セッション一覧

合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

一般セッション(口頭講演)

[15a-A22-1~11] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2016年9月15日(木) 09:00 〜 12:00 A22 (メインホールB)

阿部友紀(鳥取大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:00 〜 09:15

[15a-A22-1] 微量酸素添加によるV添加ZnO透明導電膜の機能改善

〇川島知之¹、鷲尾勝由¹ (1.東北大院工)

09:15 〜 09:30

[15a-A22-2] 多結晶 Ga 添加 ZnO 透明導電膜の表面吸着子に与える酸素負イオン照射の効果

〇野本淳一¹、牧野久雄^1,2、北見尚久^1,3、酒見俊之³、小畠雅明⁴、岡根哲夫⁵、藤森伸一⁵、山上浩志^5,6、小林啓介^1,5、山本哲也¹ (1.高知工科大総研、2.高知工科大システム工、3.住友重機械工業株式会社、4.原子力機構廃炉国際共同研究センター核種挙動解析Gr.、5.原子力機構物質科学研究センター電子構造物性研究 Gr.、6.京都産業大学)

09:30 〜 09:45

△ [15a-A22-3] アフターアークプラズマ型酸素負イオン照射装置の開発

〇北見尚久^1,2、酒見俊之¹、野本淳一²、牧野久雄^2,3、青木康¹、山本哲也² (1.住友重機械、2.高知工科大総研、3.高知工科大システム工)

09:45 〜 10:00

[15a-A22-4] SiO₂を積層したGa添加ZnO膜の大気アニールによる特性向上

金井拓哉¹、杉浦怜¹、正力幹也¹、舩木修平¹、〇山田容士¹ (1.島根大)

10:00 〜 10:15

[15a-A22-5] 多結晶AZO透明導電膜のキャリア輸送に対する結晶粒界の影響(Ⅳ)

〇宇於崎涼介¹、宮田俊弘¹、南内嗣¹ (1.金沢工大　OEDS R&D センター)

10:30 〜 10:45

[15a-A22-6] 低温スパッタによる低抵抗ITO膜の開発

〇大野幸亮¹、白井雅紀¹、小林大士¹、高橋明久¹、石橋暁¹ (1.株式会社アルバック)

10:45 〜 11:00

[15a-A22-7] スプレー熱分解法によるFTO透明導電膜の作製

〇加藤彩香¹、中根孝弥¹、石山武¹ (1.豊橋技術科学大学)

11:00 〜 11:15

△ [15a-A22-8] Ta:SnO₂エピタキシャル薄膜の輸送特性

〇福本通孝¹、中尾祥一郎²、重松圭²、小川大輔³、森河和雄³、廣瀬靖^1,2、長谷川哲也^1,2 (1.東大院理、2.KAST、3.都産技研)

11:15 〜 11:30

△ [15a-A22-9] 各種基板上への透明p型半導体γ-CuI薄膜の作製

〇(M2)井野龍一朗¹、戸村悠¹、河村匡記¹、二宮善彦¹、山田直臣¹ (1.中部大院工)

11:30 〜 11:45

[15a-A22-10] スパッタで堆積したp-NiO膜の電気特性

〇佐々木公平^1,2、東脇正高²、倉又朗人¹、山腰茂伸¹ (1.タムラ製作所、2.情通機構)

11:45 〜 12:00

[15a-A22-11] 新しいp型半導体に関する研究

〇金子健太郎^1,2、人羅俊実²、藤田静雄¹ (1.京大院工、2.株式会社FLOSFIA)

一般セッション(口頭講演)

[15p-A22-1~17] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2016年9月15日(木) 13:30 〜 18:00 A22 (メインホールB)

石河泰明(奈良先端大)、古田守(高知工科大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

13:30 〜 13:45

[15p-A22-1] [講演奨励賞受賞記念講演] 超ワイドバンドギャップアモルファス酸化物半導体の欠陥制御と光・電子デバイス応用

〇金正煥¹、関谷拓実²、井手啓介²、平松秀典^1,2、細野秀雄^1,2、神谷利夫^1,2 (1.東工大元素セ、2.東工大フロンティア研)

13:45 〜 14:00

△ [15p-A22-2] アモルファス酸化物蛍光体薄膜の多色化と電子構造

〇渡邉脩人¹、 Kim Junghwan²、井手啓介¹、平松秀典^1,2、細野秀雄^1,2、神谷利夫^1,2 (1.東工大フロンティア研、2.東工大元素セ)

14:00 〜 14:15

[15p-A22-3] a-InGaZnO TFT光誘起トップゲート効果のa-InGaZnO膜厚依存性

〇竹知和重¹、田邉浩¹ (1.NLTテクノロジー)

14:15 〜 14:30

▼ [15p-A22-4] Defect Analysis of Siloxane Gate Insulator and its Interface in a-IGZO Thin-Film Transistor

〇(DC)Chaiyanan Kulchaisit¹、 Juan Paolo Bermundo¹、 Mami N. Fujii¹、 Yasuaki Ishikawa¹、 Yukiharu Uraoka¹ (1.NAIST)

14:30 〜 14:45

△ [15p-A22-5] 水素導入・酸化処理を適用した水系塗布型酸化物TFTの特性

〇宮川幹司¹、中田充¹、辻博史¹、藤崎好英¹、山本敏裕¹ (1.NHK技研)

14:45 〜 15:00

△ [15p-A22-6] 高圧水蒸気処理による高誘電体膜SrTa₂O₆を用いたIGZO薄膜トランジスタの特性改善

〇(M2)及川賢人¹、藤井茉美¹、 Bermundo Juan Paolo¹、内山潔²、石河泰明¹、浦岡行治¹ (1.奈良先端大、2.鶴岡高専)

15:00 〜 15:15

△ [15p-A22-7] 溶液法IGZO薄膜におけるGa比率と焼成温度が伝達特性に与える影響

〇(M1)落合祐輔¹、森本貴明¹、福田伸子³、大木義路^1,2 (1.早大先進理工、2.早大材研、3.産総研FLEC)

15:15 〜 15:30

[15p-A22-8] 高移動度In系酸化物半導体材料の開発

〇大竹文人¹、武井応樹¹、小林大士¹、清田淳也¹、齋藤一也¹ (1.株式会社アルバック)

15:45 〜 16:00

[15p-A22-9] 非晶質酸化物半導体薄膜トランジスタのNBITS信頼性評価

〇大野祐樹¹、田中聡¹、清水耕作¹ (1.日大生産工)

16:00 〜 16:15

[15p-A22-10] 非晶質ITZOとIGZO薄膜トランジスタの信頼性評価

〇田中聡¹、清水耕作¹ (1.日本大学)

16:15 〜 16:30

△ [15p-A22-11] アモルファスIGZOにおける弱結合酸素の電子状態解析

〇岸田陽介¹、井手啓介¹、上田茂典³、平松秀典^1,2、大橋直樹^2,3、細野秀雄^1,2、神谷利夫^1,2 (1.東工大フロンティア研、2.東工大元素セ、3.物質・材料研究機構)

16:30 〜 16:45

△ [15p-A22-12] ZrO₂絶縁膜/In-Si-Oチャネル界面が酸化物TFTのトランジスタ特性へ及ぼす影響

〇(D)栗島一徳^1,2、生田目俊秀²、木津たきお²、塚越一仁²、女屋崇^1,2、大井暁彦²、知京豊裕²、小椋厚志¹ (1.明治大、2.物材機構 WPI-MANA)

16:45 〜 17:00

[15p-A22-13] 酸化亜鉛薄膜ガスセンサ特性の結晶面依存性

〇安達裕¹、坂口勲¹、鈴木拓¹、齋藤紀子¹ (1.物材機構)

17:00 〜 17:15

[15p-A22-14] ナノインプリント法によるシクロオレフィンポリマーを用いた酸化亜鉛系薄膜のダイレクトパターンニング

〇ハナキアブドゥラ¹、木村史哉¹、永山幸希¹、芦田浩平¹、孫屹¹、小山政俊¹、前元利彦¹、佐々誠彦¹ (1.阪工大ナノ材研)

17:15 〜 17:30

[15p-A22-15] Ga 添加 ZnO 薄膜における近赤外光波長領域での光学損失：プラズモニクス応用へ

〇山本哲也¹、野本淳一¹、牧野久雄¹ (1.高知工科大総研)

17:30 〜 17:45

[15p-A22-16] 非極性ZnO/ZnMgO多重量子井戸による紫外光変調器に関する研究

〇岩ケ下翔平¹、山本真也¹、河原拓朗¹、阿部友紀¹、笠田洋文¹、安東孝止¹、市野邦男¹、赤岩和明¹ (1.鳥取大院工)

17:45 〜 18:00

[15p-A22-17] 岩塩構造Mg_1−xZn_xO薄膜の深紫外発光

〇金子健太郎¹、津村圭一¹、尾沼猛儀²、内田貴之¹、神野莉衣奈¹、山口智広²、本田徹²、藤田静雄¹ (1.京大院工、2.工学院大先進工)

一般セッション(口頭講演)

[16a-A22-1~10] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2016年9月16日(金) 09:00 〜 11:45 A22 (メインホールB)

川原村敏幸(高知工科大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:00 〜 09:15

[16a-A22-1] パワーデバイス用2インチ(001)β-Ga₂O₃基板の作製と評価

〇増井建和¹、輿公祥¹、渡辺信也¹、倉又朗人¹、山腰茂伸¹ (1.タムラ製作所)

09:15 〜 09:30

△ [16a-A22-2] β-Ga₂O₃ショットキーバリアダイオードのリーク電流と結晶欠陥との関係

〇橋口明広¹、森林朋也¹、花田賢志¹、大島孝仁¹、大石敏之¹、輿公祥²、佐々木公平²、倉又朗人²、上田修³、嘉数誠¹ (1.佐賀大院、2.タムラ製作所、3.金沢工大)

09:30 〜 09:45

△ [16a-A22-3] β-Ga₂O₃ (010)単結晶のエッチピットの構造

〇森林朋也¹、花田賢志¹、輿公祥²、佐々木公平²、倉又朗人²、上田修³、嘉数誠¹ (1.佐賀大院工、2.タムラ製作所、3.金沢工大)

09:45 〜 10:00

[16a-A22-4] β-Ga₂O₃薄膜と単結晶の光学定数の比較

〇尾沼猛儀^1,2、齋藤伸吾²、佐々木公平^3,2、増井建和³、山口智広¹、本田徹¹、倉又朗人³、東脇正高² (1.工学院大、2.情通機構、3.タムラ製作所)

10:00 〜 10:15

[16a-A22-5] c面サファイア・オフ基板上に形成したβ-Ga₂O₃薄膜の結晶配向性

〇中込真二¹、國分義弘¹ (1.石巻専修大理工)

10:30 〜 10:45

[16a-A22-6] ミストCVD法によるε-Ga₂O₃エピタキシャル成長

〇西中浩之¹、吉本昌広¹ (1.京工繊大)

10:45 〜 11:00

△ [16a-A22-7] α-(In,Ga)₂O₃/α-Ga₂O₃ヘテロ構造の界面急峻化に向けた研究

〇内田昌志¹、金子健太郎¹、藤田静雄¹ (1.京大院工)

11:00 〜 11:15

△ [16a-A22-8] Siドープα-Ga₂O₃薄膜の作製とその電気特性解析

〇内田貴之¹、神野莉衣奈¹、竹本柊¹、金子健太郎¹、藤田静雄¹ (1.京大院工)

11:15 〜 11:30

[16a-A22-9] α-(Al_xGa_1-x)₂O₃薄膜のドライエッチングの特性

〇内田貴之¹、中村昌幸²、金子健太郎¹、神野莉衣奈¹、小林貴之²、本山慎一²、藤田静雄¹ (1.京大院工、2.サムコ株式会社)

11:30 〜 11:45

[16a-A22-10] Snドープα-(Al_xGa_1-x)₂O₃薄膜の作製とESR測定

〇竹本柊¹、内田貴之¹、神野莉絵奈¹、金子健太郎¹、田中勝久¹、藤田静雄¹ (1.京大院工)

一般セッション(口頭講演)

[16p-A22-1~6] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2016年9月16日(金) 12:45 〜 14:15 A22 (メインホールB)

西中浩之(京都工繊大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

12:45 〜 13:00

[16p-A22-1] c面Al₂O₃上アモルファスZnO/V添加ZnO積層膜における固相成長温度の検討

〇渡部晃弘¹、川島知之¹、鷲尾勝由¹ (1.東北大院工)

13:00 〜 13:15

[16p-A22-2] ミストCVD法による硫化亜鉛薄膜の形成と評価

〇沖田晃史¹、皆見憲亮¹、寺屋さとみ¹、永岡昭二^3,4、谷田部然治²、中村有水^1,4 (1.熊大院自然科学、2.熊大先導機構、3.熊本産技、4.熊本有機薄膜)

13:15 〜 13:30

[16p-A22-3] c面サファイア基板上アモルファスCuCrO₂薄膜の固相成長

〇保坂直寿¹、千葉博^1,2、川島知之¹、鷲尾勝由¹ (1.東北大院工、2.学振特別研究員)

13:30 〜 13:45

[16p-A22-4] Ar/N₂混合スパッタで作製したアモルファスCuCrO₂薄膜の固相成長

〇千葉博^1,2、保坂直寿¹、川島知之¹、鷲尾勝由¹ (1.東北大院工、2.学振特別研究員)

13:45 〜 14:00

△ [16p-A22-5] MBE 成長した単結晶WO₃薄膜のエレクトロクロミック特性（2）

〇村山喬之¹、桒形航行¹、原田義之¹、小池一歩¹、佐々誠彦¹、矢野満明¹、稲葉克彦²、小林信太郎² (1.大工大ナノ材研、2.リガク X線研究所)

14:00 〜 14:15

[16p-A22-6] アモルファス半導体ZnON薄膜へのカチオン添加効果

〇重松圭¹、山﨑崇範²、中尾祥一郎¹、廣瀬靖^1,2、長谷川哲也^1,2 (1.KAST、2.東大院理)

×

認証

×

要旨・抄録、PDFの閲覧には参加者用アカウントでのログインが必要です。参加者ログイン後に閲覧・ダウンロードできます。
» 参加者用ログイン