〇(D)Sayleap Sdoeung¹、 Kohei Sasaki²、 Katsumi Kawasaki³、 Jun Hirabayashi³、 Akito Kuramata²、 Makoto Kasu¹ (1.Saga Univ.、2.Novel Crystal Technology、3.TDK)

15:45 〜 16:00

△ [21p-B203-10] 加圧式Optical Floating Zone 法による(InGaO₃)₁(ZnO)₂の大型単結晶育成と性能評価

〇井上禎人¹、河村優介¹、加瀬直樹¹、宮川宣明¹ (1.東理大理)

16:00 〜 16:15

△ [21p-B203-11] 時間分解フォトルミネッセンスによるZnOのプロセス誘起欠陥評価

〇粕谷拓生¹、嶋紘平¹、秩父重英¹ (1.東北大多元研)

16:15 〜 16:30

△ [21p-B203-12] (Ga_xIn_1-x)₂O₃ 固溶体によるβ-Ga₂O₃構造の電子状態・欠陥制御の検討

〇(M1C)成浩^1,2、宝賀剛³、上田茂典²、小椋厚志^1,4、知京豊裕²、長田貴弘^2,1 (1.明大理工、2.物材機構、3.鶴岡高専、4.明大MREL)

16:30 〜 16:45

▼ [21p-B203-13] Improved reliability of InGaZnO Thin Film Transistor
by Utilizing Low-temperature High-Pressure nitridation Treatment

〇(D)KuanJu Zhou¹、 Keisuke Ide²、 TingChang Chang¹ (1.National Sun Yat-Sen Univ、2.MSL Tokyo Tech)

17:00 〜 17:15

△ [21p-B203-14] Mist CVD法により成長したα-In₂O₃薄膜のキャリア濃度とホール移動度の温度依存性

〇田口義士¹、尾沼猛儀¹、後藤健²、金子健太郎³、熊谷義直²、本田徹¹、藤田静雄³、山口智広¹ (1.工学院大、2.東京農工大、3.京都大)

17:15 〜 17:30

△ [21p-B203-15] フリーキャリヤ吸収を有する透明導電膜のエリプソメトリー完全自動解析手法の確立

〇谷勇佑¹、前田紗良¹、片山博貴²、兼松大二²、寺川朗²、藤原裕之¹ (1.岐阜大、2.パナソニック)

17:30 〜 17:45

△ [21p-B203-16] ミストCVD法を用いたc面サファイア基板上のrh-IMO薄膜のエピタキシャル成長とその評価

〇石野貴之¹、島添和樹¹、鐘ケ江一孝¹、西中浩之¹、吉本昌広¹ (1.京都工繊大)

17:45 〜 18:00

▼ [21p-B203-17] Fabrication of conductive anatase Ti_1−xNb_xO₂ thin films by mist chemical vapor deposition

〇(D)Han XU¹、 Tomohito Sudare¹、 Yumie Miura¹、 Ryo Nakayama¹、 Ryota Shimizu¹、 Naoomi Yamada²、 Kentaro Kaneko³、 Taro Hitosugi^1,4 (1.Tokyo Tech.、2.Chubu Univ.、3.Kyoto Univ、4.Univ. Tokyo)

18:00 〜 18:15

△ [21p-B203-18] 原子層堆積法を用いた高移動度 In₂O₃薄膜トランジスタの作製

〇川戸勇人¹、髙橋崇典¹、上沼睦典¹、小林正治²、浦岡行治¹ (1.奈良先端大、2.東大生研)

18:15 〜 18:30

△ [21p-B203-19] 三次元集積デバイス応用に向けた非晶質酸化物半導体材料の開発

〇高橋崇典¹、上沼睦典¹、小林正治²、浦岡行治¹ (1.奈良先端大、2.東京大学)

18:30 〜 18:45

▼ [21p-B203-20] Electric Field Thermopower Modulation of High-mobility InSnZnO_x TFTs

〇(D)Hui Yang^1,2、 Yuqiao Zhang³、 Yasutaka Matsuo¹、 Hiromichi Ohta¹ (1.RIES-Hokkaido Univ.、2.Beijing Jiaotong Univ.、3.Jiangsu Univ.)

セッション一覧

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[20p-B203-1~22] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

▲ [20p-B203-1] Impact of Au surfactant on composition and optical properties of gallium oxysulfide films

▲ [20p-B203-10] Investigation of Capacitance–Voltage Characteristics of p-Si/n-Ga2O3 Heterostructures Fabricated by Surface-Activated Bonding

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[21p-B203-1~20] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [21p-B203-1] ミストCVD法によるβ-(AlxGa1-x)2O3/β-(InxGa1-x)2O3/β-Ga2O3薄膜のヘテロエピタキシャル成長

△ [21p-B203-2] 飛行時間型質量分析によるβ-Ga2O3の有機金属気相成長の解析

△ [21p-B203-3] 面内圧縮歪みを有するβ-Ga2O3薄膜のエピタキシャル成長

△ [21p-B203-4] 室温でのエキシマレーザーアニールにより作製した酸化物緩衝層付きポリマー基板上のβ-Ga2O3配向膜の構造及び光学特性の評価

△ [21p-B203-5] ミストCVD法によるβ-Fe2O3バッファ層を用いたδ-Ga2O3のエピタキシャル成長

△ [21p-B203-6] ミストCVD法によるGeドープβ-Ga2O3薄膜のホモエピタキシャル成長

△ [21p-B203-7] サファイア基板上の単結晶ZnO薄膜作製におけるバッファー層評価指標

△ [21p-B203-8] MgO 基板と格子整合する MgO-NiO-ZnO 混晶半導体

▼ [21p-B203-9] Dislocation Responsible for Leakage Current in HVPE (001) β-Ga2O3 SBD Observed by Emission Microscopy and Synchrotron X-ray Topography

△ [21p-B203-10] 加圧式Optical Floating Zone 法による(InGaO3)1(ZnO)2の大型単結晶育成と性能評価

△ [21p-B203-11] 時間分解フォトルミネッセンスによるZnOのプロセス誘起欠陥評価

△ [21p-B203-12] (GaxIn1-x)2O3 固溶体によるβ-Ga2O3構造の電子状態・欠陥制御の検討

▼ [21p-B203-13] Improved reliability of InGaZnO Thin Film Transistorby Utilizing Low-temperature High-Pressure nitridation Treatment

△ [21p-B203-14] Mist CVD法により成長したα-In2O3薄膜のキャリア濃度とホール移動度の温度依存性

△ [21p-B203-15] フリーキャリヤ吸収を有する透明導電膜のエリプソメトリー完全自動解析手法の確立

△ [21p-B203-16] ミストCVD法を用いたc面サファイア基板上のrh-IMO薄膜のエピタキシャル成長とその評価

▼ [21p-B203-17] Fabrication of conductive anatase Ti1−xNbxO2 thin films by mist chemical vapor deposition

△ [21p-B203-18] 原子層堆積法を用いた高移動度 In2O3薄膜トランジスタの作製

△ [21p-B203-19] 三次元集積デバイス応用に向けた非晶質酸化物半導体材料の開発

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△ [21p-B203-5] ミストCVD法によるβ-Fe₂O₃バッファ層を用いたδ-Ga₂O₃のエピタキシャル成長

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