一般セッション(口頭講演)
[10a-N302-1~6] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術
10:30 〜 10:45
〇藤田 一矢1、 鈴木 康介1、 陳 君怡1、 ツォーフーマーク チャン1、 伊東 浩之1、 山根 大輔2、 町田 克之1、 益 一哉1、 曽根 正人1 (1.東工大、2.立命館大学)
10:45 〜 11:00
〇川上 宙輝1、 伊藤 勇毅1、 Chien Yu-An1、 Chiu Wan-Ting1、 Chakraborty Parthojit1、 Chen Chun-Yi1、 Chang Tso-Fu Mark1、 中本 高道1、 曽根 正人1 (1.東工大)
11:00 〜 11:15
〇(M2)三本 大貴1、 Chiu Wan-Ting1、 Chen Chun-Yi1、 Chang Tso-Fu Mark1、 神野 有沙2、 黒子 弘道2、 渡辺 靖3、 曽根 正人1 (1.東工大、2.奈女大、3.昭和電工マテリアルズ)
11:15 〜 11:30
〇大西 哲1、 内山 晃宏1、 柴田 滉平1、 市川 崇志1、 李 尚曄1、 飯田 慎一2、 石原 昇1、 町田 克之1、 益 一哉1、 伊藤 浩之1 (1.東工大、2.NTT-AT)
11:30 〜 11:45
〇(M2)POWEI CHENG1、 Yi Chun Chen1、 Taku Ichibayashi1,2、 Tso-Fu Mark Chang1、 Masato Sone1、 Suzushi Nishimura1 (1.Tokyo Tech、2.ENEOS Corp.)
11:45 〜 12:00
〇五十嵐 大夢1、 今泉 文伸1 (1.小山高専)