一般セッション(口頭講演)

[15a-B9-1~6] 13.3 絶縁膜技術

2016年9月15日(木) 10:15 〜 11:45 B9 (展示ホール内)

井上真雄(ルネサス)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

10:15 〜 10:30

△ [15a-B9-1] ZrO₂/high-k/ZrO₂多層絶縁膜を用いたDRAMキャパシタにおけるhigh-k層間絶縁層の役割

〇(M1)女屋崇^1,2、生田目俊秀^2,3、澤田朋実^2,3、栗島一徳^1,2、澤本直美¹、大井暁彦²、知京豊裕²、小椋厚志¹ (1.明治大学、2.物材機構 WPI-MANA、3.JST-CREST)

10:30 〜 10:45

△ [15a-B9-2] 酸化剤を変えて形成した原子層堆積Al₂O₃膜の電気特性

〇大久保智¹、松村大輔¹、平岩篤¹、川原田洋¹ (1.早稲田大学理工学術院)

10:45 〜 11:00

[15a-B9-3] 原子層堆積Al₂O₃膜の電気特性に対する熱処理効果

〇平岩篤^1,3、松村大輔²、大久保智²、川原田洋^1,2 (1.早大ナノ・ライフ、2.早大理工、3.名大未来研)

11:00 〜 11:15

[15a-B9-4] HfO₂/SiO₂/Si(100)構造における内部電位分布、界面ダイポールの定量評価

〇藤村信幸¹、大田晃生¹、池田弥央¹、牧原克典¹、宮崎誠一¹ (1.名大院工)

11:15 〜 11:30

[15a-B9-5] High-k/SiO₂界面におけるダイポール形成メカニズムの考察
-多重極子ポテンシャル差による酸素イオン移動の可能性-

〇(M2)功刀遼太¹、中川宣拓¹、渡邉孝信¹ (1.早大理工)

11:30 〜 11:45

▼ [15a-B9-6] Consideration on the Origin of Dipole Layer Formation at Dielectric Interfaces with Different Anions (Fluorine, Oxygen and Nitrogen)

〇(D)Jiayang Fei¹、 Ryota Kunugi²、 Takanobu Watanabe²、 Koji Kita¹ (1.The Univ. of Tokyo、2.Waseda Univ.)

一般セッション(口頭講演)

[15p-B9-1~17] 13.3 絶縁膜技術

2016年9月15日(木) 13:15 〜 17:45 B9 (展示ホール内)

手塚勉(東芝)、知京豊裕(物材機構)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

13:15 〜 13:30

▲ [15p-B9-1] [Young Scientist Presentation Award Speech] Effects of nitrogen bonding on para-/ferroelectric transition of HfO₂

〇Lun Xu¹、 Tomonori Nishimura¹、 Shigehisa Shibayama¹、 Takeaki Yajima¹、 Shinji Migita²、 Akira Toriumi¹ (1.The Univ. of Tokyo、2.AIST)

13:30 〜 13:45

△ [15p-B9-2] 強誘電性HfO₂膜における局所内部電界に起因する分極の不均質性

〇柴山茂久^1,2、徐倫¹、田璇¹、右田真司³、鳥海明¹ (1.東大院工、2.学振特別研究員、3.産総研)

13:45 〜 14:00

▲ [15p-B9-3] Study of polarization uniformity in N-doped ferroelectric HfO₂ by piezo-response force microscopy

〇(D)Lun Xu¹、 Shigehisa Shibayama¹、 Tomonori Nishimura¹、 Takeaki Yajima¹、 Shinji Migita²、 Akira Toriumi¹ (1.The Univ. of Tokyo、2.AIST)

14:00 〜 14:15

[15p-B9-4] TiNメタル中の不純物酸素が強誘電体Hf_0.5Zr_0.5O₂生成へ与える影響

〇太田裕之¹、右田真司¹、黒澤悦男¹、鳥海明² (1.産総研、2.東大院工)

14:15 〜 14:30

[15p-B9-5] 液相堆積法による(Ba, Sr)TiO₃の堆積条件検討

〇(M2)國光俊作¹、羽路伸夫¹ (1.横国大院工)

14:30 〜 14:45

△ [15p-B9-6] 極薄InGaAs界面層を有するGaAsSb MOS界面特性の評価

〇(D)後藤高寛^1,3、満原学^2,3、星拓也^2,3、杉山弘樹^2,3、竹中充^1,3、高木信一^1,3 (1.東大院、2.NTT研、3.CREST)

14:45 〜 15:00

△ [15p-B9-7] Al₂O₃/In_xGa_1-xAs MOS界面特性に与える前処理の効果のIn組成依存性

〇(B)横山千晶¹、張志宇^1,2,3、竹中充^1,2,3、高木信一^1,2,3 (1.東京大工、2.東京大院工、3.JST-CREST)

15:00 〜 15:15

▲ [15p-B9-8] Carrier Trapping Properties in La₂O₃/InGaAs MOSFETs

〇(D)ChihYu Chang^1,2、 Mitsuru Takenaka^1,2、 Shinichi Takagi^1,2 (1.The Univ. of Tokyo、2.JST-CREST)

15:15 〜 15:30

▲ [15p-B9-9] Energy Distribution of Slow Trap Density at La₂O₃/InGaAs MOS Interfaces

〇(D)ChihYu Chang^1,2、 Mitsuru Takenaka^1,2、 Shinichi Takagi^1,2 (1.The Univ. of Tokyo、2.JST-CREST)

15:30 〜 15:45

△ [15p-B9-10] HfO₂/Al₂O₃/InGaAsゲート構造における移動度の成膜温度およびAl₂O₃膜厚依存性

〇大澤一斗¹、木瀬信和¹、宮本恭幸¹ (1.東工大)

16:00 〜 16:15

▲ [15p-B9-11] GeO₂ reduction and Si oxidation at SiGe/GeO₂ interface in UHV annealing

〇(D)Woojin Song¹、 Akira Toriumi¹ (1.The Univ. Tokyo)

16:15 〜 16:30

[15p-B9-12] X線光電子分光法による熱酸化SiO₂およびGeO₂薄膜の誘電関数評価

〇山本泰史¹、大田晃生¹、池田弥央¹、牧原克典¹、宮崎誠一¹ (1.名大院工)

16:30 〜 16:45

[15p-B9-13] CVD法により作製したGeO₂/Ge構造に対するPost Metallization Annealingの効果

〇羽田野拓己¹、岩崎好孝¹、上野智雄¹ (1.農工大工)

16:45 〜 17:00

[15p-B9-14] Ge-MIS構造に対する水素処理の効果に関する検討

〇関谷陽介¹、岩崎好孝¹、上野智雄¹ (1.農工大院工)

17:00 〜 17:15

△ [15p-B9-15] Al/SiO₂/GeO₂/Geゲートスタックに於ける界面ダイポールの生成と消失

〇永冨雄太¹、建山知輝¹、坂口大成¹、山本圭介¹、王冬¹、中島寛¹ (1.九大)

17:15 〜 17:30

▲ [15p-B9-16] Reduction of slow trap density in Al₂O₃/n-Ge MOS interfaces by insertion of GeO_xN_y

〇Mengnan Ke^1,2、 Xiao Yu^1,2、 Mitsuru Takenaka^1,2、 Shinichi Takagi^1,2 (1.Tokyo Univ.、2.JST-CREST)

17:30 〜 17:45

[15p-B9-17] HfO₂/GeO₂/Geスタック構造におけるGeO脱離の調査

〇大竹博義¹、上野智雄¹、岩崎好孝¹ (1.農工大院工)

一般セッション(ポスター講演)

[16a-P4-1~8] 13.3 絶縁膜技術

2016年9月16日(金) 09:30 〜 11:30 P4 (展示ホール)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:30 〜 11:30

[16a-P4-1] 半導体微細加工を用いた人工細胞膜アレイの開発

〇荒木駿¹、平野愛弓¹、宮田隆典¹、但木大介¹、石橋健一²、山本英明³、庭野道夫^1,4 (1.東北大院医工、2.株式会社半一、3.東北大学際研、4.東北大通研)

09:30 〜 11:30

△ [16a-P4-2] 大気圧プラズマCVDによるSiO_Xゲート絶縁膜の低温形成と構造・特性評価

〇(M1)木元雄一朗¹、田牧祥吾¹、寺脇功士¹、鎌田航平¹、大参宏昌¹、垣内弘章¹、安武潔¹ (1.阪大院工)

09:30 〜 11:30

▲ [16a-P4-3] Effect of Added Organic Solution on Low-Temperature Deposition of SiO_x Films by APCVD using Silicone Oil and Ozone Gas

〇(D)Puneet Jain¹、 Susumu Horita¹ (1.Japan Adv. Inst. Sci. & Tech. (JAIST))

09:30 〜 11:30

[16a-P4-4] 高湿環境下でのシリコン窒化膜の表面酸化過程

〇奥友希¹、志賀俊彦¹、戸塚正裕¹、高木晋一¹ (1.三菱電機　波光電)

09:30 〜 11:30

[16a-P4-5] V-MOSFET の Si/SiO₂(001)界面における熱酸化過程、水素アニール効果の歪み依存性

〇(M2)川内伸悟¹、白川裕規¹、洗平昌晃^2,1,5、影島博之^3,5、遠藤哲郎^4,5、白石賢二^2,1,5 (1.名大院工、2.名大未来研、3.島根大院総合理工、4.東北大院工、5.JST-ACCEL)

09:30 〜 11:30

[16a-P4-6] Si-MOSにおける化学酸化法による界面層作製手法の検討

〇杉野優介¹、岩崎好孝¹、上野智雄¹ (1.農工大院・工)

09:30 〜 11:30

[16a-P4-7] REALD形成 Al₂O₃/GeO₂/p-Ge MOSキャパシターの電気特性に及ぼす
ゲート電極金属の影響

〇山田大地¹、王谷洋平¹、山本千綾²、山中淳二²、佐藤哲也²、岡本浩³、福田幸夫¹ (1.諏訪東京理科大学、2.山梨大学、3.弘前大学)

09:30 〜 11:30

[16a-P4-8] 2段階熱処理によるAlO_x/GeO_x/Geゲートスタック構造の作製

〇部家彰¹、吉岡尚輝¹、松尾直人¹ (1.兵庫県立大工)

セッション一覧

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[15a-B9-1~6] 13.3 絶縁膜技術

△ [15a-B9-1] ZrO₂/high-k/ZrO₂多層絶縁膜を用いたDRAMキャパシタにおけるhigh-k層間絶縁層の役割

△ [15a-B9-2] 酸化剤を変えて形成した原子層堆積Al₂O₃膜の電気特性

[15a-B9-3] 原子層堆積Al₂O₃膜の電気特性に対する熱処理効果

[15a-B9-4] HfO₂/SiO₂/Si(100)構造における内部電位分布、界面ダイポールの定量評価

[15a-B9-5] High-k/SiO₂界面におけるダイポール形成メカニズムの考察
-多重極子ポテンシャル差による酸素イオン移動の可能性-

▼ [15a-B9-6] Consideration on the Origin of Dipole Layer Formation at Dielectric Interfaces with Different Anions (Fluorine, Oxygen and Nitrogen)

[15p-B9-1~17] 13.3 絶縁膜技術

▲ [15p-B9-1] [Young Scientist Presentation Award Speech] Effects of nitrogen bonding on para-/ferroelectric transition of HfO₂

△ [15p-B9-2] 強誘電性HfO₂膜における局所内部電界に起因する分極の不均質性

▲ [15p-B9-3] Study of polarization uniformity in N-doped ferroelectric HfO₂ by piezo-response force microscopy

[15p-B9-4] TiNメタル中の不純物酸素が強誘電体Hf_0.5Zr_0.5O₂生成へ与える影響

[15p-B9-5] 液相堆積法による(Ba, Sr)TiO₃の堆積条件検討

△ [15p-B9-6] 極薄InGaAs界面層を有するGaAsSb MOS界面特性の評価

△ [15p-B9-7] Al₂O₃/In_xGa_1-xAs MOS界面特性に与える前処理の効果のIn組成依存性

▲ [15p-B9-8] Carrier Trapping Properties in La₂O₃/InGaAs MOSFETs

▲ [15p-B9-9] Energy Distribution of Slow Trap Density at La₂O₃/InGaAs MOS Interfaces

△ [15p-B9-10] HfO₂/Al₂O₃/InGaAsゲート構造における移動度の成膜温度およびAl₂O₃膜厚依存性

▲ [15p-B9-11] GeO₂ reduction and Si oxidation at SiGe/GeO₂ interface in UHV annealing

[15p-B9-12] X線光電子分光法による熱酸化SiO₂およびGeO₂薄膜の誘電関数評価

[15p-B9-13] CVD法により作製したGeO₂/Ge構造に対するPost Metallization Annealingの効果

[15p-B9-14] Ge-MIS構造に対する水素処理の効果に関する検討

△ [15p-B9-15] Al/SiO₂/GeO₂/Geゲートスタックに於ける界面ダイポールの生成と消失

▲ [15p-B9-16] Reduction of slow trap density in Al₂O₃/n-Ge MOS interfaces by insertion of GeO_xN_y

[15p-B9-17] HfO₂/GeO₂/Geスタック構造におけるGeO脱離の調査

[16a-P4-1~8] 13.3 絶縁膜技術

[16a-P4-1] 半導体微細加工を用いた人工細胞膜アレイの開発

△ [16a-P4-2] 大気圧プラズマCVDによるSiO_Xゲート絶縁膜の低温形成と構造・特性評価

▲ [16a-P4-3] Effect of Added Organic Solution on Low-Temperature Deposition of SiO_x Films by APCVD using Silicone Oil and Ozone Gas

[16a-P4-4] 高湿環境下でのシリコン窒化膜の表面酸化過程

[16a-P4-5] V-MOSFET の Si/SiO₂(001)界面における熱酸化過程、水素アニール効果の歪み依存性

[16a-P4-6] Si-MOSにおける化学酸化法による界面層作製手法の検討

[16a-P4-7] REALD形成 Al₂O₃/GeO₂/p-Ge MOSキャパシターの電気特性に及ぼす
ゲート電極金属の影響

[16a-P4-8] 2段階熱処理によるAlO_x/GeO_x/Geゲートスタック構造の作製

認証

セッション一覧

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[15a-B9-1~6] 13.3 絶縁膜技術

△ [15a-B9-1] ZrO2/high-k/ZrO2多層絶縁膜を用いたDRAMキャパシタにおけるhigh-k層間絶縁層の役割

△ [15a-B9-2] 酸化剤を変えて形成した原子層堆積Al2O3膜の電気特性

▼ [15a-B9-6] Consideration on the Origin of Dipole Layer Formation at Dielectric Interfaces with Different Anions (Fluorine, Oxygen and Nitrogen)

[15p-B9-1~17] 13.3 絶縁膜技術

▲ [15p-B9-1] [Young Scientist Presentation Award Speech] Effects of nitrogen bonding on para-/ferroelectric transition of HfO2

△ [15p-B9-2] 強誘電性HfO2膜における局所内部電界に起因する分極の不均質性

▲ [15p-B9-3] Study of polarization uniformity in N-doped ferroelectric HfO2 by piezo-response force microscopy

△ [15p-B9-6] 極薄InGaAs界面層を有するGaAsSb MOS界面特性の評価

△ [15p-B9-7] Al2O3/InxGa1-xAs MOS界面特性に与える前処理の効果のIn組成依存性

▲ [15p-B9-8] Carrier Trapping Properties in La2O3/InGaAs MOSFETs

▲ [15p-B9-9] Energy Distribution of Slow Trap Density at La2O3/InGaAs MOS Interfaces

△ [15p-B9-10] HfO2/Al2O3/InGaAsゲート構造における移動度の成膜温度およびAl2O3膜厚依存性

▲ [15p-B9-11] GeO2 reduction and Si oxidation at SiGe/GeO2 interface in UHV annealing

△ [15p-B9-15] Al/SiO2/GeO2/Geゲートスタックに於ける界面ダイポールの生成と消失

▲ [15p-B9-16] Reduction of slow trap density in Al2O3/n-Ge MOS interfaces by insertion of GeOxNy

[16a-P4-1~8] 13.3 絶縁膜技術

△ [16a-P4-2] 大気圧プラズマCVDによるSiOXゲート絶縁膜の低温形成と構造・特性評価

▲ [16a-P4-3] Effect of Added Organic Solution on Low-Temperature Deposition of SiOx Films by APCVD using Silicone Oil and Ozone Gas

認証

△ [15a-B9-1] ZrO₂/high-k/ZrO₂多層絶縁膜を用いたDRAMキャパシタにおけるhigh-k層間絶縁層の役割

△ [15a-B9-2] 酸化剤を変えて形成した原子層堆積Al₂O₃膜の電気特性

▲ [15p-B9-1] [Young Scientist Presentation Award Speech] Effects of nitrogen bonding on para-/ferroelectric transition of HfO₂

△ [15p-B9-2] 強誘電性HfO₂膜における局所内部電界に起因する分極の不均質性

▲ [15p-B9-3] Study of polarization uniformity in N-doped ferroelectric HfO₂ by piezo-response force microscopy

△ [15p-B9-7] Al₂O₃/In_xGa_1-xAs MOS界面特性に与える前処理の効果のIn組成依存性

▲ [15p-B9-8] Carrier Trapping Properties in La₂O₃/InGaAs MOSFETs

▲ [15p-B9-9] Energy Distribution of Slow Trap Density at La₂O₃/InGaAs MOS Interfaces

△ [15p-B9-10] HfO₂/Al₂O₃/InGaAsゲート構造における移動度の成膜温度およびAl₂O₃膜厚依存性

▲ [15p-B9-11] GeO₂ reduction and Si oxidation at SiGe/GeO₂ interface in UHV annealing

△ [15p-B9-15] Al/SiO₂/GeO₂/Geゲートスタックに於ける界面ダイポールの生成と消失

▲ [15p-B9-16] Reduction of slow trap density in Al₂O₃/n-Ge MOS interfaces by insertion of GeO_xN_y

△ [16a-P4-2] 大気圧プラズマCVDによるSiO_Xゲート絶縁膜の低温形成と構造・特性評価

▲ [16a-P4-3] Effect of Added Organic Solution on Low-Temperature Deposition of SiO_x Films by APCVD using Silicone Oil and Ozone Gas