一般セッション(口頭講演)

[20a-E311-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

2019年9月20日(金) 09:00 〜 12:00 E311 (E311)

松下雄一郎(東工大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[20a-E311-1] SiO₂/Al₂O₃絶縁膜を有する3C-SiC n-MOSキャパシタとn-MOSFET動作

〇山本圭介¹、岡龍誠¹、王冬¹、中島寛²、菱木繁臣³、川村啓介^2,3 (1.九大総理工、2.九大GIC、3.エア・ウォーター)

09:15 〜 09:30

△ [20a-E311-2] SiO₂/Al₂O₃ 絶縁膜を有する3C-SiC n-MOS キャパシタの固定電荷と界面ダイポール解析

〇岡龍誠¹、山本圭介¹、王冬¹、中島寛²、菱木繁臣³、川村啓介³ (1.九大総理工、2.九大GIC、3.エア・ウォーター)

09:30 〜 09:45

△ [20a-E311-3] リン処理を施したSiC MOSFETにおけるチャネル移動度のボディ層アクセプタ密度依存性

〇伊藤滉二¹、堀田昌宏^1,2、須田淳^1,2、木本恒暢¹ (1.京大院工、2.名大院工)

09:45 〜 10:00

△ [20a-E311-4] 局所DLTS法を用いたマクロステップを有するSiCにおける界面準位密度分布の測定

〇保坂杏奈¹、山末耕平¹、 Judith Woerle^2,3、 Corrado Bongiorno⁴、 Gabriel Ferro⁵、 Ulrike Grossner²、 Massimo Camarda^2,3、長康雄¹ (1.東北大通研、2.ETH Zurich、3.Paul Scherrer Institute、4.CNR-IMM、5.リヨン大)

10:00 〜 10:15

△ [20a-E311-5] 光照射C-V測定による窒化SiO₂/SiC界面における深い準位の評価

〇(D)立木馨大¹、鐘ヶ江一孝¹、木本恒暢¹ (1.京大院工)

10:15 〜 10:30

△ [20a-E311-6] 界面近傍酸化膜トラップを考慮した
4H-SiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性の解析

〇松谷優汰¹、張旭芳¹、岡本大¹、岩室憲幸¹、矢野裕司¹ (1.筑波大数物)

10:45 〜 11:00

▼ [20a-E311-7] Significant effects on SiO₂/4H-SiC band alignment induced by the difference of employed crystal face and post oxidation annealing processes

〇(D)Taehyeon Kil¹、 Koji Kita¹ (1.The Univ. of Tokyo)

11:00 〜 11:15

△ [20a-E311-8] pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析

〇根本宏樹¹、岡本大¹、張旭芳¹、染谷満²、岡本光央²、畠山哲夫²、原田信介²、岩室憲幸¹、矢野裕司¹ (1.筑波大学、2.産総研)

11:15 〜 11:30

[20a-E311-9] NO窒化後のCO₂熱処理によるSiC MOSFETの閾値電圧安定性向上

〇細井卓治¹、大迫桃恵¹、伊藤滉二²、志村考功¹、木本恒暢²、渡部平司¹ (1.阪大工、2.京大工)

11:30 〜 11:45

[20a-E311-10] 反転層移動度に対するSiO₂/SiC界面のクーロン散乱体の影響

〇畠山哲夫^1,2、染谷満²、平井悠久²、原田信介² (1.富山県立大工、2.産総研)

11:45 〜 12:00

[20a-E311-11] 不均一な界面欠陥分布がSiC MOSFETのチャネル移動度に及ぼす影響 ― 局所DLTS測定とデバイスシミュレーションに基づく検討 ―

〇山末耕平¹、山岸裕史¹、長康雄¹ (1.東北大通研)

一般セッション(口頭講演)

[20p-E311-1~17] 15.6 IV族系化合物（SiC）

2019年9月20日(金) 13:30 〜 18:15 E311 (E311)

矢野裕司(筑波大)、田中保宣(産総研)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:30 〜 13:45

[20p-E311-1] C面4H-SiCウェット酸化の特殊性と界面欠陥：EDMR分光からの知見

〇梅田享英¹、鹿児山陽平¹、富田和輝¹、阿部裕太¹、岡本光央²、畠山哲夫²、原田信介² (1.筑波大数物、2.産総研)

13:45 〜 14:00

[20p-E311-2] C面窒化4H-SiC/SiO₂界面の電流検出型電子スピン共鳴分光

〇(M1)成ケ澤雅人¹、比嘉栄斗¹、染谷満²、畠山哲夫²、原田信介²、梅田享英¹ (1.筑波大学数物、2.産総研)

14:00 〜 14:15

[20p-E311-3] 第一原理理論計算による4H-SiC(0-33-8)/SiO₂界面構造モデルの提案

〇松下雄一郎¹、畠山哲夫² (1.東工大、2.富山県立大)

14:15 〜 14:30

[20p-E311-4] Physical Analysis of Remained Oxidation Byproducts as the Origins of Lattice
Distortion at 4H-SiC Surface

Adhi Dwi Hatmanto¹、〇Koji Kita¹ (1.The Univ. of Tokyo)

14:30 〜 14:45

[20p-E311-5] 結晶面の異なる 4H-SiC MOS 界面からの Ar アニールによる N 原子脱離過程

〇(M1)佐俣勇祐¹、喜多浩之¹ (1.東大院工)

15:00 〜 15:15

[20p-E311-6] [講演奨励賞受賞記念講演] 高濃度ドープSiCショットキー障壁ダイオードにおける順方向熱電界放出電流および逆方向電界放出電流の発現

〇原征大¹、浅田聡志¹、前田拓也¹、木本恒暢¹ (1.京大院工)

15:15 〜 15:30

[20p-E311-7] 高純度半絶縁性SiC基板上にイオン注入で作製したpinダイオードの評価

〇金子光顕^1,2、 Tsibizov Alexander²、木本恒暢¹、 Grossner Ulrike² (1.京大院工、2.チューリッヒ工科大学)

15:30 〜 15:45

△ [20p-E311-8] 高温動作集積回路用 SiC サイドゲートJFETの短チャネル効果に関する実験的研究

〇中島誠志¹、金祺民¹、金子光顕¹、木本恒暢¹ (1.京大院工)

15:45 〜 16:00

△ [20p-E311-9] 高温アニールおよび熱酸化処理を施した高純度半絶縁性4H-SiC基板の電気的性質の評価

〇具燦淳¹、金子光顕¹、木本恒暢¹ (1.京大院工)

16:00 〜 16:15

[20p-E311-10] THz-TDSEによるイオン注入した4H-SiCの電気特性評価

〇(M1)佐藤希一¹、藤井高志^1,3、荒木努¹、毛利真一郎¹、石地耕太朗²、岩本敏志³、杉江隆一⁴ (1.立命館大理工、2.九州シンクロトロン光研究センター、3.㈱日邦プレシジョン、4.東レリサーチセンター)

16:15 〜 16:30

[20p-E311-11] <11-20>方向に電界印加した4H-SiC p-n接合ダイオードにおける
Franz-Keldysh効果に起因したフォノンアシスト光吸収

〇前田拓也¹、遅熙倫¹、田中一¹、堀田昌宏^1,2、須田淳^1,2、木本恒暢¹ (1.京大院工、2.名大院工)

16:45 〜 17:00

[20p-E311-12] 通電と紫外線照射による4H-SiCエピ層中のSSFの拡張

〇高野和美¹、大崎理彦¹、五十嵐靖行¹ (1.アイテス)

17:00 〜 17:15

△ [20p-E311-13] p型SiCにおけるキャリア寿命の理論解析

〇山下昇真¹、木本恒暢¹ (1.京大院工)

17:15 〜 17:30

[20p-E311-14] 4H-SiC 厚膜エピの高注入ライフタイムおよび拡散長推定

〇(M2)長屋圭祐¹、平山貴史¹、宮坂晶²、児島一聡³、加藤智久³、奥村元³、加藤正史¹ (1.名工大、2.昭和電工、3.産総研)

17:30 〜 17:45

[20p-E311-15] 4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥の形成における窒素不純物濃度の影響

〇(M1)楢原拓真^1,2、佐藤真一郎²、児島一聡³、山﨑雄一²、土方泰斗¹、大島武² (1.埼玉大学、2.量研、3.産総研)

17:45 〜 18:00

[20p-E311-16] SiC結晶中シリコン空孔のODMR信号に熱処理温度が及ぼす影響

〇(M2)千葉陽史^1,2、山﨑雄一²、牧野高紘²、佐藤真一郎²、山田尚人²、佐藤隆博²、土方泰斗¹、大島武² (1.埼玉大院、2.量研)

18:00 〜 18:15

[20p-E311-17] SiC デバイス内の3 次元配列シリコン空孔を用いた光検出磁場共鳴測定

〇山崎雄一¹、千葉陽史^1,2、佐藤真一郎¹、牧野高紘¹、山田尚人¹、佐藤隆博¹、土方泰斗²、児嶋一聡³、土田秀一⁴、星乃紀博⁴、大島武¹ (1.量研、2.埼玉大工、3.産総研、4.電中研)

一般セッション(口頭講演)

[21a-E311-1~7] 15.6 IV族系化合物（SiC）

2019年9月21日(土) 09:00 〜 10:45 E311 (E311)

原田俊太(名大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[21a-E311-1] SiCの溶液成長におけるSi-Cr溶媒へのCo添加による表面モフォロジーへの影響

〇江原槙吾¹、土本直道¹、鈴木皓己¹、玄光龍¹、太子敏則¹ (1.信州大工)

09:15 〜 09:30

[21a-E311-2] TSSG法を応用した気相での多結晶SiCコーティング

〇横林悠太¹、土本直道¹、各務祐気²、山本周一²、鈴木皓己¹、太子敏則¹ (1.信州大工、2.アスザック)

09:30 〜 09:45

[21a-E311-3] AlN/Si(110)上SiCエピタキシャル成長におけるSiC低温バッファ層の効果

奈良友奎¹、〇葛西大希¹、中澤日出樹¹ (1.弘前大院理工)

09:45 〜 10:00

[21a-E311-4] SiCエピタキシャル成長装置排ガス管内副生成物から生じるガス種

水島一郎¹、〇羽深等² (1.ニューフレアテクノロジー、2.横国大院工)

10:00 〜 10:15

[21a-E311-5] 三フッ化塩素ガスを用いた炭化珪素エピリアクタークリーニングにおける反応熱の影響

〇林優也¹、羽深等¹、倉島圭祐¹、伊藤英樹²、三谷慎一²、水島一郎²、高橋至直³ (1.横浜大院工、2.ニューフレアテクノロジー、3.関東電化工業)

10:15 〜 10:30

[21a-E311-6] 三フッ化塩素ガスを用いた直径200 mm炭化ケイ素ウェハエッチング装置の設計

〇川崎稜平¹、羽深等¹、高橋至直²、加藤智久³ (1.横国大院工、2.関東電化工業、3.産総研)

10:30 〜 10:45

[21a-E311-7] 三フッ化塩素ガスによる4H-SiCウエハエッチング速度分布におけるガス流量の効果

〇入倉健太¹、奥山将吾¹、羽深等¹、高橋至直²、加藤智久³ (1.横国大院工、2.関東電化工業、3.産総研)

一般セッション(ポスター講演)

[19p-PB4-1~8] 15.6 IV族系化合物（SiC）

2019年9月19日(木) 13:30 〜 15:30 PB4 (第二体育館)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:30 〜 15:30

[19p-PB4-1] Naフラックスを用いたSiC溶液成長における溶液構造の解析

〇村田拓郎¹、河村貴宏¹ (1.三重大工)

13:30 〜 15:30

[19p-PB4-2] 界面顕微光応答法によるSiCウエハーに存在する構造欠陥の2次元評価

〇塩島謙次¹、松田稜¹、加藤正史² (1.福井大院工、2.名工大)

13:30 〜 15:30

[19p-PB4-3] Below-Gap励起光を用いたFET構造4H-SiCの欠陥準位の検出

〇小野寺奎¹、鎌田憲彦¹、土方泰斗¹、武山昭憲²、大島武²、吉江徹³ (1.埼玉大院理工、2.量子科学技術研、3.サンケン電気)

13:30 〜 15:30

[19p-PB4-4] 4H-SiC表面の低温熱酸化：Si面とC面の差異

〇郡山春人¹、遠田義晴¹ (1.弘前大院理工)

13:30 〜 15:30

[19p-PB4-5] SiO₂/SiC界面電気特性のBa増速酸化温度依存性

〇辻英徳¹、寺尾豊¹、細井卓治²、張旭芳³、矢野裕司³、志村考功²、渡部平司² (1.富士電機、2.阪大院工、3.筑波大)

13:30 〜 15:30

[19p-PB4-6] X線吸収分光による4H-SiC（m面）表面に導入された窒素の局所構造解析

〇磯村典武¹、片岡恵太¹、渡辺行彦¹、木本康司¹ (1.豊田中研)

13:30 〜 15:30

[19p-PB4-7] 耐放射線UVイメージセンサのためのフル4H-SiC画素デバイス

〇(M1)西垣内健汰¹、目黒達也¹、武山昭憲²、大島武²、田中保宣³、黒木伸一郎¹ (1.広島大、2.量研、3.産総研)

13:30 〜 15:30

[19p-PB4-8] ノーマリーオフ型4H-SiC JFETのガンマ線照射効果

〇武山昭憲¹、清水奎吾²、牧野高紘¹、山﨑雄一¹、大島武¹、黒木伸一郎³、田中保宣² (1.量研、2.産総研、3.広島大学ナノデバイス)

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[20a-E311-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [20a-E311-2] SiO2/Al2O3 絶縁膜を有する3C-SiC n-MOS キャパシタの固定電荷と界面ダイポール解析

△ [20a-E311-3] リン処理を施したSiC MOSFETにおけるチャネル移動度のボディ層アクセプタ密度依存性

△ [20a-E311-4] 局所DLTS法を用いたマクロステップを有するSiCにおける界面準位密度分布の測定

△ [20a-E311-5] 光照射C-V測定による窒化SiO2/SiC界面における深い準位の評価

△ [20a-E311-6] 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性の解析

▼ [20a-E311-7] Significant effects on SiO2/4H-SiC band alignment induced by the difference of employed crystal face and post oxidation annealing processes

△ [20a-E311-8] pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析

[20p-E311-1~17] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [20p-E311-8] 高温動作集積回路用 SiC サイドゲートJFETの短チャネル効果に関する実験的研究

△ [20p-E311-9] 高温アニールおよび熱酸化処理を施した高純度半絶縁性4H-SiC基板の電気的性質の評価

△ [20p-E311-13] p型SiCにおけるキャリア寿命の理論解析

[21a-E311-1~7] 15.6 IV族系化合物（SiC）

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△ [20a-E311-2] SiO₂/Al₂O₃ 絶縁膜を有する3C-SiC n-MOS キャパシタの固定電荷と界面ダイポール解析

△ [20a-E311-5] 光照射C-V測定による窒化SiO₂/SiC界面における深い準位の評価

△ [20a-E311-6] 界面近傍酸化膜トラップを考慮した
4H-SiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性の解析

▼ [20a-E311-7] Significant effects on SiO₂/4H-SiC band alignment induced by the difference of employed crystal face and post oxidation annealing processes