一般セッション(口頭講演)

[28a-G2-1~12] 13.3 絶縁膜技術

2013年3月28日(木) 10:00 〜 13:15 G2 (B5号館 1F-2102)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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[28a-G2-1] △硝酸酸化(NAOS)法によるSiO₂薄膜の改質:恒久保存メモリへの応用 (10:00 AM ～ 10:15 AM)

^○赤井智喜，松本健俊，今井繁規，小林光 (阪大産研)

[28a-G2-2] △フルオロカーボンラジカルによるシリコン酸化膜SiO₂エッチングプロセスへの量子分子動力学法アプローチ (10:15 AM ～ 10:30 AM)

^○（M2）伊藤寿¹，桑原卓哉¹，石川岳志¹，樋口祐次¹，尾澤伸樹¹，寒川誠二²，久保百司¹ (東北大院工¹，東北大流体研²)

[28a-G2-3] Si(100)上界面遷移層内Si化学結合状態のARPESによる評価手法 (10:30 AM ～ 10:45 AM)

^○諏訪智之¹，寺本章伸¹，室隆桂之²，木下豊彦²，大見忠弘¹，服部健雄¹ (東北大¹，JASRI²)

[28a-G2-4] Si(100)上界面遷移層内Si化学結合状態のARPESによる解明 (10:45 AM ～ 11:00 AM)

^○諏訪智之¹，寺本章伸¹，室隆桂之²，木下豊彦²，大見忠弘¹，服部健雄¹ (東北大¹，JASRI²)

[28a-G2-5] Si(100)基板表面極近傍の酸化誘起残留歪の光電子分光による検出 (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○諏訪智之¹，寺本章伸¹，大見忠弘¹，室隆桂之²，木下豊彦²，永田晃基³，小椋厚志³，服部健雄¹ (東北大¹，JASRI²，明大理工³)

[28a-G2-6] △プラズマ後窒化SiGe MOS界面の特性評価 (11:15 AM ～ 11:30 AM)

^○（M1C）韓在勲¹，張睿¹，長田剛規²，秦雅彦²，竹中充¹，高木信一¹ (東大院工¹，住友化学²)

[28a-G2-6.1] 休憩(15分)

[28a-G2-7] △cubic相HfO₂薄膜の室温における安定化機構の検討 (11:45 AM ～ 12:00 AM)

^○岩井貴雅，矢嶋赳彬，西村知紀，長汐晃輔，鳥海明 (東大院工)

[28a-G2-8] △H₂O分圧によるPr価数およびPr酸化膜の結晶構造制御 (12:00 PM ～ 12:15 AM)

^○加藤公彦^1,2，坂下満男¹，竹内和歌奈¹，田岡紀之¹，中塚理¹，財満鎭明¹ (名大院工¹，学振特別研究員²)

[28a-G2-9] 低温度作製したアナターゼ型TiO2膜の電気特性 (12:15 PM ～ 12:30 AM)

木村将之¹，^○生田目俊秀²，山田博之¹，大井暁彦²，成島利弘²，知京豊裕²，大石知司¹ (芝浦工大¹，物材機構²)

[28a-G2-10] ▼Improvement of Al₂O₃/InGaAs Interfaces by Ultrathin Ga Oxide Passivation (12:30 PM ～ 12:45 AM)

^○（PC）Wipakorn Jevasuwan，Tatsuro Maeda，Noriyuki Miyata，Minoru Oda，Toshifumi Irisawa，Tsutomu Tezuka，Tetsuji Yasuda (GNC-AIST)

[28a-G2-11] △GaAs基板上GaSb MOS 構造の作製 (12:45 PM ～ 1:00 PM)

^○（B）後藤高寛^1,2，原紳介¹，藤代博記¹，小倉睦郎²，安田哲二²，前田辰郎² (東理大基礎工¹，産総研²)

[28a-G2-12] GaSb MOS界面特性に与えるGaSb酸化物の影響 (1:00 PM ～ 1:15 PM)

^○（PC）横山正史¹，朝倉佑吏¹，横山春喜²，竹中充¹，高木信一¹ (東大工¹，NTTフォトニクス研²)

一般セッション(口頭講演)

[28p-G2-1~16] 13.3 絶縁膜技術

2013年3月28日(木) 14:30 〜 18:45 G2 (B5号館 1F-2102)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[28p-G2-0] 昼食(75分)

[28p-G2-1] ▲｢講演奨励賞受賞記念講演｣（15分）
0.7 nm超薄EOT HfO2/Al2O3/GeOx/Geゲートスタックを用いた高移動度Ge CMOS (2:30 PM ～ 2:45 PM)

^○張睿¹，林汝静¹，黄博勤¹，田岡紀之^1,2，竹中充¹，高木信一¹ (東大院工¹，名大院工²)

[28p-G2-2] 水素アニールによるGe(111)表面の原子レベル平坦化 (2:45 PM ～ 3:00 PM)

^○西村知紀^1,2，李忠賢^1,2，長汐晃輔^1,2，鳥海明^1,2 (東大院工¹，JST-CREST²)

[28p-G2-3] 球面収差補正（Cs-corrected）STEM-EELSによる金属電極/GeO2絶縁膜界面反応の解析 (3:00 PM ～ 3:15 PM)

^○小川慎吾^{1, 2}，秀島伊織²，箕浦佑也²，木村耕輔¹，川崎直彦¹，安居麻美¹，宮田洋明¹，山元隆志¹，細井卓治²，志村考功²，渡部平司² (TRC¹，阪大院工²)

[28p-G2-4] Ge-MOSキャパシタの正確な界面準位密度評価：一定温度DLTS (3:15 PM ～ 3:30 PM)

^○中島寛¹，王冬²，山本圭介^1,3 (九大産学連携センター¹，九大総理工²，学振特別研究員³)

[28p-G2-5] Post Metallization Annealingを用いたGeO₂絶縁膜改質による水溶性変化 (3:30 PM ～ 3:45 PM)

^○山口まりな，中谷友哉，岩崎好孝，上野智雄 (東京農工大・工)

[28p-G2-6] ▲Ge基板のラジカル酸化で形成したGeO2膜質の熱処理による変化 (3:45 PM ～ 4:00 PM)

^○宋宇振^1,2，李忠賢^1,2，西村智紀^1,2，長汐晃輔^1,2，鳥海明^1,2 (東京大学大学院¹，JST-CREST²)

[28p-G2-7] 低温高圧酸化によるEOT 1.2nm Ge/GeO₂スタックの形成 (4:00 PM ～ 4:15 PM)

^○李忠賢^1,2，西村知紀^1,2，田畑俊行^1,2，長汐晃輔^1,2，鳥海明^1,2 (東大¹，JST-CREST²)

[28p-G2-8] HfO₂/Ge界面へのGeN_x拡散防止膜導入の検証 (4:15 PM ～ 4:30 PM)

^○黒柳洋真，中谷友哉，岩崎好孝，上野智雄 (東京農工大・工)

[28p-G2-8.1] 休憩(15分)

[28p-G2-9] △高圧不活性ガスPDAによるAlN/Geゲートスタックの実現 (4:45 PM ～ 5:00 PM)

^○（DC）田畑俊行，長汐晃輔，鳥海明 (東大院工)

[28p-G2-10] △MBD法により作製したMetal/High-k/GeO₂/Geスタックの熱処理による構造変化 (5:00 PM ～ 5:15 PM)

^○（M2）秀島伊織¹，田中亮平¹，箕浦佑也¹，吉越章隆²，寺岡有殿²，細井卓治¹，志村孝功¹，渡部平司¹ (阪大院¹，日本原子力研究開発機構²)

[28p-G2-11] △Al₂O₃/Ge構造の熱酸化による界面構造変化と界面特性との相関関係 (5:15 PM ～ 5:30 PM)

^○柴山茂久¹，加藤公彦^1,2，坂下満男¹，竹内和歌奈¹，田岡紀之¹，中塚理¹，財満鎭明¹ (名大院工¹，学振特別研究員²)

[28p-G2-12] △低温・超低損傷中性粒子ビーム酸化を用いたAl₂O₃/GeO_x/Ge構造の形成 (5:30 PM ～ 5:45 PM)

^○和田章良^1,2，中山大樹¹，Rui Zhang³，高木信一³，寒川誠二^1,4 (東北大流体研¹，東北大μSIC²，東大院工³，東北大WPI-AIMR⁴)

[28p-G2-13] ▲Ge p- and n-MOSFETの高電界領域での移動度劣化機構の解析 (5:45 PM ～ 6:00 PM)

^○（P）張睿，黄博勤，林汝静，竹中充，高木信一 (東大院工)

[28p-G2-14] ▲原子層平坦GeO_x/Ge界面によるGe MOSFETsの高電界領域移動度の向上 (6:00 PM ～ 6:15 PM)

^○（P）張睿，黄博勤，林汝静，竹中充，高木信一 (東大院工)

[28p-G2-15] 絶縁膜を挿入したGe Schottky Diodeの抵抗の支配要因 (6:15 PM ～ 6:30 PM)

^○中村俊允¹，西村知紀^1,2，長汐晃輔^1,2，鳥海明^1,2 (東大工¹，JST-CREST²)

[28p-G2-16] 極薄GeO_X界面層を有するY₂O₃/Ge ゲートスタックの低温形成 (6:30 PM ～ 6:45 PM)

^○永冨雄太¹，小島秀太¹，亀沢翔¹，山本圭介^2,3，王冬¹，中島寛² (九大総理工¹，九大・産学連携センター²，学振特別研究員³)

一般セッション(ポスター講演)

[29p-PB1-1~20] 13.3 絶縁膜技術

2013年3月29日(金) 13:30 〜 15:30 PB1 (第二体育館)

ポスター掲示時間13:30〜15:30(PB会場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[29p-PB1-1] シリコン窒化膜の常磁性欠陥に対する熱処理の効果 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○（M2）ナウシャドシャクール，石川貢吉，小林清輝 (東海大院)

[29p-PB1-2] 欠陥を有するSiN膜中への水分子・ﾊﾛｹﾞﾝ化水素分子の透過 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○奥友希，志賀俊彦，戸塚政裕，竹見政義 (三菱電機)

[29p-PB1-3] Si(100)に作製した硝酸酸化SiO₂薄膜の軟X線光電子分光 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○中島寛記¹，杉崎裕一¹，今西沙織¹，枝元一之¹，松本健俊²，小林光² (立教大理¹，阪大産研²)

[29p-PB1-4] シリコーンオイル酸化Si薄膜膜質へのアニールガスの加湿効果 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○辻埜太一，堀田將 (北陸先端大)

[29p-PB1-5] Si0₂膜中における捕獲電荷のデトラップ評価 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○（M1）滝ヶ浦佑介¹，蓮沼隆²，山部紀久夫³ (筑波大電物¹，筑波大電物²，筑波大電物³)

[29p-PB1-6] SiO2及びGeO2結晶とアモルファスの機械的性質に関する第一原理解析 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○（M1）細川貴弘¹，末岡浩治¹，荒木浩司²，泉妻宏治² (岡山県立大¹，グローバルウェーハ社²)

[29p-PB1-7] SiおよびGe上high-k作成におけるSiN界面層導入の検討 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○立川晋平，中谷友哉，岩崎好孝，上野智雄 (農工大工)

[29p-PB1-8] 酸化・還元アニールによる多結晶HfO₂膜の電気的特性変化 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○門馬久典，蓮沼隆，山部紀久夫 (筑波大　数理物質科学)

[29p-PB1-9] 酸化アニールによる多結晶HfO₂の同一箇所2次元リーク電流分布変化 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○下田恭平¹，蓮沼隆¹，山部紀久夫¹，右田真司² (筑波大　数理物質科学¹，産総研²)

[29p-PB1-10] W₂Cゲート電極とLa-silicateゲート絶縁膜を用いたMOSキャパシタの信頼性評価 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○細田修平¹，Tuokedaerhan Kamale¹，角嶋邦之²，Ahmet Parhat¹，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，筒井一生²，名取研二¹，服部健雄¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア¹，東工大総理工²)

[29p-PB1-11] 原子層堆積 (ALD) 法を用いたLa₂O₃/In_0.53Ga_0.47As界面特性の向上 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○大嶺洋¹，Zade Darius¹，鈴木佑哉¹，角嶋邦之²，Ahmet Parhat¹，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，筒井一生²，服部健雄¹，名取研二¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア研¹，東工大院総理工²)

[29p-PB1-12] InGaAs MOSゲートスタック電気特性に与えるメタルゲート電極の影響 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○（M2）張志宇¹，横山正史¹，金相賢¹，市川磨²，長田剛規²，秦雅彦²，竹中充¹，高木信一¹ (東大院工¹，住友化学²)

[29p-PB1-13] InGaAs/ALD-Al₂O₃界面特性と初期表面の残留酸化物 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○吉田俊幸 (島根大総理工)

[29p-PB1-14] AR-XPSによる異なる酸化雰囲中のIn_0.53Ga_0.47Asの初期酸化過程の評価 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○櫻井拓也¹，沼尻侑也¹，山下晃司¹，ダリュ－シュザデ²，角嶋邦之³，岩井洋²，野平博司¹ (東京都市大工¹，東工大フロンティア研²，東工大総理工³)

[29p-PB1-15] GaSb(100)-c(2x6)表面に形成したHfO₂ MOSキャパシタの電気特性 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○宮田典幸¹，大竹晃浩²，市川昌和³，安田哲二¹ (産総研¹，物材機構²，東大院工³)

[29p-PB1-16] マイクロ波生成原子状酸素を酸化剤として用いたＡＬＤ法によるＧｅ基板上へのＡｌジャーマネイト薄膜の自発的形成 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

梁池昴生¹，花田毅広¹，石崎博基¹，王谷洋平¹，山本千綾²，山中淳二²，佐藤哲也²，岡本浩³，^○福田幸夫¹ (諏訪東京理科大¹，山梨大²，弘前大³)

[29p-PB1-17] ALD 法によるHfO₂/ Al Germanate/ Ge の形成 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

花田毅広¹，梁池昂生¹，^○石崎博基¹，王谷洋平¹，山本千綾²，山中淳二²，佐藤哲也²，福田幸夫¹ (諏訪東京理科大¹，山梨大²)

[29p-PB1-18] ▲XPSによるGeO₂/Ge界面の価電子帯バンドオフセットの決定 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○Wenfeng Zhang^1,2，西村知紀^1,2，長汐晃輔^1,2，喜多浩之^1,2，鳥海明^1,2 (東大院工¹，JST-CREST²)

[29p-PB1-19] ▲Internal Photo-emission法によるGeO₂/Ge界面における伝導帯バンドオフセットの決定 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○Wenfeng Zhang^1,2，西村知紀^1,2，長汐晃輔^1,2，喜多浩之^1,2，鳥海明^1,2 (東大院工¹，JST-CREST²)

[29p-PB1-20] 極薄絶縁膜の導入によるAu/Ge界面反応の抑制とフェルミレベルピンニングとの相関 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○西村知紀^1,2，長汐晃輔^1,2，喜多浩之^1,2，鳥海明^1,2 (東大院工¹，JST-CREST²)

セッション一覧

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[28a-G2-1~12] 13.3 絶縁膜技術

[28p-G2-1~16] 13.3 絶縁膜技術

[29p-PB1-1~20] 13.3 絶縁膜技術