一般セッション(口頭講演)
[18a-E304-1~9] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術
2019年9月18日(水) 09:30 〜 11:45 E304 (E304)
△:奨励賞エントリー
▲:英語発表
▼:奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄:どちらもなし
09:30 〜 09:45
〇佐々木 伸夫1,2,3、 Muhammad Arif2、 浦岡 行治2、 後藤 順3、 杉本 重人3 (1.Sasaki Consulting、2.奈良先端大、3.ブイ・テクノロジー)
09:45 〜 10:00
〇妹川 要1,2、 濱野 史暢1、 中村 大輔1、 齋藤 香織3、 後藤 順3、 後藤 哲也4、 池上 浩1,2 (1.九大、2.九大ギガフォトン共同部門、3.ブイ・テクノロジー、4.東北大未来研)
10:00 〜 10:15
〇(M1)濱野 史暢1、 妹川 要1,2、 中村 大輔1、 後藤 哲也3、 池上 浩1,2 (1.九大、2.九大ギガフォトン共同部門、3.東北大未来研)
10:15 〜 10:30
〇西口 尚希1、 原 明人1 (1.東北学院大工)
10:30 〜 10:45
〇水川 友里1、 亀田 朝輝1、 花房 宏明1、 東 清一郎1 (1.広大院先端研)
10:45 〜 11:00
〇葉 文昌1、 平末 充紀1、 土屋 敏章1 (1.島根大総理工)
11:00 〜 11:15
〇野口 隆1、 岡田 竜弥1 (1.琉大工)
11:15 〜 11:30
〇斎藤 聖也1、 茂藤 健太1、 西田 竹志1、 末益 崇1、 都甲 薫1 (1.筑波大院)
11:30 〜 11:45
〇今城 利文1,2、 茂藤 健太1,2、 末益 崇1、 都甲 薫1 (1.筑波大学 数理物質、2.学振特別研究員)