〇Jayathilaka KMD Charith^1,2、 Kumara L.S.R.³、 Song C.H.³、 Kohara Shinji³、 Sakata Osami³、 Siripala Withana¹、 Jayanetti J. K. D. S.² (1.Univ. of Kelaniya、2.Univ. of Colombo、3.NIMS/SPring-8)

10:45 〜 11:00

[15a-419-8] ZnO修飾したTiO₂ナノロッド電極を用いたCdSe量子ドット増感太陽電池の光電変換特性

〇(M2)梶知史¹、大図修平¹、北畠有紀子²、豊田太郎^1,4、尾込裕平^3,4、早瀬修二^3,4、沈青^1,4 (1.電通大先進理工、2.中央大理工、3.九工大生命体工、4.JST CREST)

11:00 〜 11:15

[15a-419-9] TiO₂薄膜における光励起キャリアダイナミクスの結晶構造依存性

〇佐藤夏子¹、井口歩武¹、竹澤宏紀¹、荒井悠里¹、下迫直樹¹、坂間弘¹、江馬一弘¹、欅田英之¹ (1.上智大理工)

11:15 〜 11:30

[15a-419-10] 真空下での酸化鉄ナノ構造体の光触媒作用における白金堆積量依存性

〇太田貴洋¹、野田啓¹ (1.慶應大理工)

一般セッション(ポスター講演)

[15p-P3-1~26] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2017年3月15日(水) 13:30 〜 15:30 P3 (展示ホールＢ)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

13:30 〜 15:30

[15p-P3-1] SrTiO₃, KTaO₃基板上に作製したEuNbO₃薄膜の巨大な正の磁気抵抗

〇丸山敬裕¹、近松彰¹、小野塚智也¹、山田佳補¹、長谷川哲也^1,2 (1.東大院理、2.KAST)

13:30 〜 15:30

[15p-P3-2] 原子層堆積法によるBiFeO₃薄膜の成長

〇(M1C)平林三寛¹、中村葵¹、査尚豪¹、下迫直樹¹、坂間弘¹ (1.上智大理工)

13:30 〜 15:30

[15p-P3-3] CaCu₃Ru₄O₁₂焼結体及び塗膜の電気特性に対するCuO添加効果

〇鶴田彰宏¹、三上祐史¹、杵鞭義明¹、寺崎一郎^1,2、村山宣光¹、申ウソク¹ (1.産総研、2.名大理)

13:30 〜 15:30

[15p-P3-4] MOD法を用いたSOFC用電解質薄膜の特性評価

〇竹中悠起¹、吉岡秀樹²、番貴彦¹、山本伸一¹ (1.龍谷大理工、2.兵庫県立工業技術センター)

13:30 〜 15:30

[15p-P3-5] 有機金属熱分解（MOD）法によるLaMnO₃薄膜の作製とその電気および磁気伝導特性

〇北邨亨¹、祐本美久¹、小堀裕己¹、山崎篤志¹、谷口年史²、清水哲夫³ (1.甲南大理工、2.阪大院理、3.産総研ナノテク)

13:30 〜 15:30

[15p-P3-6] ウェットプロセスによる酸化タンタル薄膜の作製と抵抗変化型メモリへの応用

〇東正挙¹、番貴彦¹、山本伸一¹ (1.龍谷大学)

13:30 〜 15:30

[15p-P3-7] p-Cu₂O/SiN_x/n-SiC/n-Si構造の抵抗変化型不揮発性メモリダイオード

〇素村晃浩¹、塚本貴広¹、加藤格²、雑賀章浩²、須田良幸¹ (1.東京農工大院工、2.東京高専)

13:30 〜 15:30

[15p-P3-8] Cu/Ti/ HfO₂/Au抵抗変化メモリにおける低電圧スイッチングの研究

〇吉田勇人¹、清水智弘¹、伊藤健¹、新宮原正三¹ (1.関西大)

13:30 〜 15:30

[15p-P3-9] SiC_xO_yおよびSiO_x電子捕獲層を用いた不揮発性pnメモリダイオードの特性制御

〇土屋充沙¹、塚本貴広¹、加藤格²、雑賀章浩²、須田良幸¹ (1.東京農工大院工、2.東京高専)

13:30 〜 15:30

[15p-P3-10] 多層構造抵抗変化型メモリにおける抵抗スイッチング特性の改善

〇落合克行¹、河野公紀¹、木下健太郎^1,2 (1.鳥取大工、2.TiFREC)

13:30 〜 15:30

[15p-P3-11] NiOナノワイヤーを用いた抵抗変化メモリの作製

〇(M1)青野孝重¹、渡辺忠孝²、高野良紀²、高瀬浩一² (1.日大院理工、2.日大理工)

13:30 〜 15:30

[15p-P3-12] Investigation on Physical Properties of Low Temperature Grown VLS Oxide Nanowires

Zhu Zetao¹、長島一樹¹、吉田秀人³、安西宇宙²、酒井大樹²、井上暉英²、中村千枝²、金井真樹¹、 Yong He¹、竹田精治³、〇柳田剛^1,2 (1.九大先導研、2.九大総理工、3.阪大産研)

13:30 〜 15:30

[15p-P3-13] VO₂/TiN/Ti/Si積層構造デバイスにおけるマルチステップ発振

〇青戸智寛¹、佐藤賢太¹、モハメッドシュルズミヤ¹、沖村邦雄¹ (1.東海大学工)

13:30 〜 15:30

[15p-P3-14] サファイア基板上へのVO₂薄膜のエピタキシャル成長

〇楠森毅¹、中尾節男¹ (1.産総研)

13:30 〜 15:30

[15p-P3-15] AlドープZnO透明導電膜上へのVO₂の積層堆積と転移特性評価

〇佐藤賢太¹、星野寛明¹、モハメッドシュルズミヤ¹、沖村邦雄¹、安森偉郎² (1.東海大院工、2.東海大教開研セ)

13:30 〜 15:30

[15p-P3-16] 基板バイアス印加スパッタ法によるAl-doped ZnO薄膜の低温成長に関する研究

〇(M1)譲原一樹¹、佐藤賢太¹、星野寛明¹、沖村邦雄¹、安森偉郎² (1.東海大院工、2.東海大学教開研セ)

13:30 〜 15:30

[15p-P3-17] ZnO薄膜の電気化学成長と粒形態の制御

〇今西剛士¹、芦田淳¹、吉村武¹、藤村紀文¹ (1.阪府大院工)

13:30 〜 15:30

[15p-P3-18] 酸化亜鉛を用いたMIS型セルフスイッチングダイオードの作製と評価

〇松田宗平¹、永山幸希¹、孫屹¹、小山政俊¹、前元利彦¹、佐々誠彦¹、葛西誠也² (1.阪工大ナノ材研、2.北大量集センター)

13:30 〜 15:30

▲ [15p-P3-19] Cathodoluminescence Study of Oxygen Defects in SrTiO₃

〇陳君¹、伊藤俊²、関口隆史¹、知京豊裕¹ (1.物材機構、2.東北大)

13:30 〜 15:30

[15p-P3-20] Nd:YAGレーザーの第4次高調波を用いたPLD法で作製したSrTiO₃薄膜のポストアニールによる格子拡大

〇小野寺巧¹、富士原巧¹、中村基訓¹、吉本健一¹、篁耕司¹ (1.旭川高専)

13:30 〜 15:30

[15p-P3-21] 欠陥量を低減したRh:SrTiO₃薄膜における可逆的なRhの価数制御

〇(M1)細川喜久¹、高橋竜太^1,2、リップマーミック¹ (1.東大物性研、2.JST さきがけ)

13:30 〜 15:30

[15p-P3-22] 分子プレカーサー溶液を用いたESD法によるTiO₂膜の成膜

〇小澤竜平¹、佐野諒¹、工藤幸寛¹、永井裕己¹、佐藤光史¹、高橋泰樹¹ (1.工学院大)

13:30 〜 15:30

[15p-P3-23] 電界紡糸法で作製したNb:TiO₂コアシース型ナノファイバの
色素増感太陽電池への応用

〇(M1C)加冶屋颯太¹、郭世栄¹、松田拓也¹、野見山輝明¹、堀江雄二¹ (1.鹿児島大院理工)

13:30 〜 15:30

[15p-P3-24] Fe₂O₄系スピネル型酸化物の合成およびpn接合による光活性能向上の評価

〇(B)松崎健太郎¹、鈴木拓¹ (1.北九大国環工)

13:30 〜 15:30

[15p-P3-25] Nb:SrTiO₃, LaMnO₃ 傾斜接合膜におけるキャリヤの挙動

〇代田隆起¹、三浦登¹ (1.明大理工)

13:30 〜 15:30

▲ [15p-P3-26] Inorganic Hole Transport Material for Inverted Planar Lead Halide
Perovskite Solar Cells

〇(D)Islam MD BODIUL

一般セッション(口頭講演)

[16a-419-1~12] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2017年3月16日(木) 09:00 〜 12:15 419 (419)

西佑介(京大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:00 〜 09:15

[16a-419-1] Y₂O₃添加ZrO₂薄膜を用いた抵抗変化型メモリ素子における量子化伝導の発現

〇二ツ森皓史¹、白田稜¹、塩田忠¹、西山昭雄¹、篠崎和夫¹ (1.東工大)

09:15 〜 09:30

[16a-419-2] 抵抗メモリ用酸化物素子電極間横方向リーク電導特性の評価

〇前島壮¹、杉江敏幸¹、林祐哉¹、山下馨¹、野田実¹ (1.京工繊工芸)

09:30 〜 09:45

[16a-419-3] 抵抗変化メモリの導電性パス生成機構 ~Grain surface tiling model の検証~

〇(B)肥田聡太¹、森山拓洋¹、山崎隆浩²、大野隆央²、吉武道子²、岸田悟^1,3、木下健太郎^1,3 (1.鳥取大工、2.物材機構、3.TiFREC)

09:45 〜 10:00

[16a-419-4] Cu/Ta₂O₅/Pt素子におけるCuフィラメント形成過程の活性化障壁測定

〇(B)重岡祐貴¹、長谷川剛¹、鶴岡徹² (1.早大先進理工、2.物材機構)

10:00 〜 10:15

[16a-419-5] Cu析出Ta₂O₅ギャップ型原子スイッチの研究

〇(B)葛西亜衣¹、鶴岡徹²、長谷川剛¹ (1.早大先進理工、2.物材機構)

10:15 〜 10:30

[16a-419-6] Ag/Ta₂O₅/Pt素子のスイッチオン時間への吸着水分の影響

〇(B)棚橋直哉¹、長谷川剛¹、鶴岡徹² (1.早大先進理工、2.物材機構)

10:45 〜 11:00

[16a-419-7] 超平坦a-TaO_x薄膜を用いた抵抗変化メモリ動作における導電性フィラメントの直接観察

〇福地厚¹、有田正志¹、片瀬貴義²、太田裕道²、高橋庸夫¹ (1.北大院情報、2.北大電子研)

11:00 〜 11:15

[16a-419-8] Ag析出Ta₂O₅ギャップ型原子スイッチの研究

〇(B)鈴木彩菜¹、鶴岡徹²、長谷川剛¹ (1.早稲田先進理工、2.物材機構)

11:15 〜 11:30

[16a-419-9] シリコンナノ結晶塗布薄膜における抵抗変化現象

〇河内剛史¹、加納伸也¹、藤井稔¹ (1.神戸大工)

11:30 〜 11:45

[16a-419-10] Tiナノドットを埋め込んだSiO_x膜の電気抵抗変化特性－定電圧および定電流印加による特性制御－

〇加藤祐介¹、大田晃生¹、池田弥央¹、牧原克典¹、宮崎誠一¹ (1.名大院工)

11:45 〜 12:00

[16a-419-11] MOD 法BaTiO3 薄膜におけるReRAM メモリ疲労特性の向上

〇林佑哉¹、前島壮¹、杉江敏幸¹、山下馨¹、野田実¹ (1.京工繊工芸)

12:00 〜 12:15

[16a-419-12] SmNiO₃薄膜EDLTを用いた多段階不揮発的抵抗変化の制御

〇(B)川本大喜¹、服部梓^1,2、山本真人¹、田中秀和¹ (1.阪大産研、2.JST さきがけ)

一般セッション(口頭講演)

[17a-419-1~12] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2017年3月17日(金) 09:00 〜 12:15 419 (419)

太田健介(東芝)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:00 〜 09:15

[17a-419-1] HfO₂/SiO₂/Si構造における保持電荷の安定性評価

野口和馬¹、久原良平¹、松尾陽樹¹、畑本正浩¹、〇奈良安雄¹ (1.兵庫県立大)

09:15 〜 09:30

▲ [17a-419-2] Alloy Disorder Modulated Electron Transport at Mg_xZn_1-xO/ZnO Heterointerface

〇(D)VishnuRadhan Aswin¹、 Kozuka Yusuke¹、 Uchida Masaki¹、 Falson Joseph²、 Tsukazaki Astushi³、 Kawasaki Masashi¹ (1.Univ. Tokyo、2.Max Plank Institute、3.Tohoku Univ.)

09:30 〜 09:45

[17a-419-3] 単結晶ZnOナノワイヤの表面準位を活用した肺がんマーカー分子を超高感度で識別するナノワイヤFET分子センサ

Yong He¹、長島一樹¹、高橋綱己¹、 Zhang Guozhu¹、金井真樹¹、寺尾潤²、内田健³、〇柳田剛¹ (1.九大先導研、2.東大総合、3.慶大理工)

09:45 〜 10:00

[17a-419-4] 強誘電体PbTiO₃をチャネルとした電気二重層トランジスタの作製

〇西野隆太郎¹、打田正輝¹、小塚裕介¹、岩佐義宏^1,2、川﨑雅司^1,2 (1.東大院工、2.理研CEMS)

10:00 〜 10:15

[17a-419-5] VO₂ナノワイヤーチャネルを用いた固体ゲート電界効果による抵抗変調

〇(B)辻佳秀¹、 Wei TingTing¹、神吉輝夫¹、田中秀和¹ (1.阪大産研)

10:15 〜 10:30

[17a-419-6] 熱的安定性の高いSr₂RuO₄電極を用いた酸化物ヘテロ構造

〇高橋竜太^1,2、リップマーミック¹ (1.東大物性研、2.JSTさきがけ)

10:45 〜 11:00

[17a-419-7] [薄膜・表面物理分科会奨励賞受賞記念講演] Fe_3-xTi_xO₄半導体薄膜におけるキャリア極性制御とスピングラス挙動

〇山原弘靖¹、関宗俊¹、足立真輝¹、高橋雅尚¹、那須英和¹、堀場弘司²、組頭広志²、田畑仁¹ (1.東大院工、2.高エネ研PF)

11:00 〜 11:15

[17a-419-8] Co,Si置換Lu₃Fe₅O₁₂クラスターグラス薄膜における熱履歴記憶

〇山原弘靖¹、三橋啓多¹、関宗俊¹、田畑仁¹ (1.東大院工)

11:15 〜 11:30

[17a-419-9] 高感度スピン波検出を目指したY₃Fe₅O₁₂単結晶薄膜とPt界面の極限制御

〇(B)三橋啓多¹、山原弘靖¹、田中裕行²、田畑仁¹ (1.東大工、2.阪大産研究)

11:30 〜 11:45

[17a-419-10] MgO(100)基板上のエピタキシャルSn_xFe_3-xO₄薄膜

荒木真人¹、梶田博樹¹、柳瀬隆¹、島田敏宏¹、〇長浜太郎¹ (1.北大工)

11:45 〜 12:00

[17a-419-11] SrTiO₃(001)およびLaAlO₃(001)基板上へのCaFeO₃/LaFeO₃
ヘテロ構造の作製および磁気的特性

〇赤澤孝徳¹、大橋祥平¹、松山裕貴¹、小山智之¹、王春¹、張琦¹、宋華平¹、永田知子¹、山本寛¹、岩田展幸¹ (1.日大理工)

12:00 〜 12:15

[17a-419-12] Co/Pt/r面配向Cr₂O₃積層膜の磁気特性とホール効果

〇平戸剛志¹、隅田貴士¹、橋本浩佑¹、福井慎二郎¹、柳原康宏¹、永田知子¹、山本寛¹、岩田展幸¹ (1.日大理工)

一般セッション(口頭講演)

[17p-419-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2017年3月17日(金) 13:30 〜 16:00 419 (419)

木下健太郎(鳥取大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

13:30 〜 13:45

[17p-419-1] DC及びRFスパッタ法によるZn₃N₂薄膜の合成

〇上所寛典¹、賈軍軍¹、中村新一¹、重里有三¹ (1.青山学院大学)

13:45 〜 14:00

▲ [17p-419-2] A 3D Structural Study of Hydrogenated and Non-hydrogenated Amorphous In-Ga-Zn-O Thin Films

〇(PC)Kumara Rosantha¹、 Sakata Osami¹、 Ishikawa Kyohei^2,3、 Kohara Shinji¹、 Hiramatsu Hidenori^2,3、 Hosono Hideo^2,3、 Kamiya Toshio^2,3 (1.NIMS/SPring-8、2.MSL Tokyo Tech、3.MCES Tokyo Tech)

14:00 〜 14:15

[17p-419-3] Ni(OH)2前駆体の定電流電気化学堆積と熱処理によるNiO薄膜作製

〇(B)古山実季¹、市村正也¹ (1.名工大)

14:15 〜 14:30

[17p-419-4] 溶液を基板に滴下した光化学堆積法によって作製したn型AlOx薄膜

〇(B)梅村将成¹、市村正也¹ (1.名工大)

14:30 〜 14:45

[17p-419-5] ペロブスカイト型酸化物固溶体のEXAFS解析

赤間翔太¹、〇小林航^1,2,3、丹羽秀治^1,2,3、守友浩^1,2,3 (1.筑波大数理物質科学研究科、2.筑波大数理物質系、3.筑波大数理物質融合科学セ)

14:45 〜 15:00

[17p-419-6] 高圧力下におけるLiMPO₄ (M=Fe, Co)の結晶構造解析

〇小林航^1,2,3、天羽薫¹、守友浩^1,2,3 (1.筑波大数理物質科学研究科、2.筑波大数理物質系、3.筑波大数理物質融合科学セ)

15:00 〜 15:15

[17p-419-7] P2 型 Na_xCoO₂の起電力の温度依存性

〇福住勇矢¹、小林航^1,2,3、守友浩^1,2,3 (1.筑波大数理物質科学研究科、2.筑波大数理物質系、3.筑波大数理物質融合科学セ)

15:15 〜 15:30

[17p-419-8] ナトリウムイオン電池正極プルシャンブルー類似体の局所電子状態観測

〇丹羽秀治^1,2,3、高地雅光¹、岡本淳⁴、 Wu Wen-Bin⁴、 Huang Di-Jing⁴、守友浩^1,2,3 (1.筑波大数理物質科学研究科、2.筑波大数理物質系、3.筑波大数理物質融合科学セ、4.NSRRC)

15:30 〜 15:45

[17p-419-9] 第一原理計算によるリチウムイオン電池正極材料の容量劣化解析

〇吉尾里司¹、槙孝一郎¹ (1.住友金属鉱山)

15:45 〜 16:00

[17p-419-10] 固体電解質LiZr₂(PO₄)₃ 中でのLi 拡散経路の第一原理計算による解析

〇池田稔¹、大野隆央¹、三石和貴¹、稲熊宜之²、舩山耕生²、森大輔² (1.物材機構、2.学習院大理)

セッション一覧

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[14a-419-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [14a-419-1] ルチル型TiO2単結晶メモリスタ素子の抵抗変化領域における価電子状態解析

△ [14a-419-2] ルチル型TiO2単結晶の酸素空孔分布制御による抵抗変化の繰返し特性

△ [14a-419-3] 反応性スパッタ法により作製したTiOx系ReRAMの電気特性評価

△ [14a-419-4] MoOx/Al2O3CBRAMの繰返しスイッチ過程におけるCu移動の直接観察

△ [14a-419-5] 異なる上部電極を有するTa2O5抵抗変化型メモリの多値特性評価

△ [14a-419-7] VO2フリースタンディングナノ細線における金属-絶縁体電子相スイッチングの高効率化

△ [14a-419-8] 固液界面アニール現象を利用した単結晶酸化物ナノワイヤのUnintentional Dopingの劇的抑制と超高純度化の実現

△ [14a-419-9] Li3xLa2/3-xTiO3 中の Li イオン伝導に対する格子歪みの効果: 分子動力学シミュレーション

▼ [14a-419-10] Electrochemical Deposition of Lithium Phosphate Films for Battery Applications

[14p-419-1~16] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [14p-419-2] デルタドープしたSrTiO3界面の電場変調

△ [14p-419-3] SrTiO3(100)-(√13×√13)-R33.7o再構成表面のNC-AFM観察

△ [14p-419-5] レーザー光電子顕微鏡によるp型 SrTiO3の磁気イメージング

△ [14p-419-6] レーザー励起光電子顕微鏡で観測したLaAlO3/CaTiO3界面の磁区構造と電子状態

△ [14p-419-7] トポタクティックフッ素導入/酸素アニールによるNdNiO3薄膜の可逆的抵抗制御

△ [14p-419-8] 非線形伝導体における巨大なインダクタンス

△ [14p-419-9] ペロブスカイト型V酸化物の電気特性における格子歪みの効果

△ [14p-419-10] βパイロクロア型CsW2O6エピタキシャル薄膜の作製と物性

△ [14p-419-11] PLD法で作製された(Ba,La)SnO3薄膜におけるカチオン組成変調とその輸送特性への影響

△ [14p-419-13] RFマグネトロンスパッタにより格子不整合基板上に作製した表面平坦ZION薄膜

△ [14p-419-15] 燃料電池金属セパレータ応用を目指したSUS上熱酸化膜に関する研究

△ [14p-419-16] Nd:YAG固体レーザーの5倍波(波長 213 nm)用いたSrTiO3(100)基板上LaAlO3薄膜のパルスレーザー堆積

[15a-419-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

▲ [15a-419-2] Synthesis and Characterization of ZnO and Al Doped ZnO Nanostructures by Using Advanced Spray Pyrolysis Deposition Technique

▲ [15a-419-7] n-Cu2O/p-CuxS Thin Film Heterostructures for Solar cells

[15p-P3-1~26] 6.3 酸化物エレクトロニクス

▲ [15p-P3-19] Cathodoluminescence Study of Oxygen Defects in SrTiO3

▲ [15p-P3-26] Inorganic Hole Transport Material for Inverted Planar Lead HalidePerovskite Solar Cells

[16a-419-1~12] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[17a-419-1~12] 6.3 酸化物エレクトロニクス

▲ [17a-419-2] Alloy Disorder Modulated Electron Transport at MgxZn1-xO/ZnO Heterointerface

[17p-419-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

▲ [17p-419-2] A 3D Structural Study of Hydrogenated and Non-hydrogenated Amorphous In-Ga-Zn-O Thin Films

認証

△ [14a-419-1] ルチル型TiO₂単結晶メモリスタ素子の抵抗変化領域における価電子状態解析

△ [14a-419-2] ルチル型TiO₂単結晶の酸素空孔分布制御による抵抗変化の繰返し特性

△ [14a-419-3] 反応性スパッタ法により作製したTiO_x系ReRAMの電気特性評価

△ [14a-419-4] MoO_x/Al₂O₃CBRAMの繰返しスイッチ過程におけるCu移動の直接観察

△ [14a-419-5] 異なる上部電極を有するTa₂O₅抵抗変化型メモリの多値特性評価

△ [14a-419-7] VO₂フリースタンディングナノ細線における金属-絶縁体電子相スイッチングの高効率化

△ [14a-419-9] Li_3xLa_2/3-xTiO₃ 中の Li イオン伝導に対する格子歪みの効果: 分子動力学シミュレーション

△ [14p-419-2] デルタドープしたSrTiO₃界面の電場変調

△ [14p-419-3] SrTiO₃(100)-(√13×√13)-R33.7^o再構成表面のNC-AFM観察

△ [14p-419-5] レーザー光電子顕微鏡によるp型 SrTiO₃の磁気イメージング

△ [14p-419-6] レーザー励起光電子顕微鏡で観測したLaAlO₃/CaTiO₃界面の磁区構造と電子状態

△ [14p-419-7] トポタクティックフッ素導入/酸素アニールによるNdNiO₃薄膜の可逆的抵抗制御

△ [14p-419-10] βパイロクロア型CsW₂O₆エピタキシャル薄膜の作製と物性

△ [14p-419-11] PLD法で作製された(Ba,La)SnO₃薄膜におけるカチオン組成変調とその輸送特性への影響

△ [14p-419-16] Nd:YAG固体レーザーの5倍波(波長 213 nm)用いたSrTiO₃(100)基板上LaAlO₃薄膜のパルスレーザー堆積

▲ [15a-419-7] n-Cu₂O/p-Cu_xS Thin Film Heterostructures for Solar cells

▲ [15p-P3-19] Cathodoluminescence Study of Oxygen Defects in SrTiO₃

▲ [15p-P3-26] Inorganic Hole Transport Material for Inverted Planar Lead Halide
Perovskite Solar Cells

▲ [17a-419-2] Alloy Disorder Modulated Electron Transport at Mg_xZn_1-xO/ZnO Heterointerface