〇東脇正高¹、佐々木公平^2,1、小西敬太¹、後藤健²、野村一城³、Quang Tu Thieu⁴、富樫理恵³、村上尚³、熊谷義直³、Bo Monemar^4,5、纐纈明伯³、倉又朗人²、山腰茂伸² (1.情通機構、2.タムラ製作所、3.東京農工大院工、4.東京農工大GIRO、5.Linköping Univ.)

15:00 〜 15:15

△ [16p-4C-7] HVPE成長したGa₂O₃ショットキーバリアダイオードのデバイス特性温度依存性

〇小西敬太¹、佐々木公平^2,1、後藤健^2,3、野村一城³、Quang Tu Thieu^3,4、富樫理恵³、村上尚³、熊谷義直³、Bo Monemar^4,5、纐纈明伯³、倉又朗人²、山腰茂伸²、東脇正高¹ (1.情通機構、2.タムラ製作所、3.東京農工大院工、4.東京農工大GIRO、5.リンシェーピング大)

15:15 〜 15:30

[16p-4C-8] フィールドプレート電極終端構造を設けたβ-Ga₂O₃ショットキーバリアダイオード

〇佐々木公平^1,2、東脇正高²、後藤健¹、野村一城³、Quang Tu Thieu⁴、富樫理恵³、村上尚³、熊谷義直³、Bo Monemar^4,5、纐纈明伯³、倉又朗人¹、山腰茂伸¹ (1.タムラ製作所、2.情通機構、3.東京農工大院工、4.東京農工大GIRO、5.Linköping Univ.)

15:30 〜 15:45

▲ [16p-4C-9] Molecular beam epitaxy of undoped β-Ga₂O₃ (010) for Si-ion-implanted field effect transistors

〇ManHoi Wong¹, Kohei Sasaki^2,1, Akito Kuramata², Shigenobu Yamakoshi², Masataka Higashiwaki¹ (1.NICT, 2.Tamura Corp.)

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13 半導体 » 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14p-PB2-1~21] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

▲ [14p-PB2-3] 494-GHz-fT high-speed InP-based high-electron-mobility transistors with MOVPE-grown InAs/In0.8Ga0.2As quantum-well

▲ [14p-PB2-13] Origin of ohmic contact formation on AlGaN/GaN structure grown on GaN substrate

[15a-4C-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [15a-4C-6] ホモエピタキシャル成長n型GaN縦型ショットキーダイオードの光電流に関する考察

△ [15a-4C-7] 裏面光照射電気化学法によるGaN陽極酸化表面の分析

△ [15a-4C-8] GaN MIS界面特性における高圧水蒸気処理の効果

[15p-4C-1~14] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16a-4C-1~11] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [16a-4C-3] 超格子FET のためのAlAs/InGaAsダブルバリアp-i-n 接合ダイオード

△ [16a-4C-8] MOHVPE法により成長したGaN膜中の光容量測定

[16p-4C-1~9] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [16p-4C-1] 界面顕微光応答法によるSi/SiCヘテロp-n接合の2次元評価

△ [16p-4C-2] SF6ガスを用いたサブ大気圧プラズマエッチングによるSiC基板の高能率加工

△ [16p-4C-4] NO2分子によるホールドーピングを用いた水素終端ダイヤモンド電界効果トランジスタの作製

△ [16p-4C-5] ハライド気相成長法によるSiドープn形β-Ga2O3(001)厚膜のホモエピタキシャル成長

△ [16p-4C-7] HVPE成長したGa2O3ショットキーバリアダイオードのデバイス特性温度依存性

▲ [16p-4C-9] Molecular beam epitaxy of undoped β-Ga2O3 (010) for Si-ion-implanted field effect transistors

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▲ [14p-PB2-3] 494-GHz-f_T high-speed InP-based high-electron-mobility transistors with MOVPE-grown InAs/In_0.8Ga_0.2As quantum-well

△ [16p-4C-2] SF₆ガスを用いたサブ大気圧プラズマエッチングによるSiC基板の高能率加工

△ [16p-4C-4] NO₂分子によるホールドーピングを用いた水素終端ダイヤモンド電界効果トランジスタの作製

△ [16p-4C-5] ハライド気相成長法によるSiドープn形β-Ga₂O₃(001)厚膜のホモエピタキシャル成長

△ [16p-4C-7] HVPE成長したGa₂O₃ショットキーバリアダイオードのデバイス特性温度依存性

▲ [16p-4C-9] Molecular beam epitaxy of undoped β-Ga₂O₃ (010) for Si-ion-implanted field effect transistors