一般セッション(ポスター講演)

[27p-PB4-1~16] 13.5 Siプロセス技術

2013年3月27日(水) 13:30 〜 15:30 PB4 (第二体育館)

ポスター掲示時間13:30〜15:30(PB会場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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[27p-PB4-1] Agを用いたサーファクタント・クリスタライゼーション法によるゲルマニウム薄膜の結晶化 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○三芝直也¹，田中勝之¹，稲瀬陽介¹，三浦寛之¹，神子公男²，弓野健太郎¹ (芝浦工業大¹，東大生産技術研²)

[27p-PB4-2] Auを用いたMIC法によるGeの結晶化 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○金澤徹¹，稲瀬陽介¹，三浦寛之¹，神子公男²，弓野健太郎¹ (芝浦工大工¹，東大生研²)

[27p-PB4-3] Alを用いたMIC法によるアモルファスSiの結晶化 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○飯島裕貴¹，高柳淳¹，武江敏範¹，神子公男²，弓野健太郎¹ (芝浦工大工¹，東大生研²)

[27p-PB4-4] 巨大線状Si結晶グレインを用いた高性能薄膜トランジスタ (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○（B）山野真幸¹，黒木伸一郎¹，佐藤旦¹，小谷光司² (広島大ナノデバイス¹，東北大工²)

[27p-PB4-5] 超小型Ge受光器実現に向けたエピタキシャル成長プロセス検討 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○三浦真^1,2，藤方潤一^1,2，野口将高^1,2，堀川剛^1,3，荒川泰彦^1,4 (ＰＥＣＳＴ¹，ＰＥＴＲＡ²，産総研³，東大生研⁴)

[27p-PB4-6] ウエットエッチングを用いたSiウエハ薄形化/貫通電極露出工程の開発 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○渡辺直也¹，宮崎匠²，青柳昌宏¹，吉川和博^3,4 (産総研¹，プレテックAT²，アプリシア³，東北大院工⁴)

[27p-PB4-7] △表面活性化ボンディングによるメサエッチングSi基板の接合特性評価 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○森本雅史，梁剣波，宮崎達也，西田将太，重川直輝 (大阪市立大工)

[27p-PB4-8] Alダメージレス絶縁膜エッチング剤の開発 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○田湖次広^1,2，市野邦男²，木村真弓¹，松井篤史¹ (林純薬工業¹，鳥取大院工²)

[27p-PB4-9] 薄膜トランジスタによるニューラルネットワーク (1:30 PM ～ 3:30 PM)

山口裕貴，森田竜平，藤田悠佑，宮谷友彰，笠川知洋，松田時宜，^○木村睦 (龍谷大理工)

[27p-PB4-10] 薄膜トランジスタによる集積化ポテンシオスタット (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○木村睦，飯室恵紀，佐川祐樹，松田時宜 (龍谷大理工)

[27p-PB4-11] シリコン中に共注入した炭素がホウ素活性化に与える影響 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○清水康雄¹，高見澤悠¹，井上耕治¹，矢野史子^1,2，永井康介¹ (東北大金研¹，東京都市大²)

[27p-PB4-12] S導入したNiGe/GeとNiSi/Siのショットキーバリアハイト変調の比較検討 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○小池正浩，上牟田雄一，手塚勉 (産総研GNC)

[27p-PB4-13] Niシリサイド／Siショットキー接合界面における偏析不純物の活性化の評価 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○秋田洸平¹，宮田陽平¹，寺山一真¹，武井優典¹，筒井一生¹，野平博司²，角嶋邦之¹，アヘメトパールハット¹，服部健雄¹，岩井洋¹ (東工大¹，東京都市大²)

[27p-PB4-14] Pを導入したNiSi₂/n-Geに硬X線光電子分光を用いたバンド曲がりの観測 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○吉原亮¹，田村雄太¹，角嶋邦之²，アヘメトパールハット¹，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，筒井一生²，名取研二¹，服部健雄¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²)

[27p-PB4-15] Bi原子細線構造を利用したSi中へのMnドーピング (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○（M1）坪松悟史^1,2，村田晃一^1,2，古谷野有²，日塔光一¹，三木一司^1,2 (物材機構¹，筑波大院数物²)

[27p-PB4-16] ヘリウムイオン顕微鏡を用いたタングステンピラーの作製および微細ヘリウムイオンビームと基板の相互作用 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○（P）小濱和之^1,2，飯島智彦¹，林田美咲¹，小川真一¹ (産総研¹，学振特別研究員²)

一般セッション(口頭講演)

[28a-G6-1~11] 13.5 Siプロセス技術

2013年3月28日(木) 10:00 〜 12:45 G6 (B5号館 1F-2106)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[28a-G6-1] ｢講演奨励賞受賞記念講演｣（15分）
ヘリウムイオン顕微鏡を用いたタングステンピラーの作製および基板に与えるダメージの評価 (10:00 AM ～ 10:15 AM)

^○小濱和之^1,2，飯島智彦¹，林田美咲¹，小川真一¹ (産総研¹，学振特別研究員²)

[28a-G6-2] △高精度アライメントを目指したHIM作製マーカーの電子線トモグラフィーへの適用 (10:15 AM ～ 10:30 AM)

^○林田美咲，飯島智彦，塚原雅宏，小川真一 (産総研)

[28a-G6-3] マスクレス描画装置のミニマル化 (10:30 AM ～ 10:45 AM)

^○入田亮一^1,2，三宅賢治^1,2，梅山規男²，ソマワンクアンプン^2,3，原史朗^2,3 (ピーエムティー¹，ミニマルファブ技術研究組合²，産総研³)

[28a-G6-4] ミニマルレーザ加熱装置の開発 (10:45 AM ～ 11:00 AM)

^○千葉貴史^1,2，寺田昌男^1,2，ソマワンクンプアン^2,3，池田伸一^2,3，谷島孝²，原史朗^2,3 (坂口電熱¹，ミニマルファブ技術研究組合²，産総研³)

[28a-G6-5] ミニマルファブにおけるウェハ搬送システム (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○前川仁^{1, 2}，ソマワンクンプアン^{1, 2}，原史朗^{1, 2} (産総研¹，ミニマルファブ技術研究組合²)

[28a-G6-6] Al薄膜の反射特性を利用した到達温度計測 (11:15 AM ～ 11:30 AM)

田口勇¹，三橋雅彦¹，松本伸雄²，^○加藤俊夫²，小田代健³，神埼礼子³ (神奈川県産業技術センター¹，ジ―クエスト²，アセイ工業³)

[28a-G6-7] 周波数変調出力方式の薄膜フォトセンサ (11:30 AM ～ 11:45 AM)

門目尭之，松村篤，東山剛士，大山翔平，松田時宜，^○木村睦 (龍谷大理工)

[28a-G6-8] 近赤外半導体レーザ光照射によるPドープSi膜の局所転写と不純物活性化 (11:45 AM ～ 12:00 AM)

^○（M2）小林義崇，酒池耕平，中村将吾，赤澤宗樹，東清一郎 (広大院先端研)

[28a-G6-9] バックエンド集積化に向けたポリイミド上InGaAs-nMISFET (12:00 PM ～ 12:15 AM)

^○前田辰郎¹，石井裕之¹，板谷太郎¹，Wipakorn Jevasuwan¹，安田哲二¹，市川磨²，秦雅彦² (産総研¹，住友化学²)

[28a-G6-10] 300 mmシリコンウエハー上へのエピタキシャルリフトオフ法によるIII-V/Ge高移動度チャネル材料転写技術 (12:15 PM ～ 12:30 AM)

^○（PC）三枝栄子¹，前田辰郎¹，宮田典幸¹，安田哲二¹，前田敦彦¹，倉島優一¹，高木秀樹¹，青木健志²，山本武継²，菊池俊之³，市川磨²，長田剛規²，秦雅彦²，小川有人³，国井泰夫³ (産総研¹，住友化学²，日立国際電気³)

[28a-G6-11] △High-k/In_0.53Ga_0.47As界面層が反転層電子移動度に与える影響 (12:30 PM ～ 12:45 AM)

^○小田穣¹，入沢寿史¹，上牟田雄一¹，Wipakorn Jevasuwan¹，前田辰郎¹，市川磨²，手塚勉¹ (産総研¹，住化筑波研²)

一般セッション(口頭講演)

[28p-G6-1~17] 13.5 Siプロセス技術

2013年3月28日(木) 14:00 〜 18:30 G6 (B5号館 1F-2106)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[28p-G6-0] 昼食(75分)

[28p-G6-1] △プラズマ励起ALD SiN膜構造における応力評価 (2:00 PM ～ 2:15 PM)

^○長坂将也¹，永田晃基^1,3，山口拓也¹，小椋厚志¹，陰地宏²，孫珍永²，広沢一郎²，渡部佳優⁴，廣田良浩⁴ (明治大理工¹，高輝度光科学センター²，学振特別研究員DC³，東京エレクトロン⁴)

[28p-G6-2] 反応性スパッタ製膜したSiNx膜の電気特性評価 (2:15 PM ～ 2:30 PM)

^○岡田竜弥，屋宜佳佑，井村公彦，野口隆 (琉球大工)

[28p-G6-3] クロロシラン系原料分解における水素ラジカル発生源の検討 (2:30 PM ～ 2:45 PM)

^○久保田誠^1,2，池田直樹^1,2，鯉沼秀臣³，石垣隆正²，角谷正友¹ (物材機構¹，法政大²，東大新領域³)

[28p-G6-4] プラズマCVDによるSi上のSiO₂成膜における表面処理効果 (2:45 PM ～ 3:00 PM)

^○川嶋智仁，片岡淳司，薮原秀彦 (東芝生産技術センター)

[28p-G6-5] 太陽電池用シリカ還元プロセスにおける原料の交互供給効果 (3:00 PM ～ 3:15 PM)

^○小笠原卓哉，伊高健治，神本正行，古屋康文，佐藤裕之，相馬拓也，佐藤洋平 (弘前大理工)

[28p-G6-6] ナノシリコン弾道電子源の還元効果によるSi薄膜堆積 (3:15 PM ～ 3:30 PM)

^○須田隆太郎，伊藤光樹，小島明，白樫淳一，越田信義 (東京農工大院工)

[28p-G6-7] TiN/Geコンタクトにおける低電子障壁発現機構の解明 (3:30 PM ～ 3:45 PM)

^○山本圭介^1,3，光原昌寿²，西田稔²，王冬²，中島寛¹ (九大産学連携センター¹，九大総理工²，学振特別研究員³)

[28p-G6-8] As⁺イオン注入したゲルマニウム層の化学分析 -イオン注入温度依存性- (3:45 PM ～ 4:00 PM)

^○小野貴寛¹，大田晃生¹，花房宏明¹，村上秀樹¹，東清一郎¹，宮崎誠一² (広大院先端研¹，名大院工²)

[28p-G6-9] 三次元アトムプローブによる溝埋め込み多結晶Si中の不純物分布評価 (4:00 PM ～ 4:15 PM)

^○矢野史子^1,2，高見澤悠¹，清水康雄¹，井上耕治¹，永井康介¹，国宗依信³，井上真雄³，西田彰男³，池田昌弘³ (東北大金研¹，東京都市大²，ルネサスエレ³)

[28p-G6-9.1] 休憩(15分)

[28p-G6-10] 結晶化誘発層上に堆積した非晶質Si薄膜のパルスレーザー照射による固相結晶化 (4:30 PM ～ 4:45 PM)

^○望月一秀，Lien Mai，堀田將 (北陸先端大)

[28p-G6-11] 大気圧マイクロ熱プラズマジェット照射によるa-Ge膜のLeading Wave Crystallization (4:45 PM ～ 5:00 PM)

^○（M1）上倉敬弘，林将平，森崎誠司，藤田悠二，赤澤宗樹，東清一郎 (広大院先端研)

[28p-G6-12] マイクロ熱プラズマジェット照射高速横方向結晶化におけるa-Si細線及びスリットマスクを用いた結晶位置制御 (5:00 PM ～ 5:15 PM)

^○藤田悠二，林将平，森崎誠司，上倉敬弘，山本将悟，東清一郎 (広大院先端研)

[28p-G6-13] ナノメートル幅アモルファスシリコン細線を用いたマイクロ熱プラズマジェット照射高速横方向結晶化における結晶成長制御 (5:15 PM ～ 5:30 PM)

^○（B）山本将悟，藤田悠二，林将平，森崎誠司，上倉敬弘，赤澤宗樹，村上秀樹，東清一郎 (広大院先端研)

[28p-G6-14] a-Si細線を用いた大気圧マイクロプラズマジェット結晶成長制御によるTFT特性ばらつきの改善および5V電源電圧でのCMOS回路動作 (5:30 PM ～ 5:45 PM)

^○森崎誠司，林将平，藤田悠二，東清一郎 (広大院先端研)

[28p-G6-15] △三次元構造デバイス応用に向けたCO₂レーザーアニールによる積層多結晶シリコン薄膜の形成 (5:45 PM ～ 6:00 PM)

^○（DC）山崎浩司¹，町田絵美¹，堀田昌宏^1,2，石河泰明^1,2，浦岡行治^1,2，池上浩³ (奈良先端科学技術大学院大¹，戦略的創造研究推進事業²，九大³)

[28p-G6-16] △レーザスポット長軸傾斜スキャンによるSiラテラル成長の成長方向制御 (6:00 PM ～ 6:15 PM)

^○（B）森岡遼太，葉文昌 (島根大　総合理工)

[28p-G6-17] CeO_x膜とNiSi₂電極を用いた抵抗変化メモリの抵抗変化時の電流の過渡特性 (6:15 PM ～ 6:30 PM)

^○叶真一¹，竇春萌¹，Hadi Mokhammad¹，角嶋邦之²，Ahmet Parhat¹，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，筒井一生²，名取研二¹，服部健雄¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²)

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