〇(M1C)Yohan DOUEST^1,3、 Cedric MANNEQUIN¹、 Toshimitsu ITO²、 Christophe VALLEE^1,3、 Etienne GHEERAERT^1,3、 Masahiro SASAKI¹ (1.Tsukuba Univ.、2.AIST、3.Grenoble-Alpes Univ.)

09:30 〜 11:30

[11a-PA5-12] 低圧RF容量結合型炭化水素プラズマによるDLC膜堆積モデルの構築

〇(M1)小川慎¹、小田昭紀¹、太田貴之²、上坂裕之³ (1.千葉工大、2.名城大、3.岐阜大)

一般セッション(口頭講演)

[11p-W641-1~14] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

2019年3月11日(月) 13:45 〜 17:30 W641 (W641)

小川大輔(中部大)、篠田和典(日立)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:45 〜 14:00

△ [11p-W641-1] Si基板内部に形成されるプラズマ誘起ダメージの電気的欠陥プロファイル解析手法の最適化

〇濱野誉¹、占部継一郎¹、江利口浩二¹ (1.京大院工)

14:00 〜 14:15

△ [11p-W641-2] コンダクタンス法を用いたシリコン窒化膜表面近傍のプラズマ誘起ダメージ構造の解析

〇久山智弘¹、占部継一郎¹、江利口浩二¹ (1.京大院工)

14:15 〜 14:30

[11p-W641-3] 【注目講演】プラズマ誘起欠陥の発生と修復～結晶シリコン内の水素と欠陥～

〇布村正太¹、坂田功¹、松原浩司¹ (1.産総研太陽光発電研究センター)

14:30 〜 14:45

△ [11p-W641-4] 軽元素のⅢ-V族半導体中への侵入メカニズム

〇小玉欣典¹、財前義史¹、深沢正永¹、釘宮克尚¹、長岡弘二郎¹ (1.ソニーセミコンダクタソリューションズ)

14:45 〜 15:00

▼ [11p-W641-5] Molecular Dynamics Simulation of SiO₂ Etching by Energetic Fluorocarbon Ions

〇(M2)Charisse Cagomoc¹、 Michiro Isobe¹、 Satoshi Hamaguchi¹ (1.Osaka University)

15:00 〜 15:15

[11p-W641-6] 機械学習を用いたスパッタ率予測

〇幾世和将¹、木野日織²、浜口智志¹ (1.阪大工、2.物材機構)

15:15 〜 15:30

[11p-W641-7] BF₃及びBCl₃化合物の電子物性と解離

〇林俊雄¹、関根誠¹、石川健治¹、堀勝¹ (1.名大工)

15:45 〜 16:00

[11p-W641-8] ヘキサフルオロアセチルアセトンによる遷移金属(Ni, Co)におけるサーマルエッチング反応解析

〇伊藤智子¹、唐橋一浩¹、浜口智志¹ (1.阪大院工)

16:00 〜 16:15

[11p-W641-9] フッ素原子を含むイオンによるエッチング反応

〇唐橋一浩¹、伊藤智子¹、橋本惇一²、大村光広²、林久貴²、浜口智志¹ (1.阪大院工、2.東芝メモリ（株）)

16:15 〜 16:30

△ [11p-W641-10] 水蒸気添加水素プラズマによる金属銅のドライエッチング

〇白數佳紀¹、安東卓洋¹、垣内弘章¹、安武潔¹、大参宏昌¹ (1.阪大院工)

16:30 〜 16:45

▼ [11p-W641-11] Etching reactions of Si, SiO₂, and SiN films using with hydrofluorocarbon compounds

〇(M1)Jiawei Ni¹、 Toshio Hayashi¹、 Kenji Ishikawa¹、 Takayoshi Tsutsumi¹、 Hiroki Kondo¹、 Makoto Sekine¹、 Masaru Hori¹ (1.Nagoya University)

16:45 〜 17:00

△ [11p-W641-12] Y-O-F系セラミックスのCHF₃およびO₂プラズマによる腐食挙動

〇宮下健司¹、津之浦徹¹、吉田克己¹、矢野豊彦¹ (1.東工大工)

17:00 〜 17:15

[11p-W641-13] 中性粒子ビームによるGe Fin構造の側壁エッチング特性の検討

〇(PC)大堀大介¹、野田周一²、藤井卓也¹、水林亘²、遠藤和彦^1,2、 Lee En-Tzu¹、 Li Yiming³、 Lee Yao-Jen⁴、尾崎卓哉¹、寒川誠二^1,2,5 (1.東北大流体研、2.産総研、3.NCTU、4.NDL、5.東北大AIMR)

17:15 〜 17:30

[11p-W641-14] エッチングレート面内分布に対する誘導結合型小径アンテナ形状の影響

〇杉本雄太¹、山華雅司¹、岡本芳枝²、吉森大晃²、東野秀史² (1.東芝、2.芝浦メカトロニクス)

一般セッション(口頭講演)

[12a-W641-1~14] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

2019年3月12日(火) 09:00 〜 12:45 W641 (W641)

竹田圭吾(名城大)、鈴木陽香(名大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[12a-W641-1] プラズマ励起ラジカルの強制対流による高品質グラフェンの低温合成

〇金載浩¹、榊田創¹、板垣宏知¹ (1.産総研)

09:15 〜 09:30

[12a-W641-2] 高ガス流速下におけるシランプラズマ中で発生した粒子の堆積とその膜質への影響

田中和真¹、石榴¹、原尚志¹、永石翔大¹、山下大輔¹、鎌滝晋礼¹、板垣奈穂¹、〇古閑一憲^1,2、白谷正治¹ (1.九大シス情、2.自然科学研究機構)

09:30 〜 09:45

△ [12a-W641-3] プラズマ球状化処理による水アトマイズステンレス粉末の流動特性改善

〇板垣宏知¹、花田幸太郎¹、廣瀬伸吾¹ (1.産総研)

09:45 〜 10:00

[12a-W641-4] 光学応答デバイスに向けたプラズマによる銀ナノ粒子改質

〇(D)細見圭¹、尾崎孝一¹、高廣克己¹、西山文隆²、横山新² (1.京都工繊大、2.広島大)

10:00 〜 10:15

△ [12a-W641-5] Ar/水エタノール混合蒸気大気圧プラズマによる
ポリテトラフルオロエチレンの表面改質

〇(B)谷雅彦¹、矢島英樹²、古田寛¹、八田章光¹ (1.高知工科大学、2.オーク製作所)

10:15 〜 10:30

△ [12a-W641-6] 大気圧長尺マイクロ波プラズマによる大面積高速表面処理

〇小間浩嗣¹、杉山敦士¹、鈴木陽香¹、本田剛²、豊田浩孝¹ (1.名大工、2.ニッシン)

10:30 〜 10:45

△ [12a-W641-7] 電磁界シミュレーョンを用いたスロットアンテナ励起によるマイクロ波プラズマの均一生成法の検討

〇島田大伸¹、相澤洸¹、石島達夫¹、田中康規¹、上杉喜彦¹ (1.金沢大自然)

10:45 〜 11:00

[12a-W641-8] 熱電対を用いた裏面温度測定によるシリコンウェハ非接触温度測定の絶対温度の検証

〇(M1)亀田朝輝¹、花房宏明¹、東清一郎¹ (1.広大院先端研)

11:15 〜 11:30

[12a-W641-9] [講演奨励賞受賞記念講演] スパッタエピタキシーによるサファイア基板上(ZnO)_x(InN)_1-x薄膜の2段階成長

〇宮原奈乃華¹、浦川聖市¹、山下大輔¹、鎌滝晋礼¹、古閑一憲¹、白谷正治¹、板垣奈穂¹ (1.九大シス情)

11:30 〜 11:45

[12a-W641-10] RF-DC結合電源を用いたハイブリッド対向スパッタによるITO薄膜作製II
-スパッタ電圧の可動棒磁石移動距離依存性-

〇諸橋信一¹ (1.山口大学)

11:45 〜 12:00

[12a-W641-11] MgF₂-Ar-CF₄およびMg-Ar-CF₄スパッタリングにおける阻止電極をもちいた薄膜再スパッタリングの抑制

〇草野英二¹ (1.金沢工大バイオ・化学)

12:00 〜 12:15

△ [12a-W641-12] ハイパワーインパルスマグネトロンスパッタリングを用いたTiN成膜プロセスにおける基底状態の窒素原子密度計測

〇(M1)中村将之¹、竹田圭吾¹、太田貴之¹ (1.名城大理工)

12:15 〜 12:30

[12a-W641-13] プラズマ支援反応性プロセスを用いた大面積基板へのIGZO薄膜トランジスタの形成

節原裕一¹、〇竹中弘祐¹、吉谷友希¹、平山裕之¹、遠藤雅¹、内田儀一郎¹、江部明憲² (1.阪大接合研、2.イー・エム・ディー)

12:30 〜 12:45

[12a-W641-14] プログラマブルRASの開発

〇田中康仁^1,2、一色秀夫²、税所慎一郎¹ (1.シンクロン、2.電通大)

セッション一覧

8 プラズマエレクトロニクス » 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[11a-PA5-1~12] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

▲ [11a-PA5-3] Morphological Characterization of RF Magnetron Sputtered Zinc Oxide Thin Films-Laser Assisted.

▲ [11a-PA5-11] BCl3-based plasma etching of (010) β-Ga2O3 substrates