一般セッション(口頭講演)

[17a-F206-1~13] 13.3 絶縁膜技術

2018年3月17日(土) 09:00 〜 12:30 F206 (61-206)

井上真雄(ルネサス)、渡邉孝信(早大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

△ [17a-F206-1] SiO₂膜の高電界ストレス印加時の捕獲電荷の評価

〇(M1)南家健志¹、蓮沼隆¹ (1.筑波大学)

09:15 〜 09:30

[17a-F206-2] HF溶液中でのC-V測定によるSiO₂膜中深さ方向電荷分布評価

〇中澤優斗¹、蓮沼隆¹ (1.筑波大学)

09:30 〜 09:45

[17a-F206-3] KFMを用いたSi₃N₄膜中捕獲電荷の膜質劣化に伴う再分布特性変化の評価

〇小澤航大¹、蓮沼隆¹ (1.筑波大)

09:45 〜 10:00

[17a-F206-4] 光電子収率分光法による熱酸化SiO₂/Si構造の電子状態計測

〇大田晃生¹、今川拓哉¹、池田弥央¹、牧原克典¹、宮崎誠一¹ (1.名大院工)

10:00 〜 10:15

△ [17a-F206-5] 高温SiO₂の動特性の酸素濃度依存性

〇矢島雄司¹、白石賢二^2,4、遠藤哲郎^3,4、影島博之^1,4 (1.島根大、2.名古屋大、3.東北大、4.JST-ACCEL)

10:15 〜 10:30

[17a-F206-6] モットの広範囲ホッピングにおけるフォノン遷移の取り扱いに関する再考

〇宝玉充¹、泉田貴士¹、谷本弘吉¹、青木伸俊¹、尾上誠司¹ (1.東芝メモリ（株）)

10:30 〜 10:45

[17a-F206-7] 硝酸酸化法によるシリコン基板と熱酸化膜の界面準位密度の低減

〇(M2)市川辰哉¹、松本健俊¹、小林光¹ (1.阪大産研)

10:45 〜 11:00

▲ [17a-F206-8] Heat treatment in liquid water at 80^oC used to improve the interface characteristic of metal-oxide-semiconductor capacitor

〇Yoshito Hirokawa¹、 Masahiko Hasumi¹、 Toshiyuki Samesima¹、 Tomohisa Mizuno² (1.TUAT、2.Kanagawa Univ.)

11:15 〜 11:30

△ [17a-F206-9] Al₂O₃/SiO₂, MgO/SiO₂, MgO/Al₂O₃各界面におけるダイポール起因のV_FBシフトの温度依存性の違い

〇濱口高志¹、喜多浩之¹ (1.東大院工)

11:30 〜 11:45

▲ [17a-F206-10] Valency of cation rather than Oxygen Density may govern the Dipole Moment at high-k/SiO₂ interfaces

〇(M1)Marc Perea¹、 Okuto Takahashi¹、 Koki Nakane¹、 Nobuhiro Nagasawa¹、 Takanobu Watanabe¹ (1.Waseda University)

11:45 〜 12:00

△ [17a-F206-11] 成膜後熱処理の最適化による原子層堆積Al2O3膜バイアス安定性の向上

〇堀川清貴¹、平岩篤^2,4、大久保智¹、蔭浦泰資¹、川原田洋^1,2,3 (1.早大理工、2.早大ナノ・ライフ、3.早大材研、4.名大未来研)

12:00 〜 12:15

[17a-F206-12] Al₂O₃/p-In_xGa_1-xAs MOS界面に与える前処理の効果

〇(M1)横山千晶¹、張志宇¹、加藤公彦¹、竹中充¹、高木信一¹ (1.東京大院工)

12:15 〜 12:30

[17a-F206-13] 高誘電率材料を用いたSiナノワイヤMOSキャパシタの特性評価

〇根笹良太¹、黒川康良¹、宇佐美徳隆¹ (1.名大院工)

一般セッション(口頭講演)

[17p-F206-1~17] 13.3 絶縁膜技術

2018年3月17日(土) 13:45 〜 18:15 F206 (61-206)

上野智雄(農工大)、大田晃生(名大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:45 〜 14:00

▲ [17p-F206-1] [Young Scientist Presentation Award Speech] Physical origins of slow traps for ALD high-k dielectrics on GeO_x/Ge interfaces

〇Mengnan Ke¹、 Kimihiko Kato¹、 Mitsuru Takenaka¹、 Shinichi Takagi¹ (1.Tokyo Univ.)

14:00 〜 14:15

▼ [17p-F206-2] Kinetic Model for Thermal Oxidation of Germanium

〇Wang Xu¹、 Tomonori Nishimura¹、 Takeaki Yajima¹、 Akira Toriumi¹ (1.Tokyo Univ.)

14:15 〜 14:30

[17p-F206-3] Ge酸化に伴う表面平坦性の劣化と酸化機構の変化

〇竹村千里¹、柴山茂久¹、西村知紀¹、矢嶋赳彬¹、鳥海明¹ (1.東大工)

14:30 〜 14:45

▲ [17p-F206-4] Evaluation of border-traps in GeO₂/Ge gate stacks grown by thermal oxidation and plasma oxidation

〇(D)Weichen Wen¹、 Taisei Sakaguchi¹、 keisuke Yamamoto¹、 Dong Wang¹、 Hiroshi Nakashima² (1.IGSES, Kyushu Univ.、2.GIC, Kyushu Univ.)

14:45 〜 15:00

[17p-F206-5] SiGeの熱酸化によって界面に形成されるGe層の析出機構

〇野間勇祐¹、宋宇振¹、西村知紀¹、矢嶋赳彬¹、鳥海明¹ (1.東大院工)

15:00 〜 15:15

[17p-F206-6] GeO₂/Ge界面特性に与えるHigh-k層の影響

〇和知祥太郎¹、岩崎好孝¹、上野智雄¹、北原義典¹、山田浩史¹、並木美太郎¹ (1.農工大院工)

15:15 〜 15:30

[17p-F206-7] Hf-Post Metallization AnnealingによるGeO₂/Ge界面の特性変化

〇藤原遥香¹、岩崎好孝¹、上野智雄¹、山田浩史¹、並木美太郎¹ (1.農工大院工)

15:30 〜 15:45

[17p-F206-8] 溶液処理による結晶Lu-doped La₂O₃/La₂O₃/Ge(111)MIS界面特性改善

〇古荘仁久¹、高山恭一¹、山本圭介²、中島寛³、野平博司⁴、金島岳¹ (1.阪大基礎工、2.九大総合理工学研究院、3.九大GIC、4.東京都市大工)

16:00 〜 16:15

△ [17p-F206-9] NH₃雰囲気フラッシュランプアニールによるHigh-kゲートスタックの界面準位密度評価

〇首藤広大¹、吉仲泰萌¹、末政涼¹、河原崎光²、青山敬幸²、加藤慎一²、奈良安雄¹ (1.兵県大工、2.(株)SCREENセミコンダクターソリューションズ)

16:15 〜 16:30

[17p-F206-10] 金属Hf/Si構造への化学溶液酸化法によるHfO₂/Si構造の作成と評価

〇大場裕貴¹、野中理帆¹、岩崎好孝¹、上野智雄¹ (1.農工大工)

16:30 〜 16:45

[17p-F206-11] パルスレーザーアニールによるHfO₂薄膜の非平衡結晶化

〇(M1)森優樹¹、柴山茂久¹、矢嶋赳彬¹、西村知紀¹、右田真司²、鳥海明¹ (1.東大院工、2.産総研)

16:45 〜 17:00

[17p-F206-12] イオン注入技術を利用したSi-doped HfO₂強誘電体薄膜の形成

〇右田真司¹、太田裕之¹、山田浩之¹、渋谷圭介¹、澤彰仁¹、松川貴¹、鳥海明² (1.産総研、2.東大工)

17:00 〜 17:15

△ [17p-F206-13] アンドープZrO₂薄膜における強誘電性の実現

〇柴山茂久¹、西村知紀¹、右田真司²、鳥海明¹ (1.東大院工、2.産総研)

17:15 〜 17:30

[17p-F206-14] Hf_xZr_1-xO₂ が広い濃度領域で強誘電性を示す起源について

〇柴山茂久¹、西村知紀¹、右田真司²、鳥海明¹ (1.東大院工、2.産総研)

17:30 〜 17:45

△ [17p-F206-15] 上下ZrO₂核生成層によるHf_xZr₁_−xO₂薄膜の強誘電性の改善

〇(M2)女屋崇^1,2、生田目俊秀^2,3、澤本直美¹、大井暁彦²、池田直樹²、知京豊裕²、小椋厚志¹ (1.明治大学、2.物質・材料研究機構、3.CREST, JST)

17:45 〜 18:00

▼ [17p-F206-16] Improvements of Remanent Polarization and Endurance Characteristics in Thin Ferroelectric Y-doped HfO₂

〇(DC)Xuan Tian¹、 Shigehisa Shibayama¹、 Tomonori Nishimura¹、 Takeaki Yajima¹、 Shinji Migita²、 Akira Toriumi¹ (1.Univ. of Tokyo、2.AIST)

18:00 〜 18:15

[17p-F206-17] XPSによるY₂O₃/SiO₂界面の化学結合状態および内部電位評価

〇藤村信幸¹、大田晃生¹、池田弥央¹、牧原克典¹、宮崎誠一¹ (1.名大院工)

一般セッション(ポスター講演)

[18p-P7-1~7] 13.3 絶縁膜技術

2018年3月18日(日) 13:30 〜 15:30 P7 (ベルサール高田馬場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:30 〜 15:30

△ [18p-P7-1] AlO_x/GeO_x/a-Ge ゲートスタック構造への原子状水素アニールの効果

〇(B)大貫智史¹、部家彰¹、松尾直人¹ (1.兵県大工)

13:30 〜 15:30

[18p-P7-2] ALDにより形成したHigh-k/MoS₂構造の電気特性評価

〇張文馨¹、岡田直也¹、浅井栄大¹、福田浩一¹、入沢寿史¹ (1.産総研)

13:30 〜 15:30

[18p-P7-3] 酸化物界面ダイポールを用いた新規メモリの提案

〇宮田典幸¹ (1.産総研)

13:30 〜 15:30

[18p-P7-4] Y添加によるアモルファスGeO₂ネットワーク構造の安定化

〇西村知紀¹、唐暁雨¹、魯辞莽¹、矢嶋赳彬¹、鳥海明¹ (1.東大院工)

13:30 〜 15:30

[18p-P7-5] SiN_x膜の表面酸化層への水分子透過

〇奥友希¹、戸塚正裕¹、高木晋一¹ (1.三菱電機　波光電)

13:30 〜 15:30

[18p-P7-6] 組成が異なるシリコン窒化膜の紫外線照射後の伝導電流の変化

〇(M1)小林大泰¹、山口真司¹、小林清輝¹ (1.東海大院工)

13:30 〜 15:30

[18p-P7-7] 1050℃熱処理において生成したシリコン窒化膜の常磁性欠陥

〇(M1)山口真司¹、数見理¹、小林清輝¹ (1.東海大院工)

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[17a-F206-1~13] 13.3 絶縁膜技術

△ [17a-F206-1] SiO2膜の高電界ストレス印加時の捕獲電荷の評価

△ [17a-F206-5] 高温SiO2の動特性の酸素濃度依存性

▲ [17a-F206-8] Heat treatment in liquid water at 80oC used to improve the interface characteristic of metal-oxide-semiconductor capacitor

△ [17a-F206-9] Al2O3/SiO2, MgO/SiO2, MgO/Al2O3各界面におけるダイポール起因のVFBシフトの温度依存性の違い

▲ [17a-F206-10] Valency of cation rather than Oxygen Density may govern the Dipole Moment at high-k/SiO2 interfaces

△ [17a-F206-11] 成膜後熱処理の最適化による原子層堆積Al2O3膜バイアス安定性の向上

[17p-F206-1~17] 13.3 絶縁膜技術

▲ [17p-F206-1] [Young Scientist Presentation Award Speech] Physical origins of slow traps for ALD high-k dielectrics on GeOx/Ge interfaces

▼ [17p-F206-2] Kinetic Model for Thermal Oxidation of Germanium

▲ [17p-F206-4] Evaluation of border-traps in GeO2/Ge gate stacks grown by thermal oxidation and plasma oxidation

△ [17p-F206-9] NH3雰囲気フラッシュランプアニールによるHigh-kゲートスタックの界面準位密度評価

△ [17p-F206-13] アンドープZrO2薄膜における強誘電性の実現

△ [17p-F206-15] 上下ZrO2核生成層によるHfxZr1−xO2薄膜の強誘電性の改善

▼ [17p-F206-16] Improvements of Remanent Polarization and Endurance Characteristics in Thin Ferroelectric Y-doped HfO2

[18p-P7-1~7] 13.3 絶縁膜技術

△ [18p-P7-1] AlOx/GeOx/a-Ge ゲートスタック構造への原子状水素アニールの効果

認証

△ [17a-F206-1] SiO₂膜の高電界ストレス印加時の捕獲電荷の評価

△ [17a-F206-5] 高温SiO₂の動特性の酸素濃度依存性

▲ [17a-F206-8] Heat treatment in liquid water at 80^oC used to improve the interface characteristic of metal-oxide-semiconductor capacitor

△ [17a-F206-9] Al₂O₃/SiO₂, MgO/SiO₂, MgO/Al₂O₃各界面におけるダイポール起因のV_FBシフトの温度依存性の違い

▲ [17a-F206-10] Valency of cation rather than Oxygen Density may govern the Dipole Moment at high-k/SiO₂ interfaces

▲ [17p-F206-1] [Young Scientist Presentation Award Speech] Physical origins of slow traps for ALD high-k dielectrics on GeO_x/Ge interfaces

▲ [17p-F206-4] Evaluation of border-traps in GeO₂/Ge gate stacks grown by thermal oxidation and plasma oxidation

△ [17p-F206-9] NH₃雰囲気フラッシュランプアニールによるHigh-kゲートスタックの界面準位密度評価

△ [17p-F206-13] アンドープZrO₂薄膜における強誘電性の実現

△ [17p-F206-15] 上下ZrO₂核生成層によるHf_xZr₁_−xO₂薄膜の強誘電性の改善

▼ [17p-F206-16] Improvements of Remanent Polarization and Endurance Characteristics in Thin Ferroelectric Y-doped HfO₂

△ [18p-P7-1] AlO_x/GeO_x/a-Ge ゲートスタック構造への原子状水素アニールの効果