一般セッション(ポスター講演)

[9a-PB3-1~18] 15.6 IV族系化合物（SiC）

2019年3月9日(土) 09:30 〜 11:30 PB3 (武道場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:30 〜 11:30

[9a-PB3-1] Cr-Al溶媒からのSiC溶液成長

〇鈴木皓己¹、太子敏則¹ (1.信州大工)

09:30 〜 11:30

[9a-PB3-2] 4H-SiC C面 on-axis基板上の厚膜エピタキシャル成長

〇升本恵子¹、児島一聡¹、奥村元¹ (1.産総研)

09:30 〜 11:30

[9a-PB3-3] THz-TDSEによる3層構造SiCウエハのバッファ層の電気特性評価

〇佐藤希一¹、藤井高志^1,3、荒木努¹、毛利真一郎¹、石地耕太郎²、岩本敏志³、杉江隆一⁴ (1.立命館大理工、2.九州シンクロトロン光研究センター、3.日邦プレシジョン、4.東レリサーチセンター)

09:30 〜 11:30

[9a-PB3-4] 4H-SiC基板の表面有機物の挙動

〇郡山春人¹、遠田義晴¹ (1.弘大院理工)

09:30 〜 11:30

[9a-PB3-5] 同位体酸素を用いたSiC表面に形成される単一光子源の構造推定

〇土方泰斗¹、松下雄一郎²、大島武³ (1.埼玉大院理工研、2.東工大、3.量研)

09:30 〜 11:30

[9a-PB3-6] イオン注入角制御による4H-SiC基板へのイオン注入高精度化

〇(B)岡田智徳¹、井上純¹、西山文隆¹、瀬崎洋²、黒木伸一郎¹ (1.広大ナノデバイス、2.フェニテックセミコン)

09:30 〜 11:30

[9a-PB3-7] 4H-SiC CMOS論理回路作製に向けたBOSCHプロセスによるSiCディープエッチング

〇(B)森本剣偲郎¹、村岡幸輔¹、児島一聡²、黒木伸一郎¹ (1.広大ナノデバイス、2.産総研)

09:30 〜 11:30

[9a-PB3-8] X線吸収分光によるSiO₂/SiC界面に導入された窒素の局所構造解析

〇磯村典武¹、朽木克博¹、片岡恵太¹、渡辺行彦¹、木本康司¹ (1.豊田中研)

09:30 〜 11:30

[9a-PB3-9] 4H-SiC(1-100)/SiO₂界面とNOのシミュレーションによる反応解析

〇小笠原美紀¹、広瀬隆之¹ (1.富士電機)

09:30 〜 11:30

[9a-PB3-10] 4H-SiC(1-100)表面でのO₂酸化反応シミュレーション

〇広瀬隆之¹、小笠原美紀¹ (1.富士電機)

09:30 〜 11:30

▲ [9a-PB3-11] Influence of biaxial stress on the electron transport properties at SiO2/4H-SiC interfaces

〇(D)WEI FU¹、 Akiko Ueda²、 Hiroshi Yano¹、 Shinsuke Harada²、 Takeaki Sakurai¹ (1.Tsukuba Univ.、2.AIST)

09:30 〜 11:30

[9a-PB3-12] 機械的な一軸応力印加による 4H-SiC(0001) MOSFET に対する移動度への影響

〇竹内和歌奈^1,2、朽木克博³、籠島瑛二⁴、大西徹⁴、岩崎真也⁴、坂下満男²、藤原広和⁴、中塚理² (1.愛知工大、2.名古屋大学、3.(株)豊田中研、4.トヨタ自動車（株）)

09:30 〜 11:30

[9a-PB3-13] MGy領域における4H-SiC JFETのガンマ線照射効果

〇武山昭憲¹、清水奎吾²、牧野高紘¹、山﨑雄一¹、大島武¹、黒木伸一郎³、田中保宣² (1.量研、2.産総研、3.広島大学ナノデバイス)

09:30 〜 11:30

[9a-PB3-14] 高耐圧4H-SiCショットキーpnダイオードの開発

〇児島一聡¹、奥村元¹ (1.（国）産総研)

09:30 〜 11:30

[9a-PB3-15] SiC-MOSFETのアニール処理によるパワーサイクル試験耐性の向上

〇鈴木達広¹、山下真理¹、児嶋伸夫¹、谷本智^1,2、赤津観² (1.日産アーク・パワエレ解析室、2.芝浦工大・SIT総研)

09:30 〜 11:30

[9a-PB3-16] トランスファーモールドSiC-MOSFETパワーモジュールの高温スイッチング試験

〇谷本智^1,3、山下真理¹、児嶋伸夫¹、鈴木広達¹、荒木祥和¹、佐藤伸二²、赤津観³ (1.日産アーク・パワエレ解析室、2.産総研・ADPERC、3.芝浦工大・SIT総研)

09:30 〜 11:30

[9a-PB3-17] Cr-Cu/Cuクラッド材を用いたﾊﾟﾜｰﾓｼﾞｭｰﾙ絶縁基板／ﾍﾞｰｽﾌﾟﾚｰﾄ構造

〇児嶋伸夫¹、山下真理¹、鈴木達広¹、荒木祥和¹、谷本智^1,2、赤津観² (1.日産アーク、2.芝浦工大・SIT総研)

09:30 〜 11:30

[9a-PB3-18] 機電一体インホールモータ搭載SiCパワーモジュールの加振試験

〇山下真理¹、児島伸夫¹、鈴木達広¹、荒木祥和¹、谷本智¹、赤津観² (1.株式会社　日産アーク、2.芝浦工業大学)

一般セッション(口頭講演)

[10a-70A-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

2019年3月10日(日) 09:00 〜 12:00 70A (創立70周年記念講堂)

喜多浩之(東大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[10a-70A-1] 傾斜SiC表面の1次元周期構造

〇香田稜太¹、福間洸平¹、ビシコフスキーアントン¹、田中悟¹ (1.九州大学)

09:15 〜 09:30

[10a-70A-2] SiC(0001)傾斜基板に現れるナノファセット傾斜角度のマジックアングル

〇平山楓¹、梶原隆司¹、ビシコフスキーアントン¹、田中悟¹ (1.九大院工)

09:30 〜 09:45

[10a-70A-3] 4H-SiC(0001)上のエピタキシャル原子層アルミニウム酸化膜

〇尾家翔太郎¹、梶原隆司¹、ビシコフスキーアントン¹、白澤徹郎²、飯盛拓嗣³、小森文夫³、田中悟¹ (1.九大院工、2.産総研、3.東大物性研)

09:45 〜 10:00

[10a-70A-4] レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡を用いたSiO₂/SiC 界面の表面ポテンシャル評価

〇西村辰彦¹、中西英俊¹、川山巌²、斗内政吉²、細井卓治³、志村考功³、渡部平司³ (1.SCREEN、2.阪大レーザー研、3.阪大院工)

10:00 〜 10:15

[10a-70A-5] SiC酸化膜中の窒素関連欠陥の構造とその電子状態

〇松下雄一郎¹、小林拓真¹ (1.東工大フロンティア)

10:30 〜 10:45

[10a-70A-6] CO₂雰囲気下での4H-SiC熱酸化の検討

〇細井卓治¹、大迫桃恵¹、志村考功¹、渡部平司¹ (1.阪大工)

10:45 〜 11:00

[10a-70A-7] CO₂アニールによる4H-SiC(0001) MOSデバイスの特性改善

〇細井卓治¹、大迫桃恵¹、志村考功¹、渡部平司¹ (1.阪大工)

11:00 〜 11:15

[10a-70A-8] 深い準位を有するドナー添加がSiC MOSFETチャネル特性へ及ぼす効果

〇野口宗隆¹、岩松俊明¹、網城啓之¹、渡邊寛¹、喜多浩之²、三浦成久¹ (1.三菱電機、2.東大工)

11:15 〜 11:30

[10a-70A-9] SiC-MOSFETゲートスイッチング動作時の信頼性向上効果

福永玲依¹、斎藤兼三¹、新町絋司¹、井上裕稀¹、大串直輝¹、〇村上英一¹ (1.九産大工)

11:30 〜 11:45

[10a-70A-10] SiC-MOSFETの温度依存（-60-200℃）ドレイン電流モデル

鈴木光明¹、高橋陽平¹、〇村上英一¹ (1.九産大工)

11:45 〜 12:00

[10a-70A-11] 1.7 kV 100 A 4H-SiC V溝型トレンチMOSFET

〇中村龍之介¹、金田達志¹、内田光亮¹、日吉透¹、酒井光彦¹、大森弘貴¹、築野孝¹ (1.住友電工)

一般セッション(口頭講演)

[11a-70A-1~10] 15.6 IV族系化合物（SiC）

2019年3月11日(月) 09:00 〜 11:45 70A (創立70周年記念講堂)

畠山哲夫(富山県立大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

△ [11a-70A-1] 高濃度ドープ4H-SiCショットキー障壁ダイオードにおける順方向熱電界放出電流の解析と障壁高さの評価

〇原征大¹、浅田聡志²、前田拓也²、木本恒暢² (1.京大工、2.京大院工)

09:15 〜 09:30

△ [11a-70A-2] 第一原理計算によるSiC/SiO₂界面近傍の炭素関連欠陥の構造同定

〇(P)小林拓真¹、松下雄一郎¹ (1.東工大フロンティア)

09:30 〜 09:45

[11a-70A-3] リン処理によるSiC/SiO₂界面の炭素関連欠陥の低減機構

〇(P)小林拓真^1,2、松下雄一郎¹、奥田貴史²、木本恒暢²、押山淳³ (1.東工大フロンティア、2.京大院工、3.名大未来研)

09:45 〜 10:00

▼ [11a-70A-4] Similarity and Difference of the Impact of Ion Implantation and Thermal Oxidation on the Lattice Structure of 4H-SiC Surfaces

〇Adhi Dwi Hatmanto¹、 Koji Kita¹ (1.The Univ. of Tokyo)

10:00 〜 10:15

△ [11a-70A-5] Al₂O₃/SiO₂/n型4H-SiC MOSキャパシタの高温領域におけるリーク電流の伝導機構の検討

〇田村敦史¹、増永昌弘²、佐藤慎太郎²、喜多浩之¹ (1.東大院工、2.日立研開)

10:30 〜 10:45

△ [11a-70A-6] 4H-SiC MOS反転層におけるHall移動度の理論的検討

〇田中一¹、森伸也¹ (1.阪大院工)

10:45 〜 11:00

△ [11a-70A-7] SiC MOSFETにおける界面準位密度分布のボディ層濃度依存性

〇伊藤滉二¹、小林拓真¹、堀田昌宏^1,2、須田淳^1,2、木本恒暢¹ (1.京大院工、2.名大院工)

11:00 〜 11:15

▼ [11a-70A-8] An anomalous negative shift of flat-band voltage of NO annealed SiO₂/4H-SiC MOS capacitors

〇(D)Taehyeon Kil¹、 Atsushi Tamura¹、 Koji Kita¹ (1.Dept. of Materials Engineering, The Univ. of Tokyo)

11:15 〜 11:30

[11a-70A-9] SiO_₂/4H-SiC界面窒化後のH₂OアニールがMOSFET特性に与える効果

〇(M2)西田水輝¹、喜多浩之¹ (1.東大院工)

11:30 〜 11:45

△ [11a-70A-10] 低温H₂O-POAとH₂-POAの組合わせによる4H-SiC pチャネルMOSFETの特性向上

〇小柳潤¹、喜多浩之¹ (1.東京大工)

一般セッション(口頭講演)

[11p-70A-1~17] 15.6 IV族系化合物（SiC）

2019年3月11日(月) 13:00 〜 17:30 70A (創立70周年記念講堂)

村田晃一(電中研)、古庄智明(三菱電機)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:00 〜 13:15

[11p-70A-1] SiAl溶媒を用いたp型4H-SiCの高温溶液成長における成長不安定化要因の改善

〇三谷武志¹、小松直佳¹、林雄一郎¹、加藤智久¹、奥村元¹ (1.産総研)

13:15 〜 13:30

[11p-70A-2] 3インチ4度オフ種結晶上へのSiC溶液成長における貫通転位変換とインクルージョン抑制の両立

〇海野高天¹、朱燦¹、原田俊太¹、小泉晴比古¹、田川美穂¹、宇治原徹^1,2 (1.名大、2.産総研)

13:30 〜 13:45

△ [11p-70A-3] 溶媒インクルージョンフリー溶液法4H-SiCを用いた超高品質結晶成長

〇川口浩太郎¹、関和明²、楠一彦^1,2 (1.東北大院環境、2.新日鉄住金)

13:45 〜 14:00

[11p-70A-4] 大口径化にむけた機械学習によるSiC溶液成長の最適成長条件の決定

〇宇治原徹^1,2,4、角岡洋介^2,3、遠藤友樹²、朱燦¹、沓掛健太朗⁴、鳴海大翔⁵、三谷武志³、加藤智久³、田川美穂^1,2、原田俊太^1,2 (1.名大未来研、2.名大院工、3.産総研、4.理研AIP、5.名大VBL)

14:00 〜 14:15

△ [11p-70A-5] 機械学習を用いた昇華法SiC結晶成長シミュレーションの高速予測

〇(M1)江逸群^1,2、角岡洋介^1,2,3、畑佐豪記^1,2、鳴海大翔⁴、沓掛健太朗⁵、原田俊太^1,2、田川美穂^1,2、宇治原徹^1,2,3,4 (1.名大院工、2.名大未来研、3.産総研GaN-OIL、4.名大VBL、5.理研API)

14:15 〜 14:30

[11p-70A-6] 高温ガス成長法によるΦ6inch 4H-SiC結晶の開発

〇神田貴裕¹、岡本武志¹、徳田雄一郎¹、鈴木玄¹、大矢信之¹、牧野英美¹、上東秀幸¹、星乃紀博²、鎌田功穂²、土田秀一² (1.デンソー、2.電中研)

14:30 〜 14:45

[11p-70A-7] ガス法で成長した4H-SiCバルク結晶における厚さ方向の転位密度変化

〇星乃紀博¹、鎌田功穂¹、徳田雄一郎³、神田貴裕³、杉山尚宏^2,3、土田秀一¹ (1.電中研、2.産総研、3.デンソー)

14:45 〜 15:00

[11p-70A-8] 4H-SiCトレンチのCVD埋戻し成長の高速化

〇紀世陽¹、小杉亮治¹、児島一聡¹、足立亘平¹、河田泰之¹、望月和浩¹、米澤喜幸¹、吉田貞史¹、奥村元¹ (1.産総研)

15:15 〜 15:30

[11p-70A-9] 4H-SiC ウェハの表面ラフネス周辺におけるライフタイムマッピング

〇長屋圭祐¹、平山貴史¹、加藤正史¹ (1.名工大)

15:30 〜 15:45

[11p-70A-10] 4H-SiC埋め込みN/Vコドープによる短ライフタイム層の観測

〇長屋圭祐¹、平山貴史¹、俵武志^2,3、村田晃一⁴、土田秀一⁴、加藤正史¹ (1.名工大、2.産総研、3.富士電機、4.電中研)

15:45 〜 16:00

[11p-70A-11] 4H-SiCエピ層中に存在する部分転位の詳細PL解析

〇西尾譲司¹、岡田葵¹、太田千春¹、櫛部光弘¹ (1.（株）東芝)

16:00 〜 16:15

[11p-70A-12] 4H-SiC PiNダイオードの順方向通電劣化における基底面転位深さと積層欠陥拡大電流密度の関係

〇林将平^1,2、山下任^1,3、先崎純寿¹、中山浩二¹、森塚真由美¹、米澤喜幸¹、加藤智久¹、児島一聡¹、奥村元¹ (1.産総研、2.東レリサーチセンター、3.昭和電工)

16:15 〜 16:30

[11p-70A-13] 高濃度窒素ドープ4H-SiC基板上のエピタキシャル層に通電によって拡張した積層欠陥の構造評価

〇寺西秀明¹、斎藤明¹、林真吾¹、宮里真樹¹、宮島将昭¹ (1.富士電機)

16:30 〜 16:45

[11p-70A-14] 4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥の形成におけるイオンビーム照射の影響

〇(B)楢原拓真^1,2、佐藤真一郎²、土方泰斗¹、大島武² (1.埼玉大工、2.量研)

16:45 〜 17:00

[11p-70A-15] γ線照射が炭化ケイ素表面発光中心の生成・発光特性に与える影響

〇山崎雄一¹、常見大貴^1,2、佐藤真一郎¹、土方泰斗²、大島武¹ (1.量研、2.埼玉大院理工)

17:00 〜 17:15

[11p-70A-16] 4H-SiC MOSFETチャネルの単一光子源のゲート電圧制御（II）

〇(D)阿部裕太^1,2、梅田享英¹、岡本光央³、原田信介³、佐藤真一郎²、山﨑雄一²、大島武² (1.筑波大数物、2.量研、3.産総研)

17:15 〜 17:30

[11p-70A-17] 電場下での金属/(SiC, GaN) 界面における欠陥の形成; その理論的検討

〇(M2)長澤立樹¹、中山隆史¹ (1.千葉大理)

セッション一覧

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[9a-PB3-1~18] 15.6 IV族系化合物（SiC）

▲ [9a-PB3-11] Influence of biaxial stress on the electron transport properties at SiO2/4H-SiC interfaces

[10a-70A-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[11a-70A-1~10] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [11a-70A-1] 高濃度ドープ4H-SiCショットキー障壁ダイオードにおける順方向熱電界放出電流の解析と障壁高さの評価

△ [11a-70A-2] 第一原理計算によるSiC/SiO2界面近傍の炭素関連欠陥の構造同定

▼ [11a-70A-4] Similarity and Difference of the Impact of Ion Implantation and Thermal Oxidation on the Lattice Structure of 4H-SiC Surfaces

△ [11a-70A-5] Al2O3/SiO2/n型4H-SiC MOSキャパシタの高温領域におけるリーク電流の伝導機構の検討

△ [11a-70A-6] 4H-SiC MOS反転層におけるHall移動度の理論的検討

△ [11a-70A-7] SiC MOSFETにおける界面準位密度分布のボディ層濃度依存性

▼ [11a-70A-8] An anomalous negative shift of flat-band voltage of NO annealed SiO2/4H-SiC MOS capacitors

△ [11a-70A-10] 低温H2O-POAとH2-POAの組合わせによる4H-SiC pチャネルMOSFETの特性向上

[11p-70A-1~17] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [11p-70A-3] 溶媒インクルージョンフリー溶液法4H-SiCを用いた超高品質結晶成長

△ [11p-70A-5] 機械学習を用いた昇華法SiC結晶成長シミュレーションの高速予測

認証

△ [11a-70A-2] 第一原理計算によるSiC/SiO₂界面近傍の炭素関連欠陥の構造同定

△ [11a-70A-5] Al₂O₃/SiO₂/n型4H-SiC MOSキャパシタの高温領域におけるリーク電流の伝導機構の検討

▼ [11a-70A-8] An anomalous negative shift of flat-band voltage of NO annealed SiO₂/4H-SiC MOS capacitors

△ [11a-70A-10] 低温H₂O-POAとH₂-POAの組合わせによる4H-SiC pチャネルMOSFETの特性向上