一般セッション(口頭講演)
[19a-E305-1~12] 13.3 絶縁膜技術
2019年9月19日(木) 09:00 〜 12:15 E305 (E305)
△:奨励賞エントリー
▲:英語発表
▼:奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄:どちらもなし
09:00 〜 09:15
〇和光 拓人1、 仮屋崎 弘昭2、 黒田 周1、 宮本 聡1、 藤森 洋行2、 遠藤 哲郎3,4、 伊藤 公平1 (1.慶大理工、2.グローバルウェーハズ・ジャパン、3.東北大CIES、4.JST-ACCEL)
09:15 〜 09:30
〇尹 尚希1、 加藤 公彦1、 横山 千晶1、 安 大煥1、 竹中 充1、 高木 信一1 (1.東京大学)
09:30 〜 09:45
〇草深 一樹1、 Sunglin Tsai1、 星井 拓也1、 若林 整1、 筒井 一生2、 角嶋 邦之1 (1.東工大工学院、2.東工大科学技術創成研究院)
09:45 〜 10:00
〇原田 和輝1、 岩崎 好孝1、 上野 智雄1 (1.東京農工大学院工)
10:00 〜 10:15
〇野平 博司1、 和⽥ 励虎1、 保井 晃2、 宮田 典幸3 (1.都市大工、2.高輝度光科学研究センター、3.産総研)
10:15 〜 10:30
〇浅沼 周太郎1、 住田 杏子1、 宮口 有典2、 堀田 和正2、 神保 武人2、 齋藤 一也2、 宮田 典幸1 (1.産総研、2.アルバック)
10:45 〜 11:00
〇寺垣 亮太1、 小林 晃平1、 吉田 晴彦1、 新船 幸二1、 神吉 滉輝夫2、 堀田 育志1 (1.兵県大工、2.阪大産研)
11:00 〜 11:15
〇小林 滉平1、 寺垣 亮太1、 吉田 晴彦1、 新船 幸二1、 堀田 育志1 (1.兵庫県立工)
11:15 〜 11:30
〇山口 まりな1、 藤井 章輔1、 株柳 翔一1、 上牟田 雄一1、 井野 恒洋1、 中崎 靖1、 高石 理一郎1、 市原 玲華1、 齋藤 真澄1 (1.東芝メモリ)
11:30 〜 11:45
〇トープラサートポン カシディット1、 田原 建人1、 福井 太一郎1、 竹中 充1、 高木 信一1 (1.東大工)
11:45 〜 12:00
〇田原 建人1、 加藤 公彦1、 トープラサートポン カシディット1、 竹中 充1、 高木 信一1 (1.東京大学)
12:00 〜 12:15
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[19a-E305-12] Evaluation of surface potential of ferroelectric-gate MOS capacitors
by C-V analyses
〇(M2)Chenyu Liao1、 Kasidit Toprasertpong1、 Taichirou Fukui1、 Mitsuru Takenaka1、 Shinichi Takagi1 (1.The Univ. of Tokyo)