一般セッション(口頭講演)
[20a-A406-1~9] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術
2022年9月20日(火) 09:00 〜 11:30 A406 (A406)
△:奨励賞エントリー
▲:英語発表
▼:奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄:どちらもなし
09:00 〜 09:15
〇斎藤 陽斗1、 牧原 克典1、 田岡 紀之1、 大田 晃生1、 宮﨑 誠一1 (1.名大院工)
09:15 〜 09:30
▲ [20a-A406-2] Dissociation Reaction of Si2Cl6 on Si(100): the Scanning Tunneling Spectroscopy Study
〇Leonid Bolotov1、 Hidetoshi Mimura2、 Yunosuke Sakai2、 Tetsuo Yamamoto2、 Takafumi Sasaki2、 Noriyuki Uchida1 (1.AIST-DTech、2.Kokusai Elec. Co.)
09:30 〜 09:45
〇三村 英俊1、 Leonid Bolotov2、 坂井 佑之輔1、 山本 哲夫1、 佐々木 隆史1、 内田 紀行2 (1.(株)KOKUSAI ELECTRIC、2.産総研デバイス技術研)
09:45 〜 10:00
〇早川 紘生1、 星野 健1、 森 勇介1、 越智 孝光1、 永井 圭希1、 藤原 実1 (1.キオクシア)
10:00 〜 10:15
〇(M2)高山 智之1、 佐々木 伸夫1,2、 浦岡 行治1 (1.奈良先端大、2.Sasaki Consulting)
10:30 〜 10:45
〇葉 文昌1、 大矢 雅人1、 曲 勇作1 (1.島根大)
10:45 〜 11:00
〇佐川 達哉1、 楠 浩太朗1、 原 明人1 (1.東北学院大工)
11:00 〜 11:15
〇永吉 輝央1、 野村 海成1、 原 明人1 (1.東北学院大工)
11:15 〜 11:30
〇(M2)那須 新悟1、 王 冬1、 山本 圭介1 (1.九大院 総理工)