一般セッション(口頭講演)

[14a-A410-1~10] 15.6 IV族系化合物（SiC）

2020年3月14日(土) 09:00 〜 11:45 A410 (6-410)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

▲ [14a-A410-1] Optimization of furnace structure for 300 mm SiC solution growth by machine learning

〇Wancheng YU¹、 Can Zhu¹、 Shunta Harada^1,2、 Tagawa Tagawa^1,2、 Toru Ujihara^1,2,3 (1.IMaSS, Nagoya Univ、2.Nagoya Univ.、3.GaN-OIL, AIST)

09:15 〜 09:30

▲ [14a-A410-2] Growth of high-quality 3-inch 4H-SiC crystals by solution method

〇Can Zhu¹、 Wancheng Yu¹、 Wei Huang¹、 Motoki Ikumi¹、 Yifan Dang¹、 Keisuke Ando¹、 Takama Unno¹、 Shunta Harada¹、 Miho Tagawa¹、 Toru Ujihara^1,2 (1.Nagoya Univ.、2.AIST)

09:30 〜 09:45

△ [14a-A410-3] 近接昇華法による4H-SiCのB,N高濃度コドーピングに関する検討

〇(B)山根耀真¹、田中大稀¹、 Weifang Lu¹、柳井光佑¹、上山智¹、竹内哲也¹、岩谷素顕¹、赤﨑勇^1,2 (1.名城大理工、2.赤﨑記念研究センター)

09:45 〜 10:00

[14a-A410-4] 4H-SiCの高温でのバンド端フォトルミネセンス

〇花輪雅史¹、土田秀一¹ (1.電中研)

10:00 〜 10:15

△ [14a-A410-5] ワイドギャップ半導体の衝突イオン化係数にバンド構造が与える影響の解析

〇田中一^1,2、木本恒暢¹、森伸也² (1.京大、2.阪大院工)

10:30 〜 10:45

[14a-A410-6] 第一原理計算によるSiC表面のステップモロフォジーの検討

〇制野かおり^1,2、押山淳¹ (1.名大未来研、2.クロスアビリティ)

10:45 〜 11:00

[14a-A410-7] SiCエピ膜から得られるμ-PCDおよびTR-PL減衰曲線の比較

〇加藤正史¹、片平真哉¹ (1.名工大)

11:00 〜 11:15

[14a-A410-8] 4H-SiC極性面の表面再結合速度の注入フォトン数依存性

〇韓磊¹、加藤智久²、加藤正史¹ (1.名工大、2.産総研)

11:15 〜 11:30

[14a-A410-9] 4H-SiC SJ-UMOSFET 内部のキャリアライフタイム分布測定

〇福井琢也¹、長屋圭祐¹、俵武志²、加藤正史¹ (1.名工大、2.産総研)

11:30 〜 11:45

[14a-A410-10] イオン注入もしくはエピによりp層形成した4H-SiC PiN構造における深い準位の評価

〇深谷周平¹、米澤喜幸²、加藤智久²、加藤正史¹ (1.名工大、2.産総研)

一般セッション(口頭講演)

[15a-A201-1~8] 15.6 IV族系化合物（SiC）

2020年3月15日(日) 09:00 〜 11:30 A201 (6-201)

俵武志(富士電機)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:30

[15a-A201-1] [第10回女性研究者研究業績・人材育成賞（小舘香椎子賞）受賞記念講演] SiCパワーデバイスの高信頼化に向けたSiC結晶欠陥に関する研究

〇小西くみこ¹ (1.日立製作所)

09:30 〜 09:45

[15a-A201-2] 4H-SiC PiNダイオードにおける異なる起点から拡張した積層欠陥の部分転位解析

〇西尾譲司¹、岡田葵¹、太田千春¹、飯島良介¹ (1.（株）東芝)

09:45 〜 10:00

[15a-A201-3] 高濃度窒素ドープ4H-SiC基板上のエピタキシャル層に通電によって拡張した混合型積層欠陥境界の構造解析

〇寺西秀明¹、鹿児山陽平¹、宮里真樹¹ (1.富士電機)

10:15 〜 10:30

[15a-A201-4] Al 濃度10²⁰ cm^-3台前半のp型4H-SiCエピ膜の電気抵抗率とHall係数

〇(B)近藤佑樹¹、竹下明伸¹、今村辰哉¹、高野晃大¹、奥田和也¹、日高淳輝¹、松浦秀治¹、紀世陽²、江藤数馬²、児島一聡²、加藤智久²、吉田貞史²、奥村元² (1.大阪電通大、2.産総研先進パワエレ研)

10:30 〜 10:45

[15a-A201-5] 高濃度Alドープp型4H-SiCのAl濃度10¹⁹ cm^-3台前半での未知の伝導

〇日高淳輝¹、竹下明伸¹、今村辰哉¹、高野晃大¹、奥田和也¹、小川晃平¹、松浦秀治¹、紀世陽²、江藤数馬²、三谷武志²、児島一聡²、加藤智久²、吉田貞史²、奥村元² (1.大阪電通大、2.産総研先進パワエレ研)

10:45 〜 11:00

[15a-A201-6] 400 nmレーザーを利用したレーザーテラヘルツエミッション顕微鏡による4H-SiCウエハ特性評価

〇西村辰彦¹、中西英俊¹、川山巌^2,3、斗内政吉²、細井卓治⁴、志村考功⁴、渡部平司⁴ (1.SCREEN、2.阪大レーザー研、3.京大院エネ科、4.阪大院工)

11:00 〜 11:15

[15a-A201-7] 3層構造4H-SiC基板に形成したイオン注入層の非接触・非破壊電気特性測定

〇佐藤希一¹、藤井高志^1,3、荒木努¹、毛利真一郎¹、石地耕太朗²、岩本敏志³、杉江隆一⁴ (1.立命館大理工、2.九州シンクロトロン光研究センター、3.日邦プレシジョン、4.東レリサーチセンター)

11:15 〜 11:30

[15a-A201-8] シリコンキャップアニーリングを行ったn型4H-SiCのオーミックコンタクト形成メカニズムの解明

〇東堂大地¹、花房宏明¹、東清一郎¹ (1.広大院先端研)

一般セッション(口頭講演)

[15p-A201-1~15] 15.6 IV族系化合物（SiC）

2020年3月15日(日) 13:00 〜 17:00 A201 (6-201)

染谷満(産総研)、野口宗隆(三菱電機)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:00 〜 13:15

△ [15p-A201-1] イオン注入により作製したSiCサイドゲートJFETにおける閾値電圧のチャネル厚依存性から求めた横方向チャネリング量

〇金祺民¹、中島誠志²、金子光顕²、木本恒暢² (1.京大工、2.京大院工)

13:15 〜 13:30

[15p-A201-2] 第一原理計算による4H-SiC MOSにおける窒素アニール後の原子構造の探索

〇植本光治¹、小松直貴¹、小野倫也¹ (1.神戸大工)

13:30 〜 13:45

[15p-A201-3] 4H-SiC/SiO₂界面での酸化反応におけるウェット酸化種の影響に関する理論的検討

〇清水紀志¹、秋山亨¹、プラディプトアブダルムィッツ¹、中村浩次¹、伊藤智徳¹、影島博之²、植松真司³、白石賢二⁴ (1.三重大院工、2.島根大院理工、3.慶応大理工、4.名大未来研)

13:45 〜 14:00

▼ [15p-A201-4] Comparisons of band alignments and current conduction mechanisms between SiO₂/4H-SiC (0001) and (1-100) systems with NO-POA

〇(D)Taehyeon Kil¹、 Atsushi Tamura¹、 Masato Noborio²、 Sumera Shimizu²、 Koji Kita¹ (1.The Univ. of Tokyo、2.DENSO CORPORATION)

14:00 〜 14:15

△ [15p-A201-5] Si 面・C 面・a 面上に形成された 4H-SiC/SiO₂窒化界面構造の安定性の比較

〇佐俣勇祐¹、喜多浩之¹ (1.東大院工)

14:15 〜 14:30

▼ [15p-A201-6] Mechanical-stress-induced anomalous change of electrical characteristics of 4H-SiC (0001) NMOSFET fabricated on Al-implanted p-type well

〇Qiao Chu¹、 Adhi Dwi Hatmanto¹、 Masahiro Masunaga²、 Akio Shima²、 Koji Kita¹ (1.The Univ. of Tokyo、2.Hitachi, Ltd.)

14:30 〜 14:45

△ [15p-A201-7] リン処理を施したSiC(0001)/SiO₂界面における反転層電子のユニバーサル移動度の評価

〇伊藤滉二¹、堀田昌宏^1,2、須田淳^1,2、木本恒暢¹ (1.京大院工、2.名大院工)

14:45 〜 15:00

[15p-A201-8] 低アクセプタ濃度のp型ウェル領域におけるSi面SiC MOS反転層移動度の温度依存性

〇野口宗隆¹、岩松俊明¹、網城啓之¹、渡邊寛¹、喜多浩之²、三浦成久¹ (1.三菱電機(株)、2.東京大学大学院)

15:15 〜 15:30

△ [15p-A201-9] 時間分解・局所DLTS 法を用いたマクロステップを有するSiO₂/SiC の界面準位密度分布の測定(2)

〇保坂杏奈¹、山末耕平¹、 Woerle Judith^2,3、 Ferro Gabriel⁴、 Grossner Ulrike²、 Camarda Massimo^3,2、長康雄¹ (1.東北大通研、2.ETH Zurich.、3.Paul Scherrer Inst.、4.リヨン大)

15:30 〜 15:45

△ [15p-A201-10] 界面平坦性から見た極薄金属酸化Al₂O₃/4H-SiC構造の有用性

〇土井拓馬^1,2、柴山茂久¹、竹内和歌奈^1,3、坂下満男¹、田岡紀之¹、清水三聡²、中塚理¹ (1.名大院工、2.産総研・名大GaN-OIL、3.愛知工大)

15:45 〜 16:00

△ [15p-A201-11] ウェットPOA処理を用いて形成するp型4H-SiC (0001) MOS界面特性に与える酸素分圧及び温度による影響の考察

〇小柳潤¹、喜多浩之¹ (1.東大院工)

16:00 〜 16:15

△ [15p-A201-12] 光照射及び低温化により生じるヒステリシスの違いによって検出される
NO-POAと水蒸気POAを行ったp型SiC MOS界面特性の違い

〇長谷川凛平¹、喜多浩之¹ (1.東大院工)

16:15 〜 16:30

[15p-A201-13] 超高温プロセスで作製した4H-SiC(0001) pMOSFETの高温特性とCMOS応用

Moges Kidist¹、〇細井卓治¹、志村考功¹、渡部平司¹ (1.阪大院工)

16:30 〜 16:45

[15p-A201-14] 少量のCO共存下で進行するO₂及びH₂Oによる熱酸化に伴う酸化膜中欠陥形成機構の考察

〇(B)劉洪波¹、喜多浩之¹ (1.東大院工)

16:45 〜 17:00

[15p-A201-15] On-the-flyチャージポンピング法によるSiC MOSFET負バイアスストレス時の界面トラップ生成解析

〇岡本大¹、染谷満²、坂田大輝¹、張旭芳¹、松谷優汰¹、畠山哲夫³、岡本光央²、原田信介²、矢野裕司¹、岩室憲幸¹ (1.筑波大、2.産総研、3.富山県立大)

一般セッション(ポスター講演)

[13a-PA6-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

2020年3月13日(金) 09:30 〜 11:30 PA6 (第３体育館)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:30 〜 11:30

[13a-PA6-1] ボロンドープSiC原料を用いた窒素・ホウ素コドープ4H-SiC結晶成長

〇江藤数馬¹、髙野美育²、鈴木将治²、一坪幸輝²、加藤智久¹ (1.産総研、2.太平洋セメント)

09:30 〜 11:30

[13a-PA6-2] HCl環境下でのSiC CVD成長における気相反応と表面構造の予測

〇(PC)長川健太¹、醍醐佳明²、水島一郎^2,3、依田孝^2,3、白石賢二¹ (1.名大未来研、2.ニューフレアテクノロジー、3.東工大未来研)

09:30 〜 11:30

△ [13a-PA6-3] 4H-SiCにおける基底面部分転位対の表面近傍での収縮・拡張時の反応経路解析

〇平能敦雄¹、榊間大輝¹、波田野明日可¹、泉聡志¹ (1.東大工)

09:30 〜 11:30

△ [13a-PA6-4] 4H-SiCの順方向劣化現象に対する応力の影響のモデリング

〇榊間大輝¹、牛流章弘²、加納明²、廣畑賢治²、波田野明日可¹、泉聡志¹ (1.東大工、2.東芝研開セ)

09:30 〜 11:30

[13a-PA6-5] 界面欠陥分布の空間スケールとSiC MOSFETの電界効果移動度の関係に関する数値的検討

〇山末耕平¹、長康雄¹ (1.東北大通研)

09:30 〜 11:30

▲ [13a-PA6-6] Influence of Interface Traps on Split C-V Characteristics of 4H-SiC MOSFETs

〇(D)Gyozen Sai¹、 Dai Okamoto¹、 Noriyuki Iwamoro¹、 Hiroshi Yano¹ (1.Univ. Tsukuba)

09:30 〜 11:30

[13a-PA6-7] プラズマ窒化処理が4H-SiC表面の化学結合状態に及ぼす影響

西野丈太¹、〇野平博司¹ (1.都市大工)

09:30 〜 11:30

[13a-PA6-8] 光支援CV法を用いたSiC-MOSキャパシタの深い界面準位評価

〇松山秀昭¹、寺尾豊¹、上野勝典¹、高島信也¹ (1.富士電機)

09:30 〜 11:30

[13a-PA6-9] 第一原理計算で生成した4H-SiC結晶内C-C欠陥のELNES理論解析

〇広瀬隆之¹、寺尾豊¹、寺西秀明¹、瀧川亜樹¹ (1.富士電機)

09:30 〜 11:30

[13a-PA6-10] SiO₂/SiC界面単一光子源の光学特性評価

〇金子光顕¹、高島秀聡¹、川口洋生¹、竹内繁樹¹、木本恒暢¹ (1.京大院工)

09:30 〜 11:30

[13a-PA6-11] 界面顕微光応答法によるp-4H-SiCウエハー上ショットキー電極の2次元評価

〇塩島謙次¹、 Nabilah Fatin¹、松田稜¹、加藤正史² (1.福井大院工、2.名工大)

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[14a-A410-1~10] 15.6 IV族系化合物（SiC）

▲ [14a-A410-1] Optimization of furnace structure for 300 mm SiC solution growth by machine learning

▲ [14a-A410-2] Growth of high-quality 3-inch 4H-SiC crystals by solution method

△ [14a-A410-3] 近接昇華法による4H-SiCのB,N高濃度コドーピングに関する検討

△ [14a-A410-5] ワイドギャップ半導体の衝突イオン化係数にバンド構造が与える影響の解析

[15a-A201-1~8] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15p-A201-1~15] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [15p-A201-1] イオン注入により作製したSiCサイドゲートJFETにおける閾値電圧のチャネル厚依存性から求めた横方向チャネリング量

▼ [15p-A201-4] Comparisons of band alignments and current conduction mechanisms between SiO2/4H-SiC (0001) and (1-100) systems with NO-POA

△ [15p-A201-5] Si 面・C 面・a 面上に形成された 4H-SiC/SiO2窒化界面構造の安定性の比較

▼ [15p-A201-6] Mechanical-stress-induced anomalous change of electrical characteristics of 4H-SiC (0001) NMOSFET fabricated on Al-implanted p-type well

△ [15p-A201-7] リン処理を施したSiC(0001)/SiO2界面における反転層電子のユニバーサル移動度の評価

△ [15p-A201-9] 時間分解・局所DLTS 法 を用いた マクロステップ を有するSiO2/SiC の界面準位密度分布の測定(2)

△ [15p-A201-10] 界面平坦性から見た極薄金属酸化Al2O3/4H-SiC構造の有用性

△ [15p-A201-11] ウェットPOA処理を用いて形成するp型4H-SiC (0001) MOS界面特性に与える酸素分圧及び温度による影響の考察

△ [15p-A201-12] 光照射及び低温化により生じるヒステリシスの違いによって検出されるNO-POAと水蒸気POAを行ったp型SiC MOS界面特性の違い

[13a-PA6-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [13a-PA6-3] 4H-SiCにおける基底面部分転位対の表面近傍での収縮・拡張時の反応経路解析

△ [13a-PA6-4] 4H-SiCの順方向劣化現象に対する応力の影響のモデリング

▲ [13a-PA6-6] Influence of Interface Traps on Split C-V Characteristics of 4H-SiC MOSFETs

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▼ [15p-A201-4] Comparisons of band alignments and current conduction mechanisms between SiO₂/4H-SiC (0001) and (1-100) systems with NO-POA

△ [15p-A201-5] Si 面・C 面・a 面上に形成された 4H-SiC/SiO₂窒化界面構造の安定性の比較

△ [15p-A201-7] リン処理を施したSiC(0001)/SiO₂界面における反転層電子のユニバーサル移動度の評価

△ [15p-A201-9] 時間分解・局所DLTS 法を用いたマクロステップを有するSiO₂/SiC の界面準位密度分布の測定(2)

△ [15p-A201-10] 界面平坦性から見た極薄金属酸化Al₂O₃/4H-SiC構造の有用性

△ [15p-A201-12] 光照射及び低温化により生じるヒステリシスの違いによって検出される
NO-POAと水蒸気POAを行ったp型SiC MOS界面特性の違い