一般セッション(口頭講演)
[6a-A203-1~10] 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
09:00 〜 09:15
〇井手 啓介1、 岸田 陽介1、 片瀬 貴義1、 平松 秀典1,2、 上田 茂典3、 雲見 日出也2、 細野 秀雄1,2、 神谷 利夫1,2 (1.東工大フロ研、2.東工大元素セ、3.物質・材料研究機構)
09:15 〜 09:30
〇賈 軍軍1、 岡島 敏浩2、 重里 有三1 (1.青山学院大学理工学部、2.九州シンクロトロン光研究センター)
09:30 〜 09:45
〇(M2)落合 祐輔1、 森本 貴明1、 福田 伸子3、 大木 義路1,2 (1.早大先進理工、2.早大材研、3.産総研FLEC)
09:45 〜 10:00
〇(M1)高森 悠圭1、 森本 貴明1、 福田 伸子3、 大木 義路1,2 (1.早大先進理工、2.早大材研、3.産総研FLEC)
10:00 〜 10:15
〇竹知 和重1、 田邉 浩1 (1.NLTテクノロジー)
10:30 〜 10:45
〇中積 誠1、 西 康孝1、 岩堀 恒一郎1 (1.ニコン)
10:45 〜 11:00
〇(D)栗島 一徳1,2、 生田目 俊秀2、 女屋 崇1,2、 木津 たきお2、 塚越 一仁2、 大井 暁彦2、 池田 直樹2、 知京 豊裕2、 小椋 厚志1 (1.明治大理工、2.物材機構)
11:00 〜 11:15
〇(D)木瀬 香保利1、 藤井 茉実1、 Bermundo Juan Paolo1、 石河 泰明1、 浦岡 行治1 (1.奈良先端大)
11:15 〜 11:30
〇永山 幸希1、 カルトシュタイン オリバー1、 松田 宗平1、 大浦 紀頼1、 小山 政俊1、 前元 利彦1、 佐々 誠彦1 (1.大阪工大 ナノ材研)
11:30 〜 11:45
〇加藤 公彦1、 松井 裕章1、 田畑 仁1、 竹中 充1、 高木 信一1 (1.東大院工)