〇Yongzhao Yao¹, Yukari Ishikawa^1,2, Yoshihiro Sugawara¹, Daisaku Yokoe¹, Masaki Sudo², Narihito Okada³, Kazuyuki Tadatomo³ (1.JFCC, 2.Nagoya Inst. of Tech, 3.Yamaguchi Univ.)

休憩（15:30 〜 15:45）

15:45 〜 16:00

[13p-1D-10] Ga+H₂O反応を用いたOVPE法によるGaN結晶性の改善

〇(B)山口陽平¹、谷山雄紀¹、高津啓彰¹、隅智亮¹、北本啓¹、今出完¹、吉村政志¹、伊勢村雅士²、森勇介¹ (1.阪大工、2.伊藤忠プラスチックス(株))

16:00 〜 16:15

△ [13p-1D-11] トリハライド気相成長法を用いたInGaN厚膜成長

〇平崎貴英¹、目黒美佐稀¹、ティユクァントゥ²、村上尚¹、熊谷義直¹、モネマーボ^2,3、纐纈明伯¹ (1.農工大院工、2.農工大GIRO、3.Linköping Univ.)

16:15 〜 16:30

[13p-1D-12] r面サファイア上へのa面AlN成長におけるバッファ層アニール効果

〇林家弘¹、安井大貴¹、玉置真哉¹、三宅秀人¹、平松和政¹ (1.三重大院工)

16:30 〜 16:45

[13p-1D-13] HVPE法によるn型AlN基板作製と縦型ショットキーダイオードへの適用

〇山本玲緒^1,2、木下亨¹、永島徹¹、小幡俊之¹、高島信也³、富樫理恵²、熊谷義直²、Schlesser Raoul⁴、Collazo Ramon⁵、纐纈明伯²、Sitar Zlatko⁵ (1.株式会社トクヤマ、2.東京農工大学院工、3.富士電機株式会社、4.Hexa Tech, Inc.、5.North Carolina State University)

16:45 〜 17:00

[13p-1D-14] 半極性面AlGaN/AlN量子井戸の誘導放出にむけた構造設計

〇(D)市川修平¹、船戸充¹、岩﨑洋介²、川上養一¹ (1.京大院工、2.JFEミネラル株式会社)

17:00 〜 17:15

[13p-1D-15] サファイア上AlNテンプレートの表面平坦性の検討

〇勝野翔太¹、萩原康大¹、安田俊輝¹、小出典克¹、岩谷素顕¹、竹内哲也¹、上山智¹、赤﨑勇^1,3、天野浩^2,3 (1.名城大理工、2.名古屋大工、3.名古屋大赤﨑研究記念センター)

17:15 〜 17:30

[13p-1D-16] r面サファイアを用いたa面AlNの高温成長

〇定昌史¹、平山秀樹¹ (1.理研)

17:30 〜 17:45

[13p-1D-17] ファセット表面加工基板上に成長した深紫外LED用高品質AlNテンプレート

〇金沢裕也^1,2、平山秀樹¹、前田哲利¹、定昌史¹、鎌田憲彦²、鹿嶋行雄³、松浦恵里子³、嶋谷聡⁴、小久保光典⁵、田代貴晴⁵、大川貴史⁶、上村隆一郎⁶、長田大和⁶ (1.理研、2.埼玉大、3.丸文、4.東京応化、5.東芝機械、6.アルバック)

17:45 〜 18:00

△ [13p-1D-18] m面サファイア基板上半極性AlN/AlGaN層の結晶成長と光学特性

〇大島一晟^1,2、定昌史¹、前田哲利¹、鎌田憲彦²、平山秀樹¹ (1.理研、2.埼玉大)

休憩（18:00 〜 18:15）

18:15 〜 18:30

△ [13p-1D-19] ラジカル支援有機金属化学気相成長法によるAlInNの成長

〇岩本一希¹、盧翌¹、高井慎之介¹、小田修¹、近藤博基¹、石川健治¹、関根誠¹、堀勝¹ (1.名大院工)

18:30 〜 18:45

△ [13p-1D-20] ScAlMgO₄基板の構成元素がGaN成長層の特性に与える影響

〇(D)尾崎拓也¹、船戸充¹、川上養一¹ (1.京大院工)

18:45 〜 19:00

[13p-1D-21] GaN系薄膜の原子層エピタキシャル成長

〇加藤良裕¹、根石浩司¹、康松潤¹、鈴木歩太¹、本田善央²、天野浩² (1.東京エレクトロン㈱、2.名大院工)

19:00 〜 19:15

[13p-1D-22] GaN-MOVPE両極性同時成長法における界面垂直性制御

〇大隅紀之¹、久瀬健太¹、井上翼¹、中野貴之¹ (1.静大院工)

19:15 〜 19:30

△ [13p-1D-23] Si基板上GaN結晶成長におけるAlN中間層を用いた応力制御のメカニズム

〇鈴木道洋¹、中村亮裕¹、杉山正和¹、中野義昭¹ (1.東大工)

19:30 〜 19:45

[13p-1D-24] AlGaN/AlN歪層超格子を積層した4-inch Si(111)基板上に成長したGaN層中の転位観察

菅原義弘¹、〇石川由加里¹、渡辺新²、三好実人²、江川孝志² (1.JFCC、2.名工大)

19:45 〜 20:00

[13p-1D-25] 走査透過型電子顕微鏡（STEM）によるSi(110)基板上に成長した極薄AlN/GaN超格子中の自己形成したマイクロクラックの観察

〇沈旭強¹、高橋言緒¹、井手利英¹、清水三聡¹ (1.産総研)

20:00 〜 20:15

[13p-1D-26] 赤外分光法による低濃度Cp₂Mgのリアルタイム測定

〇林大介¹、寺岡温子¹、坂口有平¹、南雅和¹、西里洋¹ (1.堀場エステック)

一般セッション(口頭講演)

[14a-1D-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

2015年9月14日(月) 08:45 〜 11:45 1D (141+142)

座長:竹内哲也(名城大),中野貴之(静岡大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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08:45 〜 09:00

[14a-1D-1] NH₃分解触媒援用MOVPE法によるInN系材料の低温(～400℃)成長(Ⅰ): InN成長

〇山本高勇^1,2、児玉和樹^1,2、重川直輝³、松岡隆志⁴、葛原正明¹ (1.福井大、2.JST-CREST、3.大阪市大、4.東北大)

09:00 〜 09:15

[14a-1D-2] NH₃分解触媒援用MOVPE法によるInN系材料の低温(～400℃)成長(Ⅱ): In_xGa_1-xN(x~0.3)の成長

〇山本高勇^1,2、児玉和樹^1,2、重川直輝³、松岡隆志⁴、葛原正明¹ (1.福井大、2.JST-CREST、3.大阪市大、4.東北大)

09:15 〜 09:30

△ [14a-1D-3] MOVPE成長N極性(000\overline{1})p型GaNの正孔濃度に与えるMg/Ga・V/III原料比の影響

〇(M1)野々田亮平¹、正直花奈子¹、谷川智之¹、窪谷茂幸¹、片山竜二¹、松岡隆志¹ (1.東北大金研)

09:30 〜 09:45

[14a-1D-4] 半極性(1–101)GaNストライプ結晶上高In組成InGaN成長

〇久志本真希¹、本田善央¹、天野浩^1,2 (1.名大院工、2.赤崎記念研究センター)

09:45 〜 10:00

[14a-1D-5] Growth of strain-compensated InGaN/AlN/AlGaN multiple quantum wells

〇(M2)芦深¹、Iida Daisuke¹、Hirahara Sota¹、Ohkawa Kazuhiro¹ (1.Tokyo Univ. of Science)

10:00 〜 10:15

△ [14a-1D-6] 歪補償AlN/AlGaN 障壁層による橙色InGaN LED の光出力向上

〇飯田大輔¹、芦深¹、平原颯太¹、丹羽一将²、上山智²、大川和宏¹ (1.東京理大理、2.名城大理工)

休憩（10:15 〜 10:30）

10:30 〜 10:45

[14a-1D-7] 枚葉式高速回転MOCVD装置による200mm Si基板上InGaN/GaN MQWの成膜特性

〇家近泰¹、高橋英志¹、佐藤裕輔¹ (1.ﾆｭｰﾌﾚｱﾃｸﾉﾛｼﾞｰ・TFW)

10:45 〜 11:00

[14a-1D-8] 加圧MOVPE法を用いた(0001)面GaN上InGaN/GaN多重量子井戸の成長Ⅱ

〇田村彰¹、山本哲也¹、本田善央¹、天野浩^1,2 (1.名大院工、2.赤﨑記念研究センター)

11:00 〜 11:15

△ [14a-1D-9] レーザその場観察を用いたInGaN結晶成長

〇(M1)山本哲也¹、田村彰¹、本田善央¹、天野浩^1,2 (1.名大院工、2.赤﨑記念センター)

11:15 〜 11:30

[14a-1D-10] その場観察X回折法によるGaInN超格子の臨界膜厚のバリア層膜厚依存性評価

〇大角純也¹、石原耕史¹、山本泰司¹、岩谷素顕¹、竹内哲也¹、上山智¹、赤﨑勇^1,2 (1.名城大・理工、2.名古屋大・赤﨑記念研究センター)

11:30 〜 11:45

△ [14a-1D-11] GaNSbにおけるGaSbモル分率のキャリアガス依存性

〇(M2)小森大資¹、財部覚¹、鈴木健太¹、竹内哲也¹、上山智¹、岩谷素顕¹、宮嶋孝夫¹、小出典克¹、赤﨑勇^1,2 (1.名城大理工、2.赤﨑記念研究センター)

一般セッション(口頭講演)

[14p-CE-1~4] 15.4 III-V族窒化物結晶

2015年9月14日(月) 13:00 〜 14:15 CE (センチュリーホール)

座長:荒木努(立命大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:00 〜 13:15

[14p-CE-1] [講演奨励賞受賞記念講演] SiC基板上にPAMBE成長したAlN層の成長初期III/V比による貫通転位発生メカニズムの考察

〇金子光顕¹、木本恒暢¹、須田淳¹ (1.京大院工)

13:15 〜 13:30

[14p-CE-2] その場放射光X線回折によるMBE成長GaNの初期成長ひずみ観測

〇佐々木拓生¹、出来亮太²、高橋正光^1,2 (1.原子力機構、2.兵庫県立大)

13:30 〜 13:45

[14p-CE-3] DERI法を用いたInN成長プロセスの詳細検討

〇臼田知志¹、小村一樹¹、荒浪誠生¹、荒木努¹、名西憓之¹ (1.立命館大理工)

13:45 〜 14:00

[14p-CE-4] 高効率LEDに向けたグラフェン上窒化物ナノコラムの高密度成長

〇今野裕太¹、林宏暁¹、鈴木拓良¹、岸野克巳^1,2 (1.上智大理工、2.上智大ナノテク研究センタ)

休憩（14:00 〜 14:15）

一般セッション(ポスター講演)

[14p-PB12-1~23] 15.4 III-V族窒化物結晶

2015年9月14日(月) 18:30 〜 20:30 PB12 (白鳥ホール)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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18:30 〜 20:30

[14p-PB12-1] 透明酸化物被覆によるGaN系LEDの発光強度向上に関する研究

〇加畑智基¹、岡田真由子¹、堤達哉¹、三好実人¹、江川孝志¹、大園修司²、本田和宏²、座間秀昭² (1.名工大工、2.ULVAC)

18:30 〜 20:30

[14p-PB12-2] HFET型紫外光センサのデバイス構造検討

〇山本雄磨¹、吉川陽^1,3、奥村俊紀¹、草深敏匡¹、岩谷素顕¹、竹内哲也¹、上山智¹、赤﨑勇^1,2 (1.名城大・理工、2.赤﨑記念研究センター、3.旭化成株式会社)

18:30 〜 20:30

[14p-PB12-3] Si基板上InAlN/GaNヘテロ構造の温度安定性

〇(M1)浦山雄也¹、渡邉新¹、Joseph Freedsman¹、江川孝志¹ (1.名工大工)

18:30 〜 20:30

[14p-PB12-4] ウルツ鉱In_xAl_1-xNの格子定数、弾性定数、圧電定数、自発分極の第一原理計算

〇島田和宏¹、伊藤大稚¹、岩崎克宣¹、秩父重英² (1.関東学院大理工、2.東北大多元研)

18:30 〜 20:30

[14p-PB12-5] 強制振動子法による窒化物混晶の格子振動解析

〇南部卓也¹、大八木晋¹、Md.Sherajul Islam¹、橋本明弘¹ (1.福井大院工)

18:30 〜 20:30

[14p-PB12-6] GaN中の欠陥における格子変位が引き起こす電子状態変化の第一原理計算

〇辻尾健志¹、小田将人¹、篠塚雄三¹ (1.和歌山大院シス工)

18:30 〜 20:30

[14p-PB12-7] GaNにおける非熱平衡系励起子遷移過程の水素プラズマモデルに基づいた計算

〇岩堀友洋¹、竹内和真¹、馬蓓¹、森田健¹、石谷善博¹ (1.千葉大工)

18:30 〜 20:30

[14p-PB12-8] 第一原理計算によるGaN(0001)表面へのGa₂Oの吸着に関する研究

〇河村貴宏^1,2、北本啓²、今出完²、吉村政志²、森勇介²、森川良忠² (1.三重大院工、2.阪大院工)

18:30 〜 20:30

[14p-PB12-9] Naフラックス法の高温育成によるバルクGaN単結晶透明化

〇林正俊¹、佐藤太郎¹、山田拓海¹、小川翔梧¹、今西正幸¹、村上航介¹、松尾大輔¹、丸山美帆子¹、今出完¹、吉村政志¹、森勇介¹ (1.阪大工)

18:30 〜 20:30

[14p-PB12-10] MOHVPE法を用いたGaN結晶の残留炭素の低減効果

〇叶正¹、孫政¹、出来真斗¹、本田善央¹、天野浩^1,2 (1.名古屋大、2.赤﨑記念研究センター)

18:30 〜 20:30

[14p-PB12-11] 高流速MOCVDを用いたn型AlGaN(Al>0.5)の高速成長

〇池永和正¹、三嶋晃¹、田渕俊也¹、松本功¹ (1.大陽日酸)

18:30 〜 20:30

[14p-PB12-12] MOVPE法にて作製したBGaN結晶の諸特性の評価

〇(M2)上山浩平¹、中村匠¹、三村秀典²、井上翼¹、青木徹²、中野貴之¹ (1.静岡大院、2.静岡大電研)

18:30 〜 20:30

[14p-PB12-13] 六方晶窒化ホウ素薄膜のCVDにおける成長反応

〇増田敦¹、梅原直己²、清水乙生¹、光野徹也¹、小南裕子¹、原和彦^2,3 (1.静岡大院工、2.静岡大創造大院、3.静岡大電子研)

18:30 〜 20:30

[14p-PB12-14] 4H-SiC(0001)上エピタキシャルグラフェン基板を用いたMOVPE法InNエピタキシャル成長初期過程

〇戸松侑輝¹、道幸雄真¹、石丸大樹¹、橋本明弘¹ (1.福井大院工)

18:30 〜 20:30

[14p-PB12-15] RF-MBE法によるエピタキシャルグラフェン上へのAlN成長

〇山崎隆弘¹、畑泰希¹、山根悠介¹、関根佳明²、前田文彦²、日比野浩樹²、藤田実樹³、牧本俊樹¹ (1.早大理工、2.NTT物性基礎研、3.一関高専)

18:30 〜 20:30

[14p-PB12-16] RF-MBE法におけるAlONバッファー層を用いたサファイア基板上GaN成長

〇畑泰希¹、山﨑隆弘¹、山根悠介¹、前田理也¹、熊倉一英²、山本秀樹²、牧本俊樹¹ (1.早大理工、2.NTT物性基礎研)

18:30 〜 20:30

[14p-PB12-17] RF-MBE法を用いたサファイア基板上へのGaN二段階成長における低温バッファー層の最適化

〇山根悠介¹、畑泰希¹、山﨑隆弘¹、前田理也¹、熊倉一英²、山本秀樹²、牧本俊樹¹ (1.早大理工、2.NTT物性基礎研)

18:30 〜 20:30

[14p-PB12-18] RF-MBE法によるGaN上GaInN成長における
その場X線逆格子マッピング測定

〇(M1)澤田匡崇¹、山口智広¹、佐々木拓生²、鳴谷建人¹、出来亮太³、尾沼猛儀¹、本田徹¹、高橋正光^2,3、名西憓之⁴ (1.工学院大、2.原子力機構、3.兵庫県立大、4.立命館大)

18:30 〜 20:30

[14p-PB12-19] 微傾斜基板を用いたシングルドメイン立方晶GaNの成長と立方晶InNドット配列の形成

〇(M2)石井健一¹、折原操¹、八木修平¹、矢口裕之¹ (1.埼玉大院理工)

18:30 〜 20:30

[14p-PB12-20] 分子線エピタキシー法により成長したGaN/InGaN ナノアンブレラ結晶

〇光野徹也¹、酒井優²、岸野克巳³、原和彦¹ (1.静岡大、2.山梨大、3.上智大)

18:30 〜 20:30

[14p-PB12-21] MOMBEによるa面GaNの低角入射マイクロチャンネルエピタキシー
―― マスクエッジ上に発生する異常成長の抑制 ――

〇日下部安宏¹、丸山隆浩¹、成塚重弥¹、清水一男²、金田省吾² (1.名城大理工、2.静岡大工)

18:30 〜 20:30

[14p-PB12-22] メサ加工基板を用いたLPEE GaNマイクロチャンネルエピタキシーーーメサ方向依存性ーー

神林大介¹、〇岩川宗樹¹、水野陽介¹、白木優子¹、成塚重弥¹ (1.名城大理工)

18:30 〜 20:30

[14p-PB12-23] 3Dプリンターを用いた流速支援GaN液相成長のボート設計

〇岩川宗樹¹、神林大介¹、水野陽介¹、白木優子¹、丸山隆浩¹、成塚重弥¹ (1.名城大理工)

一般セッション(口頭講演)

[15a-1D-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

2015年9月15日(火) 08:45 〜 11:45 1D (141+142)

座長:小林康之(弘前大),太田実雄(東大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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08:45 〜 09:00

[15a-1D-1] γ’-Fe₄N薄膜のGaN(0001)面上への成長とその界面構造

〇(M1)木村仁充¹、長谷川繁彦¹ (1.阪大産研)

09:00 〜 09:15

[15a-1D-2] 反応性プラズマ支援成膜法により形成したBN 膜の構造と化学結合状態分析

〇長谷川繁彦¹、野間正男²、山下満³、江利口浩二⁴ (1.阪大産研、2.神港精機、3.兵庫県立工業技術センター、4.京大院工)

09:15 〜 09:30

[15a-1D-3] 単結晶c-BN薄膜の内部応力に及ぼすイオン照射の影響

〇平間一行¹、谷保芳孝¹、狩元慎一¹、山本秀樹¹、熊倉一英¹ (1.NTT物性研)

09:30 〜 09:45

[15a-1D-4] AlGaN成長に向けたRF窒素プラズマによる表面窒化α-(AlGa)₂O₃の評価

〇武馬輝¹、増田直¹、荒木努¹、織田真也²、人羅俊実² (1.立命館大、2.FLOSFIA)

09:45 〜 10:00

[15a-1D-5] RF-MBE法によるEu添加GaN成長におけるEu取り込みに関する検討

〇田原浩行¹、関口寛人¹、山根啓輔¹、岡田浩^2,1、若原昭浩^1,2 (1.豊橋技科大工、2.EIIRIS)

10:00 〜 10:15

[15a-1D-6] RF-MBE法で成長したInGaNのConductive-AFMによる極微領域評価

〇小村一樹¹、臼田知志¹、荒浪誠生¹、荒木努¹、名西憓之¹ (1.立命館大)

休憩（10:15 〜 10:30）

10:30 〜 10:45

[15a-1D-7] ガラス基板上窒化物半導体薄膜トランジスタの特性

伊藤剛輝¹、〇小林篤¹、上野耕平¹、太田実雄¹、藤岡洋^1,2 (1.東大生研、2.JST-ACCEL)

10:45 〜 11:00

▲ [15a-1D-8] Thin-film transistors based on InN grown on polymer sheets at room temperature

〇KheShin Lye¹, Takeki Itoh¹, Atsushi Kobayashi¹, Kohei Ueno¹, Jitsuo Ohta¹, Hiroshi Fujioka^1,2 (1.The Univ. of Tokyo, 2.JST-ACCEL)

11:00 〜 11:15

[15a-1D-9] GaN薄膜成長におけるHfNバッファ層の検討

〇篠塚正之¹、太田実雄¹、綿引康介¹、金惠蓮¹、上野耕平¹、小林篤¹、藤岡洋^1,2 (1.東大生研、2.JST-ACCEL)

11:15 〜 11:30

[15a-1D-10] GaNスパッタリングターゲットを用いた高結晶性GaN膜の形成

〇召田雅実¹、倉持豪人¹、清水三聡² (1.東ソー、2.産総研)

11:30 〜 11:45

[15a-1D-11] UHVスパッタエピタキシー法によるAlInN層の成長 (II)

〇(M1)五味敬太¹、神田赳志¹、水野愛¹、篠田宏之¹、六倉信喜¹ (1.東京電機大工)

一般セッション(口頭講演)

[16a-1D-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

2015年9月16日(水) 08:45 〜 12:00 1D (141+142)

座長:小島一信(東北大),石谷善博(千葉大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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08:45 〜 09:00

[16a-1D-1] GaN/Si基板上GaNナノコラムにおける転位低減効果のTEM評価

〇(PC)石沢峻介¹、岸野克巳^1,2 (1.上智大理工、2.上智ナノテク)

09:00 〜 09:15

[16a-1D-2] フリップチップナノコラムLEDの発光特性評価

〇福島大史¹、林宏暁¹、野間友博¹、今野裕太¹、岸野克巳^1,2 (1.上智大、2.上智大ナノテクセンタ)

09:15 〜 09:30

[16a-1D-3] 特性向上に向けたナノコラムフリップチップLEDの構造評価

〇野間友博¹、林宏暁¹、福島大史¹、野村一郎¹、岸野克巳^1,2 (1.上智大、2.上智大ナノテク研究センタ)

09:30 〜 09:45

[16a-1D-4] ナノインプリントパターニング技術を用いたAlN/Siナノテンプレート上への大面積InGaN/GaN規則配列ナノコラム選択成長

〇山野晃司¹、岸野克巳^1,2 (1.上智大理工、2.上智ﾅﾉﾃｸ研究ｾﾝﾀｰ)

09:45 〜 10:00

[16a-1D-5] バルクGaN表面のナノインデンテーションにおいて塑性変形の引き金となるr面すべりの転位形成

〇横川俊哉¹、二木佐知²、前川順子²、青木正彦² (1.山口大工、2.イオンテクノセンター)

10:00 〜 10:15

[16a-1D-6] 窒化物半導体における貫通らせん転位芯近傍の原子配列に関する理論的研究

〇坂口涼平¹、秋山亨¹、中村浩次¹、伊藤智徳¹ (1.三重大院工)

休憩（10:15 〜 10:30）

10:30 〜 10:45

[16a-1D-7] [講演奨励賞受賞記念講演] 位置制御G a N ナノワイヤ量子ドットの発光線幅
〜スペクトル拡散の影響〜

〇HOLMES Mark¹、加古敏²、崔琦鉉¹、有田宗貴¹、荒川泰彦^1,2 (1.東大ナノ量子機構、2.東大生研)

10:45 〜 11:00

[16a-1D-8] 単一GaN界面ゆらぎ量子ドット発光線幅の均一・不均一拡がりの評価

〇有田宗貴¹、加古敏^1,2、荒川泰彦^1,2 (1.東大ナノ量子機構、2.東大生産研)

11:00 〜 11:15

[16a-1D-9] 水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法によって作製したInGaN/GaN単一量子ディスクナノピラーの光学特性

〇(M1)水谷友哉¹、蜂屋諒¹、小川航平¹、石嶋駿¹、菊池昭彦^1,2 (1.上智大、2.上智大ナノテク研究センタ)

11:15 〜 11:30

[16a-1D-10] 規則配列細線InGaNナノコラムを用いたLEDの作製

〇加納達也¹、吉田純¹、宮川倫¹、榊原直樹¹、水野祐太郎¹、大音隆男¹、岸野克巳^1,2 (1.上智大理工、2.上智大ナノテク)

11:30 〜 11:45

[16a-1D-11] InGaN/GaN単一量子井戸構造ナノコラムの発光特性の周期依存性

〇(M1)宮川倫¹、大音隆男¹、水野祐太郎¹、加納達也¹、吉田純¹、榊原直樹¹、岸野克巳^1,2 (1.上智大理工、2.上智大ナノテク)

11:45 〜 12:00

[16a-1D-12] 規則配列InGaN/GaNナノコラムにおけるキャリア再結合機構のコラム径依存性

〇(PC)大音隆男¹、水野祐太郎¹、宮川倫¹、加納達也¹、吉田純¹、江馬一弘^1,2、岸野克巳^1,2 (1.上智大理工、2.上智大ナノテク)

一般セッション(口頭講演)

[16p-1D-1~14] 15.4 III-V族窒化物結晶

2015年9月16日(水) 13:15 〜 17:00 1D (141+142)

座長:山田陽一(山口大),上山智(名城大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:15 〜 13:30

[16p-1D-1] InGaN/GaN規則配列ナノコラムにおける局在キャリアダイナミクス

〇金城一哉¹、猪瀬裕太¹、下迫直樹¹、佐藤光¹、江馬一弘^1,2、大音隆男¹、岸野克巳^1,2 (1.上智大学理工学部、2.上智大学ナノテクノロジー研究センター)

13:30 〜 13:45

[16p-1D-2] 偏光PLE分光法による無極性InGaN薄膜の偏光特性の測定

〇(M2)前田亮平¹、坂井繁太¹、山口敦史¹、栗原香²、長尾哲² (1.金沢工大、2.三菱化学)

13:45 〜 14:00

△ [16p-1D-3] m面InGaN量子井戸におけるダブルピーク発光の起源

〇坂井繁太¹、山口敦史¹、栗原香²、長尾哲² (1.金沢工大、2.三菱化学)

14:00 〜 14:15

[16p-1D-4] InGaN太陽電池の接合リーク電流と深い準位の相関に関する考察

〇今井大地^1,2、草部一秀^1,2、王科^1,2、吉川明彦^1,2,3 (1.千葉大SMART、2.JST-ALCA、3.工学院大)

14:15 〜 14:30

[16p-1D-5] 高品質GaN単結晶における自由励起子とドナー束縛励起子の発光ダイナミクス

〇小島一信¹、斉藤真^1,2、池田宏隆²、藤戸健史²、秩父重英¹ (1.東北大学多元研、2.三菱化学(株))

14:30 〜 14:45

[16p-1D-6] Eu,Mg共添加GaNの発光サイトの安定性の検討

〇立石紘己¹、関口寛人¹、山根啓輔¹、岡田浩^2,1、若原昭浩^1,2 (1.豊橋技科大工、2.EIIRIS)

14:45 〜 15:00

[16p-1D-7] RF-MBE法を用いたEu添加GaNナノコラムの成長

〇西川聡志¹、関口寛人¹、今西智彦¹、山根啓輔¹、岡田浩^2,1、岸野克巳³、若原昭浩^1,2 (1.豊橋技術科学大学、2.EIIRIS、3.上智大)

休憩（15:00 〜 15:15）

15:15 〜 15:30

[16p-1D-8] GaNにおけるフォノン-キャリアダイナミクス解析

〇馬ベイ¹、竹内和真¹、岩堀友洋¹、三宅秀人²、平松和政²、石谷善博¹ (1.千葉大院工、2.三重大院工)

15:30 〜 15:45

[16p-1D-9] 赤外反射分光によるGaN薄膜の電子深さ特性評価手法

〇上條隆明¹、馬ベイ¹、森田健¹、石谷善博¹ (1.千葉大院工)

15:45 〜 16:00

[16p-1D-10] 過渡レンズ法を用いたGaN基板と薄膜における非輻射再結合過程の評価

〇(M2)塚本真大¹、石井良太¹、船戸充¹、川上養一¹ (1.京大院工)

16:00 〜 16:15

▲ [16p-1D-11] Growth and Optical Properties of AlN/AlGaN Heterostructures on Patterned Si Substrate

〇(P)Tinh Tran¹, Noritoshi Maeda¹, Masafumi Jo¹, Hideki Hirayama¹ (1.RIKEN)

16:15 〜 16:30

[16p-1D-12] 無極性m面AlGaN/GaN量子井戸サブバンド間吸収の線幅解析

〇小谷晃央^1,2,3、有田宗貴¹、荒川泰彦^1,2 (1.東大ナノ量子、2.東大生研、3.シャープ)

16:30 〜 16:45

[16p-1D-13] AlGaN Deep UV LEDの高効率化の検討

〇稲津哲彦¹、丹羽紀隆¹、一ノ倉啓慈²、ペルノシリル¹、浅野英樹²、友澤秀征¹、石黒永孝²、本田善央³、天野浩³、赤﨑勇⁴ (1.日機装（株）、2.日機装技研(株)、3.名大工、4.名城大理工)

16:45 〜 17:00

[16p-1D-14] AlGaN量子井戸における励起子分子結合エネルギーの井戸幅依存性(2)

中村豪仁¹、和泉平¹、福地駿平¹、倉井聡¹、三宅秀人²、平松和政²、〇山田陽一¹ (1.山口大院・理工、2.三重大院・工)

セッション一覧

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[13a-1D-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [13a-1D-5] バナジウム系電極による高AlNモル分率n型AlGaNのとの低接触比抵抗の検討

△ [13a-1D-8] THzエリプソメトリーによるサファイア基板上GaN薄膜の評価

△ [13a-1D-9] レーザー誘起THz波放射によるm面GaNの評価

[13p-1D-1~26] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [13p-1D-1] Naフラックス成長GaN結晶における酸素不純物の格子定数に与える影響

△ [13p-1D-5] Ga-Alを用いたAlN液相成長における成長条件と成長速度

△ [13p-1D-8] X線マイクロ回折法による半極性面(20-21)GaN厚膜の欠陥分布評価

▲ [13p-1D-9] Evaluation of dislocations in HVPE GaN single crystal by KOH etching with Na2O2 additive and cathodoluminescence mapping

△ [13p-1D-11] トリハライド気相成長法を用いたInGaN厚膜成長

△ [13p-1D-18] m面サファイア基板上半極性AlN/AlGaN層の結晶成長と光学特性

△ [13p-1D-19] ラジカル支援有機金属化学気相成長法によるAlInNの成長

△ [13p-1D-20] ScAlMgO4基板の構成元素がGaN成長層の特性に与える影響

△ [13p-1D-23] Si基板上GaN結晶成長におけるAlN中間層を用いた応力制御のメカニズム

[14a-1D-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [14a-1D-3] MOVPE成長N極性(000\overline{1})p型GaNの正孔濃度に与えるMg/Ga・V/III原料比の影響

△ [14a-1D-6] 歪補償AlN/AlGaN 障壁層による橙色InGaN LED の光出力向上

△ [14a-1D-9] レーザその場観察を用いたInGaN結晶成長

△ [14a-1D-11] GaNSbにおけるGaSbモル分率のキャリアガス依存性

[14p-CE-1~4] 15.4 III-V族窒化物結晶

[14p-PB12-1~23] 15.4 III-V族窒化物結晶

[15a-1D-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

▲ [15a-1D-8] Thin-film transistors based on InN grown on polymer sheets at room temperature

[16a-1D-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16p-1D-1~14] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [16p-1D-3] m面InGaN量子井戸におけるダブルピーク発光の起源

▲ [16p-1D-11] Growth and Optical Properties of AlN/AlGaN Heterostructures on Patterned Si Substrate

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▲ [13p-1D-9] Evaluation of dislocations in HVPE GaN single crystal by KOH etching with Na₂O₂ additive and cathodoluminescence mapping

△ [13p-1D-20] ScAlMgO₄基板の構成元素がGaN成長層の特性に与える影響