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一般セッション(口頭講演)

[12a-N203-1~10] 6.4 薄膜新材料

2021年9月12日(日) 09:00 〜 11:30 N203 (口頭)

村岡祐治(岡山大)、室谷裕志(東海大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
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09:00 〜 09:15

[12a-N203-1] Ag系Low-E多層膜の電気抵抗率を低減する最下層の特性

〇(D)水越光司^1,2、山村剛史³、冨岡泰宏³、川村みどり¹ (1.北見工大、2.YKK AP、3.YKK)

09:15 〜 09:30

[12a-N203-2] Al薄膜およびPt薄膜の抵抗率におけるスパッタガス種の影響

〇早坂楓光斗¹、川村みどり¹、木場隆之¹、阿部良夫¹ (1.北見工大工)

09:30 〜 09:45

[12a-N203-3] 異なるガス種でスパッタしたTi及びTiN薄膜の特性

〇鈴木和寿¹、川村みどり¹、木場隆之¹、阿部良夫¹ (1.北見工大工)

09:45 〜 10:00

[12a-N203-4] TiNの有機金属分子線エピタキシー

〇大久保勇男¹、相澤俊¹、 Mikk Lippmaa²、森孝雄¹ (1.物材機構、2.東大物性研)

10:00 〜 10:15

[12a-N203-5] BドープIn₂O₃透明導電膜における微量不純物濃度での移動度向上

〇(M1)森峻¹、一関夢希也¹、渡辺幸太郎¹、大榮海斗¹、永井裕己¹、山口智広¹、尾沼猛儀¹、本田徹¹、相川慎也¹ (1.工学院大工)

10:15 〜 10:30

[12a-N203-6] CaF₂ドープIn₂O₃透明導電膜における表面ラフネスおよび導電率のドーパント濃度依存性

〇(M2)大榮海斗¹、森峻¹、渡辺幸太郎¹、永井裕己¹、山口智広¹、尾沼猛儀¹、本田徹¹、相川慎也¹ (1.工学院大)

10:30 〜 10:45

[12a-N203-7] CaF₂上におけるBi₂Te₃超薄膜の成長と電子物性

〇八田振一郎¹、檜垣慎平¹、奥山弘¹、有賀哲也¹ (1.京大院理)

10:45 〜 11:00

[12a-N203-8] 電気化学インピーダンス法によるvertically aligned MoS₂の結晶配向性が電気化学特性に与える影響の検討

〇高橋和樹¹、佐藤公輝¹、松島聖人¹、金冑男^1,2、杉山睦^1,2 (1.東理大理工、2.東理大総研)

11:00 〜 11:15

[12a-N203-9] 高配向vertical aligned MoS₂薄膜の成膜に向けた前駆体の結晶性及び硫化条件の検討

〇松島聖人¹、高橋和樹¹、金冑男^1,2、杉山睦^1,2 (1.東理大理工、2.東理大総研)

11:15 〜 11:30

[12a-N203-10] 壊れやすい試料へ電気接触するためのソフトプローブ

〇吉武道子¹ (1.物材機構)

一般セッション(口頭講演)

[12p-N203-1~12] 6.4 薄膜新材料

2021年9月12日(日) 13:30 〜 16:45 N203 (口頭)

田中勝久(京大)、中村吉伸(東大)、中塚理(名大)

△：奨励賞エントリー
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13:30 〜 13:45

[12p-N203-1] [分科内招待講演] Fe/MgO界面への窒素不純物が磁気異方性とTMRに与える影響について

〇小川湧太郎¹、洗平昌晃^1,2、遠藤哲郎^3,4、白石賢二^1,2,3 (1.名大院工、2.名大未来研、3.東北大国際集積セ、4.東北大通研)

13:45 〜 14:00

[12p-N203-2] 高配向前駆体を用いたトポタクティック変態によるCo-Fe-Ga合金膜の配向制御

〇大野悠太¹、山田啓介¹、嶋睦宏¹ (1.岐阜大院自)

14:00 〜 14:15

[12p-N203-3] 光MOD法によるBi置換希土類鉄ガーネット薄膜の仮焼成条件の検討

〇(M1)藤田拓実¹、相場遥佳¹、西川雅美¹、河原正美²、中島智彦³、土屋哲男³、石橋隆幸¹ (1.長岡技大、2.高純度化学、3.産総研)

14:15 〜 14:30

[12p-N203-4] ポストアニールによるZnMnGaO4薄膜のナノチェッカーボード構造の制御

〇(M2)森下和樹¹、堀出朋哉¹、堀部陽一¹、石丸学¹、松本要¹ (1.九工大)

14:30 〜 14:45

[12p-N203-5] ルチル型TiO₂-RuO₂膜におけるスピノーダル分解

〇村岡祐治¹、河原拓海²、脇田高徳¹、横谷尚睦¹、竹元嘉利² (1.岡山大基礎研、2.岡山大院自然科学)

14:45 〜 15:00

[12p-N203-6] 準安定相ペロブスカイト型タンタル酸カルシウム薄膜の構造解析

〇川口昂彦¹、杉田真由子¹、坂元尚紀¹、鈴木久男¹、脇谷尚樹¹ (1.静大院工)

15:00 〜 15:15

[12p-N203-7] SrRuO₃薄膜を用いた転写プロセスによるエピタキシャルPb(Zr, Ti)O₃薄膜の保護

〇水山智文¹、廣﨑紀光²、西川博昭³ (1.近畿大院生物理工、2.太洋工業研究開発部、3.近畿大生物理工)

15:30 〜 15:45

[12p-N203-8] マイクロ波加熱法を利用したITO透明導電膜の作製における雰囲気の検討

〇戸田恭輔¹、小西直磨¹、内藤貫太¹、奥谷昌之¹ (1.静岡大院工)

15:45 〜 16:00

[12p-N203-9] マイクロ波の磁場照射による多孔質TiO₂層の作製と色素増感太陽電池への応用

〇小西直磨¹、戸田恭輔¹、内藤貫太¹、奥谷昌之¹ (1.静岡大院工)

16:00 〜 16:15

[12p-N203-10] 大気圧非平衡プラズマの３次元的制御による多孔質TiO₂膜の作製と色素増感太陽電池への応用

〇長尾優輝¹、眞弓慎司¹、澤村南斗¹、奥谷昌之¹ (1.静岡大院工)

16:15 〜 16:30

[12p-N203-11] 大気開放型CVD法-Al₂O₃膜のアニールに伴う色変化

〇本田秀理¹、小松啓志¹、齋藤秀俊¹ (1.長岡技科大)

16:30 〜 16:45

[12p-N203-12] キレートフレーム法で作製した酸化マグネシウム断熱膜の熱伝導率

〇徐若暉¹、小松啓志¹、中村淳^1,2、伊藤治^1,2、齋藤秀俊¹ (1.長岡技術科学大学、2.中部キレスト)

一般セッション(口頭講演)

[13a-N203-1~7] 6.4 薄膜新材料

2021年9月13日(月) 09:30 〜 11:15 N203 (口頭)

石橋隆幸(長岡技科大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:30 〜 09:45

[13a-N203-1] イッテルビウム二水素化物膜の電気伝導特性評価

〇(M2)橘内悟¹、吉住年弘¹、中村修²、長谷川繁彦³、酒井政道¹ (1.埼大院理工、2.岡山理大社会連携セ、3.阪大産研)

09:45 〜 10:00

▼ [13a-N203-2] Selective fabrication of Ca₂NH and CaNH epitaxial thin films using reactive magnetron sputtering

〇(D)Seoungmin Chon¹、 Ryota Shimizu^1,2、 Yuki Sugisawa³、 Shigeru Kobayashi¹、 Kazunori Nishio¹、 Markus Wilde⁴、 Daiichiro Sekiba³、 Katsuyuki Fukutani^4,5、 Taro Hitosugi¹ (1.Tokyo Tech、2.JST-PRESTO、3.Univ. of Tsukuba、4.Univ. of Tokyo、5.JAEA)

10:00 〜 10:15

△ [13a-N203-3] 層状化合物BiI₃薄膜のエピタキシャル成長と光学特性評価

〇(M1)安波貴広¹、中村優男²、稲垣宗太朗¹、豊田新悟²、小川直毅^1,2、十倉好紀^1,2,3、川﨑雅司^1,2 (1.東大院工、2.理研CEMS、3.東京カレッジ)

10:15 〜 10:30

△ [13a-N203-4] 低温成長させたウルツ鉱型Mg_xZn_1-xSnN₂混晶薄膜の非縮退化

〇(M2)水谷真梨¹、矢田舜一郎¹、松浦健太¹、川村史郎²、井村将隆³、村田秀信³、賈軍軍⁴、山田直臣¹ (1.中部大院工、2.材料機構、3.大阪府大工、4.早大国際理工)

10:30 〜 10:45

△ [13a-N203-5] ウルツ鉱型MgSnN₂の伝導帯有効質量

〇(M1)矢田舜一郎¹、水谷真梨¹、牧内楓¹、川村史朗²、井村将隆²、村田秀信³、賈軍軍⁴、山田直臣¹ (1.中部大院工、2.物材機構、3.大阪府大院工、4.早大国際理工)

10:45 〜 11:00

▼ [13a-N203-6] A study of Ar/N₂-sputtering gas pressure on electrical characteristics of LaB_xN_y insulator formed by RF sputtering

〇(D)EUNKI HONG¹、 Shun-ichiro Ohmi¹ (1.Tokyo Inst. of Technology)

11:00 〜 11:15

△ [13a-N203-7] ミストCVD法を用いたYSZ(111)面基板上の
IMO薄膜のエピタキシャル成長とその評価

〇(M1)石野貴之¹、島添和樹¹、西中浩之¹、吉本昌広¹ (1.京都工繊大)

一般セッション(口頭講演)

[13p-N203-1~10] 6.4 薄膜新材料

2021年9月13日(月) 13:30 〜 16:00 N203 (口頭)

土屋哲男(産総研)、西川博昭(近畿大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
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13:30 〜 13:45

[13p-N203-1] 高分解能Ｘ線吸収分光法による抵抗スイッチング材料Pt/AlFeO₃/Nb:SrTiO₃ヘテロ膜の電子状態測定

〇遠藤優理¹、加藤盛也¹、中島伸夫¹、 Badari Narayana Rao²、安井伸太郎³、大沢仁志⁴、河村直己⁴ (1.広島大院先進理工、2.千葉大先進科学、3.東工大ZC研、4.JASRI)

13:45 〜 14:00

△ [13p-N203-2] 異原子価ドープ層状La-Ni-O系エピタキシャル薄膜のPLD合成および特性評価

〇(M2)久富翔平¹、後藤祐己¹、大賀友瑛¹、金子智^2,1、吉本護¹、松田晃史¹ (1.東工大物質理工、2.神奈川県産技総研)

14:00 〜 14:15

△ [13p-N203-3] 傾斜組成LiNi_xMn_yCo_zO₂薄膜作製に向けた
LiNi_0.67Mn_0.33O₂エピタキシャル薄膜の予備検討

〇(M1)鈴木貫太¹、神永健一¹、丸山伸伍¹、松本祐司¹ (1.東北大院工)

14:15 〜 14:30

△ [13p-N203-4] 傾斜組成MgドープZnO薄膜の光触媒特性

〇(M2)佐藤湧太¹、丸山伸伍¹、神永健一¹、松本祐司¹ (1.東北大院工)

14:30 〜 14:45

△ [13p-N203-5] コンビナトリアル手法を用いたトンネルFET用n型酸化物半導体チャネル材料の検討

〇大門祐貴^1,2、知京豊裕²、小椋厚志^1,3、長田貴弘^2,3 (1.明大理工、2.物質・材料研究機構、3.明大MREL)

14:45 〜 15:00

△ [13p-N203-6] 複合成膜手法による低屈折率TiO₂光学薄膜の作製

〇速水舞¹、室谷裕志²、松本繁治³ (1.東海大院総合理工、2.東海大工、3.㈱シンクロン)

15:00 〜 15:15

△ [13p-N203-7] 複合成膜手法により成膜された低屈折率SiO2光学薄膜の親水性評価[2]

〇(M1)伊藤睦記¹、松本繁治²、室谷裕志¹ (1.東海大工、2.（株）シンクロン)

15:15 〜 15:30

△ [13p-N203-8] 複合成膜により成膜された低屈折率SiO₂光学薄膜の光散乱特性(4)

〇(M2)若宮大生¹、松本繫治²、室谷裕志¹ (1.東海大院工、2.（株）シンクロン)

15:30 〜 15:45

△ [13p-N203-9] 複合成膜により成膜された低屈折率SiO₂光学薄膜の多層化(2)

〇(D)田島直弥¹、松本繁治²、室谷裕志¹ (1.東海大院総理工、2.(株)シンクロン)

15:45 〜 16:00

▼ [13p-N203-10] Structural stability of 2D II-V compounds

〇(D)Lucia Arellano^1,2、 Takayuki Suga¹、 Miguel Cruz-Irisson²、 Jun Nakamura¹ (1.UEC Tokyo、2.IPN Mexico)

一般セッション(ポスター講演)

[22a-P04-1~18] 6.4 薄膜新材料

2021年9月22日(水) 09:00 〜 10:40 P04 (ポスター)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
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09:00 〜 10:40

[22a-P04-1] SrTiO₃基板上NiO系薄膜のPLD合成と大気圧酸素アニール効果

〇(M1)後藤祐己¹、久富翔平¹、大賀友瑛¹、金子健太¹、金子智^2,1、吉本護¹、松田晃史¹ (1.東工大物質理工、2.神奈川県産技総研)

09:00 〜 10:40

[22a-P04-2] 大気中アニールによるTiNの電気的特性

〇清水利玖¹、及川大地¹、藤田利晃²、牧本俊樹¹ (1.早大理工、2.三マテ)

09:00 〜 10:40

[22a-P04-3] 負の熱膨張を示すMn₃Sn_0.5Zn_0.5N薄膜作製の試みと構造調査

〇竹原玄貴¹、貞島幹大¹、田中雅章¹、壬生攻¹ (1.名工大工)

09:00 〜 10:40

[22a-P04-4] エキシマレーザ照射プロセスへの窒素プラズマ融合効果

〇袖山和斗¹、西川雅美¹、石橋隆幸¹、河原正美²、中島智彦³、土屋哲男³ (1.長岡技大、2.高純度化学、3.産総研)

09:00 〜 10:40

[22a-P04-5] 超音波霧化を用いたBi置換希土類鉄ガーネット薄膜用ＭＯＤ溶液塗布技術の開発

〇磯村奎太郎¹、西川雅美¹、河原正美²、荒川亮³、森英季³、石橋隆幸¹ (1.長岡技大、2.高純度化学、3.秋田県産技センター)

09:00 〜 10:40

[22a-P04-6] 一連の希土類元素を用いたBi置換希土類鉄ガーネット薄膜のガラス基板上への作製と磁気光学的評価

〇西敬生¹、森謙太¹、加藤剛志²、西川雅美³、石橋隆幸³ (1.神戸高専、2.名古屋大、3.長岡技科大)

09:00 〜 10:40

[22a-P04-7] エキシマレーザーアニーリングを用いたポリマー基板上におけるGa₂O₃薄膜の固相結晶化

〇(M1)甲斐稜也¹、渡邉一樹¹、大賀友瑛¹、金子智^2,1、松田晃史¹、吉本護¹ (1.東工大物質理工、2.神奈川県産技総研)

09:00 〜 10:40

[22a-P04-8] フッ素ドープ酸化インジウムナノキューブを用いた透明導電膜の作製

〇松下匠¹、イスンヒョク¹、立間徹¹ (1.東大生研)

09:00 〜 10:40

[22a-P04-9] フレキシブルITOナノファイバ導電不織布基板の導電性と柔軟性の向上

〇(M1C)大木下潤¹、吉永賢¹、野見山輝明¹、堀江雄二¹ (1.鹿児島大院　理工)

09:00 〜 10:40

[22a-P04-10] 室温ALDによるシリカ-アルミノシリケート多層膜の試作とイオン吸着性評価

〇齋藤尊¹、齋藤健太郎^1,2、三浦正範³、鹿又健作³、廣瀬文彦¹ (1.山形大院理工、2.学振特別研究員、3.山形大ROEL)

09:00 〜 10:40

[22a-P04-11] セラミックスアーキテクチャーによるテラヘルツガスセンシングの試み

〇小松啓志¹、岩本敏志²、伊藤治彦¹、齋藤秀俊¹ (1.長岡技科大、2.日邦プレシジョン株式会社)

09:00 〜 10:40

[22a-P04-12] 反応性スパッタ法により室温堆積したYSZ薄膜における結晶性の酸素流量依存性

〇(M2)周景堯¹ (1.北陸先端大)

09:00 〜 10:40

▲ [22a-P04-13] Photoelectron spectroscopy measurements of β-tungsten thin film

〇HeunTae Lee¹、 Hitoshi Yamaoka²、 Hitoshi Sato³、 Masashi Arita³ (1.Osaka Univ.、2.RIKEN/SPring-8、3.Hiroshima Synchrotron Radiation Center)

09:00 〜 10:40

[22a-P04-14] 吸引濾過転写法による銀マイクロプレート導電性薄膜の作製

〇古澤匠海¹、石﨑学¹、栗原正人¹ (1.山大理工)

09:00 〜 10:40

[22a-P04-15] Gaベース液体金属合金から剥離した二次元酸化物ナノシートの特性評価

〇前田直輝¹、番貴彦²、永井慈¹、山本伸一¹、今井崇人¹、宮戸祐治¹ (1.龍谷大理工、2.滋賀県立大工)

09:00 〜 10:40

[22a-P04-16] 傾斜組成 Ce ドープ LiCoO2エピタキシャル薄膜の作製

〇(M1)鈴木貫太¹、神永健一¹、丸山伸伍¹、松本祐司¹ (1.東北大院工)

09:00 〜 10:40

[22a-P04-17] 岩塩フラックスと炭酸水酸化物塩を介したZnO薄膜の新配向制御

〇(M1)黒田晃生¹、神永健一¹、丸山伸伍¹、松本祐司¹ (1.東北大院工)

09:00 〜 10:40

[22a-P04-18] 放電を用いたGe₂Sb₂Te₅薄膜の相変化現象

〇(B)森田爽¹、坂井穣²、桑原正史³、片野諭¹ (1.東北大通研、2.豊島製作所、3.産総研)

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