合セ)

17:45 〜 18:00

[19p-H111-18] O3型Na_xCo_1-yFe_yO₂固溶体のEXAFS解析

〇小林航^1,2,4、天羽薫³、赤間翔太¹、丹羽秀治^1,2,4、守友浩^1,2,4 (1.筑波大数理物質科学研究科、2.筑波大数理物質系、3.筑波大理工学群、4.筑波大数理物質融合科学セ)

18:00 〜 18:15

[19p-H111-19] マンガンプルシャンブルー類似体のリチウムイオン二次電池負極挙動

〇柴田恭幸¹、浦瀬翔太¹、守友浩^1,2 (1.筑波大数理、2.筑波大CiRfSE)

18:15 〜 18:30

[19p-H111-20] pH制御による電気化学製膜Cu₂Oの電気特性制御

〇辻玄貴¹、滝口雄貴¹、宮島晋介¹ (1.東工大院理工)

18:30 〜 18:45

[19p-H111-21] Cu₂O系ヘテロ接合太陽電池のn形半導体層の成膜技術の検討

〇宇於崎涼介¹、渡辺恭輔¹、西祐希¹、宮田俊弘¹、南内嗣¹ (1.金沢工大　OEDS R&D センター)

18:45 〜 19:00

[19p-H111-22] Zn_1-XGe_X-O多元系酸化物薄膜をn形層に用いるp形Cu₂O系ヘテロ接合太陽電池

〇西祐希¹、山崎丞路¹、宮田俊弘¹、南内嗣¹ (1.金沢工大 OEDS R&D センター)

一般セッション(口頭講演)

[20a-H111-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2016年3月20日(日) 09:15 〜 11:45 H111 (本館)

坂井延寿(東大)

△：奨励賞エントリー
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09:15 〜 09:30

[20a-H111-1] 溶液を基板に滴下した光化学堆積法によるAlO_x薄膜作製

〇佐藤駿太¹、市村正也¹ (1.名工大)

09:30 〜 09:45

[20a-H111-2] スプレー法による酸化アルミニウム薄膜の作製

〇高田直也、安部功二¹、長沼健斗¹ (1.名工大)

09:45 〜 10:00

[20a-H111-3] ⼤気開放型CVDによる酸化亜鉛ウィスカーの成膜

〇角田直輝¹、小松啓志²、菊田剛史²、齋藤秀俊² (1.米子高専、2.長岡技科大)

10:00 〜 10:15

[20a-H111-4] HfO₂/SiO₂/Si構造における保持電荷量の評価

〇(M1)野口和馬¹、廣森湧太郎¹、宮武真嗣¹、奈良安雄¹ (1.兵庫県立大)

10:15 〜 10:30

[20a-H111-5] 電界効果による強相関酸化物SrVO₃薄膜の金属-絶縁体転移相図

〇大友圭輔¹、佐藤洋平¹、上野和紀¹ (1.東大院総合)

10:30 〜 10:45

[20a-H111-6] 界面双極子を用いた水溶液/酸化物界面バンド端位置の制御

〇疋田育之¹、西尾和記²、 Linsey Seitz²、 Pongkarn Chakthranont²、立川卓^2,3、 Thomas Jaramillo^1,2、 Harold Hwang^1,2 (1.SLAC、2.スタンフォード大、3.東大新領域)

10:45 〜 11:00

[20a-H111-7] 面方位制御La_1/3Sr_2/3FeO₃薄膜における電荷不均化の膜厚依存性

〇簑原誠人¹、北村未歩¹、和達大樹²、組頭広志¹ (1.高エネ研、2.東大物性研)

11:00 〜 11:15

[20a-H111-8] Fe₃O₄薄膜のSolid-state dewettingのAFM観察

〇正能大起¹、高橋竜太¹、小沼碧海²、丸山伸伍²、松本祐司²、 Jahangir Solmaz³、 Nagarajan Valanoor³、 Lippmaa Mikk¹ (1.東大物性研、2.東北大院工、3.UNSW)

11:15 〜 11:30

[20a-H111-9] PLD法で作製したY₃Fe₅O₁₂薄膜における格子歪とスピン波相関

〇山原弘靖¹、村田哲也¹、那須英和¹、関宗俊¹、田畑仁¹ (1.東大院工)

11:30 〜 11:45

[20a-H111-10] スピン波応用に向けたRサイト置換ガーネット薄膜の作製と磁性評価

〇村田哲也¹、那須英和¹、山原弘靖¹、関宗俊¹、田畑仁¹ (1.東大院工)

一般セッション(口頭講演)

[21a-H111-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2016年3月21日(月) 09:15 〜 12:00 H111 (本館)

村岡祐治(岡山大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
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09:15 〜 09:30

[21a-H111-1] Rutile-TiO₂単結晶光生成キャリアダイナミクスにおける結晶軸依存性

〇佐藤夏子¹、五十嵐樹莉¹、井口歩武¹、井出寛子¹、下迫直樹¹、坂間弘¹、江馬一弘¹、欅田英之¹ (1.上智大理工)

09:30 〜 09:45

[21a-H111-2] 可視光応答性光触媒NbON(100)薄膜のエピタキシャル成長と残留キャリア密度の低減

〇菊地諒介¹、中村透¹、田村聡¹、村瀬英昭¹、羽藤一仁¹ (1.パナソニック)

09:45 〜 10:00

[21a-H111-3] パルスレーザー堆積/非接触原子間力顕微鏡複合装置の開発とアナターゼ型TiO₂(001)表面の高分解能測定

〇勝部大樹¹、山下隼人¹、阿保智¹、若家冨士男¹、阿部真之¹ (1.阪大院基礎工)

10:00 〜 10:15

[21a-H111-4] 深紫外線センサの応用に向けたNi_1-xMg_xO膜の酸素空孔が及ぼす吸収スペクトルへの影響とバンドギャップの評価

〇西谷拓樹¹、太田晃平¹、北野総佑¹、濱野亮介¹、稲田貢¹、清水智弘¹、新宮原正三¹、幸塚広光¹、齊藤正¹ (1.関西大学)

10:15 〜 10:30

[21a-H111-5] 金属ナノ粒子‐酸化物界面におけるマイクロ波吸収

〇佐藤友香¹、米谷真人¹、椿俊太郎¹、鈴木榮一¹、和田雄二¹ (1.東工大院理工)

10:30 〜 10:45

[21a-H111-6] グラフェン上への配向性ZnOナノロッドの直接合成

〇(BC)徳田冬樹¹、本田光裕¹、奥村竜二¹、市川洋¹ (1.名工大)

10:45 〜 11:00

[21a-H111-7] (Zn_1-xNi_x)O混合体のバルク相分離構造解析及びエピタキシャル相分離薄膜成長

〇(M1)李明宇¹、中川原修²、服部梓¹、田中秀和¹ (1.阪大産研、2.株式会社村田製作所)

11:00 〜 11:15

[21a-H111-8] 単結晶酸化物ナノワイヤのナノ熱物性を活用した分子センサ

Meng Gang¹、長島一樹¹、金井真樹¹、〇柳田剛¹ (1.九大先導研)

11:15 〜 11:30

[21a-H111-9] VO₂フリースタンディングナノ細線の作製と電気伝導特性評価

〇樋口敬之¹、神吉輝夫¹、 Luca Pellegrino²、 Nicola Manca⁴、 Daniele Marré^2,3、田中秀和¹ (1.阪大産研、2.CNR-SPIN、3.Genova Univ.、4.Delft Univ. of tech)

11:30 〜 11:45

[21a-H111-10] TiO₂(001)基板上の単結晶VO₂薄膜のHall測定による電荷輸送特性評価

〇近成将¹、神吉輝夫¹、田中秀和¹ (1.阪大産研)

11:45 〜 12:00

[21a-H111-11] 有機極性分子の表面修飾によるVO₂薄膜の金属-絶縁体相転移制御

〇塩谷広樹¹、庄子良晃²、清木規矢²、中野匡規¹、福島孝典²、岩佐義宏^1,3 (1.東大工、2.東工大資源研、3.理研CEMS)

一般セッション(口頭講演)

[21p-H111-1~22] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2016年3月21日(月) 13:00 〜 18:45 H111 (本館)

島久(産総研)、内藤泰久(産総研)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
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13:00 〜 13:15

△ [21p-H111-1] Cu/WO_x平面型抵抗変化メモリのTEMその場観察

〇武藤恵¹、米坂瞭太¹、福地厚¹、有田正志¹、高橋庸夫¹ (1.北大院情報)

13:15 〜 13:30

△ [21p-H111-2] 二層絶縁層を有するMoO_x/Al₂O₃抵抗変化型メモリ動作のTEMその場観察

〇平田周一郎¹、高橋謙仁¹、福地厚¹、有田正志¹、高橋庸夫¹ (1.北大院情報)

13:30 〜 13:45

△ [21p-H111-3] 抵抗変化型メモリのアナログ的抵抗可変特性

〇曹民圭¹、勝村玲音¹、福地厚¹、有田正志¹、高橋庸夫¹、安藤秀幸²、森江隆² (1.北大・院情報、2.九工大・生命体工)

13:45 〜 14:00

△ [21p-H111-4] Ta₂O₅を用いた抵抗変化型メモリの多値・アナログメモリ動作

〇勝村玲音¹、 Grönroos Mika¹、福地厚¹、有田正志¹、高橋庸夫¹、安藤秀幸²、森江隆² (1.北大・院情報、2.九工大・生命体工)

14:00 〜 14:15

△ [21p-H111-5] スパッタ堆積SiO₂膜の抵抗変化現象に対するキャリアエネルギーの影響

〇山口凛太郎¹、佐藤伸吾¹、大村泰久¹ (1.関西大)

14:15 〜 14:30

△ [21p-H111-6] 酸素欠陥型抵抗変化メモリにおける欠陥導入層の材料選択

〇中川良祐¹、福地厚¹、有田正志¹、高橋康夫¹ (1.北大院情報)

14:30 〜 14:45

[21p-H111-7] RFスパッタ法によるBaTiO₃薄膜の抵抗変化型メモリ特性の検討

〇前島壮¹、橋本修平¹、杉江敏幸¹、張子洋¹、山下馨¹、野田実¹ (1.京工繊工芸)

14:45 〜 15:00

△ [21p-H111-8] Layer-by-Layer焼成雰囲気におけるBaTiO₃薄膜の抵抗変化型メモリ特性向上の研究

〇杉江敏幸¹、橋本修平¹、前島壮¹、張子洋¹、野田実¹、山下馨¹ (1.京工繊工芸)

15:00 〜 15:15

△ [21p-H111-9] スパッタ堆積SiO₂膜の抵抗変化現象の特徴

〇赤野拓哉¹、山口凛太朗¹、佐藤伸吾¹、大村泰久¹ (1.関西大)

15:15 〜 15:30

△ [21p-H111-10] 抵抗変化メモリ(ReRAM)の導電性パス生成機構の検討
～ NiOの様々な表面状態に対する電子状態解析～

〇(DC)森山拓洋^1,4、山崎隆浩²、大野隆央^2,3、岸田悟^1,4、木下健太郎^1,4 (1.鳥取大工、2.物材機構、3.東大生産研、4.TiFREC)

15:30 〜 15:45

△ [21p-H111-11] スパッタ堆積TiO₂膜の抵抗変化現象に関する考察

〇川嶋望¹、佐藤伸吾¹、大村泰久¹ (1.関西大)

15:45 〜 16:00

△ [21p-H111-12] ルチル型TiO₂単結晶の酸素空孔分布制御と抵抗変化特性

〇下谷将人¹、竹内正太郎¹、酒井朗¹ (1.阪大院基礎工)

16:00 〜 16:15

△ [21p-H111-13] 酸素ラジカルを用いて作製したTiO_2-δスパッタ薄膜の局所構造とI-V特性

〇(M1)川村欣也¹、樋口透¹、鈴木直哉¹、土屋敬志¹、小林正起²、組頭広志²、寺部一弥³ (1.東理大理、2.高エネ研、3.物材機構)

16:30 〜 16:45

[21p-H111-14] 熱アニールによるHfO₂膜変化の導電AFM観察

〇三沢源人¹、島久¹、内藤泰久¹、秋永広幸¹ (1.産総研)

16:45 〜 17:00

[21p-H111-15] Electronic mechanism for resistive switching

〇Raebiger Hannes^1,2、 Padilha Claudio^2,1、 Rocha Alexandre R.³、 Dalpian Gustavo M.² (1.Yokohama Natl. Univ.、2.UFABC、3.UNESP)

17:00 〜 17:15

[21p-H111-16] Ge核／Si上へのFe₃O_4-_δナノドットエピタキシャル成長におけるGe核サイズの効果

〇(D)石部貴史¹、前田佳輝¹、松井秀紀¹、渡辺健太郎¹、成瀬延康²、中村芳明¹ (1.阪大院基礎工、2.北海道大学)

17:15 〜 17:30

[21p-H111-17] Si 基板上への鉄酸化物ナノドットの固相エピタキシャル成長とその電気特性評価

〇前田佳輝¹、黒川翼¹、石部貴史¹、渡辺健太郎¹、成瀬延康²、中村芳明¹ (1.阪大院基礎工、2.北海道大学)

17:30 〜 17:45

[21p-H111-18] Cu/Ta₂O₅界面の酸化還元反応と抵抗スイッチ動作の湿度依存性

〇鶴岡徹¹、マヌカンセドリック¹、長谷川剛²、青野正和¹ (1.物材機構、2.早稲田大)

17:45 〜 18:00

[21p-H111-19] Pt/Nb:STOショットキー接合における障壁変調とメモリ特性の関係

〇塩見俊樹¹、萩原祐仁¹、岸田悟^1,2、木下健太郎^1,2 (1.鳥取大工、2.TiFREC)

18:00 〜 18:15

[21p-H111-20] 陰イオン拡散型抵抗変化メモリの荷電状態に基づいた信頼性の検討

〇木村康平¹、大観光徳^1,2、岸田悟^1,2,3、木下健太郎^1,2,3 (1.鳥取大工、2.鳥取大学工学部附属電子ディスプレイ研究センター、3.鳥取大学工学部附属先端融合研究センター)

18:15 〜 18:30

[21p-H111-21] ReRAMにおける抵抗変化ドライビングフォースとしてのSoret拡散の検討

〇木下健太郎^1,2,3、小石遼介¹、森山拓洋^1,2、河野公紀¹、宮下英俊^1,2、李相錫^1,2、岸田悟^1,2 (1.鳥取大工、2.TiFREC、3.TEDREC)

18:30 〜 18:45

[21p-H111-22] Ti系薄膜およびTiナノドットを埋め込んだSiO_x膜の抵抗変化特性評価

〇加藤祐介¹、大田晃生¹、牧原克典¹、宮崎誠一¹ (1.名大院工)

一般セッション(ポスター講演)

[22a-P4-1~27] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2016年3月22日(火) 09:30 〜 11:30 P4 (屋内運動場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:30 〜 11:30

△ [22a-P4-1] 酸化亜鉛を用いた透明セルフスイッチングナノダイオードの作製と評価

〇孫屹¹、芦田浩平¹、松田宗平¹、小山政俊¹、前元利彦¹、佐々誠彦¹、葛西誠也² (1.阪工大ナノ材研、2.北大量集センター)

09:30 〜 11:30

▼ [22a-P4-2] One-pot room temperature synthesis of yellow-orange TiO2: high photocatalytic activity
under visible light

〇(M2)Wang Yufeng¹、 Takahashi Shintaro¹、 Saitow Ken-ichi^2,1 (1.Graduate school of science, Hiroshima Univ.、2.N-BARD, Hiroshima Univ.)

09:30 〜 11:30

△ [22a-P4-3] Au/CuO_x/(Cu_xNi_ySi_z)_mO_n/n-Si構造の抵抗変化型不揮発性メモリ

〇岩佐太陽¹、塚本貴広¹、須田良幸¹ (1.東京農工大院工)

09:30 〜 11:30

△ [22a-P4-4] 強相関電子系Ca_1-xLa_xMnO₃におけるC型軌道整列状態の形成

〇(M2)後藤崇将¹、小山泰正^1,2 (1.早大基幹、2.早大材研)

09:30 〜 11:30

▼ [22a-P4-5] Influence of Seed Layer to Change the Size of Zinc Oxide Nanorods

〇(D)Bramantyo Albertus¹、 Okuya Masayuki¹、 Murakami Kenji¹、 Poespawati Nji Raden²、 Udhiarto Arief² (1.Shizuoka University、2.Univ. of Indonesia)

09:30 〜 11:30

[22a-P4-6] ルチル型二酸化ルテニウム薄膜における電気輸送特性の膜厚依存性

〇沓澤大^1,2、岡大地²、福村知昭²、長谷川哲也^1,3 (1.東大院理、2.東北大院理、3.KAST)

09:30 〜 11:30

[22a-P4-7] Nd:YAGレーザーの第4次高調波を用いたPLD法によるSrTiO₃薄膜の結晶成長とアニール効果

〇富士原巧¹、横田晃伸¹、中村基訓¹、吉本健一¹、篁耕司¹ (1.旭川高専)

09:30 〜 11:30

[22a-P4-8] Proposal of Integrated Sensitized Solar Cell Films Based on Sputtered ZnO Thin Films

〇Jassim Alshaalah¹、牧原健二¹、吉村徹三¹ (1.東京工科大)

09:30 〜 11:30

[22a-P4-9] 酸素欠陥を持つPt/TiO_2-d/Ptスパッタ薄膜の低温成膜と構造・電気特性

高柳真¹、川村欣也¹、土屋敬志¹、寺部一弥²、〇樋口透¹ (1.東理大理、2.物材機構)

09:30 〜 11:30

[22a-P4-10] 価数を制御したVO₂薄膜の金属－絶縁体転移

丹野友博¹、末次高明¹、土屋敬志¹、小林正起²、〇樋口透¹、組頭広志² (1.東理大理、2.高エネ研)

09:30 〜 11:30

[22a-P4-11] Nd_1-xSr_xFeO_3-_d薄膜の結晶・電子構造と電気特性

並木航¹、鈴木直哉¹、中野拓也¹、土屋敬志¹、小林正起²、組頭広志²、〇樋口透¹ (1.東理大理、2.高エネ研)

09:30 〜 11:30

[22a-P4-12] 原子層堆積法による酸化ビスマスの成長

〇平林三寛¹、田中優¹、小松周平¹ (1.上智大理工)

09:30 〜 11:30

[22a-P4-13] ZnO/Pt障壁を用いた赤外線ボロメータ素子

〇張朝傑¹、関根大貴¹、宝田隼¹、古川昭雄¹ (1.東理大院理工)

09:30 〜 11:30

[22a-P4-14] 導電性ITO層上に成長したM2相VO₂薄膜のIMT特性及び自励発振特性

〇モハメッドミヤシュルズ¹、佐藤賢太¹、按田祐輔¹、椎名庸介¹、沖村邦雄¹、坂井穣² (1.東海大院理工、2.トゥール大　GREMAN)

09:30 〜 11:30

[22a-P4-15] SrTiO₃/LaTiO₃界面の二次元磁気輸送特性

〇李智蓮¹、高橋竜太¹、リップマーミック¹ (1.東大物性研)

09:30 〜 11:30

[22a-P4-16] マグネリ相チタン酸化物単結晶の作製条件と特性の評価

〇上岡隼人¹、水越貴彦¹、加藤明久¹、七井靖¹ (1.日大文理)

09:30 〜 11:30

[22a-P4-17] (Ti,Co)O₂スパッタ薄膜の磁性への電界効果

〇山田義春¹、佐藤和郎¹ (1.阪府産技研)

09:30 〜 11:30

[22a-P4-18] 可視光で充電できる酸化チタン-ポリアニリン複合膜

〇(M1)税所健¹、安永達也¹、松山智彦¹、前田大輝¹、野見山輝明¹、堀江雄二¹ (1.鹿児島大院理工)

09:30 〜 11:30

[22a-P4-19] 金属有機化合物分解法によるGaN表面へのNiO粒子の形成

〇(M1)喜田弘文¹、伊藤圭亮¹、熊崎祐介¹、佐藤威友¹ (1.北大量集セ)

09:30 〜 11:30

[22a-P4-20] 酸化鉄ナノ構造体を用いた擬似太陽光による気相メタノール光触媒分解

〇太田貴洋¹、野田啓¹ (1.慶應大理工)

09:30 〜 11:30

[22a-P4-21] 可視光透過型太陽電池に向けたGZO薄膜の作製と評価

〇永沼裕文¹、金相澈¹、佐藤和弥¹、趙新為¹、小室修二² (1.東理大理、2.東洋大理工)

09:30 〜 11:30

[22a-P4-22] ITO陽極からの正孔注入特性改善のためのITOバッファーの検討

〇星陽一¹、濱口大地¹、小林信一¹、澤田豊¹、内田孝幸¹ (1.東京工芸大学)

09:30 〜 11:30

▲ [22a-P4-23] The impact of Nb doping on the resistance switching of SrTiO₃

〇陳君¹、李建永²、伊藤俊³、羅顕佳¹、関口隆史¹ (1.物材機構、2.科学技術振興機構、3.東北大)

09:30 〜 11:30

[22a-P4-24] 3D-nanoESCAによるLa₂Ti₅MS₅O₇(M=Cu, Ag)のピンポイント電子状態解析

〇坂井延寿¹、永村直佳²、 Liu Jingyuan¹、久富隆史¹、山田太郎¹、尾嶋正治¹、堂免一成¹ (1.東大院工、2.NIMS)

09:30 〜 11:30

[22a-P4-25] 可視光透過型太陽電池に向けたNiO:Li薄膜の作製と評価Ⅱ

〇佐藤和弥¹、金相澈¹、永沼裕文¹、小室修二²、趙新為¹ (1.東理大理、2.東洋大理工)

09:30 〜 11:30

[22a-P4-26] MOD法を用いたTiO₂薄膜による光触媒活性の評価

〇小漆間拓人¹、馬場稔也¹、山本伸一¹ (1.龍谷大理工)

09:30 〜 11:30

[22a-P4-27] 多孔質酸化チタン薄膜の水素処理効果

〇市川裕¹、久保木尊愛¹、永吉浩¹ (1.東京高専)

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