一般セッション(口頭講演)
[18a-C309-1~10] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理
2019年9月18日(水) 09:00 〜 12:00 C309 (C309)
△:奨励賞エントリー
▲:英語発表
▼:奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄:どちらもなし
09:00 〜 09:15
〇野沢 善幸1、 リャオ ブライアン1、 藤井 竜介1、 速水 利泰1、 大堀 大介2、 野田 周一3、 門井 幹夫4、 石田 昌久5、 田中 麻美5、 曽田 匡洋5、 遠藤 和彦3、 寒川 誠二2 (1.SPPテクノロジーズ、2.東北大流体研、3.産総研、4.リソテックジャパン、5.長瀬産業)
09:15 〜 09:30
〇門井 幹夫1、 石田 昌久2、 田中 麻美2、 曽田 匡洋2、 大堀 大介3、 野田 周一4、 野沢 善幸5、 リャオ ブライアン5、 藤井 竜介5、 速水 利泰5、 遠藤 和彦4、 寒川 誠二3 (1.リソテックジャパン、2.長瀬産業、3.東北大流体研、4.産総研、5.SPPテクノロジーズ)
09:30 〜 09:45
〇藤崎 寿美子1、 山口 欣秀1、 小林 浩之1、 篠田 和典1、 山田 将貴1、 濱村 浩孝1、 川村 剛平2、 大竹 浩人2、 伊澤 勝2 (1.日立研開、2.日立ハイテク)
09:45 〜 10:00
〇伊藤 智子1、 唐橋 一浩1、 浜口 智志1 (1.阪大院工)
10:00 〜 10:30
〇平田 瑛子1、 深沢 正永1、 長畑 和典2、 李 虎3、 唐橋 一浩4、 浜口 智志4、 辰巳 哲也1 (1.ソニーセミコンダクタソリューションズ、2.ソニーセミコンダクタマニュファクチャリング、3.東京エレクトロン、4.大阪大学)
10:45 〜 11:00
〇(D)森山 誠1、 三矢 晶洋1、 中原 尚哉1、 鈴木 陽香1、 豊田 浩孝1 (1.名大工)
11:00 〜 11:15
〇(M1)Kang Hojun1、 Ito Tomoko1、 Um Junghwan2、 Kokura Hikaru2、 Kang Taekyun2、 Cho Sungil2、 Park Hyunjung2、 Isobe Michiro1、 Karahashi Kazuhiro1、 Hamaguchi Satoshi1 (1.Center for Atomic and Molecular Technologies, Graduate School of Enginerring, Osaka Univ、2.Memory Etch Technology Team, Samsung Electronics)
11:15 〜 11:30
〇濱野 誉1、 占部 継一郎1、 江利口 浩二1 (1.京大院工)
11:30 〜 11:45
〇山本 昌裕1、 石井 明男2、 新里 秀平2、 尾方 成信2 (1.パナソニック、2.阪大院基礎工)
11:45 〜 12:00
〇林 俊雄1、 石川 健治1、 関根 誠1、 堀 勝1 (1.名古屋大学)