〇Prashant Ghediya¹、 Yusaku Magari¹、 Hui Yang^1,2、 Yuqiao Zhang³、 Yasutaka Matsuo¹、 Hiromichi Ohta¹ (1.RIES-Hokkaido Univ.、2.Beijing Jiaotong Univ.、3.Jiangsu Univ.)

14:45 〜 15:00

▲ [15p-E102-6] Metal–semiconductor transition of hydrogen-doped In₂O₃ via solid-phase crystallization.

〇XIAOQIAN WANG¹、 Mamoru Furuta¹ (1.Kochi Univ. of Tech.)

15:00 〜 15:15

[15p-E102-7] スパッタリングにより作製したIn₅GaZnO₁₀薄膜トランジスタの特性評価

〇中野渡俊喜¹、渡邉悠太¹、服部吉晃¹、北村雅季¹ (1.神戸大院工)

15:30 〜 15:45

▼ [15p-E102-8] Ferroelectric HfO₂-ZrO₂ Gated Transparent InSnZnO_x Thin Film Memories

〇(D)Hui Yang^1,2、 Prashant Ghediya¹、 Yuqiao Zhang³、 Yasutaka Matsuo¹、 Yusaku Magari¹、 Hiromichi Ohta¹ (1.RIES-Hokkaido Univ.、2.Beijing Jiaotong Univ.、3.Jiangsu Univ.)

15:45 〜 16:00

△ [15p-E102-9] 加熱イオン注入法によるアモルファスInGaZnO薄膜のシート抵抗値低減の検討

〇山根裕也¹、安田圭佑¹、宇井利昌¹、立道潤一¹ (1.日新イオン機器)

16:00 〜 16:15

△ [15p-E102-10] In-Ga-O薄膜トランジスタにおける電気的特性の組成比及び熱処理温度依存性

〇星川輝¹、高橋崇典¹、上沼睦典¹、浦岡行治¹ (1.奈良先端大)

16:15 〜 16:30

△ [15p-E102-11] X線光電子分光によるルチル型Sn_1-xGe_xO₂薄膜のバンド端エネルギー評価

〇長島陽¹、近松彰²、廣瀬靖³ (1.東大院理、2.お茶大理、3.都立大院理)

16:30 〜 16:45

△ [15p-E102-12] 【注目講演】TiO₂ (110) 基板上ルチル型SnO₂の選択成長

〇(D)高根倫史¹、大島孝仁²、田中勝久¹、金子健太郎³ (1.京大、2.物材研、3.立命館大)

17:00 〜 17:15

▼ [15p-E102-13] The R[O₂]% Ratio Effect on the Optical Properties of Ag_xO Thin Films Grown by RFM-Sputtering

〇(DC)Xiaojiao Liu¹、 Tatsuya Yasuoka¹、 Li Liu²、 Toshiyuki Kawaharamura^1,2 (1.Kochi Univ. of Tech.、2.Res. Inst.)

17:15 〜 17:30

△ [15p-E102-14] α-Ga₂O₃/rh-ITO構造のヘテロエピタキシャル成長と深紫外フォトディテクタの試作

〇(DC)島添和樹¹、西中浩之¹、加藤貴広¹、谷口陽子¹、鐘ケ江一考¹、吉本昌広¹ (1.京都工繊大)

17:30 〜 17:45

▼ [15p-E102-15] Killer Defects Responsible for Leakage Current in HVPE (001) β-Ga2O3 SBD Observed by Emission Microscopy and Synchrotron X-ray Topography

〇(D)Sayleap Sdoeung¹、 Kohei Sasaki²、 Akito Kuramata²、 Makoto Kasu¹ (1.Saga Univ.、2.Novel Crystal Technology)

17:45 〜 18:00

△ [15p-E102-16] (011)面方位HVPEβ型酸化ガリウムショットキーバリアダイオードの高感度エミッション顕微鏡とシンクロトロンＸ線トポグラフィによるキラー欠陥の同定

〇(B)大坪優斗¹、スダーンセイリープ¹、佐々木公平²、倉又朗人²、嘉数誠¹ (1.佐賀大学、2.（株）ノベルクリスタルテクノロジー)

18:00 〜 18:15

[15p-E102-17] [第44回論文奨励賞受賞記念講演] サファイア基板上α-(Al_xGa_1-x)₂O₃ 薄膜の熱的安定性

〇神野莉衣奈¹、金子健太郎¹、藤田静雄¹ (1.京都大学)

一般セッション(口頭講演)

[16a-E102-1~6] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2023年3月16日(木) 10:30 〜 12:00 E102 (12号館)

東脇正高(情通機構)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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10:30 〜 10:45

[16a-E102-1] ミストCVD法による(001) β-Ga₂O₃薄膜のホモエピタキシャル成長

〇上田遼¹、西中浩之¹、永岡達司²、三宅裕樹²、吉本昌広¹ (1.京工繊大、2.ミライズテクノロジーズ)

10:45 〜 11:00

[16a-E102-2] 臭素化合物を用いたp型α-(Ir,Ga)₂O₃混晶薄膜の高速成長

〇(M2)菊池瑛嗣^1,2、服部太政³、大塚知紀³、金子健太郎² (1.京大院工、2.立命館大総研、3.立命館大理工)

11:00 〜 11:15

[16a-E102-3] ミストCVD反応炉内におけるミスト液滴の状態

〇草下圭太¹、梶亮介¹、川原村敏幸^1,2 (1.高知工大シス工、2.総研)

11:15 〜 11:30

▲ [16a-E102-4] Depth profile of Nb in anatase Ti_1−xNb_xO₂ thin films grown by mist chemical vapor deposition method

〇(D)Han XU¹、 Tomohito Sudare^1,4、 Yumie Miura^1,4、 Ryo Nakayama^1,4、 Ryota Shimizu¹、 Naoomi Yamada²、 Kentaro Kaneko³、 Taro Hitosugi^1,4 (1.Tokyo Tech.、2.Chubu Univ.、3.Ritsumeikan Univ.、4.Univ. Tokyo)