一般セッション(口頭講演)

[17a-E10-1~11] 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

2014年3月17日(月) 09:00 〜 12:00 E10 (E204)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

△ [17a-E10-1] ZnOナノ構造体成長におけるZnOバッファ層の影響及びZnOバッファ層へのレーザー照射がもたらす効果

^○（D）下垣哲也，大藤太平，川原裕貴，村岡佑樹，中尾しほみ，東畠三洋，池上浩，中村大輔，岡田龍雄 (九大システム情報科学府)

09:15 〜 09:30

[17a-E10-2] 酸素を導入したRFスパッタ法によるZnO薄膜の評価

^○安倍大¹，森達哉²，千葉博²，奥田修平²，川島知之^1,2，鷲尾勝由^1,2 (東北大工¹，東北大院工²)

09:30 〜 09:45

△ [17a-E10-3] ZnOグラフォエピタキシャル薄膜の成長機構

^○入野将昂¹，大島孝仁¹，大友明^1,2,3 (東工大院理工¹，JST-ALCA²，元素戦略³)

09:45 〜 10:00

[17a-E10-4] 常圧リモートプラズマCVDを用いたZnO薄膜の成長

^○（D）野瀬幸則¹，木口拓也¹，中村立¹，吉村武¹，芦田淳¹，上原剛²，藤村紀文¹ (阪府大院工¹，積水化学²)

10:00 〜 10:15

[17a-E10-5] 水熱合成ZnOターゲットを用いたZnO薄膜のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー(2)

^○古澤健太郎^1,2，中沢駿仁^1,2，石川陽一¹，田代公則¹，秩父重英^1,2 (東北大多元研¹，東北大院工²)

10:15 〜 10:30

[17a-E10-6] 反応性ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるZnO系微小光共振器形成の検討

^○古澤健太郎^1,2，柿畑研人^1,2，小山雅史^1,2，秩父重英^1,2 (東北大多元研¹，東北大院工²)

休憩 10:30〜10:45 （10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

[17a-E10-7] ZnO単結晶薄膜にドープされたWの表面偏析

^○鈴木拓，安達裕，齋藤紀子，橋口未奈子，坂口勲，大橋直樹，菱田俊一 (物材機構)

11:00 〜 11:15

[17a-E10-8] VドープZnO薄膜の変則的な結晶性の劣化

^○千葉博，奥田修平，森達哉，川島知之，鷲尾勝由 (東北大院工)

11:15 〜 11:30

[17a-E10-9] 超高真空下で加熱したZnO 結晶中の欠陥と光・電子特性

^○大澤健男¹，渡邉賢¹，橋口未奈子¹，坂口勲¹，上田茂典²，大橋直樹¹ (物材機構¹，物材機構/SPring-8²)

11:30 〜 11:45

[17a-E10-10] Nドープに向けたMOCVD法を用いて作製したZnO膜のNOガス効果

^○（PC）原田善之¹，王剣宇¹，関口隆史¹，知京豊裕¹，鈴木摂²，角谷正友¹ (物材機構¹，コメット²)

11:45 〜 12:00

△ [17a-E10-11] MBE法により成長した高抵抗p型ZnO:N薄膜の精密評価〜N_2(O)を起源とするdouble donorの検証〜

^○野田佳佑¹，政本卓也¹，木寺亮太²，松尾拓朗¹，廣江伸哉¹，秋山章雅¹，行衛孝明¹，奥山彰浩²，阿部友紀¹，笠田洋文¹，安東孝止¹ (鳥取大院工¹，鳥取大工²)

一般セッション(口頭講演)

[17p-E10-1~10] 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

2014年3月17日(月) 13:15 〜 15:45 E10 (E204)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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昼食 12:00〜13:15 （12:00 〜 13:15）

13:15 〜 13:30

[17p-E10-1] β-Ga₂O₃単結晶のシンクロトロンX線トポグラフィー観察

^○（BC）桝谷聡士¹，村上竜一¹，輿公祥²，倉又朗人²，飯塚和幸²，嘉数誠¹ (佐賀大院工¹，タムラ製作所²)

13:30 〜 13:45

[17p-E10-2] m面サファイア基板上に形成したβ-Ga₂O₃薄膜の結晶配向性

^○中込真二¹，金子智²，國分義弘¹ (石巻専修大理工¹，神奈川県産業技術センター²)

13:45 〜 14:00

△ [17p-E10-3] サファイア基板上にMBE成長したMoO3薄膜の結晶構造評価

^○（M1）八木信治¹，松尾昌幸¹，小池一歩¹，原田義之¹，佐々誠彦¹，矢野満明¹，稲葉克彦² (阪工大ナノ材研センタ¹，リガク X線研究所²)

14:00 〜 14:15

[17p-E10-4] PLD法による無添加n型SnO薄膜の作製と電気伝導性

^○（P）林博之¹，片山翔太²，大場史康²，田中功² (京大低温¹，京大工²)

14:15 〜 14:30

[17p-E10-5] ミストCVD法によるSnO_x薄膜の作製とその特性

^○内田貴之¹，川原村敏幸²，藤田静雄¹ (京大院工¹，高知工大ナノ研²)

14:30 〜 14:45

[17p-E10-6] ビス(2,4-ペンタジオナト)-ニッケル(II)水和物を用いたMOCVD法によるNiO薄膜の作製

^○谷口凱，寺村瑞樹，石川博康 (芝浦工大)

14:45 〜 15:00

[17p-E10-7] 新規酸化物半導体材料の探索；ウルツ鉱型I-III-O₂化合物半導体

^○小俣孝久¹，鈴木一誓¹，長谷拓¹，喜多正雄² (阪大院工¹，富山高専²)

15:00 〜 15:15

△ [17p-E10-8] AgGaO₂との混晶化によるZnOのバンドギャップナローイング

^○鈴木一誓¹，長谷拓¹，有馬優太¹，喜多正雄²，小俣孝久¹ (阪大院工¹，富山高専²)

15:15 〜 15:30

△ [17p-E10-9] 直接遷移型ナローギャップ半導体; ウルツ鉱型β-CuGaO₂

^○（M2）長谷拓¹，鈴木一誓¹，喜多正雄²，柳博³，田中雅彦⁴，勝矢良雄⁴，大橋直樹⁴，小俣孝久¹ (阪大院工¹，富山高専²，山梨大工³，NIMS⁴)

15:30 〜 15:45

[17p-E10-10] 第一原理計算によるウルツ鉱型β-CuGaO₂, β-AgGaO₂ の電子構造解析

^○鈴木一誓¹，長谷拓¹，喜多正雄²，井口雄喜³，佐藤千友紀³，柳博³，大橋直樹⁴，小俣孝久¹ (阪大院工¹，富山高専²，山梨大工³，NIMS⁴)

一般セッション(ポスター講演)

[17p-PG3-1~30] 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

2014年3月17日(月) 16:00 〜 18:00 PG3 (G棟2階)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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16:00 〜 18:00

[17p-PG3-1] ゾル・ゲルディップ法によるZnO薄膜のバンドギャップ変調

小池真俊，^○安田隆 (石巻専修大理工)

16:00 〜 18:00

[17p-PG3-2] ZnOナノ結晶の低温生成法とその応用

^○羽賀浩一¹，金子義生¹，瀧澤義浩¹，湯蓋邦夫²，宍戸統悦² (仙台高専¹，東北大²)

16:00 〜 18:00

[17p-PG3-3] 定電流電気化学堆積法によるZnO薄膜の作成

^○鈴木聡，千葉航平，藤浪楠己 (木更津高専)

16:00 〜 18:00

△ [17p-PG3-4] PLD法によるGa₂O₃薄膜結晶成長に及ぼす雰囲気及び温度依存性

^○塩尻大士¹，吉田彬¹，土嶺信男²，小粥啓子³，淀徳男⁴，金子智^5,1，松田晃史¹，吉本護¹ (東工大¹，豊島製作所²，アプコ³，阪工大⁴，神奈川県産技セ⁵)

16:00 〜 18:00

[17p-PG3-5] 大気圧プラズマCVDを用いたβ-Ga₂O₃薄膜の成長

^○（B）木口拓也¹，野瀬幸則¹，上原剛²，藤村紀文¹ (阪府大¹，積水化学²)

16:00 〜 18:00

[17p-PG3-6] MBE法により成膜したMgO薄膜の特性評価

^○村嶋翔太¹，岡威樹¹，吉岡秀樹²，山本伸一¹ (龍谷大理工¹，兵庫工技セ²)

16:00 〜 18:00

[17p-PG3-7] 大気圧化学気相堆積法で成長した酸化亜鉛薄膜の光学特性への窒素添加効果

^○寺迫智昭¹，小倉佳典¹，矢木正和²，白方祥¹ (愛媛大院理工¹，香川高専²)

16:00 〜 18:00

[17p-PG3-8] H₂-O₂触媒反応生成高エネルギーH₂Oを用いたZnO薄膜の成長におけるN₂O添加効果

富田雅隆，山口直也，永冨瑛智，玉山泰宏，^○安井寛治 (長岡技科大)

16:00 〜 18:00

[17p-PG3-9] 分子プリカーサー法で製作したGa-In-O多結晶薄膜の発光特性

^○尾沼猛儀^1,2，安野泰平²，高野宗一郎²，後藤良介²，藤岡秀平²，畠山匠²，原広樹²，望月千尋²，永井裕己²，山口智広²，佐藤光史²，本田徹² (東京高専¹，工学院大²)

16:00 〜 18:00

[17p-PG3-10] 電子レンジを用いたZnOナノファイバーの高速合成

^○谷川巽康¹，須崎昌己¹，内富直隆² (府大高専¹，長岡技科大²)

16:00 〜 18:00

[17p-PG3-11] IGZO/n+Siヘテロジャンクション構造を用いたDLTS法によるIGZO薄膜のトラップ準位の評価

^○小坂修司¹，安野聡¹，林和志²，岡田廣¹ (コベルコ科研¹，神戸製鋼所²)

16:00 〜 18:00

[17p-PG3-12] 不純物添加ＺｎＯ薄膜の極性

^○安達裕，大橋直樹，坂口勲，羽田肇 (物材機構)

16:00 〜 18:00

[17p-PG3-13] パルスレーザー蒸着法を用いたSnO_xN_y薄膜の合成と物性評価

^○山崎崇範¹，廣瀬靖^1,2,3，中尾祥一郎^2,3，原山勲⁴，関場大一郎⁴，長谷川哲也^1,2,3 (東大院理¹，KAST²，JST-CREST³，UTTAC⁴)

16:00 〜 18:00

[17p-PG3-14] 分子プレカーサー法を用いたIn添加ZnO薄膜製作検討

^○後藤良介，安野泰平，永井裕己，原広樹，佐藤光史，本田徹 (工学院大)

16:00 〜 18:00

[17p-PG3-15] 静電噴霧法を用いたCu₂O透明薄膜の作製

^○下村宏貴，山本伸一 (龍谷大院理工)

16:00 〜 18:00

[17p-PG3-16] 静電噴霧法を用いたITO/Ag/ITO積層構造薄膜の評価

^○今井敬太¹，下村宏貴¹，山本伸一¹，吉岡秀樹² (龍谷大理工¹，兵庫工技セ²)

16:00 〜 18:00

[17p-PG3-17] 水溶液法を用いた酸化亜鉛薄膜作製における塩素の影響

^○安部功二，松本拓也 (名工大院)

16:00 〜 18:00

[17p-PG3-18] 非晶質SnO₂薄膜の電気伝導：Ta置換量依存性

^○中尾祥一郎^1,2，廣瀬靖^1,2,3，福村知昭^1,2,3，長谷川哲也^1,2,3 (KAST¹，CREST²，東大理³)

16:00 〜 18:00

[17p-PG3-19] ZnO系透明導電膜における抵抗率とc-軸長の基板位置依存性

^○菊池大樹，井上創太，舩木修平，山田容士 (島大総理工)

16:00 〜 18:00

[17p-PG3-20] MOD法を用いてガラス基板上に成膜したZnO系薄膜の特性評価

^○平野貴大¹，山本伸一¹，吉岡秀樹² (龍谷大院理工¹，兵庫工技セ²)

16:00 〜 18:00

[17p-PG3-21] MOD法を用いて不純物を添加したZnO薄膜の発光特性

^○荒井貴博¹，金森翼¹，吉岡秀樹²，山本伸一¹ (龍谷大¹，兵庫工技セ²)

16:00 〜 18:00

△ [17p-PG3-22] 滴下法により形成した酸化亜鉛ナノ粒子層の電気的特性評価

^○篠原風人，糸原大貴，吉田俊幸，藤田恭久 (島根大総理)

16:00 〜 18:00

[17p-PG3-23] Si基板上に成膜したZnO系薄膜の発光特性

^○鈴木大介¹，平野貴大¹，吉岡秀樹²，山本伸一¹ (龍谷大理工¹，兵庫工技セ²)

16:00 〜 18:00

[17p-PG3-24] 対向ターゲットスパッタ法を用いたアモルファスIn-Ga-Zn-O TFT の低温形成

^○瀬尾北斗¹，堺俊克¹，相原聡¹，大竹浩¹，久保田節¹，古田守² (NHK技研¹，高知工大²)

16:00 〜 18:00

[17p-PG3-25] ウェットプロセスを用いた酸化物半導体薄膜のガスセンサ応用

^○（M2）景山豪¹，吉岡秀樹²，山本伸一¹ (龍谷大院理工¹，兵庫工技セ²)

16:00 〜 18:00

[17p-PG3-26] 反応性イオンエッチングによるa-IGZOサブミクロンデバイス構造の試作

^○清水貴思，桑原正史 (産総研)

16:00 〜 18:00

[17p-PG3-27] ZnO-SnO₂薄膜を用いたTFTの低温形成（Ⅱ）

^○佐藤和郎，山田義春，村上修一，筧芳治，櫻井芳昭 (大阪府立産技研)

16:00 〜 18:00

[17p-PG3-28] ZnO TFTのドレイン電流DLTS測定 (3)

^○久保田優人，若林岳，小柳津祥典，森雄大，村中司，鍋谷暢一，松本俊 (山梨大院医工)

16:00 〜 18:00

[17p-PG3-29] 溶液成長法によるp-CuO/n-ZnOヘテロ接合の作製

^○寺迫智昭¹，村上聡宏¹，兵頭篤²，北峯誠之¹，宮田晃²，白方祥¹ (愛媛大院理工¹，愛媛大工²)

16:00 〜 18:00

[17p-PG3-30] MOCVD法により作製したZnMgO:N/ZnOシングルヘテロ接合からのEL発光

^○古林寛¹，森山恭多²，柳瀬将吾³，藤田恭久² (島根大研究支援セ¹，島根大院総理²，島根大総理³)

一般セッション(口頭講演)

[18a-E10-1~10] 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

2014年3月18日(火) 09:00 〜 11:45 E10 (E204)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[18a-E10-1] スプレー法による酸化亜鉛薄膜の大面積化

^○明永裕樹¹，小林義典¹，宮地計二¹，井手亜貴子²，吉野賢二² (旭サナック¹，宮崎大工²)

09:15 〜 09:30

[18a-E10-2] SiO₂/GZO積層膜の電気特性のアニール温度依存性

^○井上創太，菊池大樹，一柳成治，舩木修平，山田容士 (島大総理工)

09:30 〜 09:45

[18a-E10-3] 静電噴霧法を用いた多層膜構造を有する透明導電膜の作製

^○下村宏貴，山本伸一 (龍谷大)

09:45 〜 10:00

[18a-E10-4] ZnOホモバッファ層を導入したVドープ透明導電薄膜と圧電膜の特性

^○森達哉¹，安倍大²，千葉博¹，奥田修平¹，川島知之¹，鷲尾勝由^1,2 (東北大院工¹，東北大工²)

10:00 〜 10:15

[18a-E10-5] Ｘ線光電子分光法によるＺｎＯ透明導電膜の極性評価

^○牧野久雄，宋華平，野本淳一，山本哲也 (高知工科大総研)

休憩 10:15〜10:30 （10:15 〜 10:30）

10:30 〜 10:45

[18a-E10-6] 高周波重畳直流スパッタAl添加ZnO透明電導電膜の電気特性に対する成膜電力の最適化

^○野本淳一¹，宋華平¹，牧野久雄¹，岸本誠一^1,2，山本哲也¹ (高知工科大総研¹，高知高専機械工学科²)

10:45 〜 11:00

[18a-E10-7] 不純物添加ZnO系透明導電膜のキャリア散乱機構の検討

^○宮田俊弘，山中俊憲，南内嗣 (金沢工大)

11:00 〜 11:15

[18a-E10-8] InGaZnOを用いた透明導体の光学・電気特性

^○廣橋拓也¹，太田将志¹，石原典隆¹，野中裕介¹，山﨑舜平¹，片山正博²，三澤千恵子²，中鉢由佳²，羽持貴士²，岡崎健一²，肥塚純一² (半エネ研¹，AFD Inc²)

11:15 〜 11:30

[18a-E10-9] 透明導電膜として機能するInGaZnOの物性評価

^○太田将志¹，石原典隆¹，黒澤陽一¹，野中裕介¹，廣橋拓也¹，高橋正弘¹，山﨑舜平¹，生内俊光²，保坂泰靖²，肥塚純一² (半エネ研¹，AFD Inc.²)

11:30 〜 11:45

[18a-E10-10] InGaZnOのN型化メカニズムに関する計算

^○中島基，広橋拓也，高橋正弘，山﨑舜平 (半エネ研)

一般セッション(口頭講演)

[18p-E10-1~20] 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

2014年3月18日(火) 13:15 〜 18:30 E10 (E204)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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昼食 11:45〜13:15 （11:45 〜 13:15）

13:15 〜 13:30

[18p-E10-1] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）a-InGaZnOの電子物性における水素の影響

^○上岡義弘¹，石河泰明^1,2，BermundoJuanPaolo¹，山﨑はるか¹，浦川哲¹，堀田昌宏^1,2，浦岡行治^1,2 (奈良先端大¹，CREST²)

13:30 〜 13:45

[18p-E10-2] PLD法で真空製膜したアモルファスIn-Ga-Zn-O薄膜における電荷補償と水素によるパッシベーション効果

^○神谷利夫^1,2，HermsJohannes¹，大類貴俊¹，羽生雄一郎¹，平松秀典^1,2，雲見日出也²，細野秀雄^1,2,3，上田茂典⁴，大橋直樹^2,4 (東工大応セラ研¹，東工大元素戦略研²，東工大フロンティア研³，物材機構⁴)

13:45 〜 14:00

[18p-E10-3] アモルファスIn-Ga-Zn-Oの不純物水素によるバンドギャップワイドニングと構造緩和挙動

^○石川恭兵¹，羽生有一郎¹，平松秀典^1,2，雲見日出也²，細野秀雄^1,2,3，神谷利夫^1,2 (東工大応セラ研¹，東工大元素戦略研²，東工大フロンティア研³)

14:00 〜 14:15

[18p-E10-4] スパッタ環境の違いによる酸化物半導体の膜質評価

^○高梨泰幸，田尾博昭，越智元隆，後藤裕史，釘宮敏洋 (神戸製鋼所)

14:15 〜 14:30

[18p-E10-5] InGaZnOの構造評価Ⅰ：TEM試料加工・観察時の影響

^○山崎亨，舩木雅之，阿久津恵子 (材料科学技術振興財団)

14:30 〜 14:45

[18p-E10-6] InGaZnOの構造評価Ⅱ：ナノ領域における結晶構造解析

^○舩木雅之，山崎亨，阿久津恵子 (材料科学技術振興財団)

14:45 〜 15:00

[18p-E10-7] InGaZnOの構造評価Ⅲ：CAAC-InGaZnO薄膜の結晶構造解析

^○舩木雅之，山崎亨，阿久津恵子 (材料科学技術振興財団)

15:00 〜 15:15

[18p-E10-8] InGaZnOの構造評価Ⅳ：デジタル画像解析を用いたナノ結晶構造評価

^○阿久津恵子，舩木雅之，山崎亨 (材料科学技術振興財団)

15:15 〜 15:30

[18p-E10-9] スパッタ法で成膜したナノ結晶酸化物半導体への電子線照射効果の調査(1)

^○矢野路子，髙橋絵里香，大力浩二，高橋正弘，廣橋拓也，山﨑舜平 (半エネ研)

15:30 〜 15:45

[18p-E10-10] スパッタ法で成膜したナノ結晶酸化物半導体への電子線照射効果の調査(2)

^○大力浩二，太田将志，高橋正弘，廣橋拓也，山﨑舜平 (半エネ研)

休憩 15:45〜16:00 （15:45 〜 16:00）

16:00 〜 16:15

[18p-E10-11] 電子線ホログラフィーによるInGaZnO₄ /SiO₂界面の電荷分布の直接観察

^○五十嵐信行，西藤哲史，竹田裕，井上尚也，砂村潤，竹内潔，羽根正巳 (ルネサスエレ)

16:15 〜 16:30

[18p-E10-12] 酸化物半導体前駆体のインク化とマイクロ波焼成プロセスの開発

^○鄭恵貞¹，小倉晋太郎¹，酒井平祐¹，竹内和彦²，長畑律子²，植村聖¹，福田伸子¹ (産総研,フレキシブル¹，産総研,ナノシステム²)

16:30 〜 16:45

△ [18p-E10-13] Photoinduced Transient Spectroscopy 法を用いたIGZO薄膜トランジスタの電子状態評価

^○田尾博昭，高梨泰幸，森田晋也，日野綾，後藤裕史，林和志，釘宮敏洋 (神戸製鋼所)

16:45 〜 17:00

△ [18p-E10-14] A-IGZO TFTにおけるチャネル保護層成膜に伴う水素の拡散と欠陥パッシベーション効果

^○戸田達也，DapengWang，JingxinJiang，PhiHungMai (高知工大)

17:00 〜 17:15

[18p-E10-15] IGZO TFTのオフリーク特性の評価と解析

^○脇村豪，山内祥光，松岡俊匡，鎌倉良成 (阪大)

17:15 〜 17:30

[18p-E10-16] 大型スパッタカソードを用いたIGZO膜質均一性とTFT信頼性

^○小林大士，水野太平，大谷佑介，武井応樹，水野雄介，大久保裕夫，石橋哲，磯部辰徳，新井真，清田淳也，斎藤一也 (アルバック)

17:30 〜 17:45

△ [18p-E10-17] パルス電圧ストレス下における自己発熱による酸化物TFTの劣化解析

^○木瀬香保利¹，笘井重和²，上岡義弘¹，山﨑はるか¹，浦川哲¹，矢野公規²，DapengWang³，古田守³，堀田昌宏^1,4，石河泰明^1,4，浦岡行治^1,4 (奈良先端大¹，出光興産²，高知工科大³，CREST⁴)

17:45 〜 18:00

[18p-E10-18] スパッタ成膜単結晶InGaZnO薄膜のトランジスタ特性

^○山田良則，松林大介，松田慎平，佐藤裕平，太田将志，伊藤大吾，津吹将志，高橋正弘，廣橋拓也，坂倉真之，山﨑舜平 (半エネ研)

18:00 〜 18:15

[18p-E10-19] バルクマイクロマシニングを用いた中空構造a-InGaZnO TFTの開発

^○岩松新之輔¹，竹知和重²，阿部泰¹，矢作徹¹，田邉浩²，小林誠也¹ (山形県工技セ¹，NLTテクノロジー²)

18:15 〜 18:30

[18p-E10-20] Surrounded channel構造酸化物半導体トランジスタの移動度向上効果

^○松田慎平¹，松林大介¹，小林由幸¹，早川昌彦²，島行徳²，斉藤暁²，岡崎健一²，肥塚純一²，山﨑舜平^1,2 (半エネ研¹，AFD Inc²)

一般セッション(口頭講演)

[19a-E10-1~9] 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

2014年3月19日(水) 09:30 〜 12:00 E10 (E204)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:30 〜 09:45

[19a-E10-1] 電気化学的手法による酸化チタンナノチューブ微小ガスセンサへの白金微粒子担持

^○戸邊翼，小島領太，木村康男，庭野道夫 (東北大通研ナノ・スピン実験施設)

09:45 〜 10:00

[19a-E10-2] 酸化亜鉛透明導電膜を感ガス材とした高出力電流水素センサー

^○山本哲也¹，岸本誠一^1,2，宋華平¹，野本淳一¹，牧野久雄¹ (高知工科大総研¹，高知高専²)

10:00 〜 10:15

[19a-E10-3] バイアス電圧印加PLD法によるZnO薄膜の薄膜トランジスタによる評価

^○虻川雄矢，小宮山崇夫，長南安紀，山口博之，青山隆 (秋田県大)

10:15 〜 10:30

[19a-E10-4] a軸配向多結晶ZnOを用いたZnO-TFTの作製

^○大島直到，羽賀浩一，瀧澤義浩 (仙台高専)

休憩 10:30〜10:45 （10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

[19a-E10-5] 可視域ZnCdMgO 4元混晶薄膜のRPE-MOCVD成長とPV特性

^○（B）仁枝嘉昭¹，中村篤志²，天明二郎² (静大工¹，静大院工²)

11:00 〜 11:15

[19a-E10-6] Pt/ZnOショットキーフォトダイオードにおける逆バイアス特性の改善

^○遠藤治之¹，大橋律男²，阿部貴志¹，高橋強¹，柏葉安兵衛³ (岩手県工技センタ¹，イーエムシー半導体²，岩手大³)

11:15 〜 11:30

[19a-E10-7] ウルツ鉱型酸化物半導体β-CuGaO₂, β-AgGaO₂の伝導性制御

^○（M2）長谷拓¹，鈴木一誓¹，常深浩¹，井藤幹夫¹，喜多正雄²，小俣孝久¹ (阪大院工¹，富山高専²)

11:30 〜 11:45

[19a-E10-8] 電界印加ゾル-ゲル法を用いたn-ZnO/NiO/p-Siヘテロ接合特性

^○山田順平，阿部一徳，小宮山崇夫，長南安紀，山口博之，青山隆 (秋田県立大)

11:45 〜 12:00

△ [19a-E10-9] 窒素ドープ酸化亜鉛ナノ粒子の生成と塗布型紫外線発光ダイオード

^○平儀野雄斗¹，清山拓史²，狩野祐太²，橋本英樹³，藤田恭久¹ (島根大院総理¹，島根大総理²，島根大研究支援セ³)

セッション一覧

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[17a-E10-1~11] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [17a-E10-1] ZnOナノ構造体成長におけるZnOバッファ層の影響及びZnOバッファ層へのレーザー照射がもたらす効果

△ [17a-E10-3] ZnOグラフォエピタキシャル薄膜の成長機構

△ [17a-E10-11] MBE法により成長した高抵抗p型ZnO:N薄膜の精密評価 〜N2(O)を起源とするdouble donorの検証〜

[17p-E10-1~10] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [17p-E10-3] サファイア基板上にMBE成長したMoO3薄膜の結晶構造評価

△ [17p-E10-8] AgGaO2との混晶化によるZnOのバンドギャップナローイング

△ [17p-E10-9] 直接遷移型ナローギャップ半導体; ウルツ鉱型β-CuGaO2

[17p-PG3-1~30] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [17p-PG3-4] PLD法によるGa2O3薄膜結晶成長に及ぼす雰囲気及び温度依存性

△ [17p-PG3-22] 滴下法により形成した酸化亜鉛ナノ粒子層の電気的特性評価

[18a-E10-1~10] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[18p-E10-1~20] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [18p-E10-13] Photoinduced Transient Spectroscopy 法を用いたIGZO薄膜トランジスタの電子状態評価

△ [18p-E10-14] A-IGZO TFTにおけるチャネル保護層成膜に伴う水素の拡散と欠陥パッシベーション効果

△ [18p-E10-17] パルス電圧ストレス下における自己発熱による酸化物TFTの劣化解析

[19a-E10-1~9] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [19a-E10-9] 窒素ドープ酸化亜鉛ナノ粒子の生成と塗布型紫外線発光ダイオード

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[17a-E10-1~11] 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [17a-E10-11] MBE法により成長した高抵抗p型ZnO:N薄膜の精密評価〜N_2(O)を起源とするdouble donorの検証〜

[17p-E10-1~10] 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [17p-E10-8] AgGaO₂との混晶化によるZnOのバンドギャップナローイング

△ [17p-E10-9] 直接遷移型ナローギャップ半導体; ウルツ鉱型β-CuGaO₂

[17p-PG3-1~30] 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [17p-PG3-4] PLD法によるGa₂O₃薄膜結晶成長に及ぼす雰囲気及び温度依存性

[18a-E10-1~10] 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

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