一般セッション(ポスター講演)

[19a-P5-1~14] 13.5 Siプロセス技術

2013年9月19日(木) 09:30 〜 11:30 P5 (デイヴィス記念館 )

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:30 〜 11:30

[19a-P5-1] 薄膜トランジスタによるニューラルネットワーク

^○（BC）森田竜平，山口裕貴，木村睦，松田時宜 (龍谷大理工)

09:30 〜 11:30

[19a-P5-2] Poly-Si TFTを用いたニューロンMOSインバータの特性評価

^○島田健次，松田時宜，木村睦 (龍谷大理工)

09:30 〜 11:30

△ [19a-P5-3] 自己整合メタルダブルゲート Ni-SPC 低温 poly-Si TFT

^○（M1）目黒達也，原明人 (東北学院大工)

09:30 〜 11:30

△ [19a-P5-4] 埋め込み構造を有するガラス上の自己整合メタルダブルゲート低温 poly-Si TFT(2)

^○佐々木駿，原明人 (東北学院大工)

09:30 〜 11:30

[19a-P5-5] 可視レーザ照射による多結晶シリコン薄膜の成長と結晶欠陥密度の関係

^○河本直哉¹，只友一行¹，部家彰²，松尾直人² (山口大院理工¹，兵庫県立大院工²)

09:30 〜 11:30

[19a-P5-6] DLB-CLC poly-Si結晶化におけるレーザ照射オーバラップの効果

^○山野真幸¹，黒木伸一郎¹，佐藤旦¹，秦信宏²，小谷光司³，吉川公麿¹ (広島大ナノデバイス¹，産総研²，東北大院³)

09:30 〜 11:30

[19a-P5-7] マイクロ熱プラズマジェット結晶化SiTFTにおけるチャネル結晶状態及び電気特性評価

^○林将平^1,2，藤田悠二¹，森崎誠司¹，上倉敬弘¹，山本将悟¹，東清一郎¹ (広大院先端研¹，学振特別研究員ＤＣ²)

09:30 〜 11:30

[19a-P5-8] 薄膜Al₂O₃/SiO₂ BOX層を有するUTB-GeOI基板作製

^○守山佳彦^1,2，池田圭司¹，竹内正太郎²，上牟田雄一¹，中村芳明²，酒井朗²，泉妻宏治³，手塚勉¹ (産総研GNC¹，阪大基礎工²，グローバルウェーハズジャパン³)

09:30 〜 11:30

[19a-P5-9] 弾道電子の直接還元効果を用いた半導体薄膜堆積

^○伊藤光樹，須田隆太郎，八木麻実子，小島明，Mentek Romain，白樫淳一，越田信義 (農工大・院･工)

09:30 〜 11:30

[19a-P5-10] 冷却ホルダを用いた軟X線照射によるSi中B原子の低温活性化

^○部家彰¹，草壁史¹，丸山裕樹¹，松尾直人¹，神田一浩²，野口隆³ (兵庫県立大工¹，兵庫県立大高度研²，琉球大³)

09:30 〜 11:30

[19a-P5-11] n型不純物およびSがpoly-Ge中キャリア濃度に与える影響

^○小池正浩，上牟田雄一，鎌田善己，黒澤悦男，手塚勉 (産総研GNC)

09:30 〜 11:30

▲ [19a-P5-12] Electrical Characteristics of Ge/Si Hetero-Junction Tunnel Field-Effect Transistors and their Post Annealing Effects

^○（D）金ミンス，若林勇希，中根了昌，横山正史，竹中充，高木信一 (東大院工)

09:30 〜 11:30

[19a-P5-13] エピタキシャル成長n⁺-Ge:Pの活性化率向上とTi電極との接触抵抗低減

^○守山佳彦^1,2，上牟田雄一¹，鎌田善己¹，池田圭司¹，竹内正太郎²，中村芳明²，酒井朗²，手塚勉¹ (産総研GNC¹，阪大基礎工²)

09:30 〜 11:30

[19a-P5-14] Alダメージレス、シリコン異方性エッチング剤の開発

^○田湖次広^1,2，市野邦男²，木村真弓¹，勇謙司¹ (林純薬工業¹，鳥取大院工²)

一般セッション(口頭講演)

[19p-B4-1~21] 13.5 Siプロセス技術

2013年9月19日(木) 13:30 〜 19:00 B4 (TC2 1F-106)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:30 〜 13:45

[19p-B4-1] マイクロ熱プラズマジェット照射によるa-Si膜のLeading Wave Crystallizationにおける結晶位置制御及びTFTの電気特性評価

^○林将平^1,2，森崎誠司¹，上倉敬弘¹，山本将悟¹，酒池耕平^1,2，赤澤宗樹¹，東清一郎¹ (広大院先端研¹，学振特別研究員DC²)

13:45 〜 14:00

[19p-B4-2] 大気圧マイクロ熱プラズマジェット結晶化を用いた微細薄膜トランジスタの特性評価

^○森崎誠司，林将平，上倉敬弘，山本将悟，赤澤宗樹，酒池耕平，東清一郎 (広大院先端研)

14:00 〜 14:15

[19p-B4-3] ガラス基板上a-Si膜の熱プラズマジェット結晶化における中間緩衝層によるクラック抑制メカニズムの調査

^○田中敬介，林将平，上倉敬弘，東清一郎 (広大院先端研)

14:15 〜 14:30

▲ [19p-B4-4] Comparison of crystalline quality of SPC Si films grown on YSZ layers with that on glass substrates in pulse laser annealing

^○Lien Mai，堀田将 (北陸先端大)

14:30 〜 14:45

△ [19p-B4-5] 2ステップRTA(高温短時間アニール)によるリンドープSi薄膜の低抵抗化

^○（M1）若杉智英¹，知念怜¹，岡田竜弥¹，青笹浩¹，野口隆¹，伊藤丈二² (琉球大工¹，イトウコンサル²)

14:45 〜 15:00

[19p-B4-6] 電子線照射による非晶質Ge薄膜のAu誘起成長の促進

^○（B）茂藤健太，崎山晋，酒井崇嗣，中嶋一敬，高倉健一郎，角田功 (熊本高等専門学校)

15:00 〜 15:15

[19p-B4-7] 大気圧マイクロ熱プラズマジェット照射によるa-Ge膜の高速横方向結晶化

^○（M2）上倉敬弘，林将平，森崎誠司，山本将悟，東清一郎 (広大院先端研)

15:15 〜 15:30

[19p-B4-8] 極浅As注入層の再結晶化過程のホトルミネセンスによる分析

^○田川修治¹，山田章一郎¹，村井剛太¹，吉本昌広¹，Yoo Woo Sik² (京都工芸繊維大¹，WaferMasters²)

15:30 〜 15:45

[19p-B4-9] ヘリウムイオン顕微鏡（HIM)観察下でのSiO₂からのルミネッセンス評価

^○小川真一¹，飯島智彦¹，杉江隆一²，川崎直彦²，大塚裕二² (産総研¹，東レリサーチセンター²)

15:45 〜 16:00

△ [19p-B4-10] 表面プラズモン共鳴を用いたラマン分光法によるSi微小領域の異方性二軸応力評価

^○岩崎竜平，永田晃基，富田基裕，小瀬村大亮，小椋厚志 (明大理工)

休憩　（16:00 〜 16:15）

16:15 〜 16:30

[19p-B4-11] メニスカス力を利用した中空構造シリコン膜の低温転写

^○（DC）酒池耕平，中村将吾，赤澤宗樹，福永貴司，森崎誠司，林将平，東清一郎 (広大院先端研)

16:30 〜 16:45

[19p-B4-12] メニスカス力による熱酸化された中空構造シリコン膜の局所転写

^○赤澤宗樹，酒池耕平，中村将吾，福永貴司，林将平，森崎誠司，東清一郎 (広大院　先端研)

16:45 〜 17:00

△ [19p-B4-13] SAB法によるSi/Si接合特性におけるArプラズマ照射効果

^○森本雅史，梁剣波，西田将太，重川直輝 (大阪市立大工)

17:00 〜 17:15

[19p-B4-14] ランガサイト結晶振動子による化学気相堆積プロセス測定法(1)

松井美沙子，齋藤あゆ美，^○羽深等 (横国大院工)

17:15 〜 17:30

[19p-B4-15] ランガサイト結晶振動子による化学気相堆積プロセス測定法(2)

^○松井美沙子，羽深等 (横国大院工)

17:30 〜 17:45

[19p-B4-16] O2混合Arスパッタにより成膜したSiO2膜の電気特性評価

^○井村公彦，岡田竜弥，杉原弘也，下田清治，野口隆 (琉球大)

17:45 〜 18:00

[19p-B4-17] 極薄PtHfSi形成におけるスパッタガス種の影響

^○吉村泰彦，大見俊一郎 (東工大総理工)

18:00 〜 18:15

△ [19p-B4-18] タングステン内包Siクラスター薄膜を用いたGeとの金属接合技術の開発

^○岡田直也^1,2，内田紀行²，金山敏彦^1,3 (筑波大院　電子・物理工¹，産総研ナノエレ部門²，産総研³)

18:15 〜 18:30

[19p-B4-19] 塩化シラン系シリコン薄膜成長における副生成物発生挙動

^○桜井あゆみ，羽深等 (横国大院工)

18:30 〜 18:45

▲ [19p-B4-20] Activation of Silicon Implanted with Dopant Atoms by Microwave Heating

^○（B）中村友彦¹，滋野聖¹，吉冨真也¹，蓮見真彦¹，石井寿子¹，鮫島俊之¹，井内裕²，内藤勝男²，水野智久³ (東京農工大¹，日新イオン機器²，神奈川大³)

18:45 〜 19:00

[19p-B4-21] SSRMを用いた極浅接合の活性化不純物分布評価（Ⅱ）

^○押秀徳¹，阿保智¹，若家冨士男¹，岩松俊明²，尾田秀一²，高井幹夫¹ (阪大極限量子科学研究センター¹，ルネサスエレクトロニクス²)

一般セッション(口頭講演)

[20a-B4-1~11] 13.5 Siプロセス技術

2013年9月20日(金) 09:00 〜 12:00 B4 (TC2 1F-106)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[20a-B4-1] F₂+HeガスドライエッチングによるSiトレンチ側壁上のスキャロップ低減化処理

^○三笠亮¹，新海聡子²，野田有輝³，本山慎一³ (九工大院情¹，九工大マイクロ化²，サムコ³)

09:15 〜 09:30

[20a-B4-2] ClF₃クラスタービームによる大面積Siエッチング技術

^○吉野裕¹，妹尾武彦¹，小池国彦¹，瀬木利夫²，青木学聡²，松尾二郎² (岩谷産業¹，京大院工²)

09:30 〜 09:45

[20a-B4-3] マイクロプラズマを用いたエッチングプロセス

^○田中宏幸²，中野禅^1,2，清水禎樹^1,2，小木曽久人^1,2，二川真士³，吉岡秀明³，福田孝弘³，内山嘉典³，Sommawan Khumpuang^1,2，原史朗^1,2 (産総研¹，ミニマルファブ技術研究組合²，デザインネットワーク³)

09:45 〜 10:00

[20a-B4-4] 小口径ウェハにおけるエッジベベリングがレジスト塗布に与える影響

^○奧田修史¹，梅山規男^1,2，山崎篤^1,3，住澤春男^1,3，市川浩一郎^1,3，武内翔^1,4，扇子義久^1,4，ソマワンクンプアン^1,2，原史朗^1,2 (ミニマルファブ技術研究組合¹，産総研²，不二越機械工業³，リソテックジャパン⁴)

10:00 〜 10:15

[20a-B4-5] 集光型赤外線加熱炉を用いたハーフインチシリコンCVD装置

^○李寧¹，羽深等¹，池田伸一^2,3，石田夕起^2,3，原史朗^2,3 (横国大院工¹，産総研²，ミニマルファブ技術研究組合³)

10:15 〜 10:30

[20a-B4-6] ミニマルファブのための小型スパッタ成膜装置の開発

^○小木曽久人^1,2，中野禅^1,2，行村健¹，加藤旭彦^2,3，薮田勇気^2,3，Sommawan Khumpuang^1,2，原史朗^1,2 (産総研¹，ミニマルファブ技術研究組合²，誠南工業³)

休憩　（10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

[20a-B4-7] ミニマルレーザ加熱装置を用いた熱酸化プロセスのメカニズム

^○遠江栄希²，谷島孝²，千葉貴史^1,2，寺田昌男^1,2，池田伸一^2,3，ソマワンクンプアン^2,3，原史朗^2,3 (坂口電熱¹，ミニマルファブ技術研究組合²，産総研³)

11:00 〜 11:15

[20a-B4-8] ミニマルマスクレス描画装置におけるリソグラフィー解像度の均一性制御

^○北山侑司¹，遠江栄希¹，石井好恵^1,2，入田亮一^1,2，三宅賢治^1,2，ソマワンクンプアン^1,3，原史朗^1,3 (ミニマルファブ技術研究組合¹，PMT²，産総研³)

11:15 〜 11:30

[20a-B4-9] ミニマルCMP装置によるSi及びSiO₂膜に対するCMPプロセス

^○梅山規男^1,2，居村史人^1,2，中戸克彦¹，澁谷和孝^1,3，中村由夫^1,3，市川浩一郎³，ソマワンクンプアン^1,2，原史朗^1,2 (ミニマルファブ技術研究組合¹，産総研²，不二越機械工業³)

11:30 〜 11:45

[20a-B4-10] 局所クリーン化ミニマルPLADエア循環システム

^○谷島孝¹，ソマワンクンプアン^1,2，前川仁^1,2，原史朗^1,2 (ミニマルファブ技術研究組合¹，産総研²)

11:45 〜 12:00

[20a-B4-11] ミニマル抵抗加熱炉による高速昇温シリコン熱酸化プロセス

^○鈴木真之佑^1,2，柳沼綾美^1,2，森川清彦^1,2，服部昌^1,2，中戸克彦²，三ヶ原孝則²，池田伸一^2,3，ソマワンクンプアン^2,3，原史朗^2,3 (光洋サーモシステム¹，ミニマル²，産総研³)

一般セッション(口頭講演)

[20p-B4-1~8] 13.5 Siプロセス技術

2013年9月20日(金) 13:00 〜 15:00 B4 (TC2 1F-106)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
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昼食　（12:00 〜 13:00）

13:00 〜 13:15

[20p-B4-1] S原子ペアーがピニングでショットキー障壁を消滅させる機構

^○加藤弘一，丸亀孝生，西義史，三谷祐一郎 (東芝研開セ)

13:15 〜 13:30

[20p-B4-2] Siナノワイヤ中のNiシリサイド成長速度 (1) 熱履歴依存性

^○山下広樹¹，鹿浜康寛¹，小杉山洋希¹，橋本修一郎¹，武井康平¹，孫静¹，松川貴²，昌原明植²，渡邉孝信¹ (早大理工¹，産総研²)

13:30 〜 13:45

[20p-B4-3] Siナノワイヤ中のNiシリサイド成長速度 (2)　不純物濃度依存性

^○小杉山洋希¹，鹿浜康寛¹，山下広樹¹，橋本修一郎¹，武井康平¹，孫静¹，松川貴²，昌原明植²，渡邉孝信¹ (早大理工¹，産総研²)

13:45 〜 14:00

[20p-B4-4] Krガスを用いた積層シリサイド化スパッタプロセスにより形成したNiSi₂の薄膜評価

^○今村浩章¹，稲村太一¹，角嶋邦之²，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，若林整²，筒井一生²，名取研二¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²)

14:00 〜 14:15

[20p-B4-5] Pを導入したNiSi₂電極を用いたn-Ge基板の電流電圧特性の熱処理依存性

^○元木雅章¹，吉原亮¹，角嶋邦之²，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，若林整²，筒井一生²，名取研二¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²)

14:15 〜 14:30

[20p-B4-6] Sn/n型Geコンタクトにおけるショットキー障壁高さの低減

^○鈴木陽洋¹，朝羽俊介¹，横井淳¹，中塚理¹，黒澤昌志^1,2，坂下満男¹，田岡紀之¹，財満鎭明¹ (名古屋大院工¹，学振特別研究員²)

14:30 〜 14:45

△ [20p-B4-7] NiGe/Ge接合へのPイオン注入によるショットキーバリア変調

^○箕浦佑也¹，細井卓治¹，松垣仁²，黒木伸一郎²，志村考功¹，渡部平司¹ (阪大院工¹，広大RBNS²)

14:45 〜 15:00

[20p-B4-8] ゲルマニウムへの低温As⁺イオン注入による活性化率向上

^○小野貴寛¹，大田晃生¹，花房宏明¹，村上秀樹¹，東清一郎¹，宮崎誠一² (広大院先端研¹，名大院工²)

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13．半導体A（シリコン） » 13.5 Siプロセス技術

[19a-P5-1~14] 13.5 Siプロセス技術

△ [19a-P5-3] 自己整合メタルダブルゲート Ni-SPC 低温 poly-Si TFT

△ [19a-P5-4] 埋め込み構造を有するガラス上の自己整合メタルダブルゲート低温 poly-Si TFT(2)

▲ [19a-P5-12] Electrical Characteristics of Ge/Si Hetero-Junction Tunnel Field-Effect Transistors and their Post Annealing Effects

[19p-B4-1~21] 13.5 Siプロセス技術

▲ [19p-B4-4] Comparison of crystalline quality of SPC Si films grown on YSZ layers with that on glass substrates in pulse laser annealing

△ [19p-B4-5] 2ステップRTA(高温短時間アニール)によるリンドープSi薄膜の低抵抗化

△ [19p-B4-10] 表面プラズモン共鳴を用いたラマン分光法によるSi微小領域の異方性二軸応力評価

△ [19p-B4-13] SAB法によるSi/Si接合特性におけるArプラズマ照射効果

△ [19p-B4-18] タングステン内包Siクラスター薄膜を用いたGeとの金属接合技術の開発

▲ [19p-B4-20] Activation of Silicon Implanted with Dopant Atoms by Microwave Heating

[20a-B4-1~11] 13.5 Siプロセス技術

[20p-B4-1~8] 13.5 Siプロセス技術

△ [20p-B4-7] NiGe/Ge接合へのPイオン注入によるショットキーバリア変調