一般セッション(口頭講演)

[12p-A305-1~13] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

2020年3月12日(木) 13:45 〜 17:15 A305 (6-305)

多田宗弘(NEC)、山口まりな(キオクシア)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

13:45 〜 14:00

△ [12p-A305-1] 微細ゲートオールアラウンド(GAA)シリコンナノワイヤトランジスタにおける極めて大きなランダムテレグラフノイズ(RTN)の解析

〇(M2)木村迅利¹、水谷朋子¹、竹内潔¹、更屋拓哉¹、小林正治^2,1、平本俊郎¹ (1.東大生研、2.東大d.lab)

14:00 〜 14:15

▼ [12p-A305-2] Detection of Charge Traps in Silicon Nanowire MOSFETs Using Transient Current Measurements

〇(M2)Boyang Cui¹、 Tomoko Mizutani¹、 Kiyoshi Takeuchi¹、 Takuya Saraya¹、 Masaharu Kobayashi¹、 Masaharu Kobayashi^1,2、 Toshiro Hiramoto¹ (1.IIS, Univ. of Tokyo、2.d.lab,Univ of Tokyo)

14:15 〜 14:30

[12p-A305-3] チャージポンピング法による単一P_b1センターの検出

〇土屋敏章¹、堀匡寛¹、小野行徳¹ (1.静大電研)

14:30 〜 14:45

[12p-A305-4] PN-Body Tied SOI-FETでの電流増幅効果の解析
-Bulk vs Surface伝導の比較-

〇伊藤広喜¹、井田次郎¹、森貴之¹ (1.金沢工大)

14:45 〜 15:00

[12p-A305-5] Mg₂Si/Siヘテロ接合ツェナーダイオードの電気的特性

〇山口直弥¹、菅瑛斗¹、中野雄介¹、岸佳佑¹、唐鎌亮太¹、三田梓郎¹、呉研¹、高橋芳浩¹ (1.日大理工)

15:00 〜 15:15

[12p-A305-6] 光学干渉非接触温度測定(OICT)を用いたシリコンウェハ内部温度のミリ秒時間分解測定

〇小柳樹¹、亀田朝輝¹、水川友里¹、花房宏明¹、東清一郎¹ (1.広大院先端研)

15:30 〜 15:45

[12p-A305-7] 高精度電流計測アレイテスト回路を用いたMIM素子の大規模測定

〇鈴木勇人¹、朴賢雨¹、寺本章伸^2,3、黒田理人^1,3、諏訪智之³、須川成利^1,3 (1.東北大院工、2.広大ナノデバイス、3.東北大NICHe)

15:45 〜 16:00

[12p-A305-8] 極値理論を利用した最大SRAMデータ保持電圧の温度依存性の統計解析

〇水谷朋子¹、竹内潔¹、更屋拓哉¹、小林正治^1,2、平本俊郎¹ (1.東大生研、2.東大d.lab)

16:00 〜 16:15

[12p-A305-9] 新型擬似不揮発性SRAMセルの提案

〇吉田隼¹、北形大樹¹、山本修一郎¹、菅原聡¹ (1.東工大未来研)

16:15 〜 16:30

[12p-A305-10] ニアスレッショルド電圧動作擬似不揮発SRAMセルの設計と解析

〇原拓実¹、吉田隼¹、北形大樹¹、山本修一郎¹、菅原聡¹ (1.東工大未来研)

16:30 〜 16:45

[12p-A305-11] Split-electrodeによる原子スイッチのSet電圧ばらつきの改善

〇伴野直樹¹、岡本浩一郎¹、沼田秀昭¹、井口憲幸¹、阪本利司¹、多田宗弘¹ (1.NEC)

16:45 〜 17:00

[12p-A305-12] 積層a-Si/SiN/a-Siバリスタを有するビアスイッチ素子の開発

〇井口憲幸¹、伴野直樹¹、岡本浩一郎¹、沼田秀昭¹、橋本昌宜²、杉林直彦¹、阪本利司¹、多田宗弘¹ (1.NEC、2.大阪大学)

17:00 〜 17:15

[12p-A305-13] 酸素雰囲気アニールをしたTaO_xReRAMにおける電気伝導の温度依存性

〇(M1C)道古宗俊¹、鈴木政洋¹、石井芳晶¹、茂庭昌弘¹ (1.東京工科大工)

一般セッション(口頭講演)

[13a-A305-1~9] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

2020年3月13日(金) 09:00 〜 11:15 A305 (6-305)

山端元音(NTT物性研)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:00 〜 09:15

[13a-A305-1] TCAD 技術を活用した半導体量子ドットデバイスの静電容量解析

〇浅井栄大¹、飯塚将太¹、服部淳一¹、池上努¹、福田浩一¹、森貴洋¹ (1.産総研)

09:15 〜 09:30

[13a-A305-2] 表面弾性波を用いた高精度量子電流源実現に向けたSplit-52型IDTの評価

〇(M1)太田俊輔^1,2、高田真太郎²、中村秀司²、岡崎雄馬²、金子晋久²、小寺哲夫¹ (1.東工大、2.産総研)

09:30 〜 09:45

[13a-A305-3] 物理的に形成されたシリコン量子ドットを用いた電子状態のシングルショット測定

〇溝口来成¹、田所雅大¹、平山勝登¹、小寺哲夫¹ (1.東工大)

09:45 〜 10:00

[13a-A305-4] ２層ゲート構造ゲルマニウム量子ドットの正孔輸送特性

〇松岡竜太郎¹、溝口来成¹、小寺哲夫¹ (1.東工大)

10:00 〜 10:15

[13a-A305-5] 物理的に形成されたp型シリコン量子ドットにおける電流特性の交流電場依存性

〇田所雅大¹、魏赫男¹、高橋洋貴¹、溝口来成¹、小寺哲夫¹ (1.東工大)

10:15 〜 10:30

[13a-A305-6] FPGAを用いた物理形成シリコン量子ドット測定

〇高橋洋貴¹、田代晃一¹、溝口来成¹、小寺哲夫¹ (1.東工大)

10:30 〜 10:45

[13a-A305-7] 二系統のシリコン量子ドットにおけるRF 反射測定の比較

〇(B)平山勝登¹、溝口来成¹、小寺哲夫¹ (1.東工大)

10:45 〜 11:00

[13a-A305-8] シリコンMOS量子ドット素子のゲート面積縮小化によるRF反射測定への影響

〇西山伸平^1,2、加藤公彦²、柳永勛²、森貴洋²、平山勝登¹、 Sinan Bugu¹、溝口来成¹、小寺哲夫¹ (1.東工大、2.産総研)

11:00 〜 11:15

▲ [13a-A305-9] Performance and limitations of Si electron nano-aspirator

〇Manjakavahoaka Razanoelina¹、 Himma Firdaus¹、 Yukinori Ono¹ (1.Shizuoka Univ.)

一般セッション(口頭講演)

[13p-A305-1~13] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

2020年3月13日(金) 13:45 〜 17:45 A305 (6-305)

中塚理(名大)、遠藤和彦(産総研)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

13:45 〜 14:00

[13p-A305-1] 【授賞式】第11回シリコンテクノロジー分科会論文賞・研究奨励賞

〇内田建¹ (1.シリコンテクノロジー分科会)

14:00 〜 14:30

[13p-A305-2] [第11回シリコンテクノロジー分科会論文賞受賞記念講演] 25-Gb/s × Four-Channel Chip-Scale Optical Receiver Operating at up to 85 °C with a Temperature-Compensation Function

〇岡本大典¹、鈴木康之¹、萩原靖彦²、栗原充²、中村隆宏¹、蔵田和彦² (1.光電子融合基盤技術研究所、2.アイオーコア)

14:30 〜 15:00

[13p-A305-3] [第11回シリコンテクノロジー分科会論文賞受賞記念講演] ナノスケール・シリコンにおける電子・電子散乱を利用したエレクトロン・アスピレーター

〇小野行徳^1,2、フィルダスヒンマ²、渡邊時暢¹、堀匡寛^1,2、モラルダニエル^1,2、高橋庸夫³、藤原聡⁴ (1.静大電研、2.静大院創造、3.北大院情報、4.NTT物性基礎研)

15:00 〜 15:15

[13p-A305-4] [第11回シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞受賞記念講演] シリコンMOSトランジスタにおける電子スピン共鳴下のチャージポンピング

〇堀匡寛¹、小野行徳¹ (1.静大電研)

15:15 〜 15:30

[13p-A305-5] [第11回シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞受賞記念講演] 酸化物半導体／IV族半導体積層型トンネル電界効果トランジスタ

〇加藤公彦^1,2、松井裕章¹、田畑仁¹、竹中充¹、高木信一¹ (1.東大院工、2.産総研)

15:45 〜 16:00

[13p-A305-6] [講演奨励賞受賞記念講演] InAs-On-Insulator基板の高品質化と貼り合わせ界面特性の評価

〇隅田圭¹、加藤公彦¹、竹安淳¹、トープラサートポンカシディット¹、竹中充¹、高木信一¹ (1.東大院工)

16:00 〜 16:15

[13p-A305-7] Multi-Sidewall TLMを用いた精密なInAs/Ni-InAs間の接触抵抗率測定

〇隅田圭¹、竹安淳¹、加藤公彦¹、トープラサートポンカシディット¹、竹中充¹、高木信一¹ (1.東大院工)

16:15 〜 16:30

▲ [13p-A305-8] First demonstration of (111) Ge-on-insulator n-channel MOSFET fabricated by smart-cut technology

〇(D)CheolMin Lim¹、 Ziqiang Zhao¹、 Kei Sumita¹、 Kasidit Toprasertpong¹、 Mitsuru Takenaka¹、 Shinichi Takagi¹ (1.Tokyo Univ.)

16:30 〜 16:45

[13p-A305-9] 酸化濃縮法により作製した圧縮ひずみ(110)面SiGe-OI pMOSFET

曺光元¹、トープラサートポンカシディット¹、竹中充¹、〇高木信一¹ (1.東大院工)

16:45 〜 17:00

[13p-A305-10] 酸化濃縮法により作製したGOIを用いた引張りひずみGOI nMOSFET

曺光元¹、林澈敏¹、トープラサートポンカシディット¹、竹中充¹、〇高木信一¹ (1.東大院工)

17:00 〜 17:15

[13p-A305-11] (001)GOI薄膜化によるnMOSFETの電子移動度向上機構に関する考察

〇高木信一¹、曺光元¹、林澈敏¹、トープラサートポンカシディット¹、竹中充¹ (1.東大院工)

17:15 〜 17:30

△ [13p-A305-12] Geチャネル平坦化プロセスにおけるGe nMOSFETsの面方位依存性

〇石井寛仁^1,2、張文馨¹、入沢寿史¹、水林亘¹、石井裕之¹、前田辰郎^1,2 (1.産総研、2.東理大)

17:30 〜 17:45

△ [13p-A305-13] 大面積集積化に向けたスパッタ堆積ノーマリーオフMoS₂-nMISFETs

〇松浦賢太朗¹、濱田昌也¹、濱田拓也¹、谷川晴紀¹、坂本拓朗¹、堀敦¹、宗田伊理也¹、川那子高暢¹、角嶋邦之¹、筒井一生¹、小椋厚志²、若林整¹ (1.東工大、2.明治大)

一般セッション(ポスター講演)

[12a-PB4-1~13] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

2020年3月12日(木) 09:30 〜 11:30 PB4 (第１体育館)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:30 〜 11:30

[12a-PB4-1] ReRAMの書き換え耐久性の分析

〇宮部一帆¹、木下寛士¹、米内飛翔¹、竹内健¹ (1.中大理工)

09:30 〜 11:30

[12a-PB4-2] アプリケーションに起因するReRAMの信頼性ばらつきを考慮した近似計算ストレージ

〇松井千尋¹、竹内健^1,2 (1.中大研究開発機構、2.中大理工)

09:30 〜 11:30

[12a-PB4-3] 様々な遅延を考慮したストレージの性能評価

〇橋本峻吾¹、高井良貴¹、松井千尋²、竹内健^1,2 (1.中大理工、2.中大研究開発機構)

09:30 〜 11:30

[12a-PB4-4] 2種類のストレージ・クラス・メモリで構成したストレージシステムのデータ追い出し間隔自動調整アルゴリズム

〇金田凌賀¹、木下怜佳¹、松井千尋²、竹内健^1,2 (1.中大理工、2.中央大学研究開発機構)

09:30 〜 11:30

[12a-PB4-5] エッジコンピューティングに向けたニューロモルフィック回路

〇武石滉大¹、上村公紀¹、能美奨¹、竹内健¹ (1.中大理工)

09:30 〜 11:30

[12a-PB4-6] AIアクセラレータに向けたニューラルネットワーク

〇相田息吹¹、上村公紀¹、水品圭汰¹、竹内健¹ (1.中大理工)

09:30 〜 11:30

[12a-PB4-7] 3次元TLC NAND型フラッシュメモリにおけるしきい値電圧変調を加えたデータ圧縮方式

〇森優大¹、前田京佑¹、竹内健¹ (1.中大理工)

09:30 〜 11:30

[12a-PB4-8] Double Asymmetric-latency SCMs SSD向け書き込みと読み出しの頻度を考慮したデータ管理アルゴリズム

〇日根優作¹、覺田恭生¹、木下怜佳¹、竹内健¹ (1.中央大理工)

09:30 〜 11:30

[12a-PB4-9] 読み出しが多いアプリケーションにおける3次元NAND型フラッシュメモリに生じるエラーの評価

〇相原裕樹¹、前田京佑¹、鈴木峻¹、竹内健¹ (1.中大理工)

09:30 〜 11:30

▲ [12a-PB4-10] Power delay analysis of half and full adder circuits using GAA CNTFET with different chirality and channel

〇(DC)Chitra Pandy¹、 Singh Rohitkumar¹、 V N Ramakrishnan²、 Hidenori Mimura¹ (1.Shizuoka University、2.VIT University)

09:30 〜 11:30

▲ [12a-PB4-11] Investigation of water-enhanced degradation in SiO₂/GaN MOS structure

〇(D)LIN TENGDA¹、 Mutsunori Uenuma¹、 Yasuaki Ishikawa¹、 Yukiharu Uraoka¹ (1.NAIST)

09:30 〜 11:30

▲ [12a-PB4-12] Observing photovoltaic action in γ-CuI/Ga₂O ₃ heterojunction with deep UV irradiation

〇(D)Ajinkya Ranade¹、 Muhammed Emre Ayhan²、 Mandar Shinde¹、 Bhagyashri Todankar¹、 Pradeep Desai¹、 Masaki Tanemura¹、 Golap Kalita¹ (1.Nagoya Inst. of Tech.、2.Necmettin Erbakan University)

09:30 〜 11:30

▲ [12a-PB4-13] Dependence of Thermal Boundary Resistance on Depositing Gas Ratio and Temperature at the Interface of Ru/TiN/SiO₂ and Ru/Al₂O₃/SiO₂

〇(M2)Ma Shuaizhe¹、 Tianzhuo Zhan¹、 Zhicheng Jin¹、 Motohiro Tomita¹、 Yen-Ju Wu²、 Yibin Xu²、 Takashi Matsukawa³、 Takeo Matsuki^3,1、 Takanobu Watanabe¹ (1.Waseda Univ.、2.National Institute for Materials Science、3.National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)

セッション一覧

13 半導体 » 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[12p-A305-1~13] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

△ [12p-A305-1] 微細ゲートオールアラウンド(GAA)シリコンナノワイヤトランジスタにおける極めて大きなランダムテレグラフノイズ(RTN)の解析

▼ [12p-A305-2] Detection of Charge Traps in Silicon Nanowire MOSFETs Using Transient Current Measurements

[13a-A305-1~9] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

▲ [13a-A305-9] Performance and limitations of Si electron nano-aspirator

[13p-A305-1~13] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

▲ [13p-A305-8] First demonstration of (111) Ge-on-insulator n-channel MOSFET fabricated by smart-cut technology

△ [13p-A305-12] Geチャネル平坦化プロセスにおけるGe nMOSFETsの面方位依存性

△ [13p-A305-13] 大面積集積化に向けたスパッタ堆積ノーマリーオフMoS2-nMISFETs

[12a-PB4-1~13] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

▲ [12a-PB4-10] Power delay analysis of half and full adder circuits using GAA CNTFET with different chirality and channel

▲ [12a-PB4-11] Investigation of water-enhanced degradation in SiO2/GaN MOS structure

▲ [12a-PB4-12] Observing photovoltaic action in γ-CuI/Ga2 O 3 heterojunction with deep UV irradiation

▲ [12a-PB4-13] Dependence of Thermal Boundary Resistance on Depositing Gas Ratio and Temperature at the Interface of Ru/TiN/SiO2 and Ru/Al2O3/SiO2

認証

△ [13p-A305-13] 大面積集積化に向けたスパッタ堆積ノーマリーオフMoS₂-nMISFETs

▲ [12a-PB4-11] Investigation of water-enhanced degradation in SiO₂/GaN MOS structure

▲ [12a-PB4-12] Observing photovoltaic action in γ-CuI/Ga₂O ₃ heterojunction with deep UV irradiation

▲ [12a-PB4-13] Dependence of Thermal Boundary Resistance on Depositing Gas Ratio and Temperature at the Interface of Ru/TiN/SiO₂ and Ru/Al₂O₃/SiO₂