一般セッション(口頭講演)

[5a-C11-1~11] 13.3 絶縁膜技術

6.1と13.3と13.5のコードシェアセッションあり

2017年9月5日(火) 09:00 〜 12:00 C11 (事務室1)

小山正人(東芝)、大田晃生(名大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[5a-C11-1] GeO₂/Ge構造におけるKr/O₂プラズマ処理効果の検討

〇多田優威¹、岩崎好孝¹、上野智雄¹ (1.農工大工)

09:15 〜 09:30

[5a-C11-2] プラズマ窒化処理によるGeO₂膜の吸湿性改善の検討

〇関谷陽介¹、岩崎好孝¹、上野智雄¹ (1.農工大院工)

09:30 〜 09:45

▼ [5a-C11-3] Near-interface border traps characterization for GeO₂/Ge gate stacks grown by low and high temperature thermal oxidation by using deep-level transient spectroscopy

〇(M2)Weichen Wen¹、 Taisei Sakaguchi¹、 Keisuke Yamamoto¹、 Dong Wang¹、 Hiroshi Nakashima² (1.IGSES, Kyushu Univ.、2.GIC, Kyushu Univ.)

09:45 〜 10:00

[5a-C11-4] CVD-GeO2/Ge構造に対するPost Metallization Annealingの効果

〇羽田野拓己¹、岩崎好孝¹、上野智雄¹ (1.農工大院・工)

10:00 〜 10:15

[5a-C11-5] Hf-Post Matallization AnnealingによるGeO₂/Ge界面の特性変化

〇藤原遥香¹、岩崎好孝¹、上野智雄¹、山田浩史¹、並木美太郎¹ (1.農工大工)

10:15 〜 10:30

[5a-C11-6] HfO₂/GeO₂/Ge構造におけるGeO₂層の作製条件の検討

〇和知祥太郎¹、岩崎好孝¹、上野智雄¹、山田浩史¹、北原義典¹、並木美太郎¹ (1.農工大院工)

10:30 〜 10:45

▼ [5a-C11-7] Study on physical origins of slow traps for electrons and holes in ALD Al₂O₃/GeO_x/Ge interfaces

〇Mengnan Ke¹、 Mitsuru Takenaka¹、 Shinichi Takagi¹ (1.Tokyo Univ.)

11:00 〜 11:15

[5a-C11-8] 有機金属錯体化反応を活用した酸化ランタンの熱ドライエッチング

〇山口欣秀¹、篠田和典¹、高妻豊²、酒井哲²、伊澤勝² (1.日立研開、2.日立ハイテク)

11:15 〜 11:30

[5a-C11-9] ECR-N₂プラズマ窒化による高誘電率HfN絶縁膜の形成に関する検討

〇石松慎¹、 Mailig Rengie Mark¹、工藤聡也¹、大見俊一郎¹ (1.東工大工)

11:30 〜 11:45

[5a-C11-10] 金属Hf/Si構造への化学溶液酸化法によるHfO₂/Si構造の作成と評価

〇大場裕貴¹、岩崎好孝¹、上野智雄¹ (1.農工大院工)

11:45 〜 12:00

[5a-C11-11] HfO₂/SiO₂界面における酸素空孔欠陥が及ぼすリーク電流の第一原理計算

〇高木謙介¹、小野倫也^1,2 (1.筑波大数物、2.筑波大計算セ)

一般セッション(口頭講演)

[5p-C11-1~10] 13.3 絶縁膜技術

6.1と13.3と13.5のコードシェアセッションあり

2017年9月5日(火) 13:45 〜 16:30 C11 (事務室1)

井上真雄(ルネサス)、渡邉孝信(早大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:45 〜 14:00

△ [5p-C11-1] 結晶化高温アニールによる原子層堆積法Al₂O₃膜バイアス安定性の向上

〇(B)堀川清貴¹、大久保智¹、蔭浦泰資¹、平岩篤^2,3,4、川原田洋^1,2,3 (1.早大理工、2.材研、3.NTRC、4.名大未来研)

14:00 〜 14:15

△ [5p-C11-2] Al₂O₃/SiO₂界面のダイポール層の生成・抑制の制御
-界面の組成急峻性の与える効果-

〇鎌田啓伸¹、喜多浩之¹ (1.東大院工)

14:15 〜 14:30

▼ [5p-C11-3] Anomalous temperature dependence of dipole layer strength at the Al₂O₃/SiO₂ interface

〇(M1)Siri Nittayakasetwat¹、 Hironobu Kamata¹、 Koji Kita¹ (1.The Univ. of Tokyo)

14:30 〜 14:45

[5p-C11-4] XPSによるHigh-k/SiO₂界面のダイポール定量と酸素密度比との相関

〇藤村信幸¹、大田晃生¹、池田弥央¹、牧原克典¹、宮崎誠一¹ (1.名大院工)

15:00 〜 15:15

[5p-C11-5] Si上SiO₂膜のステップエッチングに伴う表面ラフネス増加

〇(M1)我妻匠¹ (1.筑波大)

15:15 〜 15:30

▼ [5p-C11-6] Low-temperature Oxidation Characteristics of Si using SrTi_xMg_1-xO_3-δ Catalyst

〇(D)HsiangFang Sun¹、 Akihiro Ikeda¹、 Tanemasa Asano¹ (1.Kyushu Univ.)

15:30 〜 15:45

[5p-C11-7] RTNトラップの高電界下でのDefect Profiling ～マルチフォノンモデルに基づく理論外挿～

〇宝玉充¹、泉田貴士¹、尾上誠司¹ (1.東芝メモリ（株）)

15:45 〜 16:00

[5p-C11-8] KFMによるSiN膜中捕獲電荷の放出特性評価

〇小澤航大¹、蓮沼隆¹ (1.筑波大学)

16:00 〜 16:15

[5p-C11-9] Si放出モデルに基づくSi熱酸化過程の面方位依存性に関する理論的研究

〇名倉拓哉¹、川内伸悟¹、長川健太¹、白川裕規¹、洗平昌晃^1,2,6、影島博之^3,6、遠藤哲郎^4,5,6、白石賢二^1,2,6 (1.名大院工、2.名大未来研、3.島根大院総合理工、4.東北大院工、5.国際集積セ、6.JST-ACCEL)

16:15 〜 16:30

[5p-C11-10] Amorphous-SiO₂中の金属原子が示す化学的傾向

〇宮島岳史¹、白川裕規¹、洗平昌晃^2,1、白石賢二^2,1 (1.名大院工、2.名大未来研)

一般セッション(ポスター講演)

[6a-PA9-1~11] 13.3 絶縁膜技術

2017年9月6日(水) 09:30 〜 11:30 PA9 (国際センター1F)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:30 〜 11:30

[6a-PA9-1] エピタキシャルGe上の直接ALDによるAl₂O₃層の形成と評価

〇(M1)繁澤えり子¹、佐野良介¹、池上和彦¹、澤野憲太郎¹、野平博司¹ (1.都市大)

09:30 〜 11:30

[6a-PA9-2] 原子層堆積法によりGe基板上に形成したAl₂O₃への酸素ラジカル照射がAl₂O₃/p-Ge界面特性に及ぼす影響

〇山田大地¹、王谷洋平¹、山本千綾²、山中淳二²、佐藤哲也²、岡本浩³、福田幸夫¹ (1.諏訪東京理科大、2.山梨大、3.弘前大)

09:30 〜 11:30

[6a-PA9-3] RE-ALD形成Al₂O₃/GeO₂/p-Ge MOSキャパシタの電気的特性に及ぼすゲート電極金属の影響 -２

〇(M1)長浜優¹、山田大地²、王谷洋平²、福田幸夫²、岡本浩¹ (1.弘前大理工、2.諏訪東京理科大)

09:30 〜 11:30

[6a-PA9-4] トリクロロエチレンによる有機SiガスAPCVD低温酸化Si膜中の残留OH量減少の効果

〇堀田將¹、ジェインプーニート¹ (1.北陸先端大)

09:30 〜 11:30

[6a-PA9-5] 分子動力学計算によるAlO_xN_y/SiO₂界面におけるダイポール形成の駆動力の調査

〇高橋憶人¹、中川宣託¹、富田基裕¹、渡邉孝信¹ (1.早大理工)

09:30 〜 11:30

[6a-PA9-6] 超臨界流体堆積法による酸化ハフニウム薄膜の段差被覆成膜

〇川島広明¹、内田寛¹ (1.上智大)

09:30 〜 11:30

△ [6a-PA9-7] 電気ストレスによるAl₂O₃/InGaAs MOS界面における界面準位発生

〇尹尚希¹、張志宇¹、安大煥¹、竹中充¹、高木信一¹ (1.東京大学大学院)

09:30 〜 11:30

[6a-PA9-8] SiCN膜を用いた電荷捕獲型メモリの正孔捕獲特性

〇美濃暢¹ (1.東海大院工)

09:30 〜 11:30

[6a-PA9-9] シリコン窒化膜の常磁性欠陥に対する熱処理の効果（Ⅴ）

〇(M1)新里健也¹、数見理¹、小林清輝¹ (1.東海大院工)

09:30 〜 11:30

[6a-PA9-10] 高湿環境下でのSiO_x膜の表面酸化過程

〇奥友希¹、志賀俊彦¹、戸塚正裕¹、高木晋一¹ (1.三菱電機)

09:30 〜 11:30

[6a-PA9-11] 高温SiO₂とSiO₂+SiOの自己拡散係数の揺らぎ

〇矢島雄司¹、白石賢二^2,3、遠藤哲郎^2,4、影島博之^1,2 (1.島根大、2.JST-ACCEL、3.名大、4.東北大)

セッション一覧

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[5a-C11-1~11] 13.3 絶縁膜技術

6.1と13.3と13.5のコードシェアセッションあり

[5a-C11-1] GeO₂/Ge構造におけるKr/O₂プラズマ処理効果の検討

[5a-C11-2] プラズマ窒化処理によるGeO₂膜の吸湿性改善の検討

▼ [5a-C11-3] Near-interface border traps characterization for GeO₂/Ge gate stacks grown by low and high temperature thermal oxidation by using deep-level transient spectroscopy

[5a-C11-4] CVD-GeO2/Ge構造に対するPost Metallization Annealingの効果

[5a-C11-5] Hf-Post Matallization AnnealingによるGeO₂/Ge界面の特性変化

[5a-C11-6] HfO₂/GeO₂/Ge構造におけるGeO₂層の作製条件の検討

▼ [5a-C11-7] Study on physical origins of slow traps for electrons and holes in ALD Al₂O₃/GeO_x/Ge interfaces

[5a-C11-8] 有機金属錯体化反応を活用した酸化ランタンの熱ドライエッチング

[5a-C11-9] ECR-N₂プラズマ窒化による高誘電率HfN絶縁膜の形成に関する検討

[5a-C11-10] 金属Hf/Si構造への化学溶液酸化法によるHfO₂/Si構造の作成と評価

[5a-C11-11] HfO₂/SiO₂界面における酸素空孔欠陥が及ぼすリーク電流の第一原理計算

[5p-C11-1~10] 13.3 絶縁膜技術

6.1と13.3と13.5のコードシェアセッションあり

△ [5p-C11-1] 結晶化高温アニールによる原子層堆積法Al₂O₃膜バイアス安定性の向上

△ [5p-C11-2] Al₂O₃/SiO₂界面のダイポール層の生成・抑制の制御
-界面の組成急峻性の与える効果-

▼ [5p-C11-3] Anomalous temperature dependence of dipole layer strength at the Al₂O₃/SiO₂ interface

[5p-C11-4] XPSによるHigh-k/SiO₂界面のダイポール定量と酸素密度比との相関

[5p-C11-5] Si上SiO₂膜のステップエッチングに伴う表面ラフネス増加

▼ [5p-C11-6] Low-temperature Oxidation Characteristics of Si using SrTi_xMg_1-xO_3-δ Catalyst

[5p-C11-7] RTNトラップの高電界下でのDefect Profiling ～マルチフォノンモデルに基づく理論外挿～

[5p-C11-8] KFMによるSiN膜中捕獲電荷の放出特性評価

[5p-C11-9] Si放出モデルに基づくSi熱酸化過程の面方位依存性に関する理論的研究

[5p-C11-10] Amorphous-SiO₂中の金属原子が示す化学的傾向

[6a-PA9-1~11] 13.3 絶縁膜技術

[6a-PA9-1] エピタキシャルGe上の直接ALDによるAl₂O₃層の形成と評価

[6a-PA9-2] 原子層堆積法によりGe基板上に形成したAl₂O₃への酸素ラジカル照射がAl₂O₃/p-Ge界面特性に及ぼす影響

[6a-PA9-3] RE-ALD形成Al₂O₃/GeO₂/p-Ge MOSキャパシタの電気的特性に及ぼすゲート電極金属の影響 -２

[6a-PA9-4] トリクロロエチレンによる有機SiガスAPCVD低温酸化Si膜中の残留OH量減少の効果

[6a-PA9-5] 分子動力学計算によるAlO_xN_y/SiO₂界面におけるダイポール形成の駆動力の調査

[6a-PA9-6] 超臨界流体堆積法による酸化ハフニウム薄膜の段差被覆成膜

△ [6a-PA9-7] 電気ストレスによるAl₂O₃/InGaAs MOS界面における界面準位発生

[6a-PA9-8] SiCN膜を用いた電荷捕獲型メモリの正孔捕獲特性

[6a-PA9-9] シリコン窒化膜の常磁性欠陥に対する熱処理の効果（Ⅴ）

[6a-PA9-10] 高湿環境下でのSiO_x膜の表面酸化過程

[6a-PA9-11] 高温SiO₂とSiO₂+SiOの自己拡散係数の揺らぎ

認証

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13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[5a-C11-1~11] 13.3 絶縁膜技術

6.1と13.3と13.5のコードシェアセッションあり

▼ [5a-C11-3] Near-interface border traps characterization for GeO2/Ge gate stacks grown by low and high temperature thermal oxidation by using deep-level transient spectroscopy

▼ [5a-C11-7] Study on physical origins of slow traps for electrons and holes in ALD Al2O3/GeOx/Ge interfaces

[5p-C11-1~10] 13.3 絶縁膜技術

6.1と13.3と13.5のコードシェアセッションあり

△ [5p-C11-1] 結晶化高温アニールによる原子層堆積法Al2O3膜バイアス安定性の向上

△ [5p-C11-2] Al2O3/SiO2界面のダイポール層の生成・抑制の制御-界面の組成急峻性の与える効果-

▼ [5p-C11-3] Anomalous temperature dependence of dipole layer strength at the Al2O3/SiO2 interface

▼ [5p-C11-6] Low-temperature Oxidation Characteristics of Si using SrTixMg1-xO3-δ Catalyst

[6a-PA9-1~11] 13.3 絶縁膜技術

△ [6a-PA9-7] 電気ストレスによるAl2O3/InGaAs MOS界面における界面準位発生

認証

▼ [5a-C11-3] Near-interface border traps characterization for GeO₂/Ge gate stacks grown by low and high temperature thermal oxidation by using deep-level transient spectroscopy

▼ [5a-C11-7] Study on physical origins of slow traps for electrons and holes in ALD Al₂O₃/GeO_x/Ge interfaces

△ [5p-C11-1] 結晶化高温アニールによる原子層堆積法Al₂O₃膜バイアス安定性の向上

△ [5p-C11-2] Al₂O₃/SiO₂界面のダイポール層の生成・抑制の制御
-界面の組成急峻性の与える効果-

▼ [5p-C11-3] Anomalous temperature dependence of dipole layer strength at the Al₂O₃/SiO₂ interface

▼ [5p-C11-6] Low-temperature Oxidation Characteristics of Si using SrTi_xMg_1-xO_3-δ Catalyst

△ [6a-PA9-7] 電気ストレスによるAl₂O₃/InGaAs MOS界面における界面準位発生